一种有机发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种有机发光器件。

背景技术

有机发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是指有机光电材料在电流或电场的作用下，能够将电能直接转化为光能的器件。随着显示技术的不断发展，由于OLED具有效率高、耗能低、驱动电压低、柔性好、视角宽、亮度高、响应速度快、高分辨率等优点，OLED逐渐成为新一代最受重视的平板显示技术之一，越来越受到国内外显示行业青睐，被广泛应用于显示领域和照明领域。

有机发光器件按结构可分为单层器件、双层器件以及多层器件等，多层器件对于OLED产业的发展具有重要的意义，多层器件由阳极、阴极和有机物层构成，有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等，多层结构可以充分发挥各个有机物层的作用，更好地调控载流子的传输平衡，进而使器件的整体性能得到提高。

根据光传出的路径不同，有机发光器件可以分为底发射器件和顶发射器件。底发射器件的光从阳极经过基板折射到器件外部，顶发射器件的光经过阴极折射到器件的外部。目前顶发射器件的应用较多，因为顶发射器件相较于底发射器件来说具有无法比拟的优势，顶发射器件在透明电极上形成覆盖层作为光取出层，可以克服阴极与覆盖层存在等离子共振效应、波导效应以及材料种类、厚度、折射率的匹配困难等问题，有效地将陷于器件中的光耦合出来，增强光取出效率，进而提高器件的发光效率。

然而，现阶段有机发光材料的发展还不够完善，对于覆盖层材料的研究较少，所以现有的覆盖层材料大多数性能较差，从而导致器件整体性能不高，尤其是在发光效率和使用寿命方面，具有较明显的缺陷，不能满足目前所需，因此，设计出具有高折射率、高玻璃化转变温度、热稳定性以及成膜性好的覆盖层材料，从而有效地提高器件的发光效率和使用寿命是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，在现有技术的基础上，以产业化为目标，提供了一种有机发光器件，包括阳极、有机物层、阴极、覆盖层，应用于覆盖层中具有高效率和长寿命的有机发光器件，所述覆盖层中含有式Ⅰ所示的星型化合物：

其中，所述Ar

所述R

所述a选自0、1、2、3或4；所述b选自0、1、2、3或4；

所述X选自CR

其中，所述R

所述R选自取代或未取代的如下基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、9-苯基咔唑基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基；或者R所对应的氮原子为与桥连L

所述R

所述z选自0、1、2、3、4或5；

所述R

所述L

本发明的有益效果：

本发明提供一种有机发光器件，一方面，本发明覆盖层中含有的星型化合物折射率较高，能有效解决ITO薄膜和玻璃衬底的界面及玻璃衬底和空气的界面发生的全发射，减少OLED器件中的全反射损失和波导损失，提高光取出效率，进一步提高有机发光器件的发光效率；并且本发明式Ⅰ所示的星型化合物具有高的玻璃化转变温度(Tg)，能够延长的器件的使用寿命。

另外一方面，式Ⅰ所示的星型化合物与特定的式(II)所示的杂环化合物或者特定的式(III)所示的三芳胺化合物或者特定的无机物相组合，体现出第一覆盖层和第二覆盖层的协同作用，二者共同作用使得本发明有机发光器件具有更高的发光效率和更长的器件寿命。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

在本说明书中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，

本发明所述的卤素是指氟、氯、溴和碘。

本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基，优选具有1至15个碳原子，更优选1至12个碳原子，特别优选1至6个碳原子。所述直链烷基包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基等，但不限于此；所述支链烷基包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基的异构基团、正己基的异构基团、正庚基的异构基团、正辛基的异构基团、正壬基的异构基团、正癸基的异构基团等，但不限于此。上述烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基。

本发明所述的碳原子数大于三的链状烷基包括其异构体，例如，丙基包括正丙基、异丙基，丁基包括正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。以此类推。

本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，优选具有3至15个碳原子，更优选3至12个碳原子，特别优选3至6个碳原子，实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基等，但不限于此。上述环烷基优选为环戊基、环己基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、降冰片烷基。

本发明所述的杂环烷基是指环烷基中的至少一个母核碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂原子包括但不限于如下所述原子，N、O、S、Si、B、P等。优选具有3至30个碳原子，进一步优选为3至15个碳原子，还优选为3至10个碳原子。所述杂环烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，氮丙啶基、氮杂环丁烷基、吡咯烷基、哌啶基、氮杂环庚烷基、高哌啶基、吗啉基、硫代吗啉基、哌嗪基、噁唑烷基、噻唑烷基、咪唑烷基等。

本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基，优选具有6至25个碳原子，更优选6至20个碳原子，特别优选6至14个碳原子，最优选6至12个碳原子。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基，例如，苯基等，但不限于此；所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基，例如，联苯基、三联苯基等，但不限于此；所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基，例如，萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、螺二芴基等，但不限于此。上述芳基优选为苯基、联苯基、三联苯基、萘基(优选2-萘基)、蒽基(优选2-蒽基)、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、螺二芴基。

