镀膜腔体结构、镀膜方法以及PECVD设备

技术领域

本申请属于镀膜设备技术领域，更具体地说，是涉及一种镀膜腔体结构、镀膜方法以及PECVD设备。

背景技术

等离子增强型化学气相淀积(简称PECVD，plasma enhanced chemical vapordeposition)是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是最突出的优点。PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、微机电系统等领域具有广泛的应用。

PECVD设备根据射频电源的分类，主要分为两种：一种射频电源采用低频；一种射频电源采用高频。射频电源采用低频的PECVD设备在大面积镀膜时能保持高度均匀性，但缺点是低频等离子的离子化率较低，导致镀膜速率较低，同时对硅基表面的损伤也相对较高。射频电源采用高频的PECVD设备具有更高的离子化率和镀膜速率，工艺气体利用率较高，且对硅基体的等离子损伤较小。然而，由于高频射频的波长较短，受驻波效应的影响，其镀膜面积相对较小。

为提高射频电源采用高频的PECVD设备的镀膜面积，可以通过大面积载板装载多个待镀膜工件同时进行镀膜。然而，这种方法虽然能在一定程度上提高设备的工作效率，但是由于高频在大面积镀膜时，镀膜空间内的电场分布不均匀，致使各待镀膜工件上的镀膜效果不稳定，膜层质量较差。因此，亟待改进射频电源采用高频的PECVD设备的工作效率低、镀膜效果不佳等问题。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种镀膜腔体结构、镀膜方法以及PECVD设备，以解决现有技术中存在的射频电源采用高频的PECVD设备在大面积镀膜过程中效率低、镀膜效果不佳的技术问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：

提供一种镀膜腔体结构，包括：

盖体，具有至少两个彼此独立的镀膜空间；

基座，位于所述盖体的下方，所述基座与所述盖体围合形成容置腔，所述镀膜空间位于所述容置腔内；

载物结构，包括载物架以及载物件，所述载物架位于所述容置腔内，所述载物件用于承载待镀膜件；所述载物件的数量至少为两个，各所述载物件与各所述镀膜空间对应设置，所述载物件可分离地设置于所述载物架内；

升降装置，所述升降装置的至少部分位于所述容置腔内，所述升降装置用于驱动所述载物件靠近或远离对应的所述镀膜空间，以使所述载物件上的所述待镀膜件伸入至对应的所述镀膜空间，或从所述镀膜空间中退出。

作为上述技术方案的进一步改进：

可选的，所述载物架上设有多个用于容置所述载物件的容置槽，所述容置槽的底面设有用于所述升降装置贯通的通道。

可选的，所述载物件可分离地设置于所述升降装置上，所述升降装置驱动所述载物件伸入至所述镀膜空间时，所述升降装置与所述载物件接触，所述升降装置从所述通道中退出时，所述升降装置与所述载物件分离。

可选的，所述升降装置包括托举部和驱动杆，所述驱动杆可伸缩的连接于所述基座，所述托举部连接于所述驱动杆伸入至所述容置腔的一端，所述托举部设置于对应的所述通道的下方，所述升降装置驱动所述载物件伸入至所述镀膜空间时，所述托举部贯穿于所述通道，且与所述载物件接触。

可选的，所述托举部上具有加热装置，所述托举部与所述载物结构接触时，所述加热装置与所述载物件形成热传导。

可选的，各所述容置槽呈阵列排布于所述载物架上，且各所述容置槽彼此间隔地布置。

可选的，所述载物件伸入至所述镀膜空间时，所述载物件与所述盖体间隔设置。

可选的，所述盖体于面对所述基座的一侧具有能够伸入至所述容置腔的凸缘，所述盖体与所述凸缘围合形成各所述镀膜空间。

本申请提供一种基于上述的镀膜腔体结构的镀膜方法，包括如下步骤：

将待镀膜件装载至各载物件上；

将承载有所述载物件的载物架移入所述镀膜腔体结构的容置腔内，且使各所述载物件位于对应的镀膜空间下方；

通过升降装置驱动各所述载物件从载物架上分离，以使所述待镀膜件伸入至对应的镀膜空间中进行镀膜；

镀膜后，通过所述升降装置驱动各所述载物件回落至所述载物架上，以至与所述载物件分离；

将承载有所述载物件的载物架从所述镀膜腔体结构的容置腔中移出。

本申请还提供一种PECVD设备，包括如上述的镀膜腔体结构。

本申请提供的镀膜腔体结构、镀膜方法以及PECVD设备的有益效果在于：

本申请提供的一种镀膜腔体结构包括盖体、基座、载物结构和升降装置。其中，在盖体上形成多个彼此独立的镀膜空间，减小了各镀膜空间之间的干扰，削弱了驻波效应对镀膜过程的影响，提高了待镀膜件的镀膜质量。

