LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法。

背景技术

LOD（Length of Diffusion）是晶体管器件在沟道延长线方向上栅极与浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)间距变化导致的器件电学特性变化效应，当拥有相同栅极长度和宽度的两个晶体管器件，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应就是LOD应力效应。LOD应力效应主要影响器件的饱和源漏电流(Idsat)和阈值电压(Vth)，该效应可以通过以下两个版图(Layout)参数来描述：SA和SB，其中，SA是晶体管器件栅极到源端 (Active Area，有源区)边缘的间距，SB是晶体管器件栅极到漏端 (Active Area，有源区)边缘的间距。

为了测试STI应力对晶体管器件的影响，半导体行业普遍建立晶体管器件的基本电流电压模型和LOD(Length Of Diffusion)效应模型来进行仿真试验。其中， LOD效应模型在提取的基本电流电压模型的基础上，根据LOD效应测试数据，对设计的晶体管器件进行仿真，得到仿真结果。

现有技术中，提取基本电流电压模型的版图和提取LOD效应模型的版图是分开设计的，在采用两者对晶体管器件进行电学性能测试时，由于测试点（testkey）的位置、环境、测试条件及测试机台不一致，会导致用于提取基本电流电压模型和提取LOD效应模型中版图参数完全相同的两个晶体管器件的实测数据存在差异，从而出现LOD效应模型的仿真数据和实测数据无法完全拟合的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法，用于解决现有技术中由于测试点的位置、环境、测试条件及测试机台不一致，导致用于提取基本电流电压模型和提取LOD效应模型中版图参数完全相同的两个晶体管器件的实测数据存在差异，从而出现LOD效应模型的仿真数据和实测数据无法完全拟合的问题。

第一方面，本申请提供了一种LOD效应模型的优化方法，所述方法包括：

构建待测晶体管器件的结构；所述待测晶体管器件包括第一晶体管器件；

基于所述第一晶体管器件，得到基本电流电压模型的第一模型参数；

基于所述第一晶体管器件的版图参数，调整所述第一模型参数，得到第二模型参数；

将所述第二模型参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。

在其中一个实施例中，所述第一晶体管器件的数量为多个，各所述第一晶体管器件的尺寸为变量、且栅极到有源区边缘的间距SA为定值；

其中，所述尺寸包括沟道长度和沟道宽度。

在其中一个实施例中，所述基于所述第一晶体管器件，得到基本电流电压模型的第一模型参数包括：

采用所述基本电流电压模型对各所述第一晶体管器件进行仿真，将仿真结果作为基本电流电压模型的第一模型参数。

在其中一个实施例中，所述基于所述第一晶体管器件的版图参数，调整所述第一模型参数，得到第二模型参数包括：

建立所述第一模型参数和所述版图参数的比例函数，各比例函数组合后得到距离函数模型；其中，所述版图参数包括第一晶体管器件的尺寸和SA，所述第一模型参数包括阈值电压、有效迁移率和饱和速度；

将所述距离函数模型加入所述基本电流电压模型的公式中；

采用加入所述距离函数模型的公式，对所述第一晶体管器件进行仿真，将仿真结果作为所述基本电流电压模型的第二模型参数。

在其中一个实施例中，所述待测晶体管器件包括第二晶体管器件，所述第二晶体管器件的数量为多个，各所述第二晶体管器件的尺寸为定值、且SA为变量。

在其中一个实施例中，所述将所述第二模型参数应用到LOD效应模型中包括：

当所述第二晶体管器件的SA，变化到与所述第一晶体管器件的SA相等时，调取所述第一晶体管器件的尺寸与所述第二晶体管器件的尺寸相同时对应的第二模型参数，并应用至LOD效应模型中。

