一种显示面板、制备方法及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、制备方法及显示装置。

背景技术

目前，在OLED(有机发光二极管)显示技术中，为了保证发光材料的工作寿命和发光稳定性，通常在发光膜层结束后都会沉积或者涂覆封装层，并且选用多层封装的方式来保证其封装特性，多层封装可以保障显示产品的信赖性的同时延长水汽侵入路径。通常为增大显示屏的屏占比，会通过切割开孔的方式避让前置摄像头等功能器件，为阻断切割开口的切割面的水汽入侵通道，需要采用的多层封装结构，另外在孔周围主要采用凸起隔离结构以隔断发光材料膜层的连续性。

然而，现有的隔离方案是利用膜层垫高的方式得到凸起隔离结构，但是凸起的隔离结构在制备过程中存在离子析出的问题，析出的离子会成为异物形成不良，影响显示面板的良率。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板、制备方法及显示装置，能够解决隔离结构制备过程中的离子析出问题，提高显示面板的良率。

本申请实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：

衬底层和发光层，所述衬底层包括显示区和开口区，所述显示区至少部分围绕所述开口区，所述显示区与所述开口区之间设置有缓冲区，所述缓冲区设置有隔离柱，所述发光层设置于所述隔离柱远离所述衬底层的一侧；

所述隔离柱包括第一无机层和有机层，所述第一无机层设置于所述衬底层与所述有机层之间；

相邻所述隔离柱的所述有机层之间间隔有第一镂空，相邻所述隔离柱的所述第一无机层之间间隔有无机层凹槽，所述第一镂空与所述无机层凹槽连通，所述隔离柱与所述无机层凹槽的交替设置用于使得所述发光层在所述无机层凹槽与所述隔离柱的边界区域断开；

所述无机层凹槽是通过所述有机层作为刻蚀掩模刻蚀得到的。

在一些实施方式中，所述缓冲区包括第二无机层和隔离结构，所述第二无机层设置于所述衬底层与所述隔离柱之间，所述隔离结构设置于所述第二无机层与所述无机层凹槽之间，所述无机层凹槽靠近所述衬底层的槽底端与所述隔离结构连接。

在一些实施方式中，所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘包围所述无机层凹槽在所述衬底层上正投影的边缘，或，所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘与所述无机层凹槽在所述衬底层上正投影的边缘至少部分重合。

在一些实施方式中，所述无机层凹槽靠近所述衬底层的所述槽底端为曲面；和/或，

所述无机层凹槽在所述显示面板的厚度方向上的侧壁为曲面。

在一些实施方式中，所述无机层凹槽在所述衬底层上正投影的边缘包围所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘，或，所述无机层凹槽在所述衬底层上正投影的边缘与所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘重合。

在一些实施方式中，至少一个所述无机层凹槽远离所述衬底层一端的内径大于靠近所述衬底层一端的内径；和/或，

至少一个所述无机层凹槽远离所述衬底层一端的内径小于靠近所述衬底层一端的内径；

所述无机层凹槽远离所述衬底层一端的内径与靠近所述衬底层一端的内径的差值大于0.5μm。

在一些实施方式中，所述无机层凹槽在所述显示面板厚度方向上的侧壁包括至少一个凸部和至少一个凹部，所述凸部和所述凹部相连接。

在一些实施方式中，所述无机层凹槽在所述衬底层上正投影的边缘包围所述第一镂空在所述衬底层上正投影的边缘；和/或，

所述无机层凹槽的最小内径大于所述第一镂空的最大内径；和/或，

所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘包围所述第一镂空在所述衬底层上正投影的边缘，或，所述隔离结构在所述衬底层上正投影的边缘与所述第一镂空在所述衬底层上正投影的边缘至少部分重合；

