一种双列折弯引线信号处理器件外壳及其制备方法
文献发布时间:2023-06-19 19:37:02
技术领域
本发明属于混合集成电路封装外壳技术领域,尤其是涉及到一种双列折弯引线信号处理器件外壳及其制备方法。
背景技术
随着现代电子信息技术的飞速发展,电子信息系统及设备向大规模集成化、小型化、高效率和高可靠性方向发展。目前信号处理电子器件多为单一信号输出,无法实现多功能化,且抗干扰能力较差,使得通讯质量下降,影响传输效率。电子封装正在与电子设计及制造一起,共同推动着信息化社会的发展。由于电子器件和电子装置中元器件复杂性和密集型的日益提高,因此迫切需要研究和开发性能优异、可满足各种需求的新型电子封装构造。双列折弯式的金属封装外壳可以在不增加外壳体积的前提下尽可能实现内部芯片信号的多路传送,提高信号传输效率,但是按照常规的制备工艺,折弯后玻璃根部界面容易开裂,在后续表面处理过程中电镀溶液容易残留,造成绝缘电阻下降,且在后续芯片封装过程中,玻璃界面开裂容易漏气引起器件的失效。同时,在封接过程中无法有效保证双列折弯引线的排列一致性,影响外观及后续的对插使用。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种双列折弯引线信号处理器件外壳及其制备方法,来满足外壳的外观和性能要求。通过此种结构和封装方法,可以实现信号的多功能化,降低信号干扰,提高传输效率。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:一种双列折弯引线信号处理器件外壳,所述处理器件外壳包括金属外壳、玻璃绝缘子、折弯引线和烧结模具;所述金属外壳的两侧设有若干通孔;所述折弯引线在所述金属外壳内的部分为打扁端头,用于后道与芯片的键合;所述烧结模具包括定位模具和配合模具;所述定位模具包括定位模具A、定位模具B和定位模具C;所述定位模具A包括用于定位所述玻璃绝缘子的通槽一和用于定位打扁端头的通槽二,所述通槽一、通槽二与所述配合模具一起完成对内部引线尺寸和方向的定位;所述定位模具B设有与所述折弯引线相配合的定位孔;所述定位模具C设有用于定位所述折弯引线的通槽三;所述配合模具上设有凸棱,用于所述定位模具A与金属外壳之间的配合;所述处理器件外壳采用上下双层和双列排针的结构。
进一步地,所述通槽一的孔径比所述金属外壳两侧的通孔孔径小0.05~0.1mm,所述通槽一的深度为0.1mm;所述通槽二的孔径比所述折弯引线的打扁端头的厚度大0.03~0.05mm,所述通槽二的深度为0.8mm。
进一步地,所述定位孔与所述金属外壳的通孔等距排布;所述定位孔的孔径为所述折弯引线直径的1.05~1.1倍。
进一步地,所述定位模具C与所述定位模具B等距排布;所述通槽三的槽宽为所述折弯引线直径的1.05~1.1倍。
进一步地,所述金属外壳为上下双开口结构,所述金属外壳的中间设有厚度为1.5~2.5mm的中间层;所述中间层将所述金属外壳隔开形成上腔和下腔。
一种双列折弯引线信号处理器件外壳的制备方法,包括如下步骤:
1)将金属外壳和折弯引线进行预镀镍处理,之后放入管式炉中进行退火处理;
2)对烧结模具进行酒精超声清洗,随即放入高温烘箱中对其烘干;
3)将定位模具A分别置于所述金属外壳上、下腔内,用所述配合模具对其进行固定,并将所述折弯引线和玻璃绝缘子插入所述定位模具B、C中,从两侧沿所述金属外壳的通孔方向完成对插;
4)将装夹完成的信号处理器外壳放入真空炉中进行一次封接,所述一次封接温度为1000~1050℃;
5)封接后对玻璃封接部位进行喷砂处理,随后用酒精超声清洗,放入高温烘箱中;
6)将处理后的信号处理器外壳用定位模具B和配合模具进行定位,随即放入真空炉中进行二次封接,所述二次封接的温度为720~750℃。
进一步地,所述步骤1)中,所述金属外壳和折弯引线的表面以2~3A/dm