载物结构包括载物架以及载物件，载物架位于容置腔内，载物件用于承载待镀膜件；载物件的数量为多个，各载物件与各镀膜空间对应设置。由于在上下料过程中，载物架能够一次搭载多个载物件，从而使得载物架每次可携带多个硅片进入或退出容置腔，以对多个硅片同时进行镀膜或装卸，以相当于大面积载板同时搭载多个硅片的搭载量，因此，该载物结构还具有装卸效率高的优点。升降装置上还具有加热装置，加热装置能够对各镀膜空间中的硅片独立加热，以使各镀膜空间中的工艺温度更精准，避免大面积同时加热时容易出现的加热不均等现象。

本申请提供的PECVD设备，包括上述镀膜腔体结构，因此，也具有上述镀膜腔体结构的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种镀膜腔体结构的第一剖视结构示意图；

图2为本申请提供的一种镀膜腔体结构的第二剖视结构示意图；

图3为本申请提供的一种镀膜腔体结构的第三剖视结构示意图；

图4为本申请提供的另一种镀膜腔体结构的剖视结构示意图；

图5为本申请提供的镀膜腔体结构的第一拆分结构示意图；

图6为本申请提供的镀膜腔体结构的第二拆分结构示意图；

图7为本申请提供的镀膜腔体结构的一种载物架的立体结构示意图；

图8为本申请提供的镀膜腔体结构的一种盖体的立体结构示意图；

图9为本申请提供的镀膜腔体结构的另一种盖体的立体结构示意图。

其中，图中各附图标记：

1、盖体； 11、镀膜空间；

12、凸缘； 2、基座；

3、载物结构； 31、载物架；

311、容置槽； 312、通道；

32、载物件； 4、升降装置；

41、托举部； 42、驱动杆；

5、喷淋板； 6、硅片；

7、加热装置。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

据测算，光在硅片表面的反射损失率高达35％左右。为提高太阳能光伏电池对于光电的转换效率，需要对硅片表面进行PECVD镀减反膜处理。减反膜通常是指在硅片表面镀设的一层氮化硅(Si

现有的PECVD设备主要分为2种：一种采用低频射频电源，一种采用高频射频电源。采用低频射频电源的PECVD设备，其优点是：在大面积镀膜时，能够保持较好的镀膜均匀性；其缺点是：低频射频对工艺气体的离子化率较低，从而导致镀膜速率较低。同时低频等离子对硅基表面的损伤也相对较高。采用射频电源采用高频的PECVD设备，其优点是：高频射频对工艺气体的离子化率更高，从而镀膜速率更高，工艺气体的利用率也较高，并且高频等离子对硅基体的等离子损伤也较小；其缺点是：高频射频的波长较短，受驻波效应的影响，难以实现大面积镀膜。这也成为限制射频电源采用高频的PECVD设备工作效率的主要原因。

本申请的发明人为了解决这一问题，想到的初步解决办法是：

虽然射频电源采用高频的PECVD设备的单次可镀膜面积较小，但每次同时起用多台PECVD设备，就能提高单位时间内，镀膜产品的产出。但是该方法并未实质性提高每台PECVD设备的可镀膜面积，也未提高每台PECVD设备在单位时间内的镀膜产出，而且该方法使得成本严重上升。

因此，为了既能减小购置设备的成本，又能提高高频射频电源PECVD设备的工作效率。发明人还想到，通过在设备的镀膜腔里设置多个镀膜组件，并使用大面积的载板，同时带入多个硅片6进行镀膜，从而提高设备的镀膜效率。该方法虽然确实能够提高每台设备在单位时间内的镀膜效率，但在实践中又发现如下问题：

由于镀膜组件以及硅片6的数量增加，且各镀膜组件以及硅片6之间又缺少能够防止镀膜空间内电场逃出的法拉第笼结构，各镀膜组件之间的电场容易互相干扰，从而导致在镀膜腔内形成的镀膜电场并不均匀；在该环境下，硅片6的镀膜效果较差；而且，反应气体在工件之间的流动阻力增大，反应气体难以同时均匀地扩散至每一个工件表面，从而进一步增大硅片6的镀膜差异。

