一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法

技术领域

本发明涉及脆硬材料加工技术领域，尤其涉及一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法。

背景技术

脆硬材料，如第三代半导体材料、陶瓷材料、激光晶体材料、玻璃等，是现代电气电子的重要材料。在应用过程中需要对脆硬材料进行精密加工，包括切片、划片、打孔等，目前开发出了激光划片、激光打孔等工艺，实现了精密划片、打孔。但是，脆硬材料的切片剥离工艺仍依赖于传统金刚线锯割方法，存在加工效率低、材料损耗大等问题，需要开发更先进的脆硬材料剥离方法。

近年来，有研究人员提出了激光改质分层切片方法，利用超快激光在脆硬材料内部加工缺陷，利用外部拉伸或扭转实现脆硬材料沿改质层剥离，但该方法存在需要将脆硬材料粘接在钢制工件上，机械拉伸或扭转分离后脱胶，效率低下，质量不可控的难题。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的实施例提出一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法。

本发明提出了一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法，包括以下步骤：

(1)采用激光紧聚焦方式对脆硬材料内部进行改质；

(2)在改质后的脆硬材料表面粘接聚合物板或旋涂一定厚度的聚合物溶液；

(3)将粘接好聚合物板或旋涂好聚合物溶液的脆硬材料放入温度控制箱中降温，使脆硬材料自动分离；

(4)利用剥离溶液分离聚合物与脆硬材料，分离后得到所需的脆硬材料。

在一些实施例中，所述步骤(1)中根据激光测距仪与脆硬材料之间的距离确定脆硬材料中改质层的位置。

在一些实施例中，所述步骤(1)中激光波长为355～2000nm，扫描速度为100～2000mm/s。

在一些实施例中，当所述脆硬材料的改质层距离所述脆硬材料的上表面的高度＜1/10其距离所述脆硬材料的下表面的高度时，只在所述脆硬材料的上表面粘接聚合物板或旋涂聚合物溶液；当所述脆硬材料的改质层距离所述脆硬材料的上表面的高度≥1/10其距离所述脆硬材料的下表面的高度时，在所述脆硬材料的上表面和下表面均粘接聚合物板或旋涂聚合物溶液。

在一些实施例中，所述聚合物板的制备包括以下步骤：

根据预分离脆硬材料的尺寸确定聚合物板的尺寸；

将聚合物和固化剂导入模具中，固化得到聚合物板，并对聚合板进行超声清洗；

对聚合物板与脆硬材料粘接的一面做等离子体处理。

在一些实施例中，所述步骤(2)中旋涂一定厚度的聚合物溶液为：将脆硬材料固定在匀胶机上，将配置好的聚合物溶液通过匀胶机在脆硬材料表面旋涂多层以达到设计厚度。

在一些实施例中，所述匀胶机的参数设置为：第一次匀胶速度为500～1000r/min，第一次匀胶时间为10～15s，第二次匀胶速度为1000～2000r/min，第二次匀胶匀胶时间为1～2min。

在一些实施例中，所述脆硬材料的切片厚度为0.1～0.5mm时，在所述脆硬材料表面粘接的聚合物板或旋涂的聚合物溶液的厚度为1～3mm。

在一些实施例中，所述步骤(3)中将粘接好聚合物板或旋涂好聚合物溶液的脆硬材料放入温度控制箱中降温包括以下步骤：

将所述温度控制箱中的温度设置为t

将所述温度控制箱设置为匀速降温模式，使其在5～15min内，从t

在一些实施例中，所述聚合物为有机硅树脂或聚甲基硅树脂材质。

相对于现有技术，本发明的有益效果为：

本发明的方法采用聚合物来进行脆硬材料分离，利用聚合物热膨胀系数大的特性，使脆硬材料在低温时实现自动分离，具有分离效率高、成本低和分离厚度可控等优势。

本发明的方法可以根据需分离的脆硬材料厚度制备相应的聚合物厚度，以实现任意厚度的脆硬材料分离，由于材料受到应力自动分离，通过这种分离方法，不会有飞溅物影响材料表面质量，有效地提高了分离脆硬材料的良品率，且无需大型设备，无需昂贵耗材即可实现材料的自动分离，节约了分离成本。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明的利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法流程图；

