蚀刻方法

技术领域

本发明涉及一种蚀刻方法。

背景技术

半导体器件的三维结构的高级制造需要选择性地去除一种或多种材料，而不去除在制造期间未损坏的任何其他材料。这能够控制各向同性蚀刻技术和由含钛化合物制成的多种金属栅极材料。

功函数金属栅极可以用于鳍型场效应晶体管(FinFET)中的多层堆叠结构中。在这些金属栅极中，三元化合物TiAlC对n型FinFET的阈值电压和半导体制造工艺的热阻具有良好的可控性。为了制造FinFET，可以在不去除任何非靶向材料的情况下蚀刻该TiAlC膜，非靶向材料例如用于p型FinFET的TiN金属栅极，其暴露在TiAlC周围的区域中或出现在TiAlC膜下面。需要TiAlC对金属化合物、绝缘体和半导体(例如TiN、TaN、HfO

在本发明之前，应用使用H

在相关技术中，在US2015/0132953A1中公开了使用湿过氧化物混合物蚀刻可能含有铝的碳化钛。在该方法中，TiC相对于TiN的最大选择性可以用氨、过氧化物和水的液体混合物在25℃的温度下获得，其中TiC的蚀刻速率为8.6nm/min。

为了在半导体工业中制造下一代FinFET，需要一种可控且具有高选择性的去除方法。为了提高TiAlC膜蚀刻速率的选择性，干法蚀刻和等离子体蚀刻技术是可行的。在相关技术中，已经通过近大气压等离子体开发了用于三元材料TiAlC的干法蚀刻。这在PCT/JP2021/038955中公开。该方法依赖于用Ar/液体蒸汽等离子体(例如，NH

引用清单

专利文献

PTL 1：US2015/0132953A1

发明内容

下一代鳍形和纳米片场效应晶体管强烈地需要金属薄层的堆叠。需要TiAlC膜在TiN膜上的堆叠结构。在这种情况下，需要各向异性蚀刻和各向同性蚀刻两者。在各向异性蚀刻的情况下，抑制非靶向膜的侧壁处的横向蚀刻是一个重要的问题。通常通过使用含卤素气体混合物等离子体来蚀刻含金属膜。然而，卤素混合物产生横向蚀刻特征。这需要非卤素混合物等离子体。在各向同性蚀刻的情况下，抑制在底层中产生的损坏是重要的。

问题的解决方案

本发明人一直在开发一种新的干法蚀刻方法，用于使用非卤素混合物等离子体在不去除任何金属氮化物的情况下对金属碳化物进行各向异性和各向同性蚀刻。

等离子体是离子、自由基等的来源。离子或带电粒子可以到达衬底表面。在低于1000Pa的压力下，离子或带电粒子在施加偏置功率的特定情况下撞击表面。更优选低于100Pa的低压等离子体。

这里应用连续蚀刻技术和循环蚀刻技术这两者。至于原子层蚀刻，可以以相对于其他膜选择性地去除膜的自限制方式来处理循环蚀刻。离子辐射或加热在本发明中是必需的，并且获得各向异性或各向同性蚀刻。

首先，表面改性可以通过用这些离子和自由基(作为受激物种和光子)处理表面来控制。改性层由含有氮、碳和氢的金属化合物组成。

本申请公开了以向N

本发明的有益效果

通过本说明书中公开的本发明的代表性配置获得的效果如下。根据本发明的实施方案，可以提供一种以连续或循环蚀刻方式来对碳化钛铝膜进行干法蚀刻的技术，该技术利用了通过表面改性层的离子诱导或加热诱导去除的高表面反应。通过在高能离子轰击或加热下的不同表面反应可以获得碳化钛铝相对于氮化钛和其他材料的高选择性蚀刻。代替使用诸如氟、氯、溴之类的卤素，可以抑制非靶向材料的侧壁处的横向蚀刻。可以在50℃或高于20℃下使用非卤素基化学物质即N

附图说明

[图1]图1是示出电容耦合等离子体(CCP)蚀刻系统的设计的一个示例的视图。

[图2]图2是碳化钛铝膜的连续蚀刻方法的示意性程序。

[图3]图3是示出在4Pa下的流速为150sccm的纯N

[图4]图4是示出在4Pa下的流速分别为75sccm和75sccm的N

[图5]图5是示出在4Pa下的流速为100sccm的纯H

[图6]图6是示出在4Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC和TiN的蚀刻速率和选择性(TiAlC/TiN)作为H

