一种体声波谐振器及其制备方法、体声波滤波器

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制备方法、体声波滤波器。

背景技术

薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。

然而，目前的体声波谐振器中缺少散热和电磁屏蔽结构，导致体声波谐振器的使用稳定性差。

发明内容

本申请实施例提供一种体声波谐振器及其制备方法、体声波滤波器，用于解决体声波谐振器的稳定性差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种体声波谐振器，采用了如下所述的技术方案：

一种体声波谐振器，包括：

衬底，所述衬底形成有空腔；

谐振功能层，所述谐振功能层设于所述衬底靠近所述空腔的一端；

散热屏蔽墙，所述散热屏蔽墙贯穿所述衬底，且所述散热屏蔽墙靠近所述谐振功能层的一端与所述谐振功能层连接；所述散热屏蔽墙环绕所述空腔设置。

进一步地，所述谐振功能层包括依序层叠设置的第一电极、压电层以及第二电极，所述第一电极设于所述衬底靠近所述空腔的一端；

所述散热屏蔽墙包括多个非供电件和多个供电件，所述非供电件与所述压电层连接，所述供电件与所述第一电极或所述第二电极连接；所述非供电件用于接地；所述供电件用于连接信号源或接地。

进一步地，所述供电件和所述非供电件的材料分别独立地选自金属、碳纤维、石墨、石墨烯、碳纳米管、导电胶中的至少一种。

进一步地，所述体声波谐振器还包括设于所述衬底远离所述空腔的一端的封装基板；

所述封装基板靠近所述衬底的一端设有多个连接部，至少一个所述连接部与所述非供电件远离所述谐振功能层的一端连接，且至少一个所述连接部与所述供电件远离所述谐振功能层的一端连接。

进一步地，所述体声波谐振器还包括设于所述衬底靠近所述谐振功能层一端的封盖层；

所述封盖层与所述衬底靠近所述谐振功能层一面围合形成密封腔；

所述第一电极、所述压电层和所述第二电极均设于所述密封腔内。

进一步地，所述封装基板与所述衬底之间的间隙为1至15um。

为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种体声波谐振器的制备方法，采用了如下所述的技术方案：

一种体声波谐振器的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底形成有空腔和环绕所述空腔设置的凹槽组；

分别在所述空腔和各所述凹槽内设置牺牲材料，形成牺牲层；

在所述衬底靠近所述空腔的一端上形成覆盖所述牺牲层的谐振功能层；

分别对所述凹槽组和所述空腔内的所述牺牲层进行释放处理；

对所述衬底远离所述空腔的一端进行减薄处理，以暴露所述凹槽组远离所述空腔的一端；

从所述凹槽组远离所述空腔的一端，在所述凹槽组内设置散热屏蔽材料，形成散热屏蔽墙，得到体声波谐振器。

进一步地，所述凹槽的深度大于所述空腔的深度。

进一步地，所述在所述衬底上形成覆盖所述牺牲层的谐振功能层的步骤包括：

在所述衬底上依次形成第一电极、压电层和第二电极；

所述散热屏蔽材料包括非供电材料和供电材料，所述凹槽组包括用于设置非供电材料的多个第一凹槽以及用于设置供电材料的多个第二凹槽，所述第一凹槽靠近所述谐振功能层的一端延伸至所述压电层，所述第二凹槽靠近所述谐振功能层的一端延伸至所述第一电极或所述第二电极；所述在所述凹槽组内设置散热屏蔽材料，形成散热屏蔽墙的步骤包括：

