显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是由阵列基板(Array)和彩膜基板(Color Filter，CF)、以及夹设于两者之间的液晶层构成。为了提高开口率，在传统工艺基础上发展出在阵列基板上制作彩色滤光片层(ColorFilter on Array，COA)的新型工艺技术。随着产品高解析度高画质要求的发展，COA技术使用越来越广泛。COA工艺过程为在传统阵列基板形成钝化层之后，再依次形成红绿蓝彩色滤光片层、有机聚合层以及透明电极层。

无论是使用传统阵列基板工艺还是现行COA工艺的面板，都容易发生因数据信号线断开(Data open)而产生线类不良，导致面板画质严重受损，只能报废处理。数据信号线断开其主要原因是在数据信号线和栅极信号线交叠的位置，由于存在较大的高度差，导致信号线易发生断裂。随着产品刷新频率以及解析度越来越高，需要栅极信号线和数据信号线的厚度更大才能保证足够的充电，因此数据信号线和栅极信号线交叠位置的高度差进一步扩大，数据信号线断开的问题愈发严重。

使用传统阵列工艺和现行COA工艺的面板，另一容易发生的问题是水平串扰(Horizontal-crosstalk)。当面板显示两个较大面积不同灰阶的画面时，由于数据信号线和阵列公共电极之间存在较大的寄生电容，随着数据信号线在切换灰阶时的电压跳变，电容耦合效应也会导致公共电极电压发生跳变，而公共电极电压的跳变量与寄生电容成正比。当面板刷新频率越来越高时，信号线的充放电时间也越来越短，当公共电极电压跳变的恢复时间相同的情况下，高刷新频率的面板水平串扰也更严重。

发明内容

第一方面，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括：

第一基板，所述第一基板具有承载面；

第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一基板的所述承载面上，在所述第一金属层与所述第一基板的层叠方向上，所述第一金属层背离所述第一基板的表面与所述承载面之间间距为第一间距D

滤光层，所述滤光层设置于所述第一金属层背离所述第一基板的一侧，且所述滤光层具有背离所述第一金属层的平坦面，在所述层叠方向上，所述平坦面中差值最大的两点之间距离为第二间距D

第二金属层，所述第二金属层设置于所述滤光层背离所述第一金属层的一侧。

其中，所述第一金属层包括栅极线，所述第二金属层包括数据线，所述栅极线在所述第一基板上的投影范围与所述数据线在所述第一基板上的投影范围部分重叠，所述滤光层部分设置于所述栅极线与所述数据线之间。

其中，所述第二金属层在与所述第一金属层交叠的部分具有高度H，所述高度H满足：

其中，所述第一金属层包括公共电极，所述公共电极在所述第一基板上的投影范围与所述数据线在所述第一基板上的投影范围部分重叠；

所述滤光层部分设置于所述公共电极与所述数据线之间。

其中，所述滤光层具有厚度范围D

其中，所述显示面板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述第一金属层与所述滤光层之间或设置于所述第二金属层与所述滤光层之间，所述钝化层具有厚度范围D

其中，所述滤光层具有第一开口，所述显示面板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极及漏极；

所述栅极和所述第一金属层同层设置，且所述栅极电连接所述栅极线；

所述栅极绝缘层设置于所述栅极背离所述第一基板的表面；

所述半导体层收容于所述第一开口，且设置于所述栅极绝缘层背离所述栅极的一侧；

所述源极和所述漏极收容于所述第一开口，所述源极及所述漏极连接于所述半导体层，且所述源极及所述漏极间隔设置。

其中，所述显示面板还包括：

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；

黑矩阵，所述黑矩阵设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧；

液晶层，所述液晶层夹设于所述第一基板与所述第二基板之间。

第二方面，本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括背光模组及所述的显示面板。

第三方面，本发明还提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有承载表面；

在所述基板的承载表面上制作第一金属膜层，在所述第一金属膜层与所述基板的层叠方向上，所述第一金属膜层背离所述基板的表面与所述承载表面之间的间距为第一间距D

在所述第一金属膜层背离所述基板的一侧制作滤光膜层，且所述滤光膜层具有背离所述第一金属膜层的平坦表面，在所述层叠方向上，所述平坦表面中差值最大的两点之间距离为第二间距D