[图7]图7是说明在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC和TiN的蚀刻速率和选择性(TiAlC/TiN)作为H

[图8]图8是示出在4Pa的压力和10分钟的处理时间下在各种混合物条件下的等离子体蚀刻之前和之后TiAlC和TiN膜的横截面扫描电子显微镜图像的视图概要。

[图9]图9是示出在4Pa的压力下由N

[图10]图10是示出在336.3nm的波长下NH的强度比、在337.2nm下N

[图11]图11是示出在流速为50sccm和50sccm、偏置功率为200W、压力为2Pa和处理时间为5分钟情况下的H

[图12]图12是示出在流速为50sccm和50sccm、偏置功率为200W、压力为2Pa和处理时间为5分钟情况下的H

[图13]图13是示出针对在代表性条件的XPS分析中化学位移的元素比和峰值组成的概要的视图。

[图14]图14是使用N

[图15]图15是示出TiAlC和TiN蚀刻速率对衬底温度的依赖性的视图，衬底温度范围为-20℃至50℃。流速分别为100sccm和50sccm的N

[图16]图16是示出TiAlC和TiN蚀刻速率对偏置功率范围的依赖性的视图，偏置功率范围为25W至200W。流速分别为50sccm和50sccm的N

[图17]图17是示出对于900Vpp至1300Vpp的Vpp范围，TiN溅射速率对√Vpp的依赖性的视图。压力为1Pa、流速为50sccm的Ar等离子体。

[图18]图18是在流速为50sccm和50sccm、各种偏置功率为25W、50W、100W和200W、压力为2Pa、衬底温度为20℃下的H

[图19]图19是示出代表性条件的XPS分析中化学位移的元素比和峰值组成的概要的视图。

[图20]图20是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC的蚀刻速率作为在O

[图21]图21是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC的蚀刻速率作为在添加有10％O

[图22]图22是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC和TiN蚀刻速率作为在H

[图23]图23是N

[图24]图24是示出在2Pa的压力下由N

[图25]图25是示出在2Pa的压力下由N

[图26]图26是示出根据本发明的一个实施方案的用于各向同性蚀刻的装置的示意性横截面的视图。

[图27]图27是示出根据本发明的一个实施方案的各向同性原子层蚀刻中的参数的时间变化的示例的视图，并且从上端起依次是处理气体流速、射频电源功率、红外灯功率、后表面He流速和晶片表面温度。

具体实施方式

本发明人试图通过使用非卤素气体混合物来蚀刻碳化钛铝膜。结果，他们获得了以下发现。

(1)通过使用非卤素基气体混合物的处理成功地产生了TiAlC表面的改性。

(2)挥发性产物的解吸可以通过具有适当入射能量的离子轰击或通过加热来获得。

(3)通过在N

(4)离子的入射能量应当被设置在TiAlC和TiN膜的离子增强去除过程的阈值之下。相对高的TiAlC蚀刻速率提高了TiAlC相对于TiN的选择性。

(5)衬底温度应当被设置在50℃或高于20℃，因为非选择性解吸降低了TiAlC相对于TiN的去除的选择性。

<示例过程1>

将参考图1至图13描述本发明的最佳示例。将给出对在硅晶片上的氮化钛膜上的碳化钛铝膜的各向异性等离子体蚀刻工艺和用于相对于金属氮化物(TiAlN、TiN和AlN)高选择性地去除金属碳化物(TiAlC、TiC和AlC)的所选等离子体化学物质的设计方面的示例的描述。

图1是示出电容耦合等离子体(CCP)蚀刻系统300的设计的示例的视图。光谱椭偏仪350配备有用于原位观察被置于下电极301上的晶片340的表面(样品341)的系统。上电极311通过匹配电路312与甚高频(VHF)功率313(100MHz)连接。下电极301通过另一匹配电路302与中频(MF)功率303(2MHz)连接。这里，尽管该示例描述了将本发明应用于CCP蚀刻系统，但是本发明也可应用于其他蚀刻系统，包括电感耦合等离子体(ICP)和电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻系统。