另外，为形成稳定的射频电场，工件需要尽量靠近镀膜组件。但在工件上下料时，又会相对镀膜组件运动，这又增加了工件与镀膜组件的干涉概率，影响工件与镀膜组件的安全。

申请人经过多年的研究和改进，创造性地研发出一种PECVD设备的镀膜腔体结构，其技术核心是在镀膜腔体内隔离出多个彼此独立的镀膜空间；在每次镀膜工艺时，既可同时对多个工件进行镀膜，从而提高高频射频电源的PECVD设备的镀膜效率，又能避免各镀膜空间彼此干扰。并通过增加移动装置，对工件与镀膜组件之间的距离进行调节，从而避免工件与镀膜组件的干涉。详细介绍参见如下说明。

如图1至图3所示，本申请提供一种镀膜腔体结构，包括盖体1、基座2、载物结构3和升降装置4。盖体1具有至少两个彼此独立的镀膜空间11；基座2位于盖体1的下方，基座2与盖体1围合形成容置腔，镀膜空间11位于容置腔内；载物结构3包括载物架31以及载物件32，载物架31位于容置腔内，载物件32用于承载待镀膜件；载物件32的数量至少为两个，各载物件32与各镀膜空间11对应设置，载物件32可分离地设置于载物架31内；升降装置4的至少部分位于容置腔内，升降装置4用于驱动载物件32靠近或远离对应的镀膜空间11，以使载物件32上的待镀膜件伸入至对应的镀膜空间11，或从镀膜空间11中退出。

其中，盖体1具体为镀膜腔体结构的上盖，基座2具体为镀膜腔体结构的基座。当盖体1与基座2合拢时，盖体1与基座2内围合形成容置腔，该容置腔用于容置载物结构3、待镀膜件以及升降装置4，该容置腔与外界环境隔离，为镀膜工艺提供特定的工艺环境，例如真空环境、高温环境等。盖体1上设置有多个彼此独立的镀膜空间11，各镀膜空间11内均设有用于供应反应气体的喷淋板5，用于形成射频电场的上部电极等，各镀膜空间11的电源、气源、温度均可独立控制，以使各镀膜空间11均能彼此独立地工作。本申请的镀膜腔体结构在每次镀膜时，能够同时对多个待镀膜件进行镀膜工作。由于各镀膜空间11之间为彼此独立地工作，当各镀膜空间11中的某个镀膜空间11故障或维护时，其他镀膜空间11仍可正常工作。各镀膜空间11之间的干扰小，对待镀膜件镀膜的质量更有保障。需要注意的是，在高频射频电源的驱动下，当各镀膜空间11的镀膜工作面积为A，镀膜腔体结构具有N个镀膜空间11时，该镀膜腔体结构的可镀膜的总工作面积为N*A。

载物结构3用于搭载和移动待镀膜件(例如硅片6)。其中，载物架31作为载物件32的托架，用于承载载物件32；载物件32作为待镀膜件的托架，用于承载待镀膜件。载物架31与载物件32可分离地设置是指：当载物件32承载于载物架31时，载物件32连接于载物架31上；当升降装置4驱动载物件32靠近镀膜空间11时，载物件32能够从载物架31上分离；当升降装置4驱动载物件32背离镀膜空间11时，载物件32能够重新落回至载物架31上。

由于载物件32的数量为多个，载物架31每次能够搭载多个载物件32工作，以提高镀膜腔体结构的工作效率。在上下料过程中，载物结构3可以在每个载物件32上搭载多个硅片6，同时也可以在载物架31上搭载多个载物件32。这种设计可以达到现有镀膜结构中在一个大面积载板上搭载多个硅片6的效果。更为重要的是，由于每个载物件32上的硅片6都是在对应的独立镀膜空间11中进行镀膜，因此该设计解决了现有的镀膜结构中大面积载板镀膜容易受到驻波效应影响的技术问题。

本申请的镀膜腔体结构在上下料时，由载物结构3带动待镀膜件进出容置腔。更具体的，由载物架31带动载物件32以及待镀膜件从容置腔的侧壁进入容置腔，容置腔中具有支承载物架31的支座，或者带动载物结构3自动进出容置腔的电动滑轨等。载物件32上具有用于放置待镀膜件的凹槽，凹槽内可放置多个彼此间隔布置的待镀膜件，以提高本申请的镀膜腔体结构生产效率。