在所述滤光膜层背离所述第一金属膜层的一侧制作第二金属膜层。

本申请实施方式提供的显示面板，所述滤光层设置于所述第一金属层背离所述第一基板的一侧，所述滤光层具有背离所述第一金属层的平坦面。在所述第一金属层与所述第一基板的层叠方向上，所述平坦面中差值最大的两点之间距离为第二间距D

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例的显示装置的示意图。

图2是图1中提供的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图3是一对比实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图4是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图5是一对比实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图6是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图7是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。

图8是本申请实施例的显示面板的部分结构示意图。

图9是图8中提供的显示面板沿B-B线、C-C线及D-D线的截面结构示意图。

图10是一对比实施例的显示面板沿B-B线、C-C线及D-D线的截面结构示意图。

图11是本申请实施例的显示面板的截面结构示意图。

图12是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图。

图13是图12中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。

图14是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图。

图15是图14中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。

图16是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图。

图17是图16中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。

图18是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图。

图19是图18中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。

附图标记说明：

1-显示装置，10-显示面板，20-背光模组，11-第一基板，12-第一金属层，13-滤光层，14-第二金属层，15-钝化层，16-薄膜晶体管，17-第二基板，18-黑矩阵，19-液晶层，31-基板，32-第一金属膜层，33-滤光膜层，34-第二金属膜层，35-有机层，36-像素电极，111-承载面，121-栅极线，122-公共电极，131-平坦面，132-第一开口，141-数据线，161-栅极，162-栅极绝缘层，163-半导体层，164-源极，165-漏极，331-平坦表面

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

请参阅图1、图2、图3、图8、图9及图10，图1是本申请实施例的显示装置的示意图，图2是图1中提供的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图，图3是一对比实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图，图8是本申请实施例的显示面板的部分结构示意图，图9是图8中提供的显示面板沿B-B线、C-C线及D-D线的截面结构示意图，图10是一对比实施例的显示面板沿B-B线、C-C线及D-D线的截面结构示意图。本发明实施例的显示面板10，包括第一基板11、第一金属层12、滤光层13及第二金属层14。所述第一基板11具有承载面111。所述第一金属层12设置于所述第一基板11的所述承载面111上，在所述第一金属层12与所述第一基板11的层叠方向上，所述第一金属层12背离所述第一基板11的表面与所述承载面111之间间距为第一间距D

本发明实施例的显示面板10可以为但不仅限于为应用于薄膜晶体管16液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，可以理解地，所述显示面板10还可以为应用于其他显示装置1中，所述显示面板10的应用场景不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述显示面板10还可以为包括薄膜晶体管16(Thin FilmTransistor，TFT)，所述第一基板11、所述第一金属层12、所述第二金属层14与所述薄膜晶体管16共同构成所述显示装置1的阵列基板。所述阵列基板用于驱动所述显示装置1的液晶旋转，并用于控制所述显示装置1的每个像素的显示。

所述第一基板11用于承载所述第一金属层12、所述滤光层13及所述第二金属层14，所述第一基板11还可以为用于承载薄膜晶体管16。优选的，所述第一基板11可以为但不仅限于为玻璃基板，可以理解地，所述第一基板11也可以为其他材质构成，所述第一基板11的材质构成不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述第一基板11具有承载面111，所述承载面111可以为但不仅限于为平面或大致为平面。

所述第一金属层12可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第一金属层12也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第一金属层12设置于所述第一基板11的所述承载面111上，所述第一金属层12可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式在所述第一基板11上制作而成，可以理解地，所述第一金属层12也可以为采用其他工艺方式制作而成，所述第一金属层12的制作工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述第一金属层12可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀等工艺形成栅极线121及公共电极122，可以理解地，所述栅极线121及公共电极122也可以通过其他工艺形式制作而成，所述栅极线121及公共电极122的制作工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述第一金属层12的厚度范围可以为但不仅限于为在