图2为本发明激光改质过程示意图；

图3为本发明脆硬材料单层粘接聚合物分离前后示意图；

图4为本发明脆硬材料双层粘接聚合物分离前后示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面参照附图1-4描述根据本发明实施例提出的利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法。

如图1所示，本发明利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法包括以下步骤：

(1)采用激光紧聚焦方式对脆硬材料内部进行改质；

(2)在改质后的脆硬材料表面粘接聚合物板或旋涂一定厚度的聚合物溶液；

(3)将粘接好聚合物板或旋涂好聚合物溶液的脆硬材料放入温度控制箱中降温，使脆硬材料自动分离；

(4)利用剥离溶液分离聚合物与脆硬材料，分离后得到所需的脆硬材料。

步骤(1)中，选择对脆硬材料具有一定透过率的波长的激光，激光波长为355～2000nm，扫描速度为100～2000mm/s。由于激光可以透过材料，聚焦到材料内部，可以对材料进行改质。激光透过材料不会对透过区域造成损伤，透过区域的激光光束未聚焦，不足以破坏脆硬材料结构，故可以用激光对脆硬材料的内部进行改质。激光改质时的扫描速度不宜过快，过快的扫描速度会导致改质层形成不充分，脆硬材料内部没有受到破坏，导致后期聚合物分离时脆硬材料断裂。过慢的扫描速度会导致改质层过厚，造成材料浪费。在改质过程中，根据激光测距仪与脆硬材料之间的距离确定脆硬材料中改质层的位置，具体为，通过激光测距仪获得精确的脆硬材料位置信息，激光改质过程在高精度三维位移台上进行，通过高精度三维位移台将脆硬材料移动到指定位置，使脆硬材料内部在一定位置处形成改质层，改质层内部有孔隙、高位错密度层以及裂纹。

激光改质层厚度在10μm左右，改质对材料损伤层小，通过此种方式替代金刚线切割材料，损伤层减小数倍。由于材料受到应力自动分离，通过这种分离方法，不会有飞溅物影响材料表面质量，有效地提高了分离脆硬材料的良品率。

脆硬材料为钇铝石榴石激光晶体(YAG)、氧化镥陶瓷、蓝宝石、氮化镓、金刚石和碳化硅等。可以理解的是，脆硬材料还可以为其他合适的材质。

步骤(2)为在改质后的脆硬材料表面制备聚合物的过程，包括两种方法，分别为在改质后脆硬材料表面粘接聚合物板，或者在改质后的脆硬材料表面旋涂聚合物溶液。在制备过程中根据改质层在脆硬材料中的相对位置确定在脆硬材料的一个表面或两个表面制备聚合物材料。当脆硬材料的改质层距离脆硬材料的上表面的高度＜1/10其距离脆硬材料的下表面的高度时，只在脆硬材料的上表面粘接聚合物板或旋涂聚合物溶液；当脆硬材料的改质层距离脆硬材料的上表面的高度≥1/10其距离脆硬材料的下表面的高度时，在脆硬材料的上表面和下表面均粘接聚合物板或旋涂聚合物溶液。

当利用在改质后脆硬材料表面粘接聚合物板的方式在改质后的脆硬材料表面制备聚合物时，聚合物板的制备包括以下步骤：根据预分离脆硬材料的尺寸确定聚合物板的尺寸；将聚合物和固化剂导入模具中，固化得到聚合物板，并对聚合板进行超声清洗；对聚合物板与脆硬材料粘接的一面做等离子体处理。