在所述第一凹槽内设置所述非供电材料，形成非供电件，并在所述第二凹槽内设置所述供电材料，形成供电件，得到由各所述非供电件和各所述供电件组成的散热屏蔽墙。

进一步地，所述得到体声波谐振器的步骤之前，还包括：

提供封装基板，所述封装基板上设有连接部；

将所述封装基板上的所述连接部与所述散热屏蔽墙连接；

和/或，所述得到体声波谐振器的步骤之前，还包括：

在所述衬底上设置封盖层，以使所述封盖层封装所述谐振功能层。

进一步地，所述在所述第一凹槽内设置所述非供电材料的步骤包括：

若所述非供电件为金属材料，则在所述第一凹槽内沉积所述非供电材料；

若所述非供电件为碳材料，则在所述第一凹槽内填充所述非供电材料；

若所述非供电件为导电胶，则通过溶液法向所述第一凹槽内设置所述非供电材料。

进一步地，所述并在所述第二凹槽内设置所述供电材料的步骤包括：

若所述供电件为金属材料，则在所述第二凹槽内沉积所述供电材料；

若所述供电件为碳材料，则在所述第二凹槽内填充所述非供电材料；

若所述供电件为导电胶，则通过溶液法向所述第二凹槽内设置所述供电材料。

为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种体声波滤波器，采用了如下所述的技术方案：

一种体声波滤波器，包括如上所述的体声波谐振器、或利用如上所述的体声波谐振器的制备方法制得的体声波谐振器。

与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：将散热屏蔽墙环绕空腔设置，以对体声波谐振器进行电磁隔离，并为衬底和谐振功能层提供散热路径，从而提升体声波谐振器的性能和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例中体声波谐振器的俯视结构示意图；

图2是图1中A-A的剖面示意图；

图3是图1中B-B的剖面示意图；

图4是图2中体声波谐振器设置有封盖层的结构示意图；

图5是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法的流程图；

图6是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S100所得结构的剖面示意图；

图7是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S200所得结构的剖面示意图；

图8是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S300所得结构的剖面示意图；

图9是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S800所得结构的剖面示意图；

图10是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S510所得结构的剖面示意图；

图11是图10中暴露第二电极的剖面示意图；

图12是本申请实施例中体声波谐振器的制备方法中步骤S500所得散热屏蔽墙的剖面示意图。

附图标记：

100、衬底；110、空腔；120、凹槽；200、谐振功能层；210、第一电极；220、压电层；230、第二电极；300、非供电件；400、供电件；500、封装基板；510、连接部；520、间隙；600、封盖层；610、密封腔；700、牺牲层。

具体实施方式

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参阅图1至图3，本申请实施例提供一种体声波谐振器，包括衬底100、谐振功能层200以及散热屏蔽墙；所述衬底100形成有空腔110；所述谐振功能层200设于所述衬底100靠近所述空腔110的一端；所述散热屏蔽墙贯穿所述衬底100，且所述散热屏蔽墙靠近所述谐振功能层200的一端与所述谐振功能层200连接；所述散热屏蔽墙环绕所述空腔110设置。

将散热屏蔽墙环绕空腔110设置，以使空腔110与外界的电磁环境进行隔离，并为衬底100和谐振功能层200提供散热路径，从而提升体声波谐振器的性能和稳定性。

可理解地，利用散热屏蔽墙使空腔110与外界环境的隔离，从而减少外界的电磁波、噪音等因素对体声波谐振器的影响，有利于提升体声波谐振器的信噪比和稳定性；并且，散热屏蔽墙还具有导热特性，以将谐振功能层200和衬底100的热量导出，从而为谐振功能层200和衬底100提供散热路径，降低工作环境温度，防止过热导致体声波谐振器性能下降甚至损坏，进一步的提升体声波谐振器的稳定性。

其次，散热屏蔽墙贯穿衬底100，与谐振功能层200连接，使可通过将散热屏蔽墙远离谐振功能层200的一端与信号源连接，实现谐振器功能层与信号源的电连接，这样的连接方式使衬底100可为谐振功能层200提供支撑，避免谐振功能层的悬空设置，提升谐振功能层200的使用稳定性。

在本申请的一些实施例中，参阅图1至图3，所述谐振功能层200包括依序层叠设置的第一电极210、压电层220以及第二电极230，所述第一电极210设于所述衬底100靠近所述空腔110的一端。

在本实施例中，第一电极210和第二电极230分别连接信号源，在压电层两端形成电势差而激励声波，使压电层实现电能和机械能相互转换，实现谐振器对频率的选择功能。

在本申请的一些实施例中，参阅图1至图3，所述散热屏蔽墙包括多个非供电件300和多个供电件400，所述非供电件300与所述压电层220连接，所述供电件400与所述第一电极210或所述第二电极230连接。