所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度。

在一些实施方式中，所述隔离结构包括半导体材料层和/或导电材料层；

所述显示区包括有源层和至少一个电极层，所述半导体材料层与所述有源层同层设置，和/或，所述导电材料层与至少一个所述电极层。

在一些实施方式中，所述显示区包括栅极，所述栅极包括至少两层堆叠的栅电极层，所述导电材料层与至少一层所述栅电极层同层设置。

在一些实施方式中，所述显示区包括栅极、源漏电极、缓冲层、栅绝缘层、间绝缘层、平坦层和钝化层，所述缓冲层设置于所述衬底层与所述有源层之间，所述栅绝缘层设置于所述栅极与所述有源层之间，所述间绝缘层设置于所述栅极与所述源漏电极之间，所述平坦层设置于所述源漏电极远离所述衬底层的一侧，所述钝化层设置于所述平坦层远离所述衬底层的一侧；

所述第二无机层包括所述缓冲层和/或栅绝缘层；和/或，

所述第一无机层包括所述间绝缘层和/或钝化层。

在一些实施方式中，所述显示区包括像素界定层，所述像素界定层设置于所述钝化层远离所述衬底层的一侧；

所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层；

所述有机层包括第一平坦层、所述第二平坦层和所述像素界定层中的至少一者。

在一些实施方式中，所述缓冲区包括切割线和挡墙结构，所述切割线设置于所述开口区与所述挡墙结构之间；

所述切割线与所述挡墙结构之间设置有所述隔离柱，和/或，所述挡墙结构与所述显示区之间设置有所述隔离柱。

本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板的制备方法，应用于制备如第一方面所述的显示面板，所述制备方法包括：

在衬底层的一侧依次设置第一无机层和有机层，其中，所述第一无机层设置于所述衬底层与所述有机层之间，所述有机层上设置有多个第一镂空；

在缓冲区内，以所述有机层为刻蚀掩模，刻蚀所述第一无机层，得到多个无机层凹槽，其中，所述无机层凹槽之间的所述无机层与对应区域的所述有机层形成隔离柱；

在隔离柱远离所述衬底层的一侧设置发光层，以使所述发光层在所述无机层凹槽与所述隔离柱的边界区域断开。

本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括：

如第一方面所述的显示面板。

本申请实施例提供的显示面板，通过在开口区与显示区之间的缓冲区内设置隔离柱，隔离柱包括第一无机层和有机层，相邻隔离柱的有机层之间间隔有第一镂空，相邻隔离柱的第一无机层之间间隔有无机层凹槽，第一镂空与无机层凹槽连通，隔离柱与无机层凹槽的交替设置用于使得发光层在无机层凹槽与隔离柱的边界区域断开；无机层凹槽是通过有机层作为刻蚀掩模刻蚀得到的。利用非金属材料设置隔离柱，可以解决金属电极垫高得到的隔离结构存在的Ag颗粒析出的问题，可以避免隔离柱的设置降低显示面板的良率问题。利用有机层作为刻蚀掩模刻蚀得到无机层凹槽，可以得到隔离柱，无需额外增加掩模版；以及第一无机层和有机层可以与显示区内的对应膜层同层设置，均不会增加额外的工艺制程，不影响显示面板的产能，可以降低成本。无机层凹槽的设置，既可以满足隔断发光层的作用，第一无机层和有机层的堆叠形成的隔离柱，不存在金属电极隔离柱的成膜特性差问题，不会影响封装层的可靠性和成膜特性。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意性结构图；

图2为本申请实施例提供的一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意性结构图；

图4为本申请实施例提供的另一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图6为本申请实施例提供的再一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图9为本申请实施例提供的一种显示面板的无机层凹槽的示意性结构图；