聚合物板的制备方法为利用模具制备设计好一定尺寸的聚合物板，聚合物板的厚度根据预分离脆硬材料的厚度计算，脆硬材料切片厚度介于0.1～0.5mm时，聚合物板的厚度为1～3mm。聚合物板的表面积略大于脆硬材料的表面积，在一些实施例中，聚合物板的外形尺寸为在预剥离脆硬材料的外形尺寸的基础上增加5mm，例如，若预剥离脆硬材料的外形尺寸为直径为R的圆形，则聚合物板的外形尺寸为半径为(R+5)mm的圆形；若预剥离脆硬材料的外形尺寸为长宽分别为a和b的方形结构，则聚合物板的外形尺寸为长宽分别为(a+5)mm和(b+5)mm的方形结构。

确定好聚合物板的尺寸后将聚合物和固化剂导入模具中，固化后得到聚合物板，制备好的聚合物板进行超声清洗以清洗掉其表面杂质，超声清洗使用超声清洗机的脉冲模式，保证聚合物在做后续的等离子体处理时，表面没有其他物质影响。杂质覆盖在聚合物板表面会导致等离子体处理电离时产生有害物质，影响聚合物和脆硬材料的粘接效果，使聚合物施加于脆硬材料的应力不均匀，影响分离质量，也会对环境造成污染，因此，在对聚合物板进行等离子体处理之前进行超声清洗，超声清洗时间在5min以上。

超声清洗完成后对聚合物板准备粘接到脆硬材料的一面做等离子体处理，另一面无需处理。在处理过程中，将等离子体处理机调至标定电压，等离子体输出功率100～200W，工作频率50～60kHz，处理时间为5～10min。处理时在相对洁净的环境中进行，等离子体处理中聚合物表面交联、化学性质改变，主要因为等离子体破坏了聚合物表面的分子键，产生了大量的自由基团。

等离子体处理的过程分为三步：气体放电、等离子体生成和进行表面处理。放电过程中设置的放电压力适中时，自由基生成的强度最大。等离子体处理机只需提供清洁的空气即可正常工作。等离子体处理后的聚合物板尽快进行下一步操作，防止长时间暴露在空气中导致聚合物与脆性材料粘合强度降低。等离子体处理是一种环保的处理工艺，处理是使空气中氧分子电离，形成少量的氮氧化物，对周围空气质量几乎无影响。为防止氧化对粘接强度的影响，等离子体处理后需尽快进行聚合物与脆硬材料粘合。

聚合物板与脆硬材料表面粘接时，先将脆硬材料固定，用聚合物板被等离子体处理过的一面进行粘合，粘合时先将聚合物板的一侧紧贴到脆硬材料表面，再缓慢的将聚合物板整体完整的贴合在脆硬材料表面。贴合过程保证缓慢、均匀的将二者结合在一起，避免产生气泡使后续聚合物提供应力不均匀。若脆硬材料两面各需粘合一个聚合物板，粘合好脆硬材料的一侧再进行脆硬材料另一侧的粘合，粘合过程同样要保证粘贴面的内部没有气泡，进行粘合时施加在聚合物板和脆硬材料表面的压强为20～80kPa，作用时间30～60s。

其中，聚合物为八苯基环四硅氧烷、聚甲基硅树脂、有机硅树脂等，可以理解的是聚合物还可以为其他合适的材质。

当利用在改质后脆硬材料表面旋涂一定厚度的聚合物溶液的方式在改质后的脆硬材料表面制备聚合物时，将脆硬材料固定在匀胶机上，将配制好的聚合物溶液通过匀胶机在脆硬材料表面进行旋涂，匀胶机参数设置为：第一次匀胶速度为500～1000r/min，第一次匀胶时间为10～15s，第二次匀胶速度为1000～2000r/min，第二次匀胶时间为1～2min，旋涂多层，最终达到设计的聚合物厚度。其中，聚合物溶液指的是聚合物与其相应的固化剂混合未凝固时形成的溶液。

旋涂聚合物的厚度根据预分离脆硬材料的厚度计算，脆硬材料切片厚度介于0.1～0.5mm时，旋涂聚合物的厚度为1～3mm。在脆硬材料表面旋涂的聚合物的表面积与脆硬材料的表面面积保持一致。