在本实施例中，所述非供电件300为未与信号源连接的部件，且非供电件300用于接地，以加强电磁屏蔽功能。所述供电件400用于与信号源或接地，在实际应用中，散热屏蔽墙的多个供电件400中，可选择部分供电件400与信号源连接，以为第一电极210/第二电极230提供电能，未与信号源连接的部分供电件400接地，以进一步加强电磁屏蔽功能。

可理解地，供电件400在穿过衬底100后引出，既实现为第一电极210/第二电极230提供电能的同时，还可与非供电件300组合形成环绕空腔110的散热屏蔽墙，以对空腔110的外界的进行电磁屏蔽；并且，非供电件300与压电层220连接为压电层220提供散热路径，且还与供电件400组合形成的散热屏蔽墙为衬底100提供散热路径，从而提升体声波谐振器的性能和稳定性。

示例的，参阅图1，散热屏蔽墙中供电件400的数量为两个，其一供电件400与第一电极210电连接，另一供电件400与第二电极230电连接；散热屏蔽墙中非供电件300的数量为三个，两个供电件400和三个非供电件300组成散热屏蔽墙，以将空腔110进行环绕。

在本申请的一些实施例中，所述供电件400和所述非供电件300的材料分别独立地选自金属、碳纤维、石墨、石墨烯、碳纳米管、导电胶中的至少一种。

需要说明的是，供电件400和非供电件300的材料可相同或不同，在此不作具体限定。

在本申请的一些实施例中，参阅图1至图3，所述体声波谐振器还包括设于所述衬底100远离所述空腔110的一端的封装基板500；所述封装基板500靠近所述衬底100的一端设有多个连接部510，至少一个所述连接部510与所述非供电件300远离所述谐振功能层200的一端连接，且至少一个所述连接部510与所述供电件400远离所述谐振功能层200的一端连接。

在本实施例中，封装基板500不仅为衬底100和谐振功能层200提供支撑，以使其避免物理损害和外界环境的干扰；同时，封装基板500上还具有互联线路层，该互联线路层用于与外部电路连接，为供电件400提供电能及信号的传输。

其次，在实际应用中，可通过连接部510将供电件400和非供电件300上吸收的热量传导至散热基板上，此时供电件400和非供电件300的温度低于衬底100/压电层220的温度，从而使供电件400和非供电件300再次进行热量的吸收，如此往复，实现对衬底100和压电层220的持续散热，进而有效保证体声波谐振器的性能和稳定性。

并且，互联线路层可由金属材料制成，具有良好的导热能力，以进一步的提升对供电件400和非供电件300的散热能力。

在一些实施例中，所述连接部510为焊盘，焊盘不仅可保证的与供电件400/非供电件300的连接稳定性，同时焊盘还可为衬底100提供支撑，使衬底100与封装基板500之间形成间隙520，从而形成散热通道，进一步的提升封装基板500的热量散发效率，进而进一步提升体声波谐振器的性能和稳定性。

在一些实施例中，所述封装基板500与所述衬底100之间的间隙520为1至15um。随着间隙520的增大，使散热通道具有更大的通道体积，从而增大进气量，更进一步的提升对封装基板500的热量散发效率。

可选的，封装基板与衬底之间的距离选自1um、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、10um、11um、12um、13um、14um、15um中任一者或任两者所形成的范围。

在一些实施例中，所述连接部510的数量与非供电件300和供电件400的总数量相等；如此，使每个非供电件300和每个供电件400均可将热量通过其分别对应的连接部510传导至封装基板500上，从而进一步提升对谐振功能层200和衬底100的散热效率。

在本申请的一些实施例中，参阅图4，所述体声波谐振器还包括设于所述衬底100靠近所述谐振功能层200一端的封盖层600；所述封盖层600与所述衬底100靠近所述谐振功能层200一面围合形成密封腔610；所述第一电极210、所述压电层220和所述第二电极230均设于所述密封腔610内。

