一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法

技术领域

本发明涉及LED芯片测试技术领域，尤其涉及一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法。

背景技术

LED晶圆是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料。LED的相关电路元件的加工与制作都是在晶圆上完成的，所以晶圆技术与设备是晶圆制造技术的关键所在。

目前LED晶圆中段制程，主要分为光电性测试、外观检测及分类分选三大工序。而LED晶圆光电性测试时间是三大工序中生产时间占比最高的。在竞争日益激烈的情况下，提升生产效率，降低测试成本成为首要任务。提高LED晶圆光电性测试效率，通过节约测试时间达到设备产能提升，企业竞争力提高的目的。

目前绝大部分LED晶圆的测试方式都是做光电性全测，即每颗晶粒都需要测试光性和电性，这种全检测的方法会导致整个测试的效率低下。

为此，本发明提出一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法，包括如下步骤：

S1：扫描晶圆，并以晶圆平面为二维平面建立二维坐标系，确定晶圆上每个晶粒的X/Y坐标；

S2：测试整个晶圆的电性；

S3：确定样品区域大小，并按照样品区域大小将晶圆平面分割为N个区域；

S4：每个区域抽检一颗晶粒，并测试其光性和电性，区域内其余晶粒测试电性，并将测试值作为未代值数据，将未代值数据输出保存到储存目录A；

S5：利用内插法代值计算为测试光性的晶粒的光性；

S6：将代值完成的整个晶圆的晶粒光性值和电性值保存到储存目录B下，即可完成测试。

优选地：所述S1中，确定晶圆上每个晶粒的X/Y坐标的方法包括以下步骤：

S11：将相互垂直的两条直线组成坐标系的X轴和Y轴，并将X轴与Y轴置于晶圆的边缘位置，且保证X轴与Y轴分别平行于晶圆上晶粒的行与列；

S12：沿边缘位置向晶圆的另一侧分别沿着X轴与Y轴扫描；

S13：当沿着X轴扫描时，扫描到的第一列晶粒的X坐标为1，第二列的晶粒X坐标为2，并按照此逻辑依次确定，直至扫描至最后一列；

S14：当沿着Y轴扫描时，扫描到的第一行晶粒的Y坐标为1，第二行的晶粒Y坐标为2，并按照此逻辑依次确定，直至扫描至最后一行即可确定所有晶粒的X/Y坐标。

优选地：所述S3中，样品区域大小在二维坐标系内可以为圆形、矩形、六边形任一种。

优选地：所述S4中，抽检测试光性的晶粒为样品区域内的任意一颗晶粒。

优选地：所述S4、S5、S6步骤中，采用不同的服务器进行，且所述S4与S6中使用服务器A，所述S5中使用服务器B。

优选地：所述服务器A作为非代值步骤之外的计算服务，服务器用于代值计算服务。

优选地：所述S5中，内插法代值计算的方法为：

S51：先沿X轴方向计算代值；

S52：再沿Y轴方向计算代值；

S53：将同一个晶粒沿X轴方向计算的代值与Y轴方向计算的代值取平均数作为最终代值。

优选地：所述S51中，沿X轴方向计算的代值方法包括以下步骤：

A1：设待代值的晶粒X坐标为X

A2：根据公式

A3：按照A1与A2，计算出所有待代值晶粒的光性值。

优选地：所述S52中，沿Y轴方向计算代值的方法包括以下步骤：

B1设待代值的晶粒Y坐标为Y

B2：根据公式

B3：按照B1与B2，计算出所有待代值晶粒的光性值。

优选地：所述S53中，待代值的最终代值光性值M＝(P+Q)/2。

本发明的有益效果为：

1.本发明对于晶圆检测先对整个晶圆进行全电测试，在电测试合格的条件下，对晶圆内的晶粒采用区域划分的抽检形式进行光性测试，则利用内插法计算其余未测试的晶粒，从而提高了整个测试过程的效率。