图10为本申请实施例提供的一种显示面板的无机层凹槽的示意性结构图；

图11为本申请实施例提供的又一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图；

图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意性结构图；

图13为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图；

图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图；

图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图；

图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图；

图17为本申请实施例提供的一种显示装置的示意性结构图。

具体实施方式

为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。

目前，在OLED显示技术中，为了保证发光材料的工作寿命和发光稳定性，通常在发光膜层结束后都会沉积或者涂覆封装层，并且选用多层封装的方式来保证其封装特性，多层封装可以保障显示产品的信赖性的同时延长水汽侵入路径。通常为增大显示屏的屏占比，会通过切割开孔的方式避让前置摄像头等功能器件，为阻断切割开口的切割面的水汽入侵通道，需要采用的多层封装结构，另外在孔周围主要采用凸起隔离结构以隔断发光材料膜层的连续性。然而，现有的隔离方案是利用膜层垫高的方式得到凸起隔离结构，但是凸起的隔离结构在制备过程中存在离子析出的问题，析出的离子会成为异物形成不良，影响显示面板的良率。

有鉴于此，本申请实施例提供一种显示面板、制备方法及显示装置，能够解决隔离结构制备过程中的离子析出问题，提高显示面板的良率。

本申请实施例的第一方面，提供一种显示面板，图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意性结构图；图2为本申请实施例提供的一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。结合图1和图2，显示面板包括：衬底层100和发光层200，衬底层100包括显示区AA和开口区HA，显示区AA至少部分围绕开口区HA，显示区AA与开口区HA之间设置有缓冲区NA。显示区AA内可以设置多个像素结构，像素结构可以通过发光器件发光，实现画面显示。开口区HA可以用于设置显示设备的前置摄像头、听筒或者光源等功能器件，本申请实施例不作具体限定。缓冲区NA设置有隔离柱300，发光层200设置于隔离柱300远离衬底层100的一侧；隔离柱300包括第一无机层310和有机层320，第一无机层310设置于衬底层100与有机层300之间；相邻隔离柱300的有机层320之间间隔有第一镂空321，相邻隔离柱300的第一无机层310之间间隔有无机层凹槽311，第一镂空321与无机层凹槽311连通，隔离柱300与无机层凹槽311的交替设置用于使得发光层200在无机层凹槽311与隔离柱300的边界区域断开；无机层凹槽311是通过有机层320作为刻蚀掩模刻蚀得到的。有机材料与无机材料的刻蚀条件不同，刻蚀方式也可以不同，则有机层320整层成膜后可以通过设置多个第一镂空321，在有机层320上形成图形化结构，利用有机层320的图形化结构作为掩模图形，可以刻蚀第一无机层310，得到对应的多个无机层凹槽311，无需额外增加掩模版和图形化工艺。无机层凹槽311的形成，可以使得未被刻蚀的无机层310和有机层320堆叠形成隔离柱300，则相邻隔离柱300被无机层凹槽311和第一镂空321隔离开。发光层200设置在隔离柱300远离衬底层100一侧的过程中，发光层200会在无机层凹槽311和隔离柱300的边界区域断裂，发光层200通常对于水氧的传输性较好，发光层200容易成为水氧的传输通道，发光层200在隔离柱300和无机层凹槽311的作用下断裂，可以在缓冲区NA内形成水氧阻隔区，将开口区HA切割侧壁入侵的水氧传输通道切断，提高显示面板的抗水氧侵蚀性能，进而提高显示面板的可靠性和寿命。

需要说明的是，目前的凸起隔离结构通常采用金属电极垫高的方式，并且考虑到发光材料有较好的爬坡特性，通常将金属电极中Ti-Al-Ti膜层中的Al向内侧刻蚀一部分，使得顶层的Ti和中间的Al形成一个内部陷入的结构，即形成工字型结构或T型结构，未被刻蚀的顶层的Ti形成一定长度的Undercut(底切),从而阻断爬坡的发光材料。原理上，金属电极垫高的隔离结构设计可以100％隔断发光材料，但是发光材料优异的爬坡性能使其存在形成水氧侵入通道风险，同时因封装层受限于成膜工艺本身的形貌成膜特性。金属电极垫高的隔离结构是通过背板湿刻阳极的工艺设置的，为保证隔断效果，获得更长的Undercut，额外增加了一道掩模版，通过更长的湿刻时间获得更长的Undercut；在湿刻过程中，湿刻药液中的银离子和金属AL会发生置换反应，同步湿刻中还伴随Ag颗粒的析出，带来暗点的显示不良问题,降低像是面板的良率。

