太阳能电池的制作方法

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制作方法。

背景技术

相关技术中，异质结太阳能电池双面采用本征非晶硅钝化，具有高开路电压特性。但是，由于异质结太阳能电池中的掺杂层以及透明导电层会对入射光产生寄生吸收，导致短路电流较低，进而降低了异质结太阳能电池的效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种太阳能电池的制作方法，以提高太阳能电池的短路电流及效率。

本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：

提供基片；基片包括基底、第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，基底具有相对设置的第一面和第二面，第一磷扩散吸杂层设于第一面，第二磷扩散吸杂层设于第二面；

在目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，以暴露基底的目标面的栅线区域；其中，目标磷扩散吸杂层为第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层中的至少一者，目标面为第一面和第二面中的至少一者，目标磷扩散吸杂层为设于目标面上的磷扩散吸杂层；

在暴露的目标面的栅线区域上进行刻蚀处理，形成凹槽；

去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，以使第一面和第二面露出。

在其中一个实施例中，在目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，以暴露基底的目标面的栅线区域，包括：

通过激光开膜工艺对目标磷扩散吸杂层进行开膜处理，以在目标磷扩散吸杂层上形成对应于栅线区域的开膜区域，使得栅线区域露出。

在其中一个实施例中，在目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，以暴露基底的目标面的栅线区域，包括：

在目标磷扩散吸杂层上形成油墨层，并暴露位于栅线区域的目标磷扩散吸杂层；

通过刻蚀工艺去除位于栅线区域的目标磷扩散吸杂层，使得栅线区域露出；

去除油墨层。

在其中一个实施例中，第一磷扩散吸杂层的材料和第二磷扩散吸杂层的材料包括磷硅玻璃。

在其中一个实施例中，在暴露的目标面的栅线区域上进行刻蚀，形成凹槽，包括：

通过湿法刻蚀工艺在目标面的栅线区域上进行刻蚀处理，形成凹槽。

在其中一个实施例中，提供基片之前包括：

对基底进行磷扩散吸杂处理，在第一面形成第一磷扩散吸杂层，在第二面形成第二磷扩散吸杂层。

在其中一个实施例中，去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，以使第一面和第二面露出之后包括：

对第一面、第二面和凹槽进行制绒处理。

在其中一个实施例中，去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，以使第一面和第二面露出之后包括：

在第一面和第二面上分别依次层叠形成钝化层、掺杂层、透明导电层和栅线电极；

其中，位于对应的目标面上的钝化层、掺杂层和透明导电层对应于该目标面上的栅线区域的部分，均依次容置于该凹槽内；

位于对应的目标面上的栅线电极在参考面上的正投影，位于该目标面上的凹槽在参考面上的正投影内；参考面平行于目标面。

在其中一个实施例中，位于对应的目标面上的透明导电层对应于该目标面上的凹槽的部分形成有凹部；

其中，凹部的宽度不小于对应的目标栅线电极的宽度；和/或

凹部的深度不小于对应的目标栅线电极的高度。

在其中一个实施例中，栅线电极的制作工艺包括丝网印刷工艺、激光转印工艺或者电镀工艺中的一种。

上述太阳能电池的制作方法中，通过在基底进行磷扩散吸杂处理后形成的目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，暴露基底的目标面的栅线区域，并在暴露的栅线区域上形成凹槽。由于栅线区域是对应于后续形成栅线的区域，栅线区域的凹槽可以用于实现埋栅，由此，一方面，能够减少栅线电极对光的反射，进而提高了光的利用率；另一方面，能够增大栅线电极与基底上对应层的接触面积，进而减少了接触电阻，改善了栅线电极的附着力，提升了栅线电极的可靠性；再一方面，能够有利于借助凹槽使得栅线电极具有更优的高宽比，进而提升了太阳能电池的填充因子。由此，从整体上提高了太阳能电池的短路电流和效率。此外，由于在对应的磷扩散吸杂层上形成掩膜图案来对应制作凹槽，可以降低加工成本，进而提高产能。

本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。

附图说明

通过阅读对下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在全部附图中，用相同的附图标号表示相同的部件。在附图中：