在本实施例中，在衬底100上封盖层600后，使第一电极210、压电层220和第二电极230均处于密封腔610内，形成对外界的水氧阻隔，有效防止杂散的机械振动、环境变化(如温度、湿度等)等外界干扰对谐振功能层200的影响。

在一些实施例中，封盖层600的外表面上涂覆有金属涂层，以使封盖层600形成电磁屏蔽罩，防止外界电磁干扰对谐振功能层200的影响。

参阅图5，本申请实施例还提供一种体声波谐振器的制备方法，用于制备如上所述的体声波谐振器。其中，所述制备方法包括：

步骤S100，参阅图6，提供衬底100，所述衬底100形成有空腔110和环绕所述空腔110设置的多个凹槽组120。

在步骤S100的一些实施例中，在提供衬底100之前，还包括：

步骤S110，提供基底。

在步骤S110的一些实施例中，所述基底的材料选自单晶硅，碳化硅、蓝宝石、尖晶石中的至少一种。

步骤S120，对所述基底进行图案化处理，形成空腔110和环绕所述空腔110设置的多个凹槽组120，得到衬底100；其中，所述凹槽组120的深度大于所述空腔110的深度。

在本步骤中，所述图案化处理包括但不限于光刻法、电子束曝光法、离子束刻蚀法、激光刻蚀法、剥离法等。

在本步骤中，所述凹槽组120的深度大于所述空腔110的深度，以避免在后续减薄处理过程中，打开空腔110。

步骤S200，参阅图7，分别在所述空腔110和各所述凹槽组120内设置牺牲材料，形成牺牲层700。

在本步骤中，通过分别在空腔110和凹槽组120内形成牺牲层700，以填平空腔110和凹槽组120，使填平后的空腔110和凹槽组120的表面与衬底100的表面平整，从而便于后续在衬底100上谐振功能层200的制备。

在步骤S200的一些实施例中，分别在所述空腔110和各所述凹槽组120内设置牺牲材料，形成牺牲层700的步骤之后，还包括：

步骤S210，对所述牺牲层700进行的表面处理。如此，以使牺牲层700表面与衬底100表面平齐，从而更有利于后续在衬底100上谐振功能层200的制备。

在步骤S210的一些实施例中，所述表面处理为化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing，简称CMP)；具体地，在对牺牲层700和衬底100进行研磨的过程中，添加化学溶液，以对牺牲层700和衬底100进行化学溶解，从而提升研磨效率，这个过程中可同时去除牺牲层700和衬底100表面上的杂质和不平整性，以获得平坦度和光洁度更好的表面，使牺牲层700和衬底100的平整一致性高。

步骤S300，参阅图8，在所述衬底100靠近所述空腔110的一端上形成覆盖所述牺牲层700的谐振功能层200。

在步骤S300的一些实施例中，在所述衬底100靠近所述空腔110的一端上形成覆盖所述牺牲层700的谐振功能层200的步骤包括：

步骤S310，在所述衬底100靠近牺牲层700的一端形成第一电极210。

在本步骤中，利用沉积工艺在衬底100上靠近牺牲层700一面上沉积第一导电材料，形成第一电极210；

在步骤S310的一些实施例中，所述沉积工艺包括但不限于物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等。

在步骤S310的一些实施例中，所述第一导电材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钌(Ru)中的至少一种。

步骤S320，在所述第一电极210上形成压电层220。

在本步骤中，利用沉积工艺在第一电极210上沉积压电材料，形成压电层220；

在步骤S320的一些实施例中，所述沉积工艺包括但不限于物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等。

在步骤S320的一些实施例中，所述压电材料选自氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。

步骤S330，在所述压电层220上形成第二电极230。

在本步骤中，利用沉积工艺在压电层220上沉积第二导电材料，形成第二电极230；

在步骤S330的一些实施例中，所述沉积工艺包括但不限于物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等。

在步骤S330的一些实施例中，所述第二导电材料选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、钌(Ru)中的至少一种。