在其中一个实施例中，LOD效应模型的优化方法还包括：

采用优化后的LOD效应模型对第二晶体管器件进行仿真，得到仿真曲线；

根据所述仿真曲线和预存的基准关系曲线，调整所述距离函数模型和所述优化后的LOD效应模型的模型参数，得到最终的LOD效应模型。

在其中一个实施例中，所述基准关系曲线是通过预先测量各第二晶体管器件的电学性能数据得到的；

所述基准关系曲线包括：SA-Vth关系曲线和SA-Idsat关系曲线；

其中，Vth为阈值电压；Idsat为饱和漏源电流。

在其中一个实施例中，所述根据所述仿真曲线和预存的基准关系曲线，调整所述优化后的LOD效应模型的模型参数，得到最终的LOD效应模型包括：

将所述仿真曲线和所述基准关系曲线相比较；

根据比较结果，调整所述距离函数模型和优化后的LOD效应模型的模型参数，直至所述仿真曲线和所述基准关系曲线相匹配时，得到最终的LOD效应模型。

第二方面，本申请还提供了一种集成电路的制造方法，所述制造方法采用上述第一方面中任一项所述的方法来优化LOD效应模型，并采用优化后的LOD效应模型的仿真结构制造集成电路。

上述一种LOD效应模型的优化方法、集成电路的制造方法，至少具有以下优点：

本申请通过将基本电流电压模型提取的第一模型参数，调整为基于版图参数变化的第二模型参数，并将该第二模拟参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。采用优化后的LOD效应模型对待测晶体管器件进行仿真，可消除版图参数相同的两个晶体管器件，采用基本电流电压模型和LOD效应模型提取的测试数据存在差异，导致LOD模型的实测数据与仿真数据无法完全拟合的问题，从而更精确的提取LOD效应对晶体管器件带来的影响。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中LOD效应模型的优化方法的流程示意图；

图2为一个实施例中典型的晶体管器件的物理版图；

图3为另一个实施例中LOD效应模型的优化方法的流程示意图；

图4为一个实施例中获取第二模型参数的流程示意图；

图5为一个实施例中仿真曲线和实测数据的关系示意图；

图6为另一个实施例中仿真曲线和实测数据的关系示意图；

图7为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

为了阐释的目的而描述了本发明的一些示例性实施例，需要理解的是，本发明可通过附图中没有具体示出的其他方式来实现。

请参阅图1，在一个可行的实施例中，本申请实施例提供了一种LOD效应模型的优化方法，包括：

步骤S102，构建待测晶体管器件的结构，待测晶体管器件包括第一晶体管器件。

具体的说，集成电路的建模和仿真已经成为设计制造集成电路过程中不可或缺的手段，设计者构建晶体管器件的结构后，可采用基本电流电压模型对构建的晶体管器件进行仿真，得到晶体管器件的仿真数据，并基于该仿真数据生成特性曲线，例如IDVD曲线、IDVG曲线等；或者采用LOD效应模型对构建的晶体管器件进行仿真，得到晶体管器件的仿真数据，并基于该仿真数据生成与应力相关的曲线，例如SA-Vth关系曲线、SA-Idsat关系曲线，其中，Vth为阈值电压；Idsat为饱和漏源电流。应理解，在对设计的晶体管器件进行仿真的同时，还可生产少量不同版图参数的晶体管器件，并对生产出的晶体管器件进行测试，得到实际测试数据，并基于该实际测试数据，生成测试曲线，将该测试曲线与仿真得到的输出特性曲线或与应力相关的曲线进行比较，以验证仿真模型。其中，晶体管器件的版图参数包括沟道长度L、沟道宽度W、SA、SB和定义氧化层（Oxide Definition，简称OD）的长度LOD。

请参阅图2，图2中示意性地示出了典型的晶体管器件的物理版图，并示出了版图参数L、W、SA、SB和LOD。

进一步说明，针对不同仿真模型，用于测试的晶体管器件的版图参数有所不同，例如针对上述基本电流电压模型，应构建多个尺寸为变量、SA为定值的结构，其中，尺寸包括沟道长度L和沟道宽度W；而针对上述LOD效应模型，应构建多个尺寸为定值、SA为变量的结构，因此，为方便描述，本实施例中的待测晶体管器件包括第一晶体管器件和第二晶体管器件，其中，第一晶体管器件的数量为多个，且各第一晶体管器件的尺寸为变量、SA为定值；第二晶体管器件的数量也为多个，且各第二晶体管器件的尺寸为定值、SA为变量。