所述滤光层13可以为但不仅限于为由红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色组成的滤色膜，所述滤光层13利用滤光的原理产生红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色，并根据所述显示面板10的驱动电压的不同，三种颜色依不同种类混合产生各式各样的色彩，从而使得所述显示面板10实现彩色化的显示效果。所述滤光层13的材质可以为但不仅限于为由光固化树脂、碱可溶性树脂、光引发剂等组成。所述滤光层13可以为但不仅限于为有机负型光刻胶液体经过涂布、预烘烤、曝光、显影以及后烘烤等工艺制作而成。在传统的显示面板的制备方法中，将所述滤光层13设置于单独的基板上，即分别制作阵列基板及滤光层13基板。在本实施方式的示意图中，所述显示面板10可以为但不仅限于为采用在所述阵列基板上制作滤光层13(Color Filter on Array，COA)的新型工艺技术制备，即将所述滤光层13与所述阵列基板集成在一起。COA工艺技术使得所述显示面板10的滤光层13与阵列基板的对位精度得到提高，且可以改善传统滤光层开口率低的问题。

所述第二金属层14可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第二金属层14也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第二金属层14设置于所述滤光层13背离所述第一金属层12的一侧，所述第二金属层14可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式制作而成，可以理解地，所述第二金属层14也可以为采用其他工艺方式制作而成，所述第二金属层14的制作工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述第二金属层14可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成数据线141，可以理解地，所述数据线141也可以通过其他工艺形式制作而成，所述数据线141的制作工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。

在所述第一金属层12与所述第一基板11的层叠方向上，所述第一金属层12背离所述第一基板11的表面与所述承载面111之间间距为第一间距D

在本实施方式中(图2、图9)，将所述滤光层13设置于所述第一金属层12背离所述第一基板11的一侧，所述滤光层13具有背离所述第一金属层12的平坦面131。在所述层叠方向上，所述平坦面131中差值最大的两点之间距离为第二间距D

综上所述，本申请实施方式提出一种显示面板10，所述显示面板10的所述滤光层13设置于所述第一金属层12背离所述第一基板11的一侧，所述滤光层13的材质的流平性使得所述滤光层13具有背离所述第一金属层12的平坦面131。在所述第一金属层12与所述第一基板11的层叠方向上，所述平坦面131中差值最大的两点之间距离为第二间距D

请再次参阅图2、图8及图9。所述第一金属层12包括栅极线121，所述第二金属层14包括数据线141，所述栅极线121在所述第一基板11上的投影范围与所述数据线141在所述第一基板11上的投影范围部分重叠，所述滤光层13部分设置于所述栅极线121与所述数据线141之间。

所述栅极线121可以为但不仅限于为用于连接所述显示面板10的栅极161，并用于驱动所述显示面板10的像素单元的运行。所述栅极线121的数量可以为但不仅限于为一个、两个或多个。所述栅极线121可以为但不仅限于为所述第一金属层12通过黄光制程和湿刻蚀制程形成，可以理解地，所述栅极线121也可以为所述第一金属层12通过其他工艺形式形成，所述栅极线121的制备工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述栅极线121的厚度范围可以为但不仅限于为在

所述数据线141的数量可以为但不仅限于为一个、两个或多个，在本实施方式的示意图中，以所述数据线141的数量为多个为例进行示意。所述多个数据线141可以为但不仅限于为彼此之间平行或大致平行排布，可以理解地，所述多个数据线141也可以为采用其他方式排布，在此不做限定。所述数据线141可以为但不仅限于为所述第二金属层14通过黄光制程和湿刻蚀制程形成，可以理解地，所述数据线141也可以为所述第二金属层14通过其他工艺形式形成，所述数据线141的制备工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。

所述栅极线121在所述第一基板11上的投影范围与所述数据线141在所述第一基板11上的投影范围部分重叠。具体地，所述栅极线121的延伸方向与所述数据线141的延伸方向可以为但不仅限于为互为垂直或大致为垂直。所述栅极线121的延伸方向与所述数据线141的延伸方向部分重叠，即所述栅极线121在所述第一基板11上的投影范围与所述数据线141在所述第一基板11上的投影范围部分重叠。所述数据线141在与所述栅极线121的交叠位置的高度差过大时，易导致所述数据线141发生断裂，影响所述显示面板10的正常工作运行。所述滤光层13部分设置于所述栅极线121与所述数据线141之间，利用所述滤光层13的流平性，即所述滤光层13在背离所述栅极线121的一侧具有平坦面131，所述平坦面131的高度差值小于所述栅极线121的高度差值，从而降低所述数据线141在与所述栅极线121交叠处存在的高度差。所述数据线141与栅极线121的交叠处由所述栅极线121形成的高度差在经过滤光层13的平坦化之后，使得所述数据线141在与所述栅极线121交叠的位置几乎不受所述栅极线121的高度差影响，从而可有效改善所述数据线141的断开问题。