针对上述问题，本申请实施例提供的显示面板，通过在开口区HA与显示区AA之间的缓冲区NA内设置隔离柱300，隔离柱300包括第一无机层310和有机层320，相邻隔离柱300的有机层320之间间隔有第一镂空321，相邻隔离柱300的第一无机层310之间间隔有无机层凹槽311，第一镂空321与无机层凹槽311连通，隔离柱300与无机层凹槽311的交替设置用于使得发光层200在无机层凹槽311与隔离柱300的边界区域断开；无机层凹槽311是通过有机层320作为刻蚀掩模刻蚀得到的。利用非金属材料设置隔离柱，可以解决金属电极垫高得到的隔离结构存在的Ag颗粒析出的问题，可以避免隔离柱的设置降低显示面板的良率问题。利用有机层320作为刻蚀掩模刻蚀得到无机层凹槽311，可以得到隔离柱300，无需额外增加掩模版；以及第一无机层310和有机层320可以与显示区AA内的对应膜层同层设置，均不会增加额外的工艺制程，不影响显示面板的产能，可以降低成本。无机层凹槽311的设置，既可以满足隔断发光层200的作用，第一无机层310和有机层320的堆叠形成的隔离柱300，不存在金属电极隔离柱的成膜特性差问题，不会影响封装层的可靠性和成膜特性。

在一些实施方式中，图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意性结构图。如图3所示，开口区HA的形状为矩形，显示区AA部分围绕开口区HA。如图1所示，开口区HA的形状为圆形，显示区AA全部围绕开口区HA。图1和图3所示的开口区HA的形状和位置的设置均是示意性的，可以根据具体产品的外观需求或功能器件的位置需求设置开口区HA，本申请实施例不作具体限定。

在一些实施方式中，图4为本申请实施例提供的另一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图4所示，缓冲区NA包括第二无机层400和隔离结构500，第二无机层400设置于衬底层100与隔离柱300之间，隔离结构500设置于第二无机层400与无机层凹槽311之间，无机层凹槽311靠近衬底层100的槽底端301与隔离结构500连接。示例性的，第二无机层400可以是整层设置的。隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘包围无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘，即隔离结构500在水平方向上的尺寸大于无机层凹槽311的最大内径。需要说明的是，水平方向可以是垂直于显示面板厚度方向的任意方向。隔离结构500与第一无机层310的材料不同，将隔离结构500设置在第一无机层310与第二无机层400之间，可以起到可是阻挡的作用，在刻蚀第一无机层310得到无机层凹槽311的过程中，刻蚀到隔离结构500的情况下，无机层凹槽311的深度不会继续增加，如果刻蚀继续可以继续增大无机层凹槽311的槽底端301的内径。隔离结构500可以起到控制无机层凹槽311的深度的作用，可以提高刻蚀精度。无机层的刻蚀可以采用干法刻蚀，刻蚀精度高，不会带来额外的不良问题，例如，不会发生银粒子置换造成银颗粒的析出问题。如图4所示，隔离结构500的水平尺寸较大，可以保证无机层凹槽311的深度要求。

在一些实施方式中，隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘与无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘至少部分重合。鉴于工艺误差，隔离结构500的边缘可以与无机层凹槽311的正投影边缘存在重合。需要说明的是，无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘指的是无机层凹槽311最大内径处的正投影的边缘。