本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子，优选具有1至25个碳原子，更优选2至20个碳原子，特别优选3至15个碳原子，最优选3至12个碳原子，所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环氮原子上，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。所述单环杂芳基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基等，但不限于此；所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基等，但不限于此；所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10-二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基等，但不限于此。上述杂芳基优选为吡啶基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、苯并二苯并呋喃基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基。

本发明所述的烯基是指烯烃分子中去掉一个氢原子得到的一价基团，所述烯基包括单烯基、二烯基、多烯基等。优选具有2至60个碳原子，更优选2至30个碳原子，特别优选2至15个碳原子，最优选2至6个碳原子。所述烯基的实例包括乙烯基、乙烯基、丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基等，但不限于此。上述烯基优选为乙烯基。

本发明所述的碳原子数大于三的烯基包括其异构体，例如，丙烯基包括1-丙烯基或2-丙烯基，丁烯基包括1-丁烯基、2-丁烯基、或3-丁烯基，戊烯基包括1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基，己烯基包括1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基。以此类推。

本发明所述的亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称，其可以为单环亚芳基、多环亚芳基或者稠环亚芳基，优选具有6至25个碳原子，更优选6至20个碳原子，特别优选6至14个碳原子，最优选6至12个碳原子。所述单环亚芳基包括亚苯基等，但不限于此；所述多环亚芳基包括亚联苯基、亚三联苯基等，但不限于此；所述稠环亚芳基包括亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芴基、亚芘基、亚三亚苯基、亚荧蒽基、亚苯基芴基等，但不限于此。上述亚芳基优选为亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚芴基、亚苯基芴基。

本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子。优选具有6至25个碳原子，更优选6至20个碳原子，特别优选6至15个碳原子，最优选3至12个碳原子，所述亚杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环氮原子上，所述亚杂芳基可以为单环亚杂芳基、多环亚杂芳基或者稠环亚杂芳基。所述单环亚杂芳基包括亚吡啶基、亚嘧啶基、亚三嗪基、亚呋喃基、亚噻吩基等，但不限于此；所述多环亚杂芳基包括亚联吡啶基、亚联嘧啶基、亚苯基吡啶基等，但不限于此；所述稠环亚杂芳基包括亚喹啉基、亚异喹啉基、亚吲哚基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚苯并噁唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并噻唑基、亚二苯并呋喃基、亚苯并二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并咔唑基、亚吖啶基、亚9,10-二氢吖啶基、亚吩噁嗪基、亚吩噻嗪基、亚吩噁噻基等，但不限于此。上述杂芳基优选为亚吡啶基、亚嘧啶基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚苯并噁唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并噻唑基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并二苯并噻吩基、亚苯并二苯并呋喃基、亚咔唑基、亚吖啶基、亚吩噁嗪基、亚吩噻嗪基、亚吩噁噻基。

本发明所述的脂肪环和芳环的亚稠和环基是指脂肪环与芳环稠和在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。优选具有7至30个碳原子，更优选7至18个碳原子，最优选7至12个碳原子，实例可包括亚苯并环丙基、亚苯并环丁基、亚苯并环戊基、亚苯并环己基、亚苯并环庚基、亚苯并环戊烯基、亚苯并环己烯基、亚苯并环庚烯基、亚萘并环丙基、亚萘并环丁基、亚萘并环戊基、亚萘并环己基等，但不限于此。

本发明所述的脂肪环是指具有脂肪族性质的环烃，分子中含有闭合的碳环，优选具有3至60个碳原子，更优选3至30个碳原子，进一步优选3至18个碳原子，更优选3至12个碳原子，最优选3至7个碳原子。其可形成单环烃或多环烃，可以是完全不饱和或者部分不饱和，具体实例可包含环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯等，但不限于此。多个单环烃还可用多种方式连接：分子中两个环可以共用一个碳原子形成螺环；环上两个碳原子之间可以用碳桥连接形成桥环；几个环也可以互相连接形成笼状结构。

本发明所述“未取代的…”诸如未取代的烷基、未取代的环烷基、未取代的杂环烷基、未取代的芳基、未取代的杂芳基、未取代的亚芳基、未取代的亚杂芳基、未取代的脂肪环和芳环的亚稠和环基等是指所述基团中的“氢”(H)未被替换为包括氘在内的其他基团。

本发明所述“取代的…”诸如取代的烷基、取代的环烷基、取代的杂环烷基、取代的芳基、取代的杂芳基、取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的脂肪环和芳环的亚稠和环基等是指被独立地选自氘基、取代或未取代的C1～C6烷基、取代或未取代的C3～C12环烷基、取代或未取代的C6～C20芳基、取代或未取代的C2～C15杂芳基、取代或未取代的胺基等但不限于此的基团单取代或多取代，优选被选自氘基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环已基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲苯基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、吖啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吲哚基的基团单取代或多取代。另外，上述取代基还可被一个或多个氘、卤原子、氰基、烷基、环烷基、芳基所述的取代基取代。