步骤S400，分别对所述凹槽组120和所述空腔110内的所述牺牲层700进行释放处理。

在本步骤中，通过对谐振功能层200(第一电极210、压电层220和第二电极230)进行刻蚀处理，分别形成凹槽组120连通的第一释放孔和空腔110连通的第二释放孔，然后利用第一释放孔和第二释放孔中分别释放刻蚀液体，以使凹槽组120内的牺牲层700和空腔110内的牺牲层700分别与刻蚀溶液进行反应释放，从而形成所需的凹槽组120和空腔110的结构。

在步骤S400的一些实施例中，所述刻蚀溶液包括氢氟酸溶液(HF)、或氢氟酸(HF)与氟化铵(NH4F)的混合溶液。

在步骤S400的一些实施例中，所述释放处理的时间为0.5至2h。在此释放时间内，以使牺牲层700能够完全去除。

步骤S500，参阅图10，对所述衬底100远离所述空腔110的一端进行减薄处理，以暴露所述凹槽组120远离所述空腔110的一端。

在本步骤中，减薄处理包括但不限于研磨处理、刻蚀处理等。

在步骤S500的一些实施例中，可在执行步骤S500之前，先对进行翻转处理，以使衬底100远离所述空腔110的一端朝上(参阅图11)，以便于在步骤S500中对衬底100的减薄处理。

步骤S600，参阅图12，从所述凹槽组120远离所述空腔110的一端，在所述凹槽组120内设置散热屏蔽材料，形成散热屏蔽墙，得到体声波谐振器。

在本步骤中，向凹槽组120内填充散热屏蔽材料，使在每个凹槽组120内均形成贯穿衬底100的散热屏蔽结构，并以每个凹槽组120内的散热屏蔽结构组合形成环绕空腔110设置的散热屏蔽墙。

在步骤S600的一些实施例中，所述在所述凹槽组120组内设置散热屏蔽材料的步骤之前还包括：

在步骤S600的一些实施例中，所述散热屏蔽材料包括非供电材料和供电材料，所述凹槽组120组包括用于设置非供电材料的多个第一凹槽以及用于设置供电材料的多个第二凹槽，所述第一凹槽靠近所述谐振功能层200的一端延伸至所述压电层220，所述第二凹槽靠近所述谐振功能层200的一端延伸至所述第一电极210或所述第二电极230。所述在所述凹槽组120组内设置散热屏蔽材料，形成散热屏蔽墙的步骤包括：

步骤S610，向各所述第一凹槽设置所述非供电材料、和各所述第二凹槽内设置供电材料，以分别在所述第一凹槽形成非供电件300、和所述第二凹槽内形成供电件400，得到由各所述非供电件300和各所述供电件400组成的散热屏蔽墙。

可理解地，在谐振功能层200中，具有有效区域、第一功能区域和第二功能区域，该有效区域可与空腔110的大小和位置对应，第一功能区域和第二功能区域分别设置在有效区域的两侧。相应地，在谐振功能层200中，第一电极210的两端分别设置在有效区域和第二功能区域内；压电层220覆盖第一电极210，且压电层220的两端分别设置在第一功能区域和第二功能区域内，压电层220的中部设置在有效区域内；第二电极230设置压电层220上，且第二电极230的两端分别设置在第一功能区域和有效区域内。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对第一凹槽和第二凹槽的位置进行清楚、完整地描述。

对于第一凹槽：该第一凹槽与第一功能区域位置对应，且第一凹槽沿衬底100靠近谐振功能层200的方向延伸，直至暴露压电层220，以供在第一凹槽中设置的非供电材料所形成的非供电件300，可与压电层220进行接触，为压电层220散热。

对于第二凹槽：当第二凹槽靠近所述谐振功能层200的一端延伸至所述第一电极210时，该第二凹槽设置在第二功能区域内，以供在该第二凹槽中设置的供电材料所形成的供电件400，可与第一电极210进行接触，为第一电极210提供电能。当第二凹槽靠近所述谐振功能层200的一端延伸至所述第二电极230时，该第二凹槽设置在第一功能区域内，以供在该第二凹槽中设置的供电材料所形成的供电件400，可与第二电极230进行接触，为第二电极230提供电能；且在一些实施例中，在步骤S500之前，参阅图11，先通过干法或湿法蚀刻工艺蚀刻位于第一功能区域上的压电层220，直至第二电极230暴露出来，使第二凹槽延伸至第二电极230处。

