一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法

技术领域

本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及一种制备片状结构的方法，具体为一种离子插层剥离MoS

背景技术

二硫化钼(MoS

到目前为止，制备单层MoS

为此，设计一种高效快捷的剥离MoS

发明内容

为于克服现有技术的不足，本发明的目的是提供一种离子插层剥离MoS

S1、将3-8mol的CsCl和5-12mol的乙酰丙酮锌溶液和1-2mol的羧甲基纤维素钠投放入至500ml的烧杯中，搅拌3-8h；

S2、将20-40mol的多层状的MoS

S3、将S2得到的粉末分散体系转移到不锈钢高压反应釜中，在250-330℃温度下反应18-22h，室温至冷却后取出；

S4、将S3得到的不锈钢反应釜内的溶液倒入烧杯中，用0.1-0.3M的HCl超声清洗20-40min后，将HCl换成去离子水继续超声处理1-2h，随后进行真空过滤，过滤物在60-80℃烘箱中干燥，得到剥离后的单层片状MoS

优选的，步骤S1中选用3mol的CsCl。

优选的，步骤S1中选用8mol的乙酰丙酮锌。

优选的，步骤S1中搅拌时间为5h。

优选的，步骤S2中超声时间为2h。

优选的，步骤S2中加入32mol的多层状的MoS

优选的，步骤S3中反应温度为300℃。

优选的，步骤S3中反应时间为20h。

优选的，步骤S4中选用的HCl为0.2M。

应用本发明的有益效果在于：

1、本发明提供的一种离子插层剥离MoS

2、本发明加入了羧甲基纤维素钠，这提高了溶液的粘稠度，有利于MoS

3、在水热后进行真空过滤会去除溶液中多余的Zn

附图说明

图1为本发明实施例1制备得到MoS

图2为本发明对比例1制备得到MoS

图3为本发明实施例1和对比例2制备得到MoS

图4为本发明实施例2、对比例3和对比例4制备得到MoS

图5为本发明实施例3制备得到MoS

图6为本发明对比例5制备得到MoS

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例1

S1、将3mol的CsCl和12mol的乙酰丙酮锌溶液和2mol的羧甲基纤维素钠投放入至500ml的烧杯中，搅拌3h；

S2、将20mol的多层状的MoS

S3、将S2得到的粉末分散体系转移到不锈钢高压反应釜中，在250℃温度下反应18h，室温至冷却后取出；

S4、将S3得到的不锈钢反应釜内的溶液倒入烧杯中，用0.1M的HCl超声清洗20min后，将HCl换成去离子水继续超声处理1h，随后进行真空过滤，过滤物在60℃烘箱中干燥，得到剥离后的单层片状MoS

对比例1：步骤S1中不加入3mol的CsCl和12mol的乙酰丙酮锌，其他与实施例1相同。

对比例2：步骤S1中不加入羧甲基纤维素钠，其他与实施例1相同。

图1为实施例1制备得到的MoS

图3为由实施例1和对比例2制备得到的MoS

表1实施例1和对比例2制备得到的MoS

实施例2

S1、将8mol的CsCl和5mol的乙酰丙酮锌溶液和1mol的羧甲基纤维素钠投放入至500ml的烧杯中，搅拌8h；

S2、将40mol的多层状的MoS

S3、将S2得到的粉末分散体系转移到不锈钢高压反应釜中，在330℃温度下反应22h，室温至冷却后取出；

S4、将S3得到的不锈钢反应釜内的溶液倒入烧杯中，用0.3M的HCl超声清洗40min后，将HCl换成去离子水继续超声处理2h，随后进行真空过滤，过滤物在80℃烘箱中干燥，得到剥离后的单层片状MoS

对比例3：步骤S3中反应温度为180℃，其他与实施例2相同。

对比例4：步骤S3中加热温度为350℃，其他与实施例2相同。

图4为不同温度下制备得到的MoS

表1实施例2、对比例3和对比例4制备得到的MoS

实施例3

S1、将5mol的CsCl和8mol的乙酰丙酮锌溶液和2mol的羧甲基纤维素钠投放入至500ml的烧杯中，搅拌6h；

S2、将35mol的多层状的MoS

S3、将S2得到的粉末分散体系转移到不锈钢高压反应釜中，在300℃温度下反应20h，室温至冷却后取出；

S4、将S3得到的不锈钢反应釜内的溶液倒入烧杯中，用0.2M的HCl超声清洗35min后，将HCl换成去离子水继续超声处理1.5h，随后进行真空过滤，过滤物在70℃烘箱中干燥，得到剥离后的单层片状MoS

对比例5：步骤S4中不进行真空过滤，其他与实施例3相同。

与此同时，本发明还探究了是否真空过滤对剥离MoS

综上所述，本发明公开了一种离子插层剥离MoS

以上所述实施例仅表达了本发明的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。