需要说明的是，晶体管器件包括N晶体管器件和P晶体管器件，且各晶体管器件可以为单栅极或多栅极。为方便描述，本实施例中采用了单栅极、N型晶体管进行建模。

步骤S104，基于第一晶体管器件，得到基本电流电压模型的第一模型参数。

具体的说，晶体管器件的版图参数取决于该晶体管器件的物理版图，晶体管器件的工艺参数取决于该晶体管器件的工艺条件。具体到本实施例中，通过设计第一晶体管器件物理版图和工艺条件，即可确定各第一晶体管器件的版图参数和工艺参数，将该版图参数和工艺参数输入基本电流电压模型中，即可对第一晶体管器件进行仿真，得到第一模型参数；其中，第一模型参数包括阈值电压(VTH0original)、有效迁移率(μeffo)和饱和速度Vsattempo。

步骤S106，基于第一晶体管器件的版图参数，调整第一模型参数，得到第二模型参数。

具体的说，通过测试第一晶体管器件的多组不同的版图参数，例如第一组版图参数（L1、W1、SA1=SB1）、第二组版图参数（L2、W2、SA1=SB1），即可得到各组版图参数对应的第一模型参数，应理解，各组版图参数对应的第一模型参数的数值应为一组定值。当采用LOD效应模型对第二晶体管器件进行应力效应仿真时，会设定第二晶体管器件的多组不同的版图参数，例如第一组版图参数（L2、W2、SA1=SB1）、第二组版图参数（L2、W2、SA2=SB2），针对版图参数（L2、W2、SA1=SB1）这个模型点，LOD效应模型采用了该版图参数在基本电流电压模型中对应的第一模型参数，来进行仿真，由于该模型点对应的第一模型参数在基本电流电压模型中已经提取好了，且为一组定值，在LOD效应模型拟合过程中，无法通过调整LOD效应模型的模型参数，来调整LOD效应模型各模型点的Vth和Idsat，从而达到完全拟合应力曲线与实测数据的目的，且SA越大越难拟合。因此，本申请的实施例基于第一晶体管器件的版图参数，对第一模型参数进行调整，以使其成为一个与版图参数相关的变量，供LOD效应模型仿真时使用。

应理解，第二模型参数包括阈值电压、有效迁移率和饱和速度。

步骤S108，将第二模型参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。

具体的说，半导体领域普遍建立效应SPICE模型进行仿真，SPICE模型与应力相关的通用型LOD效应模型，其架构包括：关于迁移率模型和关于阈值电压模型：

(1) 关于迁移率模型的相关公式

(2) 关于阈值电压模型的相关公式

其中，在上述迁移率和阈值电压相关公式中：

μ

ρ

Kstress_μ0为不同长度、宽度和温度综合水平的迁移率相关系数；

L

W

Kstress_vth0为不同长度和宽度综合水平的阈值电压相关系数；

μ

KU0、LKU0、WKU0、PKU0、TKU0、LLODKU0、WLODKU0为LOD效应模型中与迁移率变化相关的模型参数；

Inv_sa、Inv_sb为应力参数，且SAref、SBref为根据工艺设置的基准距离值；

vsattemp为饱和速度；

vsattempo为基本电流电压模型提取出的饱和速度；

KVSAT为LOD效应模型中与饱和速度变化相关的模型参数；

TNOM为室温，通常为25℃；

Temperature为测试温度；

VTH0为阈值电压；

VTH0original为基本电流电压模型提取出的阈值电压；

Inv_saref、Inv_sbref为应力参考值；

KVTH0、LKVTH0、W KVTH 0、P KVTH 0、LLODKVTH、WLOD KVTH、STETA0、LODETA0为LOD效应模型中与阈值电压偏移相关的模型参数；

XL为工艺因素导致的沟道长度偏移量；

XW为工艺因素导致的沟道宽度偏移量；

WLOD为应力效应宽度参数；

将步骤106中获取的第二模型参数，与上述LO D效应模型公式一起载入仿真软件进行仿真，形成优化后的LOD效应模型。

上述LOD效应模型的优化方法，通过将基本电流电压模型提取的第一模型参数，调整为基于版图参数变化的第二模型参数，并将该第二模拟参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。采用优化后的LOD效应模型对待测晶体管器件进行仿真，可消除版图参数相同的两个晶体管器件，采用基本电流电压模型和LOD效应模型提取的测试数据存在差异，导致LOD模型的实测数据与仿真数据无法完全拟合的问题，从而更精确的提取LOD效应对晶体管器件带来的影响。