请再次参阅图2。所述第二金属层14在与所述第一金属层12交叠的部分具有高度H，所述高度H满足：

在传统的显示面板中，所述第二金属层14与所述第一金属层12的交叠位置的高度差在

请参阅图4、图5、图8及图9，图4是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图，图5是一对比实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。所述第一金属层12包括公共电极122，所述公共电极122在所述第一基板11上的投影范围与所述数据线141在所述第一基板11上的投影范围部分重叠。所述滤光层13部分设置于所述公共电极122与所述数据线141之间。

所述公共电极122可以为但不仅限于为所述第一金属层12通过黄光制程和湿刻制程形成，可以理解地，所述公共电极122也可以为所述第一金属层12采用其他工艺形式制备而成，所述公共电极122的制备工艺不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。

所述公共电极122在所述第一基板11上的投影范围与所述数据线141在所述第一基板11上的投影范围部分重叠。传统的显示面板中(图5)，所述第一金属层12与所述第二金属层14之间仅有一层很薄的栅极绝缘层162，其厚度通常为

在本实施方式中(图4)，将所述滤光层13部分设置于所述公共电极122与所述数据线141之间，所述滤光层13的厚度远大于所述栅极绝缘层162的厚度，使第一金属层12和第二金属层14之间的距离大幅度扩大，即使得所述公共电极122与所述数据线141之间的距离大幅度扩大。根据寄生电容与所述公共电极122和所述数据线141之间距离成反比，本实施方式提供的显示面板10的所述公共电极122和所述数据线141之间的寄生电容大幅度降低，从而可以有效避免所述显示面板10因寄生电容过大而引发的水平串扰问题，进而保障了所述显示面板10在高刷新率的应用场景中依旧可以具有优良的画面显示效果。

请再次参阅图4。所述滤光层13具有厚度范围D

所述滤光层13的厚度D

在传统的显示面板10中，所述第一金属层12与所述第二金属层14之间仅有一层很薄的栅极绝缘层162，其厚度通常为

请参阅图6及图7，图6是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图，图7是本申请一实施例的显示装置沿A-A线的截面的部分结构示意图。所述显示面板10还包括钝化层15，所述钝化层15设置于所述第一金属层12与所述滤光层13之间或设置于所述第二金属层14与所述滤光层13之间。所述钝化层15具有厚度范围D

所述钝化层15可以为但不仅限于为用于保护所述显示面板10的功能膜层。所述钝化层15的厚度范围D

所述钝化层15设置于所述第一金属层12与所述滤光层13之间或设置于所述第二金属层14与所述滤光层13之间，所述钝化层15使第一金属层12和第二金属层14之间的距离得到进一步地扩大，使得所述公共电极122与所述数据线141之间的距离得到进一步地扩大。根据寄生电容与所述公共电极122和所述数据线141之间距离成反比，本实施方式提供的显示面板10的所述公共电极122和所述数据线141之间的寄生电容得到进一步地降低。当所述钝化层15的厚度小于

请再次参阅图9。所述滤光层13具有第一开口132。所述显示面板10还包括薄膜晶体管16，所述薄膜晶体管16包括栅极161、栅极绝缘层162、半导体层163、源极164及漏极165。所述栅极161和所述第一金属层12同层设置，且所述栅极161电连接所述栅极线121。所述栅极绝缘层162设置于所述栅极161背离所述第一基板11的表面。所述半导体层163收容于所述第一开口132，且设置于所述栅极绝缘层162背离所述栅极161的一侧。所述源极164和所述漏极165收容于所述第一开口132，所述源极164及所述漏极165连接于所述半导体层163，且所述源极164及所述漏极165间隔设置。

所述第一开口132可以为但不仅限于为梯形、或长方形或不规则的形状，所述第一开口132的形状不做限定。所述第一开口132可以贯穿于所述滤光层13设置，从而便于收容所述薄膜晶体管16。