图1为本申请一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；

图2为本申请一实施例中太阳能电池处于第一状态的结构示意图；

图3为本申请一实施例中太阳能电池处于第二状态的结构示意图；

图4为本申请一实施例中太阳能电池处于第三状态的结构示意图；

图5为本申请一实施例中太阳能电池处于第四状态的结构示意图；

图6为本申请一实施例中步骤S120的流程示意图；

图7为本申请另一实施例中步骤S120的流程示意图；

图8为本申请另一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；

图9为本申请一实施例中太阳能电池处于第五状态的结构示意图；

图10为本申请一实施例中太阳能电池处于第六状态的结构示意图；

图11为相关技术一实施例中太阳能电池的结构示意图。

附图标记说明：

基底110，第一面m1，第二面m2，目标面t，凹槽x；

第一磷扩散吸杂层Ta，第二磷扩散吸杂层Tb，目标磷扩散吸杂层T；

第一钝化层120a，第二钝化层120b；

第一掺杂层130a，第二掺杂层130b；

第一透明导电层140a，第二透明导电层140b；

第一栅线电极150a，第二栅线电极150b；

栅线电极G；

步骤S110、S120、S121a、S121b、S122b、S123b、S130、S140、S210、S220、S230、S240、S250、S260。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。值得说明的是，在下面的描述中和所附的权利要求中，一个特征与另一个特征“电性连接”不仅包括一个特征与另一个特征直接接触而形成电能传输或电流传送通道，还包括在一个特征和另一个特征之间的中间特征，该一个特征、另一个特征以及它们之间的中间特征形成电能传输通道或电流传送通道，以实现电能传输或传送。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

下面结合附图说明本申请实施例中太阳能电池的制作方法。

需要说明的是，本申请实施例提供的太阳能电池可以为异质结(Silicon Hetero-Junction，SHJ)电池。本申请实施例提供的太阳能电池包括中间态(即半成品)或者终态(即成品)等产品形态。通过太阳能电池的制作方法得到的结构，后续还可以经过所需要的相关工艺处理得到所需的太阳能电池(即成品)。由于形成中间态或者终态的相关结构以及相关工艺为现有技术，且不是本申请实施例所要求保护的重点，这里不对的中间态或者终态等产品形态涉及到的相关具体结构以及相关工艺进行赘述。

图1示出了本申请一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请参照图1，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：

步骤S110、提供基片；基片包括基底、第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，基底具有相对设置的第一面和第二面，第一磷扩散吸杂层设于第一面，第二磷扩散吸杂层设于第二面；

步骤S120、在目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，以暴露基底的目标面的栅线区域；其中，目标磷扩散吸杂层为第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层中的至少一者，目标面为第一面和第二面中的至少一者，目标磷扩散吸杂层为设于目标面上的磷扩散吸杂层；

步骤S130、在暴露的目标面的栅线区域上进行刻蚀处理，形成凹槽；

步骤S140、去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，以使第一面和第二面露出。

在步骤S110中，基底可以根据实际需要选择。示例性的，基底可以是硅基底。对基底的掺杂类型不作具体限定。例如，该基底可以为N型掺杂的硅基底，或者，可以为P型掺杂的硅基底。在本申请实施例中，对此不作具体限定。在本申请实施例中，基底可以是N型单晶硅片。结合参照图2，图2示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第一状态的结构示意图，基底110具有相对设置的第一面m1和第二面m2。第一面m1和第二面m2中的一者为向光面，另一者为背光面。可以理解，向光面具体是指在太阳能电池中或者在光伏组件中，基底110上太阳光主要照射的表面。向光面和背光面相对分布。

在一些实施方式中，在提供基片之前，还包括：对基底进行磷扩散吸杂处理，在第一面形成第一磷扩散吸杂层，在第二面形成第二磷扩散吸杂层。该步骤主要是在基底的表面形成磷扩散吸杂层。例如，可以在高温炉管内通入三氯氧磷(POCl

可以理解，由于金属杂质具有向晶格不完整的区域聚集的特性，在基底经过高温吸杂的情况下，可以在基底表面形成一层磷扩散吸杂层，金属离子富集在磷扩散吸杂层处，在后续工艺步骤中将该磷扩散吸杂层去除，进而可以将富集的金属离子去除，实现去除基底中杂质的目的。

可选的，第一磷扩散吸杂层的材料和第二磷扩散吸杂层的材料包括磷硅玻璃。也即，第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层可以为PSG(Phospho Silicate Glass，硼硅玻璃)层，有利于提高吸杂效果。