在步骤S600的一些实施例中，所述非供电材料和所述供电材料分别独立选自金属、碳材料、导电胶中的至少一种。

可理解地，①在非供电材料为金属材料时，可通过溅射镀膜工艺将金属材料沉积在第一凹槽内，随后电镀形成非供电件；②在非供电材料为碳材料(如碳纤维、石墨、石墨烯、碳纳米管)时，通过填充的方式将碳材料设置在第一凹槽内，形成非供电件；③在非供电材料为导电胶时，可通过溶液法将导电胶设置在第一凹槽内，形成非供电件；其中，溶液法包括但不限于打印、旋涂、注胶工艺等。

同理，当所述供电材料分别选自金属、碳材料、导电胶，将供电材料设置在第二凹槽时，与非供电材料设置在第一凹槽内采用的工艺手段相同，在此不再进一步赘述。

在本申请的一些实施例中，步骤S600，所述得到体声波谐振器的步骤之前，还包括：

步骤S700，提供封装基板500，所述封装基板500上设有连接部510。

在本步骤中，封装基板500的材料为玻璃纤维、陶瓷、树脂中的至少一种。

步骤S800，参阅图4，将所述封装基板500上的所述连接部510与所述散热屏蔽墙连接。

在上述步骤S700和步骤S800中，连接部510的数量为多个，散热屏蔽墙上的每个供电件400和非供电件300一一对应分别与连接部510进行连接。

在一些实施例中，散热屏蔽材料可为导电胶，此时通过粘接的方式使导电胶与连接部510进行电连接。在另一些实施例中，散热屏蔽材料可为金属，此时通过焊接的方式使金属与连接部510进行电连接。

在本申请的一些实施例中，步骤S500，所述得到体声波谐振器的步骤之前，还包括：

步骤S900，参阅图9，在所述衬底100上设置封盖层600，以使所述封盖层600封装所述谐振功能层200。

在本步骤中，封盖层600通过键合工艺与衬底100连接的，且封盖层600与衬底100连接后，形成用于密封谐振功能层200的密封腔610，以形成对外界的水氧阻隔，有效防止杂散的机械振动、环境变化(如温度、湿度等)等外界干扰对谐振功能层200的影响。

在步骤S900的一些实施例中，为提升加工效率，在步骤S400之后，且步骤S500之前，可先进行步骤S900，如此以在衬底100靠近谐振功能层200的一面加工完成后，再将衬底100进行翻转，进行步骤S500对衬底100远离谐振功能层200的一面加工。在步骤S900的另一些实施例中，也可在执行步骤S500之后，再进行步骤S900。

本申请实施例还提供一种体声波滤波器，包括如上所述的体声波谐振器、或利用如上所述的体声波谐振器的制备方法制得的体声波谐振器。

在本实施例中，体声波滤波器中可包括至少一个体声波谐振器；其中，在体声波谐振器中，将散热屏蔽墙环绕空腔110设置，利用散热屏蔽墙使体声波谐振器与外界环境的隔离，从而减少外界的电磁波、噪音等因素对体声波谐振器的影响，有利于提升体声波谐振器的信噪比和稳定性；并且，散热屏蔽墙还具有导热特性，以将谐振功能层200和衬底100的热量导出，从而为谐振功能层200和衬底100提供散热路径，降低工作环境温度，防止过热导致体声波谐振器性能下降甚至损坏，进一步的提升体声波谐振器的稳定性。

其次，散热屏蔽墙贯穿衬底100，与谐振功能层200连接，使可通过将散热屏蔽墙远离谐振功能层200的一端与信号源连接，实现谐振器功能层与信号源的电连接，这样的连接方式使衬底100可为谐振功能层200提供支撑，避免谐振功能层的悬空设置，提升谐振功能层200的使用稳定性。

显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。