图2示意性地示出了根据本实施方案的碳化钛铝膜的连续蚀刻方法中的程序。晶片将在具有用于产生电容耦合等离子体的系统的腔室中处理。将晶片装载在腔室的下电极301上(S01)。然后，通过循环冷却剂来设置晶片的温度(S02)。然后，将N

图3是示出使用原位椭圆光度法测量的在4Pa下的流速为150sccm的纯N

图4是示出使用原位椭圆光度法测量的在4Pa下的流速分别为75sccm和75sccm的N

图5是示出使用原位椭圆光度法测量的在4Pa下的流速为100sccm的纯H

如图4所示，与纯N

图6是示出在4Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC蚀刻速率作为在H

图7是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，蚀刻速率作为在H

图8是示出在4Pa的压力和10分钟的处理时间下在各种混合物条件下的等离子体蚀刻之前和之后TiAlC和TiN膜的横截面扫描电子显微镜图像的视图概要。

图9是示出在4Pa的压力下由N

图10是示出在336.3nm的波长下NH的强度比、在337.2nm下N2的第二正系统、在656.3nm和486.1nm下H原子的巴耳末线的依赖性的视图。当在H

图11是示出在流速为50sccm和50sccm、偏置功率为200W、压力为2Pa和处理时间为5分钟下的H

图12是示出在流速为50sccm和50sccm、偏置功率为200W、压力为2Pa和处理时间为5分钟下的H

对于TiAlC膜，在等离子体蚀刻工艺之后出现TiN和AlN的化学位移，这指示TiAlC膜的氮化作用。在N1s中，存在三个或更多个分量(分峰，component)。两个分量可归属为AlN和TiN，而剩余部分被识别为由于结合氢和碳而产生的化学位移，其指示为NH和CN键。

对于TiN膜，在等离子体蚀刻工艺之前和之后出现TiN的化学位移。在等离子体蚀刻工艺之后，峰值特征几乎没有改变。

图13是示出针对在代表性条件的XPS分析中化学位移的元素比和峰值组成的概要的视图。

蚀刻机理如下。可以在碳化物中形成NH键。在该设置中，烃基与金属元素键合。通过烃基经由桥接氮的配位而使Ti和Al成为中心。这些金属有机络合物可以通过形成挥发性产物而被解吸。这表明了产生挥发性产物例如Al(C

这里，尽管该示例描述了本发明在各向异性蚀刻中的应用，但是本发明也可通过使用加热代替离子辐射而应用于各向同性蚀刻。

<示例过程2>

将参考图15描述第二实施方案。

将给出对在硅晶片上的氮化钛膜上的碳化钛铝膜的干法等离子体蚀刻的开发的示例的描述。

图15是示出TiAlC和TiN蚀刻速率对衬底温度的依赖性的视图，衬底温度范围为-20℃至50℃。流速分别为100sccm和50sccm的N

在该设置中，TiAlC相对于TiN膜的蚀刻速率和选择性随着衬底温度增加超过20℃而增加。

<示例过程3>

将参考图16至图19描述第三实施方案。

将给出对在硅晶片上的氮化钛膜上的碳化钛铝膜的干法等离子体蚀刻的开发的示例的描述。

图16是示出TiAlC和TiN蚀刻速率对偏置功率范围的依赖性的视图，所述偏置功率范围为25W至200W。流速分别为50sccm和50sccm的N

图17是示出对于900Vpp至1300Vpp的Vpp范围，TiN溅射速率对√Vpp的依赖性的视图。压力为1Pa、流速为50sccm的Ar等离子体。通过TiN溅射速率与√Vpp的线性相关性来拟合趋势。发现在25的√Vpp下，溅射速率为零的交叉值(阈值)对于H

图18是在流速为50sccm和50sccm、各种偏置功率为25W、50W、100W和200W、压力为2Pa、衬底温度为20℃下的H

对于TiN膜，在等离子体蚀刻之前，在N1s区域中存在两个化学位移的分量。一个归属于本体TiN，另一个归属于TiN膜的自然氧化物，其为TiON。在约402eV的结合能下，观察到小的特征，特别是对于25W和50W的低偏置功率的情况。这被识别为NO键。