2.本发明利用晶粒光性值直线等比特性，利用内插法计算，并同时根据X方向和Y方向分别计算，再以均值处理，从而增加了最终光性值代值的精确度。

附图说明

图1为本发明提出的一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法的样品区域大小以及光性测试晶粒位置示意图；

图2为本发明提出的一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法的内插法代值的计算示意图；

图3为本发明提出的一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。

在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。

实施例1：

一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法，如图1-3所示，包括如下步骤：

S1：扫描晶圆，并以晶圆平面为二维平面建立二维坐标系，确定晶圆上每个晶粒的X/Y坐标；

S2：测试整个晶圆的电性；

S3：确定样品区域大小，并按照样品区域大小将晶圆平面分割为N个区域；

S4：每个区域抽检一颗晶粒，并测试其光性和电性，区域内其余晶粒测试电性，并将测试值作为未代值数据，将未代值数据输出保存到储存目录A；

S5：利用内插法代值计算为测试光性的晶粒的光性；

S6：将代值完成的整个晶圆的晶粒光性值和电性值保存到储存目录B下，即可完成测试。

所述S1中，确定晶圆上每个晶粒的X/Y坐标的方法包括以下步骤：

S11：将相互垂直的两条直线组成坐标系的X轴和Y轴，并将X轴与Y轴置于晶圆的边缘位置，且保证X轴与Y轴分别平行于晶圆上晶粒的行与列；

S12：沿边缘位置向晶圆的另一侧分别沿着X轴与Y轴扫描；

S13：当沿着X轴扫描时，扫描到的第一列晶粒的X坐标为1，第二列的晶粒X坐标为2，并按照此逻辑依次确定，直至扫描至最后一列；

S14：当沿着Y轴扫描时，扫描到的第一行晶粒的Y坐标为1，第二行的晶粒Y坐标为2，并按照此逻辑依次确定，直至扫描至最后一行即可确定所有晶粒的X/Y坐标。

所述S3中，样品区域大小在二维坐标系内可以为圆形、矩形、六边形任一种，本实施例优选的为2*2的矩形。

所述S4中，抽检测试光性的晶粒为样品区域内的任意一颗晶粒，本实施例优选的：抽检测试光性的晶粒为2*2矩形样品区域内的位于左上角的一颗晶粒。

所述S4、S5、S6步骤中，采用不同的服务器进行，且所述S4与S6中使用服务器A，服务器A作为非代值步骤之外的计算服务，所述S5中使用服务器B，服务器用于代值计算服务。

本实施例中，对于晶圆检测先对整个晶圆进行全电测试，在电测试合格的条件下，对晶圆内的晶粒采用区域划分的抽检形式进行光性测试，则利用内插法计算其余未测试的晶粒，从而提高了整个测试过程的效率。

实施例2：

一种基于内插法代值的LED晶圆光性测试方法，如图1-3所示，本实施例基于实施例1做出以下改进：所述S5中，内插法代值计算的方法为：

S51：先沿X轴方向计算代值；

S52：再沿Y轴方向计算代值；

S53：将同一个晶粒沿X轴方向计算的代值与Y轴方向计算的代值取平均数作为最终代值。

所述S51中，沿X轴方向计算的代值方法包括以下步骤：

A1：设待代值的晶粒X坐标为X

A2：根据公式

A3：按照A1与A2，计算出所有待代值晶粒的光性值。

所述S52中，沿Y轴方向计算代值的方法包括以下步骤：

B1设待代值的晶粒Y坐标为Y

B2：根据公式

B3：按照B1与B2，计算出所有待代值晶粒的光性值。

所述S53中，待代值的最终代值光性值M＝(P+Q)/2。

本实施例中：利用晶粒光性值直线等比特性，利用内插法计算，并同时根据X方向和Y方向分别计算，再以均值处理，从而增加了最终光性值代值的精确度。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。