在步骤S120中，目标面可以是第一面，也可以是第二面，还可以是第一面和第二面。结合参照图3，图3示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第二状态的结构示意图，示意出目标面t为第一面m1和第二面m2的情形，相应地，第一磷扩散吸杂层Ta和第二磷扩散吸杂层Tb均为目标磷扩散吸杂层T。如此，借助目标磷扩散吸杂层T，可以暴露目标面t上的栅线区域。

可以理解，目标面上包括栅线区域和非栅线区域。栅线区域指的是对应于后续工艺制作的栅线电极的区域，非栅线区域指的是目标面上除去栅线区域外的区域。掩膜图案与后续工艺制作的栅线电极所构成的栅线图案大致相同。

在步骤S130中，结合参照图4，图4示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第三状态的结构示意图，由于目标面t上的栅线区域得以暴露，故可以进行刻蚀处理来形成所需要的凹槽x。目标面t上的非栅线区域被目标磷扩散吸杂层T所遮盖，得以保护。示例性的，可以通过湿法刻蚀工艺在目标面t的栅线区域上进行刻蚀处理，形成凹槽x。例如，通过使用湿法槽式设备，利用碱性溶液可以对栅线区域进行腐蚀，刻蚀形成凹槽x。

在步骤S140中，结合参照图5，图5示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第四状态的结构示意图，去除第一磷扩散吸杂层Ta和第二磷扩散吸杂层Tb后，所得到的基底110为表面具有凹槽x的基底110。示例性的，可以利用酸性溶液(例如氟化氢溶液或氯化氢溶液)去除第一磷扩散吸杂层Ta和第二磷扩散吸杂层Tb。

在本申请实施例中，通过在基底进行磷扩散吸杂处理后形成的目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，暴露基底的目标面的栅线区域，并在暴露的栅线区域上形成凹槽。由于栅线区域是对应于后续形成栅线的区域，栅线区域的凹槽可以用于实现埋栅，也即，在后续工艺过程中制作的相关层会在凹槽处凹陷，进而使得再于后续制作的栅线电极的至少部分是位于该凹陷处的。因此，减少了对应的栅线电极相对于太阳能电池整体凸出的部分，进而能够减少栅线电极对光的反射，进而提高了光的利用率。进一步而言，由于对应的栅线电极的至少部分是位于凹陷处的，进而能够增大对应的栅线电极与基底上对应层的接触面积，进而减少了接触电阻，改善了对应的栅线电极的附着力，提升了对应的栅线电极的可靠性。更进一步而言，由于可以通过对应的掩膜图案和刻蚀工艺来调整凹槽的大小，进行能够使得对应的栅线电极具有更优的高宽比，进而提升了太阳能电池的填充因子。由此，从整体上提高了太阳能电池的短路电流和效率。

可以理解的是，相较于采用激光工艺直接在基底上进行开槽的方式而言，由于本申请实施例中在对应的磷扩散吸杂层上形成掩膜图案来对应制作凹槽，可以降低加工成本，进而提高了产能。

图6示出了本申请一实施例中步骤S120的流程示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请参照图6，步骤S120包括：

步骤S121a、通过激光开膜工艺对目标磷扩散吸杂层进行开膜处理，以在目标磷扩散吸杂层上形成对应于栅线区域的开膜区域，使得栅线区域露出。

在步骤S121a中，可以采用波长为532纳米的紫外皮秒激光对目标磷扩散吸杂层进行开膜处理，但并不以此为限，还可以是其他能够进行开膜处理的激光。示例性的，开膜宽度可以为10微米～50微米。开膜区域所形成的开膜图形与后续所制作的栅线电极构成的栅线图案大致相同。

可以理解的是，目标磷扩散吸杂层的厚度相较于凹槽的深度而言较小，采用激光对目标磷扩散吸杂层进行开膜处理的时间，显然是小于直接用激光在基底上开槽的时间，进而也能够降低加工成本。

图7示出了本申请另一实施例中步骤S120的流程示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在另一些实施例中，请参照图7，步骤S120包括：