请参阅图3，在一个可行的实施例中，本申请实施例的LOD效应模型的优化方法，还包括：

步骤S302，采用优化后的LOD效应模型对第二晶体管器件进行仿真，得到仿真曲线。

步骤S304，根据仿真曲线和预存的基准关系曲线，调整优化后的LOD效应模型的模型参数，得到最终的LOD效应模型。

具体的说，预存的基准关系曲线是基于第二晶体管器件的实测数据生成的，根据第二晶体管器件的版图参数，生产出一批尺寸为定值、SA为变量的晶体管器件，并对各晶体管器件进行电学性能测试，得到各晶体管器件的电学性能数据，再根据电学性能数据生成上述基准关系曲线，其中，基准关系曲线包括：SA-Vth关系曲线和SA-Idsat关系曲线，且Vth为阈值电压、Idsat为饱和漏源电流。

得到优化后的LOD效应模型后，采用该优化后的LOD效应模型对第二晶体管器件进行仿真，得到初始仿真曲线，将该初始仿真曲线和上述基准关系曲线进行比较，根据比较结果调整优化后的LOD效应模型的模型参数，其中，调整模型参数的方式有多种，例如根据经验值设定一个初值，或者取多次测试结果的中值作为初值，再根据比较结果在设定阈值内调整该初值，直至仿真曲线和基准关系曲线相匹配，得到最终的LOD效应模型。

上述LOD效应模型的优化方法，在优化后的LOD效应模型基础上，根据预存的基准关系曲线，进一步对模型参数进行调整，以使仿真结果更加趋近于实测数据，进一步提高了LOD效应模型的提取精度。

下面对本申请实施例提供的LOD效应模型的优化方法进行详细描述。

请参阅图4，步骤S106中，基于第一晶体管器件的版图参数，调整第一模型参数，得到第二模型参数，包括

步骤S402，建立第一模型参数和版图参数的比例函数，各比例函数组合后得到距离函数模型。

步骤S404，将距离函数模型加入基本电流电压模型的公式中。

步骤S406，采用加入距离函数模型的公式，对第一晶体管器件进行仿真，将仿真结果作为基本电流电压模型的第二模型参数。

具体的说，第一模型参数包括阈值电压、有效迁移率和饱和速度，版图参数包括第一晶体管器件的尺寸和SA，其中，尺寸包括沟道长度和沟道宽度，且第一晶体管器件的版图参数为多组尺寸为变量、SA为定值的参数；具体到本实施例中，第一晶体管器件的SA设定为SA=SB=5e-6m。

在一个可行的实施例中，距离函数模型包括：

其中，dvth0_lod为与SA相关的阈值电压修正参数；

dlvth0_lod、dwvth0_lod及dpvth0_lod为与尺寸相关的参数；

sa为各晶体管器件栅极到有源区边缘的间距；

lef为各晶体管器件的沟道长度；

wef为各晶体管器件的沟道宽度；

nf为各晶体管器件中子栅的数量；

mr为晶体管器件并联的数量;

du0_lod为与SA相关的迁移率修正参数；

dlu0_lod、dwu0_lod及dpu0_lod为与尺寸相关的参数；

dvsat_lod为与SA相关的饱和速度修正参数。

在基本电流电压模型的公式中，加入上述距离函数模型，应理解，加入距离函数模型的公式为与阈值电压、迁移率和饱和速度相关的公式，结合基本电流电压模型公式中的其余现存参数，例如步骤S108中涉及的KU0、LKU0、WKU0、PKU0等参数，共同构成了新的公式。采用该新的公式，对第一晶体管器件进行仿真，将得到的仿真结果作为第二模型参数。

需要说明的是，在实际应用中，可根据仿真需要确定LOD效应模型中调用第一模型参数或第二模型参数，仅需在调用程序中加入一个标志位即可。

获取第二模型参数后，将其与现有的LOD效应模型参数组成优化后的LOD效应模型参数，一起载入仿真软件，对待测晶体管器件进行仿真，得到初始仿真曲线，进一步的，在初始仿真曲线的基础上，通过调整距离函数模型和优化后的LOD效应模型的模型参数，对实测数据进行模型拟合，直至仿真曲线和实测数据相匹配时，得到最终的LOD效应模型。