本发明所述的相邻的两个取代基可以相互结合形成取代或未取代的三元至八元的脂肪环，可成如下取代或未取代的脂肪环：

其中，“*”代表成环的连接位点；虚线表示单键或双键。

除非另有说明，否则本文所用的术语“环”是指由具有3至60个碳原子的脂族环或具有6至60个碳原子的芳族环或具有2至60个碳原子的杂环或其组合组成的稠合环，它包含饱和或不饱和环。

本发明所述的键合起来形成环状结构是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：

本发明中，连接形成的环可以为五元环或六元环或者稠合环，例如苯、萘、芴、环戊烯、环己烯、环戊烷、环己烷、环己烷并苯、喹啉、异喹啉、二苯并噻吩、菲或芘，但不限于此。

本发明提供了一种有机发光器件，包括阳极、有机物层、阴极、覆盖层，所述覆盖层中含有式Ⅰ所示的星型化合物：

其中，所述Ar

所述R

所述a选自0、1、2、3或4；所述b选自0、1、2、3或4；

所述X选自CR

其中，所述R

所述R选自取代或未取代的如下基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、9-苯基咔唑基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基；或者R所对应的氮原子为与桥连L

所述R

所述z选自0、1、2、3、4或5；

所述R

所述L

优选的，所述覆盖层中含有如下式Ⅰ-1至式Ⅰ-3所示的任意一种星型化合物：

优选的，Ar

优选的，所述式a选自如下式2-1至式2-6中的一种：

所述R

进一步优选的，所述R

所述R

所述b

进一步优选的，所述R选自取代或未取代的如下基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、9-苯基咔唑基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基。

优选的，所述式a选自如下基团中的一种：

/>

/>

所述R

所述R选自甲基、乙基、正丙基、正丁基、异丙基、叔丁基、环己基、环戊基、环丁基、环丙基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、9-苯基咔唑基、四氢萘基、二氢萘基、茚满基、茚基，并且以上基团还可被氘、甲基、乙基、正丙基、正丁基、异丙基、叔丁基、环己基、环戊基、环丁基、环丙基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、甲苯基、联苯基、三联苯基、氘代异丙基、氘代叔丁基、氘代环己基、氘代环戊基、氘代环丁基、氘代环丙基、氘代金刚烷基、氘代降冰片烷基、氘代苯基、氘代萘基、氘代联苯基中的一个或多个取代；

a选自0、1、2或3；b选自0、1、2、3或4；c选自0、1、2、3、4或5；e选自0、1、2、3、4、5或6；d选自0、1、2、3、4、5、6或7；f选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；g选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；h选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；i选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11。

优选的，所述式b选自如下基团中的任意一种：

所述R

其中所述R

所述m

优选的，所述式b选自如下所示基团：

所述R

所述m

更优选的，所述式b选自如下所示基团：

/>

优选的，所述L

所述R

进一步优选的，所述L

/>

最优选的，所述式Ⅰ表示的星型化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

本发明式I所述的星型化合物的制备方法，可通过本领域常规的偶联反应即可制备得到，例如可通过如下合成路线制备得到，但本发明不限于此：

/>

星型化合物通过Buchwald-Hartwig偶联反应，得到中间体A、B、C；原料g与中间体A通过Buchwald-Hartwig偶联反应，得到中间体I；中间体I与中间体B通过Buchwald-Hartwig偶联反应，得到中间体Ⅱ，中间体Ⅱ与中间体C通过Buchwald-Hartwig偶联反应，最终得到式I化合物，其中卤素化合物X

本发明对上述各类反应中所采用的原料的来源没有特别的限制，可以使用市售产品原料或采用本领域技术人员所熟知的制备方法得到本发明所述的式Ⅰ表示的星型化合物。本发明对上述反应没有特殊的限制，采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。

优选的，本发明所述的有机发光器件选自如下结构，但不限于此：

(1)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/阴极/覆盖层；(2)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/阴极/覆盖层；(3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极/覆盖层；(4)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；(5)阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；(6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/阴极/覆盖层；(7)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/阴极/覆盖层；(8)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极/覆盖层；(9)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层。

然而，有机发光器件的结构不限于此。本发明所述的有机发光器件可根据器件参数要求及材料的特性进行选择及组合，也可增加或省略部分有机层。例如，所述电子传输层与所述电子注入层之间还可以增加电子缓冲层；还可以将具有相同功能的有机层制成两层以上的层叠结构，例如，在所述电子传输层中还可以具有第一电子传输层和第二电子传输层，又例如，在所述覆盖层中还可以具有第一覆盖层和第二覆盖层。

本发明的发光器件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可，例如，玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。当基板不透明时，与其相对的电极优选为透明或者半透明的。

阳极材料，通常选自具有高功函数的材料以便利于空穴注入。阳极可以是反射电极或透射电极。用于阳极的材料可以是透明的和高导电的材料，例如，使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO

阳极可具有单层结构，或包括两层或更多层的多层结构。例如，阳极可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是阳极的结构不限于此。优选的，本发明所述阳极采用ITO/Ag/ITO的三层结构。