载物架31具体由不锈钢材质制成，载物件32具体由碳-碳复合材质制成。

工件上料时，将硅片6放置在载物件32上，由载物架31将硅片6以及载物件32带入容置腔内；在升降装置4的驱动作用下，驱动载物件32朝镀膜空间11靠近，以将硅片6送入镀膜空间11；升降装置4驱动载物件32背离镀膜空间11时，硅片6从镀膜空间11中退出。工件下料时，由载物架31带动载物件32以及镀好膜的硅片6从容置腔中移出，通过机械臂将镀好膜的硅片6转运至下一工序。由于在上下料过程中，载物架31能够一次搭载多个载物件32，从而使得载物架31每次可携带多个硅片6进入或退出容置腔，以对多个硅片6同时进行镀膜或装卸，也即实现大面积载板同时搭载多个硅片6的搭载量，因此，该载物结构3还具有装卸效率高的优点。

升降装置4可独立地驱动载物件32升降，以实现载物件32靠近镀膜空间11，或远离镀膜空间11，由载物件32将待镀膜件托举至镀膜空间11中，或将待镀膜件从镀膜空间11中退出。在镀膜反应中，硅片6与喷淋板5之间的距离为影响镀膜反应的主要参数，通过控制升降装置4的升降，从而实现对这一参数的调节。

本申请的镀膜腔体结构包括但不限于应用在板式PECVD设备，可镀膜对象包括但不限于光伏电池、半导体元件等。

如图5和图7所示，在本申请的一个实施例中，载物架31上设有多个用于容置载物件32的容置槽311，容置槽311的底面设有用于升降装置4贯通的通道312。

通道312位于容置槽311的底部。升降装置4通过通道312贯通载物架31，以与载物件32可分离地设置，升降装置4驱动载物件32朝镀膜空间11靠近，或与镀膜空间11背离。通道312沿平行于容置槽311底面的截面形状具体可以为圆形或矩形。需要注意的是，为避免载物件32与容置槽311发生干涉，除载物件32的截面形状与容置槽311的截面形状对应外，载物件32的侧壁与容置槽311的侧壁之间具有容差(载物件32和容置槽311的公差，载物件32进出容置槽311时产生的偏差)间隙。为避免载物件32从通道312中掉落，载物件32沿升降装置4的升降方向的投影面积大于通道312沿升降装置4的升降方向的投影面积；

在本申请的一个实施例中，容置槽311的侧壁呈阶梯状，以支撑载物件32的底面。另外，容置槽311和载物件32的数量还需与镀膜空间11的数量对应，以使容置槽311和载物件32、载物件32和镀膜空间11能够一一对应。

如图4和图5所示，在本申请的一个实施例中，容置槽311的截面为倒梯形，即容置槽311的四个侧面为倾斜面，且容置槽311开口端的面积大于容置槽311底部的面积；对应的，载物件32的四个侧面也为与之匹配的倾斜面，载物件32与硅片6接触的一端为大端，载物件32与升降装置4接触的一端为小端。将容置槽311以及载物件32的侧面设置为倾斜面，能够起到导向作用，当载物件32落回至容置槽311时，容置槽311的倾斜面与载物件32的倾斜面配合，使载物件32始终处于容置槽311的正中位置，防止载物件32跑偏。

如图9所示，在本申请的一个实施例中，盖体1包括至少两个投影面积不等的镀膜空间11；对应的，载物件32上也包括至少两个投影面积不等的容置槽311。通过在盖体1上设置不同规格的镀膜空间11、在载物件32上设置不同规格的容置槽311，使得本申请的镀膜结构能够同时对不同规格的硅片6进行镀膜。

如图1至图3所示，在本申请的一个实施例中，载物件32可分离地设置于升降装置4上，升降装置4驱动载物件32伸入至镀膜空间11时，升降装置4与载物件32接触，升降装置4从通道312中退出时，升降装置4与载物件32分离。

为避免本申请的镀膜腔体结构在上下料时，升降装置4对载物结构3造成干涉，因此，当载物件32落回至容置槽311后，升降装置4再从通道312中脱离，与载物结构3彼此完全分离，从而避免载物结构3在移动时造成干涉。

如图1至图5所示，在本申请的一个实施例中，升降装置4包括托举部41和驱动杆42，驱动杆42可伸缩的连接于基座2，托举部41连接于驱动杆42伸入至容置腔的一端，托举部41设置于对应的通道312的下方，升降装置4驱动载物件32伸入至镀膜空间11时，托举部41贯穿于通道312，且与载物件32接触。

其中，托举部41是用于与载物结构3的底部接触，并托举载物件32升起的部分。工作时，托举部41的位置与通道312的位置对应，当托举部41升起时，能够伸入至通道312。需要注意的是，托举部41沿托举方向的投影面积需小于通道312沿托举方向的投影面积，以使托举部41能够顺利贯通于通道312。托举部41具体可以为托盘、托架等。驱动杆42用于提供驱动力，以驱动托举部41升降。当升降装置4驱动载物件32朝镀膜空间11靠近时，驱动杆42上升，由托举部41贯穿通道312，并将载物件32从载物架31上托举升起；当升降装置4驱动载物件32从镀膜空间11退出时，驱动杆42下降，托举部41托举载物件32落至容置槽311中后，再与载物件32分离。驱动杆42具体可以为电动推杆、气压/液压缸、丝杆传动、齿轮齿条传动等。