所述薄膜晶体管16可以为集成在像素点后，对像素点进行驱动。所述薄膜晶体管16包括栅极161、栅极绝缘层162、半导体层163、源极164及漏极165。

所述栅极161可以被认为是一个物理栅的开关，所述栅极161可以通过制造或者消除源极164和漏极165之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过，如果受到一个外加的电压影响，电子流将从源极164流向漏极165。所述栅极161和所述第一金属层12同层设置，且所述栅极161电连接所述栅极线121，从而用于驱动所述显示面板10的显示单元的运行。

所述栅极绝缘层162设置于所述栅极161背离所述第一基板11的表面，所述栅极绝缘层162可由硅氮化物(SiN

所述半导体层163收容于所述第一开口132，且设置于所述栅极绝缘层162背离所述栅极161的一侧，所述半导体层163的材质可以为但不仅限于为IGZO、IGTO、IGZO、IGO、IZO、AIZO或ATZO等漏电流较低的金属氧化物材料。所述半导体层163可以为但不仅限于为还包括掺杂层，所述掺杂层用于进一步提高所述半导体层163的导电性能。

所述源极164可以为但不仅限于为导电金属材料，例如钛(Ti)、铝(Al)等。所述漏极165可以为但不仅限于为导电金属材料，例如钛(Ti)、铝(Al)等。所述源极164和所述漏极165可以为但不仅限于为通过同一工艺同时形成。所述源极164和所述漏极165材料可以为但不仅限于为同层构图，使得同时形成所述源极164和所述漏极165。所述源极164和所述漏极165电极可以为但不仅限于为厚度相同或不同。所述源极164和所述漏极165可以为但不仅限于为由同一材料制成。所述源极164和所述漏极165可以为但不仅限于为部分收容于所述第一开口132或全部收容于所述第一开口132。所述源极164及所述漏极165连接于所述半导体层163，用于控制所述半导体层163的导电性能，且所述源极164及所述漏极165间隔设置，从而避免所述源极164和所述漏极165的相互干扰，进而保障了所述显示面板10的正常工作运行。

请参阅图11，图11是本申请实施例的显示面板的截面结构示意图。所述显示面板10还包括第二基板17、黑矩阵18及液晶层19。所述第二基板17与所述第一基板11相对设置。所述黑矩阵18设置于所述第二基板17靠近所述第一基板11的一侧。所述液晶层19夹设于所述第一基板11与所述第二基板17之间。

所述第二基板17可以为但不仅限于为玻璃基板，可以理解地，所述第二基板17也可以为其他材质构成，所述第二基板17的材质构成不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。所述第二基板17的材质与所述第一基板11的材质可以为相同或不同，在此不做限定。所述第二基板17与所述第一基板11相对设置，从而将所述显示面板10的液晶层19夹设于所述第一基板11与所述第二基板17之间，并用于施加驱动电压来控制液晶层19的液晶分子的旋转，并将光线折射出来产生画面。

所述黑矩阵18的材质可以为但不仅限于为树脂、炭黑等，所述黑矩阵18还可以采用金属薄膜或黑色光阻薄膜制成。所述黑矩阵18设置于所述第二基板17靠近所述第一基板11的一侧，所述黑矩阵18可以为但不仅限于为用于防止所述显示面板10的像素间的漏光，且增加所述显示面板10色彩的对比性。

请再次参阅图1、图2及图4。本申请实施方式还提供一种显示装置1，所述显示装置1包括背光模组20及所述显示面板10。

所述背光模组20可以为设置于所述显示面板10的一侧，并用于向所述显示面板10提供面光线。所述背光模组20可以为但不仅限于为直下式背光模组20或侧入式背光模组20，在此不做限定。

所述显示装置1可以为但不仅限于为薄膜晶体管16液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，所述显示装置1可以为但不仅限于为应用于手机、笔记本电脑、平板电脑、电视、可穿戴设备以及其他电子产品中。在本实施方式中，所述显示面板10通过将所述滤光层13设置于所述第一金属层12背离所述第一基板11的一侧，所述滤光层13的材质的流平性使得所述滤光层13具有背离所述第一金属层12的平坦面131。所述第二金属层14与所述第一金属层12的交叠处由所述第一金属层12形成的高度差在经过滤光层13的平坦化之后，使得所述第二金属层14在与所述第一金属层12交叠的位置几乎不受所述第一金属层12的高度差影响，可有效解决数据线141断开导致显示面板10线类不良问题。且使得第一金属层12和第二金属层14之间的距离大幅度扩大，使得所述公共电极122和所述数据线141之间的寄生电容大幅度降低，从而可以有效避免所述显示面板10因寄生电容过大而引发的水平串扰问题，进而保障了所述显示装置1可应用于高刷新率的电子产品，且依旧可以具有优良的画面显示效果。