空穴传输区可包括多个不同材料的单层结构，空穴注入层/空穴传输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/缓冲层的结构、空穴注入层/缓冲层的结构、空穴传输层/缓冲层的结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中各个结构的层按叙述的顺序从阳极相继堆叠，但是空穴传输区的结构不限于此。

空穴注入材料为具有促进空穴从阳极注入的功能的材料。空穴注入层可形成于10nm至150nm范围内的厚度。空穴注入层的材料可以包括含三苯基胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐(PPBI)、N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4’-二胺(DNTPD)、酞菁铜(II)(简称:CuPc)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称:HAT-CN)、4,4’,4”-三{N,N-二苯基氨基}三苯基胺(TDATA)、4,4’,4”-三(N,N-2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯(PANI/PSS)等。可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层或多层结构，除了以上材料及其组合之外，还可选择其他已知的适合做空穴注入层的材料。

空穴传输材料为具有较好的空穴传输性能的材料。空穴传输层可形成10nm至150nm的层厚度(例如，多层结构的总层厚度)。空穴传输层材料可以选择芳香族胺类衍生物、咔唑衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、苯乙烯类化合物、丁二烯类化合物等小分子材料以及聚对苯撑衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物等聚合物材料，但不限于此。空穴传输材料的实例可以包括1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、咔唑衍生物诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(简称:Spiro-TAD)等。空穴传输层其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构，空穴传输层可包括单层，也可包括第一空穴传输层和第二空穴传输层或者更多层。空穴传输层中的一层或多层中含有本发明提供的星型化合物，所述第一空穴传输层位于空穴注入层与发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层与发光层之间。

发光层为具有发光功能的层，发光层包括主体材料和掺杂剂材料，经由荧光或磷光发光。发光层可形成10nm至60nm范围内的层厚度。发光层可形成为具有发射特定颜色光的层。例如，发光层可形成为红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。

主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、4,4-二(9-咔唑基)联苯(CPB)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,10-二(1-萘基)蒽(α-AND)、N,N'-二-(1-萘基)-N,N'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺基(4PNPB)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)等。除了以上材料及其组合之外，发光层主体材料还可选择其他已知的适合做发光层的材料。

在发光层为蓝色发光层的情况下，可以使用适合的蓝色掺杂剂。例如，苝及其衍生物、铱(Ir)络合物诸如双[2-(4,6-二氟苯基)吡啶(pyridinate)]吡啶甲酸合铱(III)(FIrpic)可用作蓝色掺杂剂。在发光层为红色发光层的情况下，可以使用适合的红色掺杂剂。例如，红荧烯及其衍生物、4-二氰基亚甲基-2-(对二甲氨基苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃(DCM)及其衍生物、铱络合物诸如双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮化物)合铱(III)(Ir(piq)

作为发光层主体材料和发光层客体材料的掺杂比例，其最佳可根据所用的材料而不同，通常发光层客体材料掺杂质量百分比为0.01％～20％，优选为0.1％～15％，更优选为1％～10％。

电子传输区可包括多个不同材料的单层结构，电子注入层/电子传输层的结构、电子注入层/电子传输层/缓冲层的结构、电子注入层/缓冲层的结构、电子传输层/缓冲层的结构，或电子注入层/电子传输层/空穴阻挡层的结构，其中各个结构的层按叙述的顺序从阴极相继堆叠，但是电子传输区的结构不限于此。

电子传输层为具有电子传输功能的层，电子传输层中可以包括第一电子传输层材料和第二电子传输层材料。电子传输层可形成15nm至50nm范围内的层厚度。电子传输层材料可选自喹啉衍生物诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,2,4-三唑衍生物(TAZ)、双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-(对苯基苯酚根)-合铝(BAlq)、双(10-羟基苯并喹啉)铍(BeBq2)、Li络合物诸如8-羟基喹啉锂(LiQ)、含氮的芳族环等，含氮的芳族环的实例可包括含吡啶环的材料诸如1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、含三嗪环的材料诸如2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、含咪唑衍生物的材料诸如2-(4-(N-苯基苯并咪唑基-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽)等。其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构。除了以上材料之外，还可选择其他已知的适合做电子传输层的材料。

电子注入层为具有促进电子从阴极注入的功能的层。电子注入层可形成0.3nm至9nm范围内的层厚度。电子注入层材料可选自氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li

阴极为将电子注入到电子注入/输送层或者发光层，可使用具有低功函的金属、合金、导电化合物等形成为反射型电极。阴极可使用例如锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)形成。阴极可形成为具有约20nm或更小的厚度的材料的薄膜，且可使用ITO、IZO等形成为透射型电极。可通过蒸镀法或溅射法等方法形成薄膜来制备，膜厚通常为10nm～1μm，优选50～200nm。