步骤(3)中，将粘接好聚合物板或旋涂好聚合物溶液的脆硬材料放入温度控制箱中降温包括以下步骤：将温度控制箱中的温度设置为t

具体为：放置脆硬材料前，先设置温度控制箱温度为t

控温条件下，温度控制箱中的脆硬材料在聚合物的作用下自动分为两片，分离后的脆硬材料表面粗糙度低，分离质量良好。相比于脆硬材料，聚合物具有热膨胀系数大的特点，在温度骤降的过程中，聚合物体积迅速缩小。由于聚合物与脆硬材料在等离子体的作用后紧密粘合在一起，聚合物体积的缩小对硬脆材料产生应力，使脆硬材料在拉力的作用下自动分离。聚合物的厚度适中时，由形变产生的应力均匀，会将脆硬材料完整的分离为均匀的两片，实现脆硬材料的自动分离。可根据脆硬材料种类、厚度调整聚合物的厚度，以实现多种材料、不同尺寸的脆硬材料分离。本发明使用的分离方法灵活性强，适用于多种脆硬材料分离。若要分离不同尺寸脆硬材料，调整聚合物尺寸，保证聚合物尺寸略大于脆硬材料尺寸，覆盖在脆硬材料表面即可。

步骤(4)中，利用剥离溶液分离聚合物与脆硬材料，分离后得到所需的脆硬材料，具体为，将分离好的脆硬材料放入聚合物剥离溶液中，聚合物与脆硬材料分离，分离得到的聚合物可以循环使用。其中，放入聚合物剥离溶液中的时间10～20min，剥离溶液为质量浓度为20％～30％甲苯水溶液、70％～99％丙酮酒精溶液、20％～30％二甲苯溶液。

分离后的脆硬材料表面粗糙度低，损伤层小，内部没有激光扫描产生热影响区。分离后的聚合物可重复使用，进行下一次分离，节约成本。分离所用的总时间短，效率高，分离质量好。

下面结合具体实施例说明本发明的利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法。

实施例1：

以碳化硅材料为例，将碳化硅放在加工吸盘吸附，利用激光束对碳化硅样品中间层扫描。扫描过程为单次，必要时，可使用增加分束装置，进行多光束扫描，提升扫描效率。位移台的移动速度为100mm/s。扫描功率过小，碳化硅没有吸收到足够大的能量，不能形成足够大的改质层，导致后续剥离过程碳化硅无法自动分离。激光处理碳化硅前，要保证碳化硅不被污染，表面污染物会对激光光束质量产生影响，对脆硬材料的吸收率也有明显影响，影响改质效果。适中的激光频率使不同激光脉冲间的间隔不重叠，不会造成碳化硅内部的过烧蚀影响改质层质量。

碳化硅厚度为1mm，直径20mm，预剥离500μm厚度碳化硅，因此在碳化硅的两侧粘接聚合物板有机硅树脂，有机硅树脂厚度根据分离的碳化硅剥离厚度取3mm，直径取25mm。

将有机硅树脂导入模具中加入二亚乙基三胺固化剂固化得到有机硅树脂聚合物板。碳化硅的分离需应力，有机硅树脂可以提供这种应力，模具法制备可用于粘合的有机硅树脂，精确调控有机硅树脂厚度以用以脆硬材料分离。根据准备分离的脆硬材料厚度计算所需有机硅树脂厚度，厚度适宜的有机硅树脂能提供均匀的应力分离脆硬材料。过大的厚度会导致应力过大，损坏脆硬材料；过薄会导致无法提供足够的应力，无法分离脆硬材料。

制备好的有机硅树脂和脆硬材料放入超声清洗机清洗，超声清洗机标定模式为脉冲模式，在50kHz维持10min的超声清洗，以得到洁净的有机硅树脂。完成清洗后的有机硅树脂放在相对洁净的空间内防止再次被污染。