请参阅图12及图13，图12是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图，图13是图12中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。本申请还提供一种显示面板10的制备方法，所述方法包括：

S101，提供基板31，所述基板31具有承载表面311。

具体地，所述基板31可以为但不仅限于为玻璃基板31。所述承载表面311可以为但不仅限于为平面或大致为平面。

S102，在所述基板31的承载表面311上制作第一金属膜层32，在所述第一金属膜层32与所述基板31的层叠方向上，所述第一金属膜层32背离所述基板31的表面与所述承载表面311之间的间距为第一间距D

具体地，所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第一金属膜层32也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式在所述第一基板3111上制作而成。所述第一金属膜层32的厚度范围可以为但不仅限于为在

S103，在所述第一金属膜层32背离所述基板31的一侧制作滤光膜层33，且所述滤光膜层33具有背离所述第一金属膜层32的平坦表面331，在所述层叠方向上，所述平坦表面331中差值最大的两点之间距离为第二间距D

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为有机负型光刻胶液体经过涂布、预烘烤、曝光、显影以及后烘烤等工艺制作而成，其中有机负型光刻胶液体在形成滤光层13膜层的过程中其流平性很好，因此所述滤光膜层33在背离所述第一金属膜层32的一侧具有平坦面131。所述平坦表面331可以为但不仅限于为平面、曲面、或不规则的面，在此不做限定，只需满足所述平坦表面331中差值最大的两点之间的第二间距D

S104，在所述滤光膜层33背离所述第一金属膜层32的一侧制作第二金属膜层34。

具体地，所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第二金属膜层34也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式制作而成。所述第二金属膜层34与所述第一金属膜层32的交叠处由所述第一金属膜层32形成的高度差在经过滤光膜层33的平坦化之后，使得所述第二金属膜层34在与所述第一金属膜层32交叠的位置几乎不受所述第一金属膜层32的高度差影响，从而可有效改善所述数据线141的断开问题。

请参阅图14及图15，图14是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图，图15是图14中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。在本申请的另一实施方式中，还提供一种显示面板10的制备方法，所述方法包括：

S201，提供基板31。

具体地，所述基板31可以为但不仅限于为玻璃基板31或其他类型的基板31。

S202，在所述基板31上形成第一金属膜层32。

具体地，所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第一金属层12也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式在所述基板31上制作而成。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成栅极线121及公共电极122，并最终得到所述第一金属层12。所述第一金属膜层32的膜厚可以为但不仅限于为

S203，在所述第一金属膜层32背离所述基板31的一侧形成滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为包括红绿蓝三种负性光刻胶，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程分别制作相邻红绿蓝(RGB)三子像素，并形成彩色的滤光层13。所述滤光层13的厚度可以为但不仅限于为2.0～3.5μm，所述滤光层13的厚度可以根据显示面板10实际应用中的相关光学规格而定。

S204，去除部分滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过掩模版设计和黄光制程形成图案化去除部分所述滤光膜层33，预留制作所述显示面板10的薄膜晶体管16的位置，并最终得到所述滤光层13。

S205，在所述第一金属膜层32背离所述基板31的表面形成栅极绝缘层162。

具体地，所述栅极绝缘层162可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述栅极绝缘层162厚度可以为但不仅限于为

S206，在所述栅极绝缘层162背离所述第一金属膜层32的一侧形成半导体层163。

具体地，所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法在表面形成一层掺杂层。所述半导体层163和所述掺杂层可以为但不仅限于为再通过黄光制程及干刻蚀制程形成图案化半导体层163和掺杂层。

S207，在所述半导体层163背离所述栅绝缘层的一侧形成第二金属膜层34。

具体地，所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过物理气相沉积的方法制备而成。所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成数据线141和源漏极165，并最终得到所述第二金属层14及所述源极164、漏极165。