对于TiAlC膜，在等离子体蚀刻之前，肯定没有氮。蚀刻该原始TiAlC膜，并且在N1sXPS光谱中出现明显的峰值。类似地，在TiN膜中，存在对于TiN和AlN以及对于自然氧化物TiON和AlON的分量。在高于50W的偏置功率下，这些峰值几乎不变，与偏置功率无关。在25W和50W的低偏置功率的情况下，在402eV左右的高结合能的峰值分量的强度变大。在TiAlC表面上观察到的改性导致在N

图19是示出针对在代表性条件的XPS分析中化学位移的元素比和峰值组成的概要的视图。

<示例过程4>

将参考图20至图23描述第四实施方案。

将给出对在对硅晶片上的氮化钛膜上的碳化钛铝膜的干法等离子体蚀刻的开发的示例的描述。

图20是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC的蚀刻速率作为在O

图21是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC的蚀刻速率作为在添加有10％O

图22是示出在2Pa的压力、200W的偏置功率和20℃的衬底温度下，TiAlC和TiN蚀刻速率作为在H

对于TiAlC膜，出现两个最大值。一个在O

对于TiN膜，蚀刻速率的最大值在这种O

为了获得TiAlC相对于TiN的蚀刻选择性和TiAlC膜的高蚀刻速率，具有H

根据本发明的蚀刻结果，每个TiAlC和TiN膜的表面改性可以通过等离子体蚀刻化学来控制，所述等离子体蚀刻化学是指气体混合比的控制。等离子体产生各种离子和自由基。主要地，NH和CN组分的表面改性可以辅助去除TiAlC膜。该改性层可能形成这样形式的挥发性产物，即烃基与氮桥结合而与Ti和Al中心配位。两种膜的少量氧化可以通过形成TiON来辅助抑制TiN膜的蚀刻。图23中示出了N

<示例过程5>

图24和图25是示出在2Pa的压力下由N

<示例过程6>

将参考图26和图27给出一个实施方案的描述。该实施方案对应于这样一个示例：其中使用由N

将描述对如上所述的含有碳化钛铝的膜执行蚀刻的等离子体处理装置。图26是示出等离子体处理装置100的示意性配置的截面图。

处理腔室1配置有基部腔室11；作为待处理样品的晶片2被置于晶片载台4(以下被称为载台4)上，而晶片载台4被设置在处理腔室1中。包括石英腔室12、ICP线圈34和高频电源20的等离子体源设置在位于基部腔室11上方的容器60中。在该示例中，等离子体源使用电感耦合等离子体(ICP)放电方法。产生等离子体的高频电源20经由匹配单元22连接到位于圆柱体石英腔室12外部的ICP线圈34。使用数十MHz(例如13.56MHz)的频带作为高频电力的频率。

顶板6设置在石英腔室12的上部。喷淋板5设置在顶板6中。气体分散板17设置在顶板6的下方。处理气体从气体分散板17的外围引入处理腔室1。

处理气体的供给流量通过为处理气体中的每种气体设置的质量流量控制器50来调节。图26示出了使用N

真空排气管16连接到泵15以降低处理腔室1下部的压力。泵15配置有例如涡轮分子泵、机械增压泵或干式泵。为了调节处理腔室1或石英腔室12中的放电区域3的压力，在泵15的上游设置压力调节机构14。压力调节机构14、泵15和真空排气管16被统称为排气机构。载台4设置有O形环81，该O形环81在载台4与基部腔室11的底表面之间执行真空密封。

加热晶片2的红外(IR)灯单元设置在载台4和构成ICP等离子体源的石英腔室12之间。IR灯单元主要包括IR灯62、反射IR光的反射板63和IR光透射窗74。使用圆弧(圆形)灯作为IR灯62。从IR灯62发射的光(电磁波)是主要包括从可见光到红外光区域中的光在内的光(本文中被称为IR光)。在该示例中，IR灯62包括三个圆形的IR灯62-1、62-2和62-3。然而，IR灯62可以包括两个圆形或四个圆形的IR灯。将IR光向下(沿晶片2的放置方向)反射的反射板63设置在IR灯62的上方。

IR灯电源64连接到IR灯62。高频截止滤波器25设置在IR灯电源64和IR灯62之间。高频截止滤波器25防止由高频电源20产生的用于产生等离子体的高频电力的噪声流入IR灯电源64。IR灯电源64具有独立地控制提供给各个IR灯62-1、62-2和62-3的电力的功能，从而可以调节晶片2的加热量的径向分布。