覆盖层材料是为了减少OLED器件中的全发射损失和波导损失，提高光取出效率。

优选的，所述覆盖层的光的波长为380nm～770nm的范围内。

优选的，所述覆盖层的光的波长为380nm～700nm的范围内。

优选的，所述覆盖层的光的波长为380nm～500nm的范围内。

优选的，所述覆盖层的光的波长为500nm～560nm的范围内。

优选的，所述覆盖层的光的波长为560nm～770nm的范围内。

最优选的，所述覆盖层的光的波长为380nm～480nm的范围内。

优选的，所述覆盖层的折射率为1.50以上。

优选的，所述覆盖层的折射率为1.80以上。

最优选的，所述覆盖层的折射率为1.80以上。

优选的，所述覆盖层是单层、双层或多层。

优选的，所述覆盖层是单层。

优选的，所述覆盖层是双层。

本发明的覆盖层材料可选择有机物或无机物，有机物例如Alq

在式(II)中，所述的L

所述Ar

其中，所述X

所述r

所述r

所述q为0、1、2、3或4；

所述R

在式(III)中，所述的X

所述环A、环B独立地选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的蒽环或者取代或未取代的菲环，且环A和环B不同时为取代或未取代的苯环；

所述Ar

所述L

优选的，所述式(II)中的L

优选的，所述R

优选的，式(III)中的环A选自取代或未取代的苯环，环B选自如下所示结构中的一种：

其中，所述的s

所述的Rs每次出现时，相同或不同地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种。

优选的，式(III)中的Ar

优选的，式(III)中的Ar

其中，所述的t

所述的Rt每次出现时，相同或不同地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基中的一种。

优选的，式(III)中的L

其中，所述u

所述Ru每次出现时，相同或不同地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的莰烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基中的一种。

优选的，所述的式(II)所示的杂环化合物选自如下所示结构中的一种：

/>

/>

优选的，所述的式(III)所示的三芳胺化合物选自如下所示结构中的一种：

/>

/>

优选的，所述无机物包含金属化合物、非金属化合物、金属或者金属合金。

所述无机物包括金属化合物、非金属化合物、金属、金属合金。所述金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳化物、金属盐等。所述非金属化合物包括非金属氧化物、非金属氮化物、非金属氮氧化物等。所述金属包括碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属、锕系金属、主族金属。

所述金属化合物的实例包括但不限于如下所述的材料，氧化锂(Li

所述非金属化合物的实例包括但不限于如下所述的材料，二氧化硅(SiO

所述金属、金属合金的实例包括但不限于如下所述的材料，钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、镁(Mg)、钛(Ti)、钼(Mo)、铁(Fe)、锌(Zn)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)、铜(Cu)、钽(Ta)、钐(Sm)、钒(V)、铌(Nb)、铑(Rh)、钯(Pd)、钌(Ru)、铱(Ir)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、钪(Sc)、锂(Li)、铍(Be)、钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)、铷(Ru)、锶(Sr)、铯(Cs)、铈(Ce)、镧(La)、铷(Nd)、铟(In)，钼钛合金(Mo-Ti)、镁银合金(Mg-Ag)、铝钕(Al-Nd)。

所述无机物优选金属化合物，进一步优选金属盐，更进一步优选金属卤化物，所述金属卤化物包括金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等，所述的金属包括碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属、锕系金属、主族金属。所述金属卤化物的实例包括但不限于如下所述材料，氟化锂(LiF)、溴化钾(KBr)、氟化镁(MgF

优选的，所述金属卤化物优选如下所述材料，氟化锂(LiF)、化钾(KBr)、氟化镁(MgF

本发明所述的覆盖层可以是单一物质构成的单层结构，可以是不同物质构成的单层结构，也可以是单一物质构成的多层结构，还可以是不同物质构成的多层结构。覆盖层材料在含有式I所示化合物的同时，还可以含有无机物或其他有机物。

优选的，所述覆盖层是含有式I所示化合物的单层结构。

优选的，所述覆盖层是含有式I所示化合物和无机物的双层结构；

进一步优选的，所述覆盖层包括含有式I所示化合物的第一覆盖层和含有无机物的第二覆盖层。所述第一覆盖层和第二覆盖层位于阴极外侧，所述第一覆盖层位于阴极和第二覆盖层之间，所述第二覆盖层位于第一覆盖层的外侧。

优选的，所述覆盖层是含有式I所示化合物和其他有机物的双层结构；

进一步优选的，所述覆盖层包括含有式I所示化合物的第一覆盖层和含有式(II)所示的杂环化合物的第二覆盖层。所述第一覆盖层和第二覆盖层位于阴极外侧，所述第一覆盖层位于阴极和第二覆盖层之间，所述第二覆盖层位于第一覆盖层的外侧。

进一步优选的，所述覆盖层包括含有式I所示化合物的第一覆盖层和含有式(III)所示的三芳胺化合物的第二覆盖层。所述第一覆盖层和第二覆盖层位于阴极外侧，所述第一覆盖层位于阴极和第二覆盖层之间，所述第二覆盖层位于第一覆盖层的外侧。

有机发光器件中各层的制备形成方法，没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、旋涂法、气相沉积法、刮涂法、激光热转印法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、浸沾式涂布法中的任意一种，在本发明中优选采用真空蒸镀的方法。