S208，在所述滤光膜层33背离所述基板31的一侧形成有机层35。

具体地，所述有机层35可以为但不仅限于为聚合有机层35。所述有机层35可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程制作而成。所述有机层35可以为但不仅限于为预留与像素电极36与源极164漏极165接触的接触孔。

S209，在所述有机层35背离所述滤光膜层33的一侧形成像素电极36。

具体地，所述像素电极36可以为但不仅限于为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。所述像素电极36可以为但不仅限于为在所述有机层35上通过物理气相沉积氧化铟锡，再经过黄光制程和刻蚀制程形成图案化像素电极36(ITO)。

经过上述工艺制作完成的显示面板10，所述第二金属层14与所述第一金属层12的交叠处由所述第一金属层12形成的高度差在经过滤光层13的平坦化之后，使得所述第二金属层14在与所述第一金属层12交叠的位置几乎不受所述第一金属层12的高度差影响，从而可有效改善所述数据线141的断开问题。且在所述第一金属层12和所述第二金属层14中加入滤光层13可大幅减小前两者之间的寄生电容，从而改善水平串扰等问题，极大的提高产品的良率和品质。

请参阅图16及图17，图16是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图，图17是图16中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。在本申请的另一实施方式中，还提供一种显示面板10的制备方法，所述方法包括：

S301，提供基板31。

具体地，所述基板31可以为但不仅限于为玻璃基板31或其他类型的基板31。

S302，在所述基板31上形成第一金属膜层32。

具体地，所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第一金属层12也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式在所述基板31上制作而成。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成栅极线121及公共电极122，并最终得到所述第一金属层12。所述第一金属膜层32的膜厚可以为但不仅限于为

S303，在第一金属膜层32背离所述基板31的一侧形成钝化层15。

具体地，所述钝化层15可以为但不仅限于为通过化学气相沉积形成。所述钝化层15的厚度可以为但不仅限于为

S304，在所述钝化层15背离所述第一金属膜层32的表面形成滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为包括红绿蓝三种负性光刻胶，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程分别制作相邻红绿蓝(RGB)三子像素，并形成彩色的滤光膜层33。所述滤光层13的厚度可以为但不仅限于为2.0～3.5μm，所述滤光层13的厚度可以根据显示面板10实际应用中的相关光学规格而定。

S305，去除部分所述滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过掩模版设计和黄光制程形成图案化去除部分所述滤光膜层33，预留制作所述显示面板10的薄膜晶体管16的位置，并得到所述滤光层13。

S306，在所述第一金属膜层32背离所述基板31的表面形成栅极绝缘层162。

具体地，所述栅极绝缘层162可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述栅极绝缘层162厚度可以为但不仅限于为

S307，在所述栅极绝缘层162背离所述第一金属膜层32的表面形成半导体层163。

具体地，所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法在表面形成一层掺杂层。所述半导体层163和所述掺杂层可以为但不仅限于为再通过黄光制程及干刻蚀制程形成图案化半导体层163和掺杂层。

S308，在所述半导体层163背离所述第一金属膜层32的一侧形成第二金属膜层34。

具体地，所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过物理气相沉积的方法制备而成。所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成数据线141和源漏极165，并最终得到所述第二金属层14及所述源极164、漏极165。

S309，在所述形滤光膜层33背离所述基板31的一侧形成有机层35。

具体地，所述有机层35可以为但不仅限于为聚合有机层35。所述有机层35可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程制作而成。所述有机层35可以为但不仅限于为预留与像素电极36与源极164漏极165接触的接触孔。

S310，在所述有机层35背离所述滤光膜层33的一侧形成像素电极36。

具体地，所述像素电极36可以为但不仅限于为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。所述像素电极36可以为但不仅限于为在所述有机层35上通过物理气相沉积氧化铟锡，再经过黄光制程和刻蚀制程形成图案化像素电极36(ITO)。

经过上述工艺制作完成的显示面板10，所述第二金属层14与所述第一金属层12的交叠处由所述第一金属层12形成的高度差在经过滤光层13的平坦化之后，使得所述第二金属层14在与所述第一金属层12交叠的位置几乎不受所述第一金属层12的高度差影响，从而可有效改善所述数据线141的断开问题。在所述第一金属层12和所述第二金属层14中加入滤光层13可大幅减小前两者之间的寄生电容，且增加了钝化层15的设计，可使得所述第一金属层12与所述第二金属层14之间的寄生电容得到进一步减小，从而改善水平串扰等问题，进一步地提高所述显示面板10的良率和品质。