在一些实施方式中，图5为本申请实施例提供的又一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图5所示，无机层凹槽311靠近衬底层100的槽底端301为曲面。无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘包围隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘，由于槽底端301为曲面，则可以结合刻蚀速率与刻蚀时间的控制来实现无机层凹槽311深度的控制，隔离结构500在水平方向上的尺寸可以小于无机层凹槽311的最大内径。

在一些实施方式中，参考图5，无机层凹槽311在显示面板的厚度方向上的侧壁为曲面。曲面的侧壁和曲面的槽底端301可以具有较好的隔断发光层200的作用。

在一些实施方式中，无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘与隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘至少部分重合，可以兼顾对于无机层凹槽311刻蚀阻挡作用。

在一些实施方式中，至少一个无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径大于靠近衬底层100一端的内径。

示例性的，图6为本申请实施例提供的再一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图6所示，所有无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径大于靠近衬底层100一端的内径，无机层凹槽311的截面结构为倒梯形。

在一些实施方式中，至少一个无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径小于靠近衬底层100一端的内径。

示例性的，图7为本申请实施例提供的一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图7所示，所有无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径小于靠近衬底层100一端的内径，无机层凹槽311的截面结构为正梯形。截面为正梯形的无机层凹槽311可以通过等离子体解离或者过刻的方式得到。

在一些实施方式中，无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径与靠近衬底层一端的内径的差值大于0.5μm。即无机层凹槽311远离衬底层100一端的内径与靠近衬底层一端的内径的差值使大于刻蚀工艺误差的数值。

示例性的，图8为本申请实施例提供的另一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图8所示，截面为正梯形的第一无机层凹槽302和截面为倒梯形的第二无机层凹槽303可以混合设置在同一个显示面板上，可以加强隔离柱300对于发光层200的隔断效果。

在一些实施方式中，无机层凹槽311在显示面板厚度方向上的侧壁包括至少一个凸部和至少一个凹部，凸部和凹部相连接。在第一无机层310包括至少两种堆叠的无机材料层的情况下，例如氮化硅和氧化硅，不同材料的刻蚀条件不同，例如干刻的刻蚀气体或刻蚀速率的设置有所不同，则在刻蚀得到无机层凹槽311的过程中，由于刻蚀工艺条件的差异，会在侧壁上形成凹凸结构，可以增强发光层200的断裂效果。

示例性的，图9为本申请实施例提供的一种显示面板的无机层凹槽的示意性结构图。如图9所示，无机层凹槽311的侧壁上包括一个凸部304和两个个凹部305，两个凹部305之间可以形成一个凸部304。

示例性的，图10为本申请实施例提供的一种显示面板的无机层凹槽的示意性结构图。如图10所示，无机层凹槽311的侧壁上包括三个凸部304和四个凹部305。第一无机层310包括两层第一无机材料层312和两层第二无机材料层313，第一无机材料层312和第二无机材料层313交替堆叠，则可以得到四个凹部305，进而形成三个凸部304。

示例性的，参考图1，无机层凹槽311在衬底层100上正投影的边缘包围第一镂空321在衬底层100上正投影的边缘。

示例性的，参考图7，第一镂空321的最小内径小无机层凹槽311的最大内径，可以保证对于发光层200的隔断效果。

在一些实施方式中，参考图7，隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘包围第一镂空321在衬底层100上正投影的边缘。

在一些实施方式中，参考图7，隔离结构500在衬底层100上正投影的边缘与第一镂空321在衬底层100上正投影的边缘至少部分重合。

在一些实施方式中，参考图3-图8，第一无机层320的厚度大于第二无机层400的厚度。可以保证无机层凹槽311的深度足够隔断发光层200。

在一些实施方式中，隔离结构500可以包括半导体材料层和/或导电材料层；显示区AA包括有源层和至少一个电极层，半导体材料层可以与有源层同层设置，导电材料层可以与至少一个电极层。