本发明所述有机发光器件可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。

通过以下实施例，更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。

化合物的制备及表征

原料、试剂以及表征设备的说明：

本发明对以下实施例中所采用的原料来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。

质谱使用英国沃特斯G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪，氯仿为溶剂；

元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪，样品质量为5～10mg。

[合成实施例1]化合物8的合成

中间体A-8的制备：

在氮气保护下，将a-8(110.00mmol，27.18g)，b-8(112.00mmol，10.43g)、叔丁醇钠(220.00mmol，21.14g)加到300ml甲苯中，搅拌下加入Pd(OAc)

化合物8的制备：

在氮气保护下，将g-8(30.00mmol，6.71g)、中间体A-8(92.00mmol，23.86g)、叔丁醇钠(60.00mmol，5.77g)加到200ml甲苯中，搅拌下加入Pd(OAc)

[合成实施例2]化合物67的合成

中间体A-67的制备：

在氮气保护下，将a-67(90.00mmol，14.13g)、b-8(92.00mmol，8.57g)、叔丁醇钠(180.00mmol，17.30g)加到300ml甲苯中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl

中间体B-67的制备：

在氮气保护下，将c-67(70.00mmol，19.82g)、b-8(72.00mmol，6.71g)、叔丁醇钠(140.00mmol，13.45g)加到300ml甲苯中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl

中间体C-67的制备：

在氮气保护下，将e-67(50.00mmol，14.86g)、b-8(52.00mmol，4.84g)、叔丁醇钠(100.00mmol，9.61g)溶于300ml甲苯，搅拌下加入Pd(OAc)

中间体I-67的制备：

在氮气保护下，将g-67(70.00mmol，22.21g)、中间体A-67(72.00mol，12.18g)、叔丁醇钠(140.00mmol，13.45g)加到300ml甲苯中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl

中间体II-67的制备：

在氮气保护下，将中间体I-67(50.00mmol，17.93g)、中间体B-67(52.00mmol，15.36g)、叔丁醇钠(100.00mmol，9.61g)加到200ml甲苯中，搅拌下加入Pd

化合物67的制备：

在氮气保护下，将中间体II-67(30.00mmol，17.19g)、中间体C-67(32.00mmol，9.90g)、叔丁醇钠(60.00mmol，5.77g)加到200ml甲苯中，搅拌下加入Pd(OAc)

[合成实施例3]化合物115的合成

中间体A-115的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中加入a-115(90.00mmol，31.43g)、b-8(92.00mmol，8.57g)、叔丁醇钠(180.00mmol，17.30g)和350ml甲苯，搅拌下加入Pd(OAc)

中间体B-115的制备：

在氮气保护下，将c-115(80.00mmol，18.65g)、b-8(82.00mmol，7.64g)、叔丁醇钠(160.00mmol，15.38g)加到350ml甲苯中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl

中间体I-115的制备：

在氮气保护下，将g-115(50mmol，11.29g)、中间体A-115(52mmol，18.80g)、叔丁醇钠(100.00mmol，9.61g)加到260ml甲苯中，搅拌下加入Pd(OAc)

化合物115的制备：

在氮气保护下，将中间体I-115(30.00mmol，15.19g)、中间体B-115(62.00mmol，15.21g)、叔丁醇钠(60.00mmol，5.77g)加到200ml甲苯中，搅拌下加入Pd(OAc)

[合成实施例4]化合物118的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-118，c-115替换为等摩尔的c-118，得到化合物118(23.27g)，HPLC检测固体纯度≧99.91％。质谱m/z：993.5951(理论值：993.5961)。理论元素含量(％)C

[合成实施例5]化合物127的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-127，c-115替换为等摩尔的a-67，得到化合物127(19.18g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：887.4228(理论值：887.4239)。理论元素含量(％)C

[合成实施例6]化合物131的合成

按照合成实施例1的制备方法，将a-8替换为等摩尔的a-131，b-8替换为等摩尔的b-131，g-8替换为等摩尔的g-131，得到化合物131(24.82g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：1215.7385(理论值：1215.7370)。理论元素含量(％)C

[合成实施例7]化合物143的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-143，c-115替换为等摩尔的c-143，g-115替换为等摩尔的g-143，得到化合物143(26.21g)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：1284.7079(理论值：1284.7090)。理论元素含量(％)C

[合成实施例8]化合物144的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-144，c-115替换为等摩尔的c-144，g-115替换为等摩尔的g-144，得到化合物144(24.46g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：1131.6438(理论值：1131.6430)。理论元素含量(％)C

[合成实施例9]化合物147的合成

/>

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-147，b-8替换为等摩尔的b-147，c-115替换为等摩尔的c-147，得到化合物147(26.82g)，HPLC检测固体纯度≧99.94％。质谱m/z：1314.6633(理论值：1314.6621)。理论元素含量(％)C

[合成实施例10]化合物158的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-158，c-115替换为等摩尔的c-158，得到化合物158(24.83g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：1181.4755(理论值：1181.4743)。理论元素含量(％)C

[合成实施例11]化合物178的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-178，c-115替换为等摩尔的a-67，g-115替换为等摩尔的g-178，得到化合物178(19.46g)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：820.3578(理论值：820.3566)。理论元素含量(％)C