步骤S121b、在目标磷扩散吸杂层上形成油墨层，并暴露位于栅线区域的目标磷扩散吸杂层；

步骤S122b、通过刻蚀工艺去除位于栅线区域的目标磷扩散吸杂层，使得栅线区域露出；

步骤S123b、去除油墨层。

如此，通过设置油墨层，并结合相关工艺，也能够实现目标面上的栅线区域的露出。

需要说明的是，上述示意出暴露目标面上栅线区域的两种实施方式，但并不以此为限。

图8示出了本申请另一实施例中太阳能电池的制作方法的流程示意图；为便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的内容。

在一些实施例中，请参照图8，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：

步骤S210、提供基片；基片包括基底、第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，基底具有相对设置的第一面和第二面，第一磷扩散吸杂层设于第一面，第二磷扩散吸杂层设于第二面；

步骤S220、在目标磷扩散吸杂层上形成掩膜图案，以暴露基底的目标面的栅线区域；其中，目标磷扩散吸杂层为第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层中的至少一者，目标面为第一面和第二面中的至少一者，目标磷扩散吸杂层为设于目标面上的磷扩散吸杂层；

步骤S230、在暴露的目标面的栅线区域上进行刻蚀处理，形成凹槽；

步骤S240、去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层，以使第一面和第二面露出；

步骤S250、对第一面、第二面和凹槽进行制绒处理；

步骤S260、在第一面和第二面上分别依次层叠形成钝化层、掺杂层、透明导电层和栅线电极。

步骤S210～步骤S240的相关实施方式，可以参照前述一些实施例中示意出的内容，在此不再赘述。

在步骤S250中，结合参照图9，图9示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第五状态的结构示意图；可以通过湿法制绒工艺在第一面m1、第二面m2和凹槽x内形成绒面结构，绒面结构大致为金字塔陷光结构。当然，在其他的一些实施方式中，也可以仅在凹槽x内形成绒面结构，还可以仅在第一面m1和凹槽x内形成绒面结构。可以根据具体使用情况在对应的区域形成所需要的绒面结构。可以同时在第一面m1和第二面m2进行制绒处理，也可以分别进行制绒处理，对此不作具体限制。可以理解的是，在第一面m1存在有凹槽x的情况下，对第一面m1进行制绒处理的同时，可以同时在凹槽x内进行制绒处理，第二面m2可同样作此理解，在此不进行赘述。

在本申请实施例中，第一面、第二面和凹槽内均形成有绒面结构。可以理解，若在制绒后通过激光方式在基底上开槽，则会破坏绒面结构，进而影响太阳能电池的转换效率。在去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层后进行制绒，可以改善前述破坏绒面结构的情形。此外，由于是在去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层的情况下进行制绒，也能够改善因清洗以去除第一磷扩散吸杂层和第二磷扩散吸杂层的过程中破坏绒面结构的情形。

在步骤S260中，位于对应的目标面上的钝化层、掺杂层和透明导电层对应于该目标面上的栅线区域的部分，均依次容置于该凹槽内。位于对应的目标面上的栅线电极在参考面上的正投影，位于该目标面上的凹槽在参考面上的正投影内。参考面平行于目标面。以图10为例，图10示出了本申请一实施例中太阳能电池处于第六状态的结构示意图，第一面m1和第二面m2均为目标面t，且第一面m1和第二面m2上的栅线区域分别对应设有凹槽x。第一面m1上依次层叠设置第一钝化层120a、第一掺杂层130a和第一透明导电层140a，第一钝化层120a、第一掺杂层130a和第一透明导电层140a在对应的凹槽x处形成凹陷。也即，第一钝化层120a对应于第一面m1的栅线区域的部分凹陷于凹槽x的侧壁和底壁上，随后第一掺杂层130a对应于第一面m1的栅线区域的部分凹陷于第一钝化层120a形成的凹陷处，然后第一透明导电层140a对应于第一面m1的栅线区域的部分凹陷于第一掺杂层130a形成的凹陷处，最后第一栅线电极150a形成于第一透明导电层140a形成的凹陷处。此时，第一栅线电极150a对应于凹槽x而设置，第一栅线电极150a的至少部分容置于对应的凹槽x内。第二面m2上的相关结构亦如此，在此不再赘述。