示例性的，显示区AA包括栅极，栅极包括至少两层堆叠的栅电极层，导电材料层与至少一层栅电极层同层设置。例如，栅极包括三层堆叠的结构Mo-Al-Mo，隔离结构500的导电材料层可以与任一Mo电极层同层设置。

需要说明的是，同层设置是指通过同一道或者多道工艺流程同步制备，以在不同的区域设置得到相同材料的结构。

在一些实施方式中，图11为本申请实施例提供的又一种显示面板沿B1-B2的截面结构示意图。如图11所示，显示区AA包括栅极g、源漏电极、缓冲层buffer、栅绝缘层GI、间绝缘层、平坦层PLN和钝化层PVX，源漏电极包括源极s和漏极d，缓冲层buffer设置于衬底层100与有源层ACT之间，有源层ACT可以是多晶硅、单晶硅、非晶硅或金属氧化物等。栅绝缘层GI设置于栅极g与有源层ACT之间，间绝缘层设置于栅极g与源漏电极之间，间绝缘层可以包括第一间绝缘层ILD1和第二间绝缘层ILD2,。平坦层PLN设置于源漏电极远离衬底层100的一侧，钝化层PVX设置于平坦层PLN远离衬底层100的一侧。栅极g、源极s、漏极d和有源层ACT可以形成驱动晶体管，用于驱动阳极600，像素界定层PDL设置在钝化层PVX远离衬底层100的一侧，像素界定层PDL具有第二镂空201，发光层200与阳极600在第二镂空201的交叠区域发光，阴极700覆盖于发光层200远离阳极600的一侧。

示例性的，参考图11，第二无机层400与缓冲层buffer同层设置，隔离结构500与有源层ACT同层设置，第一无机层310包括栅绝缘层GI、第一间绝缘层ILD1和第二间绝缘层ILD2，有机层320包括平坦层PLN、钝化层PCV和像素界定层PDL。

在一些实施方式中，平坦层PLN可以包括第一平坦层和第二平坦层；有机层可以包括第一平坦层、第二平坦层和像素界定层中的至少一者。

在一些实施方式中，图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意性结构图。如图12所示，缓冲区NA包括切割线101和挡墙结构800，切割线101设置于开口区HA与挡墙结构800之间；切割线101用于作为切割开口区HA的工艺基准。切割线101与挡墙结构800之间设置有隔离柱300，挡墙结构800与显示区AA之间设置有隔离柱300。挡墙结构800用于在封装层设置过程中有机封装层的喷墨打印提供阻挡作用，还可以起到避免有机封装层溢出至开口区HA，为水氧传输提供通道。在挡墙结构800的两侧设置隔离柱300，可以加强对于发光层200的阻断效果。图12所示的隔离柱300的数量只是示意性的，不作为本申请的具体限定。图12为清楚示意，将开口区HA与显示区AA之间设置的结构放大示意，只是示意性的，结构尺寸即比例不作为本申请的具体限定。

本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板的制备方法，应用于制备如第一方面所述的显示面板，图13为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图；图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图。结合图13和图14，显示面板的制备方法包括：

S901：在衬底层的一侧依次设置第一无机层和有机层，其中，第一无机层设置于衬底层与有机层之间，有机层上设置有多个第一镂空。

第一无机层310和有机层320可以与显示区AA内的相同材料的膜层同层设置。

S902：在缓冲区内，以有机层为刻蚀掩模，刻蚀第一无机层，得到多个无机层凹槽，其中，无机层凹槽之间的无机层与对应区域的有机层形成隔离柱。

有机材料与无机材料的刻蚀条件不同，刻蚀方式也可以不同，则有机层320整层成膜后可以通过设置多个第一镂空321，在有机层320上形成图形化结构，利用有机层320的图形化结构作为掩模图形，可以刻蚀第一无机层310，得到对应的多个无机层凹槽311，无需额外增加掩模版和图形化工艺。