[合成实施例12]化合物206的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-206，c-115替换为等摩尔的c-206，得到化合物206(20.91g)，HPLC检测固体纯度≧99.94％。质谱m/z：928.4171(理论值：928.4159)。理论元素含量(％)C

[合成实施例13]化合物217的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-217，c-115替换为等摩尔的c-217，b-8替换为等摩尔的d-217，得到化合物217(23.41g)，HPLC检测固体纯度≧99.93％。质谱m/z：999.4443(理论值：999.4431)。理论元素含量(％)C

[合成实施例14]化合物219的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-219，c-115替换为等摩尔的c-219，得到化合物219(20.16g)，HPLC检测固体纯度≧99.93％。质谱m/z：907.4338(理论值：907.4347)。理论元素含量(％)C

[合成实施例15]化合物241的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-241，b-8替换为等摩尔的d-217，c-115替换为等摩尔的c-241，得到化合物241(23.66g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：1094.5924(理论值：1094.5911)。理论元素含量(％)C

[合成实施例16]化合物276的合成

按照合成实施例2的制备方法，将a-67替换为等摩尔的c-115，c-67替换为等摩尔的c-276，e-67替换为等摩尔的a-8，b-8替换为等摩尔的f-276，得到化合物276(21.60g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：946.4585(理论值：946.4597)。理论元素含量(％)C

[合成实施例17]化合物282的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-282，c-115替换为等摩尔的c-282，得到化合物282(23.55g)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：1120.5473(理论值：1120.5461)。理论元素含量(％)C

[合成实施例18]化合物301的合成

按照合成实施例2的制备方法，将a-67替换为等摩尔的a-301，c-67替换为等摩尔的c-301，e-67替换为等摩尔的e-301，得到化合物301(23.75g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：1083.5438(理论值：1083.5430)。理论元素含量(％)C

[合成实施例19]化合物304的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-304，c-115替换为等摩尔的c-304，b-8替换为等摩尔的d-304，得到化合物304(21.63g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：909.4610(理论值：909.4596)。理论元素含量(％)C

[合成实施例20]化合物309的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-309，c-115替换为等摩尔的c-309，得到化合物309(20.98g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：873.4095(理论值：873.4083)。理论元素含量(％)C

[合成实施例21]化合物333的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-333，c-115替换为等摩尔的c-333，b-8替换为等摩尔的b-147，得到化合物333(23.06g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：1081.5169(理论值：1081.5180)。理论元素含量(％)C

[合成实施例22]化合物337的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-337，c-115替换为等摩尔的c-337，得到化合物337(21.97g)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：975.4483(理论值：975.4491)。理论元素含量(％)C

[合成实施例23]化合物367的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-367，c-115替换为等摩尔的c-367，得到化合物367(21.28g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：984.4933(理论值：984.4945)。理论元素含量(％)C

[合成实施例24]化合物380的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-380，b-8替换为等摩尔的b-380，g-115替换为等摩尔的g-380，得到化合物380(23.09g)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：1114.5981(理论值：1114.5993)。理论元素含量(％)C

[合成实施例25]化合物429的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-67，b-8替换为等摩尔的b-429，c-115替换为c-429，g-115替换为等摩尔的g-429，得到化合物429(22.05g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：966.4499(理论值：966.4489)。理论元素含量(％)C

[合成实施例26]化合物448的合成

按照合成实施例3的制备方法，将a-115替换为等摩尔的a-448，c-115替换为a-67，b-8替换为等摩尔的d-448，得到化合物448(23.01g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：1079.5163(理论值：1079.5178)。理论元素含量(％)C

[合成实施例27]化合物452的合成

按照合成实施例1的制备方法，将a-8替换为等摩尔的a-452，b-8替换为等摩尔的b-429，g-8替换为等摩尔的g-452，得到化合物452(25.33g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：1258.7888(理论值：1258.7873)。理论元素含量(％)C

[合成实施例28]化合物456的合成

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按照合成实施例1的制备方法，将a-8替换为等摩尔的a-456，b-8替换为等摩尔的b-456，g-8替换为等摩尔的g-131，得到化合物456(25.93g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：1270.8616(理论值：1270.8626)。理论元素含量(％)C

[合成实施例29]化合物501的合成

合成中间体A-501:

按照合成实施例1中A-8的制备方法制得。

中间体G-501的制备:

在氮气保护下，向反应瓶中加入g-501(50.00mmol，13.52g)、A-501(105.00mmol，30.49g)、Pd(OAc)

化合物501的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体G-501(30.00mmol，20.68g)、中间体h-501(32.00mmol，12.04g)、K

[合成实施例30]化合物543的合成

按照合成实施例29的制备方法，将A-501替换为等摩尔的A-543，得到化合物543(23.49g)。HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：990.4471(理论值：990.4458)。理论元素含量(％)C

[对比实施例1-2]器件制备实施例：

对比实施例1：利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为：将ITO-Ag-ITO基板放在蒸馏水中清洗3次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后，120℃烘干干燥，送到蒸镀机里。