请参阅图18及图19，图18是本申请一实施例的显示面板的制备方法流程示意图，图19是图18中提供的显示面板的制备方法的对应步骤示意图。在本申请的另一实施方式中，还提供一种显示面板10的制备方法，所述方法包括：

S401，提供基板31。

具体地，所述基板31可以为但不仅限于为玻璃基板31或其他类型的基板31。

S402，在所述基板31上形成第一金属膜层32。

具体地，所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为Mo、Al或Ti等单膜层，所述第一金属层12也可以为Mo/Al、Mo/Cu、MoTi/Cu、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO等叠层结构。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为采用物理气相沉积工艺方式在所述基板31上制作而成。所述第一金属膜层32可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成栅极线121及公共电极122。所述第一金属膜层32的膜厚可以为但不仅限于为

S403，在所述第一金属膜层32背离所述基板31的一侧形成栅极绝缘层162。

具体地，所述栅极绝缘层162可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述栅极绝缘层162厚度可以为但不仅限于为

S404，在所述栅极绝缘层162背离所述第一金属膜层32的表面形成半导体层163。

具体地，所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法制备而成。所述半导体层163可以为但不仅限于为通过化学气相沉积的工艺方法在表面形成一层掺杂层。所述半导体层163和所述掺杂层可以为但不仅限于为再通过黄光制程及干刻蚀制程形成图案化半导体层163和掺杂层。

S405，在所述栅极绝缘层162背离所述基板31的表面形成滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为包括红绿蓝三种负性光刻胶，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程分别制作相邻红绿蓝(RGB)三子像素，并形成彩色的滤光层13。所述滤光层13的厚度可以为但不仅限于为2.0～3.5μm，所述滤光层13的厚度可以根据显示面板10实际应用中的相关光学规格而定。

S406，去除部分所述滤光膜层33。

具体地，所述滤光膜层33可以为但不仅限于为通过掩模版设计和黄光制程形成图案化去除部分所述滤光膜层33，预留制作所述显示面板10的薄膜晶体管16的位置。

S407，在所述滤光膜层33背离所述栅极绝缘层162的表面形成钝化层15。

具体地，所述钝化层15可以为但不仅限于为通过化学气相沉积形成。所述钝化层15的厚度可以为但不仅限于为

S408，在所述半导体背离所述栅极绝缘层162的一侧形成第二金属膜层34。

具体地，所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过物理气相沉积的方法制备而成。所述第二金属膜层34可以为但不仅限于为通过黄光制程和湿刻蚀制程形成数据线141和源漏极165。

S409，在所述滤光膜层33背离所述栅极绝缘层162的一侧形成有机层35。

具体地，所述有机层35可以为但不仅限于为聚合有机层35。所述有机层35可以为但不仅限于为通过黄光涂布、预烘烤、曝光、显影及后烘烤制程制作而成。所述有机层35可以为但不仅限于为预留与像素电极36与源极164漏极165接触的接触孔。

S410，在所述有机层35背离所述滤光膜层33的表面形成像素电极36。

具体地，所述像素电极36可以为但不仅限于为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。所述像素电极36可以为但不仅限于为在所述有机层35上通过物理气相沉积氧化铟锡，再经过黄光制程和刻蚀制程形成图案化像素电极36(ITO)。

经过上述工艺制作完成的显示面板10，所述第二金属层14与所述第一金属层12的交叠处由所述第一金属层12形成的高度差在经过滤光层13的平坦化之后，使得所述第二金属层14在与所述第一金属层12交叠的位置几乎不受所述第一金属层12的高度差影响，从而可有效改善所述数据线141的断开问题。在所述第一金属层12和所述第二金属层14中加入滤光层13可大幅减小前两者之间的寄生电容，且增加了钝化层15的设计，可使得所述第一金属层12与所述第二金属层14之间的寄生电容得到进一步减小，从而改善水平串扰等问题，进一步地提高所述显示面板10的良率和品质。

在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。

最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。