在一些实施方式中，位于对应的目标面上的透明导电层对应于该目标面上的凹槽的部分形成有凹部。其中，凹部的宽度不小于对应的目标栅线电极的宽度；和/或，凹部的深度不小于对应的目标栅线电极的高度。以图10为例，第一栅线电极150a大致上能够容置于第一透明导电层140a形成的凹部内，第二栅线电极150b大致上能够容置于第二透明导电层140b形成的凹部内。在此情况下，更有利于减少栅线电极对光的反射，进一步提高光的利用率。此外，也能够进一步增大接触面积，进一步减少接触电阻，进一步增强对应的栅线电极的附着力，提升了栅线电极的可靠性。由此，进一步提高了太阳能电池的短路电流和效率。

下面以图10为例，对钝化层、掺杂层和透明导电层作示例性的说明。

第一钝化层120a和第二钝化层120b均可以为本征非晶硅层，第一钝化层120a和第二钝化层120b的厚度均可以为2纳米～10纳米。例如，可以通过射频等离子体增强化学气相沉积系统(Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，RF-PECVD)在基底110的第一面m1和第二面m2对应沉积得到第一钝化层120a和第二钝化层120b，在该沉积过程中所需工艺气体可以包含SiH

第一面m1上的掺杂层(即第一掺杂层130a)的掺杂类型和第二面m2上的掺杂层(即第二掺杂层130b)的掺杂类型不同。可以理解，掺杂层用于与基底110形成PN结。例如，第一掺杂层130a为N型掺杂或P型掺杂中的一种，第二掺杂层130b为N型掺杂或P型掺杂中的另一种。第一掺杂层130a的厚度可以为5纳米～20纳米，第二掺杂层130b的厚度可以为5纳米～30纳米，第一掺杂层130a的厚度和第二掺杂层130b的厚度可以相同，也可以不同，在此不作限制。例如，在第一掺杂层130a为N型掺杂层的情况下，可以通过甚高频等离子体增强化学气相沉积设备(Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，VHF-PECVD)在第一钝化层120a上面沉积第一掺杂层130a，在该沉积过程中所需工艺气体可以包含SiH

第一透明导电层(Transparent Conductive Oxide，TCO)140a和第二透明导电层(Transparent Conductive Oxide，TCO)140b的厚度可以均为60纳米～100纳米。例如，可以通过磁控溅射设备(Physical Vapour Deposition，PVD)或者反应离子沉积设备(ReactivePlasma Deposition，RPD)在第一掺杂层130a上沉积第一透明导电层140a，在第二掺杂层130b上沉积第二透明导电层140b。

第一栅线电极150a和第二栅线电极150b的制作工艺包括丝网印刷工艺、激光转印工艺或者电镀工艺中的一种。例如，可以通过丝网印刷、激光转印低温银浆/低温铜浆/银包铜浆料制作得到对应的第一栅线电极150a和第二栅线电极150b。当然，也可以是通过电镀Al、Ti、Ni、Co、Ag、Cu、Sn等中的一种或多种合金形成图形化电极，在此不作限制。

如此，通过上述一些实施例中示意出的实施方式，可以获得所需要的埋栅太阳能电池。

应该理解的是，流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

综上所述，本申请实施例中，结合参照图9和图10，由于第一栅线电极150a和第二栅线电极150b位于对应的凹部内，显然地，相较于图11所示意出的太阳能电池的栅线电极G凸出设置的情形而言，第一栅线电极150a和第二栅线电极150b凸出于太阳能电池的部分得以减少，进而减少了第一栅线电极150a和第二栅线电极150b对光的反射，进而提高了光的利用率。并且，第一栅线电极150a和第二栅线电极150b容置于对应的凹部内，增大了与对应的透明导电层的接触面积，进而减少了接触电阻，改善了栅线电极的附着力，提升了栅线电极的可靠性。同时，借助凹槽x能够使得栅线电极具有更优的高宽比，进而提升了太阳能电池的填充因子。由此，从整体上提高了太阳能电池的短路电流和效率。此外，通过在基底110进行磷扩散吸杂处理后形成的目标磷扩散吸杂层T上形成掩膜图案，暴露基底110的目标面t的栅线区域，并在暴露的栅线区域上形成凹槽x，相较于采用激光在基底110上进行开槽的方式而言，降低了加工成本，提高了产能。进一步地，在开槽和去除了磷扩散吸杂层厚进行制绒，有利于保持绒面结构的完整性，进而进一步提升太阳能电池的性能。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。