在已经准备好的ITO-Ag-ITO透明电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层HATCN/20nm、蒸镀空穴传输层HT-1/60nm、蒸镀发光层(主体BH：掺杂BD(质量比97％：3％混合))/20nm、然后蒸镀电子传输层ETL：Liq(掺杂比为质量比1:1)/35nm、电子注入层LiF/1nm、阴极Mg-Ag/14nm、在阴极上蒸镀覆盖层CP-1/73nm。并将该器件密封于手套箱中，从而制备了有机发光器件。按照上述步骤完成有机发光器件的制作后，测量器件的光电性能，相关材料的分子结构式如下所示：

对比实施例2：将对比实施例1中的覆盖层材料CP-1换成CP-2，用与对比实施例1相同的方式来制造对比实施例2的有机发光器件。

[应用实施例1-30]

应用实施例1-30：将有机发光器件的覆盖层材料CP-1依次换成本发明的化合物8、67、115、118、127、131、143、144、147、158、178、206、217、219、241、276、282、301、304、309、333、337、367、380、429、448、452、456、501、543，其他步骤均与对比实施例1相同。所得有机发光器件的发光特性测试结果见表1所示。表1为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的发光器件的发光特性测试结果。

[表1]发光器件的发光特性测试

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注：T97指的是在电流密度为10mA/cm

由表1的结果可以看出，本发明式Ⅰ所示的星型化合物应用于有机发光器件中，作为覆盖层材料，与比较实施例1-2相比，可有效提高光取出效率，进而提高有机发光器件的发光效率，是性能良好的有机发光器件覆盖层材料。

参照例3：利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为：将ITO-Ag-ITO基板放在蒸馏水中清洗3次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后，120℃烘干干燥，送到蒸镀机里。

在已经准备好的ITO-Ag-ITO透明电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层HATCN/22nm、蒸镀空穴传输层HT-1/55nm、蒸镀发光层(主体m-CBP，掺杂RD(质量比98％：2％混合))/21nm、然后蒸镀电子传输层ETL：Liq(掺杂比为质量比1:1)/28nm、电子注入层LiF/1nm、阴极Mg-Ag/16nm、在阴极上蒸镀覆盖层化合物8/72nm。并将该器件密封于手套箱中，从而制备了有机发光器件。按照上述步骤完成有机发光器件的制作后，测量器件的光电性能，相关材料的分子结构式如下所示：

参照例4-8：将参照例3中的覆盖层材料化合物8依次换成化合物206、化合物219、化合物367、化合物456、化合物333，用与参照例3相同的方式来制造参照例4-8的有机发光器件。

对比实施例9-19：将参照例3中的覆盖层材料化合物8依次换成化合物II-9、化合物II-10、化合物II-24、化合物II-108、化合物III-12、化合物III-1、化合物III-100、化合物III-63、LiF、Li

[应用实施例31-62]

应用实施例31：利用真空热蒸镀的方法制备有机发光器件。实验步骤为：将ITO-Ag-ITO基板放在蒸馏水中清洗3次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后，120℃烘干干燥，送到蒸镀机里。

在已经准备好的ITO-Ag-ITO透明电极上以逐层真空蒸镀的方式蒸镀空穴注入层HATCN/22nm、蒸镀空穴传输层HT-1/55nm、蒸镀发光层(主体m-CBP，掺杂RD(质量比98％：2％混合))/21nm、然后蒸镀电子传输层ETL：Liq(掺杂比为质量比1:1)/28nm、电子注入层LiF/1nm、阴极Mg-Ag/16nm、在阴极上蒸镀第一覆盖层化合物8/36nm、在第一覆盖层上蒸镀第二覆盖层化合物II-9/36nm。并将该器件密封于手套箱中，从而制备了有机发光器件。

应用实施例32-58：将应用实施例31中有机发光器件的第一覆盖层材料化合物8依次换成本发明的化合物206、化合物219、化合物67、化合物367、化合物456、化合物333、化合物309、化合物144、化合物543、化合物178、化合物8、化合物206、化合物219、化合物67、化合物367、化合物456、化合物333、化合物309、化合物144、化合物543、化合物8、化合物206、化合物219、化合物67、化合物367、化合物456、化合物333，将应用实施例31中有机发光器件的第二覆盖层材料化合物II-9依次换成化合物II-10、化合物II-18、化合物II-1、化合物II-5、化合物II-82、化合物II-24、化合物II-32、化合物II-42、化合物II-108、化合物II-94、化合物III-12、化合物III-1、化合物III-5、化合物III-100、化合物III-63、化合物III-41、化合物III-25、化合物III-20、化合物III-28、化合物III-88、LiF、NaF、MgF

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机发光器件的驱动电压及发光效率。所得有机发光器件的发光特性测试结果见表2所示。表2为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的发光器件的发光特性测试结果。

[表2]发光器件的发光特性测试

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由表2的结果可以看出，本发明利用特定的双层覆盖层材料制备的有机发光器件，与参照例3-8、对比实施例9-19相比，显著改善了有机发光器件的发光效率和使用寿命，是性能良好的有机发光材料。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。