对有机硅树脂与脆硬材料粘接的一面做等离子体处理。打开等离子体清洗机，将等离子体清洗机调至标定电压，进行样品表面活化。等离子体处理原理为使有机硅树脂表面与高频电场激发的等离子体产生相互作用，一方面利用等离子体激活的化学物质与等离子体本身进行反应，产生氢离子、氧离子产生氧化还原反应形成络合物。另一方面，等离子体与材料表面的污染物作用，反应后把污染物转化为二氧化碳、水等通过真空泵排出设备，减少污染物对粘合过程产生的影响，实现有机硅树脂与碳化硅的紧密粘合。由于等离子体处理是在等离子体处理机中进行，等离子体处理机内为真空环境，真空环境有利于进一步排出有机硅树脂内气泡，以提供更加均匀的应力分离碳化硅。

处理好后的有机硅树脂不宜放置在空气中时间过长，应快速粘贴到碳化硅表面，由于等离子体处理后的有机硅树脂在空气中更易氧化，故不应静置时间过长。

在碳化硅的一侧粘合有机硅树脂后，再对碳化硅的另一侧进行粘合。

在粘合时，两片有机硅树脂过大会导致两片有机硅树脂边缘粘合，在低温分离碳化硅时可能导致碳化硅内部已分离，外侧互相粘合的有机硅树脂未分离的现象。若有机硅树脂尺寸过小，则无法对碳化硅表面所有区域提供足够大的应力，而无法分离碳化硅。有机硅树脂表面积略大于碳化硅既可以提供碳化硅分离所需的应力，又防止有机硅树脂的互相粘合影响分离效果。

将有机硅树脂粘接在碳化硅的两面后，启动温度控制箱，先检查温度控制箱制冷机组的排气截止阀，吸气截止阀是否正常开启，设置温度为t

在有机硅树脂与碳化硅分离后将材料放入90％的工业丙酮酒精溶液中静置10分钟，有机硅树脂与碳化硅自动分离。解胶处理后的碳化硅用去离子水冲洗，冲洗后即得到最终成品。有机硅树脂用去离子水冲洗后可在下次分离过程中重复使用。

本发明将脆硬材料的分离变成一个自动的过程，且可通过调节有机硅树脂厚度来实现不同厚度的脆硬材料分离。分离后有机硅树脂材料可重复利用，没有使用大型设备和昂贵的耗材，大幅节约成本。

实施例2：

以氮化镓材料为例，将氮化镓放在加工吸盘吸附，使用激光束对氮化镓内部进行扫描。进行激光光束聚焦时，保证光束聚焦扫描形成的改质层在氮化镓内部上下表面的中心，使最终自动分离的两片氮化镓厚度相同。扫描速度为300mm/s，扫描时，保证氮化镓内部中心部分所有区域都形成改质层，防止改质层形成不完整，后续拉伸时氮化镓裂纹的产生。

制备聚甲基硅树脂溶液，在聚甲基硅树脂溶液中加入质量浓度为20％的聚氨酯固化剂。搅拌溶液使固化剂与聚甲基硅树脂充分混合得到聚甲基硅树脂溶液。氮化镓厚度为1mm，直径20mm，聚甲基硅树脂厚度由分离的氮化镓剥离厚度取3mm，直径计算得25mm。预剥离500μm厚度氮化镓，因此在氮化镓的两面旋涂聚甲基硅树脂溶液。

将脆硬材料氮化镓吸附在匀胶机的旋转台上，匀胶机参数设置为：第一匀胶速度为600r/min，第一匀胶时间为10s，第二匀胶速度为1500r/min，第二匀胶时间为1min。将配制好的聚甲基硅树脂液体通过匀胶机在脆硬材料表面进行旋涂，旋涂5层，最终达到设计的聚甲基硅树脂厚度。匀胶后将脆硬材料静置5min，旋涂好氮化镓的一面时，将氮化镓旋涂聚甲基硅树脂的一面吸附在匀胶机上，对氮化镓的另一面进行旋涂。匀胶机参数不变，旋涂多层，最终达到设计好的聚甲基硅树脂厚度。制备好的聚甲基硅树脂板进行超声清洗，超声清洗机设置为脉冲模式，清洗频率为75kHz，清洗后待脆硬材料表面水分风干进行下一步操作。