在该示例中，由于供应到石英腔室12中的气体流入处理腔室1中，因此在IR灯单元的中心形成气体流路75。气体流路75设置有狭缝板(离子屏蔽板)78，该狭缝板屏蔽在石英腔室12内部产生的等离子体中的离子和电子并且仅传输中性气体或中性自由基以辐射晶片2。狭缝板78包括多个孔。

另一方面，在载台4中形成制冷剂流路39以冷却载台4；制冷剂由冷却器38供应并循环。为了通过静电吸引将晶片2固定到载台4，在载台4中嵌入用于静电吸引的电极30，电极30是板状电极板。用于静电吸引的DC电源31相应地连接到用于静电吸引的电极30。

为了高效地冷却晶片2，可以在载台4与放置在载台4上的晶片2的背表面之间提供He气(冷却气体)。载台4的表面(晶片的放置表面)涂覆有诸如聚酰亚胺之类的树脂，以防止晶片2的背表面被损坏，即使当在晶片2被静电吸引的同时操作用于静电吸引的电极30以执行加热和冷却时。测量载台4的温度的热电偶70设置在载台4内部并且连接到热电偶温度计71。

光纤92-1和92-2设置在三个位置处以测量晶片2的温度，即，靠近放置在载台4上的晶片2的中心部分的位置、靠近晶片2在径向方向上的中间部分的位置以及靠近晶片2的外围的位置。光纤92-1将来自外部IR光源93的IR光引导到晶片2的背表面，从而用IR光辐射晶片2的背表面。另一方面，光纤92-2收集由光纤92-1发射的IR光中透射通过晶片2或在晶片2上反射的IR光，并且将所透射或反射的IR光传输到分光镜96。

即，由外部IR光源93产生的外部IR光被传输到打开和关闭光路的光路开关94。此后，通过光分配器95将外部IR光分支成多条光(在这种情况下为三条)，并且用这多条IR光经由三条光纤92-1辐射晶片2背表面上的各个位置。由晶片2吸收或反射的IR光通过光纤92-2传输到分光镜96，并且通过检测器97获得光谱强度的波长依赖性数据。由检测器97获得的光谱强度的波长依赖性数据被发送到控制单元40的运算单元41以计算吸收波长，并且可以基于吸收波长来确定晶片2的温度。光多路复用器98设置在光纤92-2的中间部分上，使得可以切换光去进行在晶片的中心、晶片的中间和晶片的外围的测量点处的光谱测量。因此，运算单元41可以确定晶片的中心、晶片的中间和晶片的外围的各个温度。

控制单元40控制构成等离子体处理装置100的每个机构。具体地，控制单元40控制高频电源20并且控制高频电源到ICP线圈34的接通和断开。控制气体供应单元51以调节从各个质量流量控制器50-1至50-4供应到石英腔室12内部的气体的类型和流量。当供应蚀刻气体时，控制单元40操作泵15并且控制压力调节机构14以将处理腔室1内部的压力调节到所需压力。

在操作用于静电吸引的DC电源31以将晶片2静电地吸引到载台4并且操作在晶片2和载台4之间供应He气体的质量流量控制器50-4的同时，控制单元40基于由热电偶温度计71测量的载台4中的温度以及由运算单元41确定的关于晶片2的温度分布的信息来控制IR灯电源64和冷却器38，从而使得晶片2的温度落入预定温度范围内。基于由检测器97测量的关于晶片2的中心部分附近、晶片2在径向方向上的中间部分附近和晶片2的外围附近的光谱强度的信息来确定关于晶片2的温度分布的信息。

图27是当等离子体处理装置100执行TiAlC膜的各向同性原子层蚀刻时的一个循环的时间图。

首先，将其上形成有待蚀刻的TiAlC膜的晶片2经由设置在处理腔室1中的输送口(未示出)输送到处理腔室1中并且放置在载台4上。控制单元40操作DC电源31以将晶片2静电地吸引并且固定到载台4，并且控制气体供应单元51以从与He气体相对应的质量流量控制器50-4供应用于晶片2的背表面与载台4之间的晶片冷却的He气体，使得晶片2的背表面和载台4之间的He气体的压力230被设置为预定压力231并且晶片温度240被设置为温度241。在本示例中，晶片温度241为20℃。