请参阅图5和图6，图5和图6的横坐标是晶体管器件的SA，图5的纵坐标为晶体管器件的阈值电压，图6的纵坐标为晶体管器件的饱和漏源电流。图5中的模型曲线11和图6中的模型曲线12分别为采用现有技术的LOD参数提取的LOD效应模型，可见图5和图6中的仿真曲线和实测数据存在差异，无论如何调整现有的模型参数，都无法完全拟合仿真曲线与实测数据，SA越大越难拟合，且现有参数对基本模型里设定的SA(SB)=5e-6m的模型点的阈值电压和饱和漏源电流几乎没有作用。

以下结合图5和图6中的曲线示意图对拟合的步骤进行说明：

阈值电压LOD效应模型拟合方法如下：

请参阅图5，首先调整与SA相关的阈值电压修正参数

其次，调整通用型LOD效应模型架构中与LOD效应相关的阈值电压偏移参数KVTH0、LKVTH0、W KVTH 0、P KVTH 0、LLODKVTH、WLOD KVTH、STETA0、LODETA0等，使得SA小于5e-6m的模型曲线与实测数据拟合，如模型曲线31所示。

饱和漏源电流LOD效应模型拟合方法如下：

请参阅图6，首先调整与SA相关的迁移率修正参数du0_lod数值，以及调整与尺寸相关的参数dlu0_lod、dwu0_lod、dpu0_lod和饱和速度修正参数dvsat_lod，使SA=5e-6m的饱和漏源电流模型点与实测数据吻合，此时SA小于5e-6m的模型曲线也会随之移动，但尚未与相应的实测数据完全拟合，如模型曲线22所示。

其次，调整通用型LOD效应模型架构中与LOD效应相关的迁移率和饱和速度偏移参数KU0、LKU0、WKU0、PKU0、TKU0、LLODKU0、WLODKU0等，使得SA小于5e-6m的模型曲线与实测数据拟合，如模型曲线32所示。

可见，采用本申请实施例中的优化后的LOD效应模型，可使仿真曲线，尤其是针对SA较大的情况，和实测数据得到了很好的拟合，极大的提高了LOD效应模型的提取精度。

上述LOD效应模型的优化方法，通过将基本电流电压模型提取的第一模型参数，调整为基于版图参数变化的第二模型参数，并将该第二模拟参数应用到LOD效应模型中，得到优化后的LOD效应模型。采用优化后的LOD效应模型对待测晶体管器件进行仿真，可消除版图参数相同的两个晶体管器件，采用基本电流电压模型和LOD效应模型提取的测试数据存在差异，导致LOD模型的实测数据与仿真数据无法完全拟合的问题。进一步的，本申请还在优化后的LOD效应模型基础上，根据预存的基准关系曲线，对模型参数进行调整，以使仿真结果更加趋近于实测数据，从而更精确的提取LOD效应对晶体管器件带来的影响。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种集成电路的制造方法，其特征在于，采用上述实施例中公开的一种LOD效应模型的优化方法来优化LOD效应模型，并采用优化后的LOD效应模型的仿真结构制造集成电路。

进一步的，在一个可行的实施例中，本申请实施例还采用优化后的LOD效应模型对第二晶体管器件进行仿真，得到仿真曲线，根据仿真曲线和预存的基准关系曲线，调整距离函数模型和优化后的LOD效应模型的模型参数，得到最终的LOD效应模型，并采用最终的LOD效应模型的仿真结构制造集成电路。

上述集成电路的制造方法，采用了提取精度较高的LOD效应模型对设计的晶体管器件进行仿真，仿真结果更加趋近于实测数据，可精确的计算LOD效应对设计的晶体管器件带来的影响，方便设计者制造出性能更优的集成电路。

应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个可行的实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图7所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口(Input/Output，简称I/O）和通信接口。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储上述基本电流电压模型、LOD效应模型的实测数据和仿真数据。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种LOD效应模型的优化方法和一种集成电路的制造方法。

本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个可行的实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述LOD效应模型的优化方法和一种集成电路的制造方法的实施例中的步骤。

在一个可行的实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述LOD效应模型的优化方法和一种集成电路的制造方法的实施例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric RandomAccess Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccessMemory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。