将温度控制箱温度设置为t

将自动分离后的氮化镓和聚甲基硅树脂放入30％甲苯与30％二甲苯混合剥离溶液10min，原本紧密粘合的聚甲基硅树脂和氮化镓分离，得到两片氮化镓薄片和可继续用于氮化镓分离的聚甲基硅树脂，无需再次制备聚甲基硅树脂。氮化镓薄片未粘合的一侧没有任何损伤，改质层一侧有轻微损伤，由于超快激光改质氮化镓形成的改质层薄，几乎没有热损伤，对氮化镓本身损伤小，后续只需对改质层一侧进行简单磨抛即可。

实施例3：

以YAG晶体为例，将YAG晶体放在加工吸盘吸附，使激光聚焦在YAG晶体内部，对YAG晶体内部进行垂直扫描，扫描过程应保证对YAG晶体中间层所有区域都扫描完整。扫描形成具有孔洞、高位错密度层以及裂纹的改质层。激光扫描的聚焦深度由预剥离的YAG晶体厚度确定。改质过程在高精度三维位移台上进行，激光聚焦深度可随晶体厚度确定。本例中预剥离200μm厚度YAG晶体，YAG晶体另一侧厚度远大于200μm，因此将激光垂直聚焦在距离YAG晶体上表面200μm深度。

制备可用于粘接在YAG晶体表面的八苯基环四硅氧烷，制备八苯基环四硅氧烷时所加的聚氨酯固化剂质量占总重的20％。YAG晶体厚度为3mm，直径10mm。八苯基环四硅氧烷厚度由分离的YAG晶体剥离厚度，取1mm，直径尺寸计算得15mm。根据计算得到的厚度制备出的八苯基环四硅氧烷，将固化剂和未固化的八苯基环四硅氧烷充分搅拌导入模具，放入室温环境静置5min，保证八苯基环四硅氧烷的充分凝固。八苯基环四硅氧烷的制备只需一次，后续分离所用的八苯基环四硅氧烷时只需使用上一次分离氮化镓时八苯基环四硅氧烷剥离溶液解胶下的八苯基环四硅氧烷。八苯基环四硅氧烷可重复利用，八苯基环四硅氧烷剥离溶液分离下的八苯基环四硅氧烷用于下次分离也可实现高质量YAG晶体分离。

将制备好的八苯基环四硅氧烷和YAG晶体放入超声清洗机进行超声清洗，超声清洗机频率为75kHz，清洗时间为5min。清洗后得到洁净的八苯基环四硅氧烷和YAG晶体，将YAG晶体风干放置在洁净的环境中等待八苯基环四硅氧烷处理后进行下一步操作，洁净的八苯基环四硅氧烷放入等离子体处理机中。等离子体处理过程包含气体放电、等离子体生成和进行表面处理三个过程。先将等离子体处理机通入空气进行气体放电，等待其形成等离子体，将八苯基环四硅氧烷与YAG晶体粘接的一面进行等离子体处理，另一面无需处理。经过等离子体处理的八苯基环四硅氧烷贴合在YAG样品表面时，粘接强度高，不易脱落，且整个处理过程时间短。

由于本例中改质层距离上表面远小于改质层与下表面的距离。只对YAG晶体的一侧进行粘接。将处理好的八苯基环四硅氧烷粘接到YAG晶体改质层距离表面较近的一侧，粘接过程不宜过快，保证粘接过程中，八苯基环四硅氧烷和YAG晶体粘接层的内部没有气泡掺入，避免气泡掺入导致后续分离过程的应力产生不均匀，使分离的YAG晶体破碎。

将温度控制箱的温度设置为t

将分离后的八苯基环四硅氧烷和YAG晶体放入30％甲苯水溶液的剥离溶液中。放入30％甲苯水溶液的时间为10min，八苯基环四硅氧烷和YAG晶体分离。使用后的30％甲苯水溶液放入封口瓶中，可在下次分离时重复使用。解胶后的YAG晶体与八苯基环四硅氧烷粘合面无任何损伤，保持原状，改质层处理侧经检测粗糙度低，损伤层小，分离质量高。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述可以针对不同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。