随后，控制单元40调节作为由质量流量控制器50-2和50-3供应到处理腔室1中的反应气体的气体(即，N

在该状态下，N

在形成表面反应所需的等离子体处理时间过去之后，控制单元40断开高频电源20(放电电力212)并且停止等离子体放电。残留在处理腔室1中的气体通过排气机构排出。停止向晶片背表面供应He气体，打开阀门52，并且将晶片2的背表面上的压力设置为与处理腔室1中的压力相等。去除晶片背表面上的He气体，由此将晶片背表面上的He气体的压力230设置为压力232。以上是第一步。

随后，控制单元40接通IR灯电源64的输出以接通IR灯62(电力222)。从IR灯62发射的IR光穿过IR光透射窗74并且对晶片2进行加热。因此，晶片的温度升高，如晶片温度242所示。当第二步骤终止时，晶片温度240在温度升高开始25秒后达到200℃。在该示例中，将要达到的晶片温度设置为200℃。

一旦晶片温度240达到200℃(晶片温度243)，控制单元40就将IR灯电源64的输出降低到电力223，从而将晶片2的温度在一定时间段内保持恒定在温度243。压力被设置为5Pa。去除由Al(CxH

在第二步骤和本步骤(第三步骤)中，晶片2被来自IR灯62的电磁波加热，使得必须被加热的晶片的表面可以被高效地温热。例如，即使当存在约180℃的温差时，也可以快速地完成加热。尽管描述了在晶片2放置在载台4上的状态下加热晶片2，但是可以通过使用升降销等将晶片2从载台4上升起，并且在晶片2不与载台4热接触的状态下用IR光(电磁波)辐射晶片2。因此，可以防止从晶片2到载台4的热传递，并且因此可以在更短的时间内将晶片2的温度升高到期望的温度。在这种情况下，可以使用从IR灯62发射、透射通过晶片2并且到达光纤92-2的光来测量晶片2的温度。可以基于晶片2的平面中的径向温度分布来控制IR灯62-1、62-2和62-3的功率比。

此后，控制单元40断开IR灯电源64的输出(电力224)并且停止对晶片2的加热。残留在处理腔室1中的气体通过排气机构快速地排出。因此，第三步骤终止。

随后，控制单元40控制用于Ar气体供应的质量流量控制器50-1和用于He气体供应的质量流量控制器50-4，以将Ar气体供应到处理腔室1中并且在晶片2的背表面与载台4之间供应He气体，使得晶片2的背表面和载台4之间的He气体的压力230被设置为预定压力233并且开始晶片2的冷却(温度244)。晶片温度被冷却到20℃，并且冷却所需的时间为30秒。因此，第四步骤终止。

以这种方式，在本实施方案中，第一步骤中的表面反应处理和第三步骤中的升华去除处理各向同性地进行，使得TiAlC膜的厚度从膜的初始厚度减小。在该示例中，包括第一至第四步骤的循环重复10次，从而执行整个TiAlC膜的蚀刻。暴露出TiN下层的表面。由于加热步骤的低损伤性质，在TiN下层上产生的损伤可以忽略不计。

(附图标记清单)

1：处理腔室，2：晶片，3：放电区域，4：晶片载台，5：喷淋板，6：顶板，11：基部腔室，12：石英腔室，14：压力调节机构，15：泵，16：真空排气管，17：气体分散板，20：高频电源，22：匹配单元，25：高频截止滤波器，30：电极，31：DC电源，34：ICP线圈，38：冷却器，39：制冷剂流路，40：控制单元，41：运算单元，50：质量流量控制器，51：气体供应单元，60：容器，62：IR灯，63：反射板，64：IR灯电源，70：热电偶，71：热电偶温度计，74：IR光透射窗，75：气体流路，78：狭缝板(离子屏蔽板)，81：O形环，92：光纤，93：外部IR光源，94：光路开关，95：光分配器，96：分光镜，97：检测器，98：光多路复用器，100：等离子体处理装置，200：气体流，210：RF功率，220：IR灯功率，230：He压力，240：晶片温度，300：电容耦合等离子体(CCP)蚀刻系统，301：下电极，302：匹配电路，303：MF功率，311：上电极，312：匹配电路，313：VHF功率，340：晶片，341：样品，350：光谱椭偏仪。