S903：在隔离柱远离衬底层的一侧设置发光层，以使发光层在无机层凹槽与隔离柱的边界区域断开。

无机层凹槽311的形成，可以使得未被刻蚀的无机层310和有机层320堆叠形成隔离柱300，则相邻隔离柱300被无机层凹槽311和第一镂空321隔离开。发光层200设置在隔离柱300远离衬底层100一侧的过程中，发光层200会在无机层凹槽311和隔离柱300的边界区域断裂，发光层200通常对于水氧的传输性较好，发光层200容易成为水氧的传输通道，发光层200在隔离柱300和无机层凹槽311的作用下断裂，可以在缓冲区NA内形成水氧阻隔区，将开口区HA切割侧壁入侵的水氧传输通道切断，提高显示面板的抗水氧侵蚀性能，进而提高显示面板的可靠性和寿命。

本申请实施例提供的显示面板的制备方法，通过在开口区HA与显示区AA之间的缓冲区NA内设置隔离柱300，隔离柱300包括第一无机层310和有机层320，相邻隔离柱300的有机层320之间间隔有第一镂空321，相邻隔离柱300的第一无机层310之间间隔有无机层凹槽311，第一镂空321与无机层凹槽311连通，隔离柱300与无机层凹槽311的交替设置用于使得发光层200在无机层凹槽311与隔离柱300的边界区域断开；无机层凹槽311是通过有机层320作为刻蚀掩模刻蚀得到的。利用非金属材料设置隔离柱，可以解决金属电极垫高得到的隔离结构存在的Ag颗粒析出的问题，可以避免隔离柱的设置降低显示面板的良率问题。利用有机层320作为刻蚀掩模刻蚀得到无机层凹槽311，可以得到隔离柱300，无需额外增加掩模版；以及第一无机层310和有机层320可以与显示区AA内的对应膜层同层设置，均不会增加额外的工艺制程，不影响显示面板的产能，可以降低成本。无机层凹槽311的设置，既可以满足隔断发光层200的作用，第一无机层310和有机层320的堆叠形成的隔离柱300，不存在金属电极隔离柱的成膜特性差问题，不会影响封装层的可靠性和成膜特性。

在一些实施方式中，图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图。如图15所示，无机层可以包括第一平坦层PLN1和第二平坦层PLN2，步骤S901可以包括：

在衬底层100的一侧依次设置第一无机层310、第一平坦层PLN1和第二平坦层PLN2，其中，第一无机层310设置于衬底层与第一平坦层PLN1之间，第一平坦层PLN1和第二平坦层PLN2上设置有多个第一镂空321。

步骤S902可以包括：

在缓冲区NA内，以层叠的第一平坦层PLN1和第二平坦层PLN2为刻蚀掩模，刻蚀第一无机层310，得到多个无机层凹槽311，其中，无机层凹槽311之间的无机层310与对应区域的第一平坦层PLN1和第二平坦层PLN2层叠形成隔离柱。

在一些实施方式中，图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的制备方法的工艺流程示意图。如图16所示，无机层可以包括第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2和像素界定层PDL，步骤S901可以包括：

在衬底层100的一侧依次设置第一无机层310、第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2和像素界定层PDL，其中，第一无机层310设置于衬底层与第一平坦层PLN1之间，第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2和像素界定层PDL上设置有多个第一镂空321。

步骤S902可以包括：

在缓冲区NA内，以层叠的第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2和像素界定层PDL为刻蚀掩模，刻蚀第一无机层310，得到多个无机层凹槽311，其中，无机层凹槽311之间的无机层310与对应区域的第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2和像素界定层PDL层叠形成隔离柱。

本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置，图17为本申请实施例提供的一种显示装置的示意性结构图。如图17所示，显示装置包括：如第一方面所述的显示面板1000。

需要说明的是，本申请实施例提供的显示装置可以包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视和智能穿戴显示装置等，智能穿戴显示装置可以包括智能手表等，本申请实施例不作具体限定。

需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。