进一步地,所述步骤4)中,所述金属外壳在进行一次封接时,升温速率为8~12℃/min,在一次封接温度下保温8~12min,随即以5~8℃/min的降温速率完成封接;所述步骤6)中,所述金属外壳在进行二次封接时,升温速率为8~12℃/min,在二次封接温度下保温20~25min,随即以3~5℃/min的降温速率完成封接。
进一步地,所述步骤5)中,喷砂处理采用的是纯度为99%以上的刚玉砂。
进一步地,所述折弯引线的材质为铁镍合金铜芯复合材料。
本发明的有益效果是:与现有技术相比,本发明提供的一种双列折弯引线信号处理器件外壳及其制备方法,玻璃封接状态良好,具有优良的电绝缘性、密封性、耐蚀性,其上下双层和双列排针的结构,可满足内部芯片在有效的空间内多信号输出,极大的提高了信号传输的效率,提高了整个封接器件的集成度。
附图说明
图1为双列折弯引线信号处理器件外壳的示意图。
图2为双列折弯引线信号处理器件外壳的剖面图。
图3为双列折弯引线信号处理器件外壳定位模具A示意图。
图4为双列折弯引线信号处理器件外壳定位模具B示意图。
图5为双列折弯引线信号处理器件外壳定位模具C示意图。
图6为双列折弯引线信号处理器件外壳配合模具示意图。
1-金属外壳;2玻璃绝缘子;3、折弯引线;4、通孔;5、中间层;501-上腔;502-下腔;51、通槽一;52、通槽二;61、定位孔一;62、定位孔二;71、通槽三;8、配合模具。
具体实施方式
下面通过具体实施例来进一步说明本发明。但这些实例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
实施例
如图1~6所示,一种双列折弯引线信号处理器件外壳及其制备方法,用于将金属外壳1、折弯引线3和玻璃绝缘子2进行封接,金属外壳1上设有28个通孔4,折弯引线3在所述金属外壳1内的部分为打扁端头,所采用的模具包括有4个定位模具A,2个定位模具B,2个定位模具C和2个配合模具。所述定位模具A包括有用于定位玻璃绝缘子的通槽一51,用于定位打扁端头方向的通槽二52,所述通槽一51、通槽二52和配合模具完成对所述金属外壳1内部折弯引线3的尺寸和方向的定位;所述定位模具B包括有用于定位折弯引线3垂直度的定位孔,包括定位孔一61和定位孔二62,所述定位模具C包括有用于定位折弯引线3方向的通槽三71,所述定位孔一61、定位孔二62和通槽三71完成对所述金属外壳1外部折弯引线3的尺寸和方向的定位。
其中一个实施例中,所述通槽一51的孔径比所述金属外壳1两侧的通孔4孔径小0.05~0.1mm,所述通槽一51的深度为0.1mm;所述通槽二52的孔径比所述折弯引线3的打扁端头的厚度大0.03~0.05mm,所述通槽二52的深度为0.8mm。
其中一个实施例中,所述定位孔与所述金属外壳1的通孔4等距排布;所述定位孔的孔径为折弯引线3直径的1.05~1.1倍。
其中一个实施例中,所述定位模具C与所述定位模具B等距排布;所述通槽三71的槽宽为折弯引线3直径的1.05~1.1倍。
其中一个实施例中,所述金属外壳1为上下双开口结构,所述金属外壳1的中间设有厚度为1.5~2.5mm的中间层5;所述中间层5将所述金属外壳1隔开形成上腔501和下腔502。
一种双列折弯引线信号处理器件外壳的制备方法,包括如下步骤:
(1)将预制回来的金属外壳1和引线进行预镀镍处理,以2~3A/dm
本发明通过设计了一种双列折弯引线的信号处理器件外壳,改善了其内外部传输结构,并提出了其具体的制备方法,能有效的实现信号传输效率,降低传输损耗,且通过该方法制备出的信号处理器件外壳具有优异的电绝缘性能、密封性和耐蚀性。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
- 一种环形热电器件的制备装置及其制备环形热电器件的方法
- 一种接口电路、信号处理方法、器件及介质
- 一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法
- 一种显示器件的制备方法及有机发光显示器件
- 一种抗氧化铜基合金键合引线及其制备方法
- 一种应用于声表面波器件的双列直插外壳
- 一种电子器件引线折弯装置和方法