在本申请的一个实施例中，托举部41上具有加热装置7，加热装置7具体安装于托举部41的顶部。托举部41与载物结构3接触时，加热装置7与载物件32形成热传导，也即托举部41驱动载物件32从载物架31上升起时，加热装置7与载物件32接触并将加热装置7的热量直接传导至载物件32上，使待镀膜件升温更快，从而提高镀膜工作效率。通过载物件32将热量传导至待镀膜件，以使待镀膜件达到工艺温度，从而完成镀膜。由于托举部41可独立地驱动载物件32升降，在工作时，可分别控制各加热装置7的加热温度，使各镀膜空间11中的工艺温度更精准，避免大面积同时加热时容易出现的加热不均等现象。加热装置7具体可以为加热板、电热丝、电热管等。

如图6至图8所示，在本申请的一个实施例中，各容置槽311呈阵列排布于载物架31上，且各容置槽311彼此间隔地布置。

其中，容置槽311的数量具体可以为两个、三个、四个、五个等。在太阳能光伏电池生产的领域中，由于硅片6的形状通常为矩形，因此，将各容置槽311沿排与列的阵列形式排布在载物架31上，能够使载物件32以及硅片6的排布更加紧凑，以减少载物架31上空间的浪费；各容置槽311具体的排布方式可以为2*2、3*3、4*4等等。对应的，各镀膜空间11为与各载物件32的位置对应，各镀膜空间11在盖体1上也呈阵列排布。

如图1和图2所示，在本申请的一个实施例中，载物件32伸入至镀膜空间11时，载物件32与盖体1彼此间隔地设置。

为避免在载物件32的升降过程中，盖体1对载物件32造成干涉，需要载物件32与盖体1保持间隔设置。具体的，载物件32的顶面与盖体1之间的间隔用于待镀膜件在间隔空间内完成镀膜反应，载物件32四周的侧面与盖体1之间的间隔还便于镀膜空间中反应废气的排出。载物件32与盖体1之间的间隔既可以用于容置待镀膜件等，又能够便于镀膜空间中反应废气的排出。

如图1至图6所示，在本申请的一个实施例中，盖体1于面对基座2的一侧具有能够伸入至容置腔的凸缘12，凸缘12围合形成各镀膜空间11。

其中，凸缘12具体呈格栅状，格栅中的空格为镀膜空间11。更具体的，镀膜空间11的一侧为开口端，开口端朝向载物结构3以及待镀膜件，镀膜空间11的四周为凸缘12围合形成的侧壁，镀膜空间11的顶部安装有喷淋板5、上部电极等。凸缘12能够起到隔断各镀膜空间11的作用，防止各镀膜空间11的射频电场、反应气体等互相干涉。喷淋板5是用于向镀膜空间11中喷淋反应气体的部件，喷淋板5与盖体1的内壁具有间隙，反应气体通过该间隙与喷淋板5上的通孔，从而均匀流动到待镀膜件上。

其中，盖体1和凸缘12均为金属材质，盖体1、凸缘12和托举部41围合形成法拉第笼结构。法拉第笼结构是一种能够防止外部电场进入或内部电场逃出的金属笼体结构。通过法拉第笼结构的电场隔断作用，使各硅片6能够在对应的镀膜空间11中完成各自的镀膜反应，从而不会干扰到相邻的镀膜空间11中的镀膜反应。

本申请还提供一种上述镀膜腔体结构的镀膜方法：

在工作时，通过机械臂等设备，将硅片6放置在载物件32上；

将承载有载物件32的载物架31移入镀膜腔体结构的容置腔内，具体的，载物架31由平移轨道等装置，将硅片6、载物件32从基座2的侧壁送入镀膜腔体结构的容置腔内，且使各载物件32位于对应的镀膜空间11下方，使各镀膜空间11、硅片6、载物件32和升降装置4的位置一一对应；

通过抽真空装置将容置腔内抽至真空环境后，再通过反应气体供应结构，向各镀膜空间11内充入反应气体(例如硅烷和氨气)；

通过升降装置4驱动各载物件32升起，以至从载物架31上分离，再将硅片6送入至各镀膜空间11后，启动高频射频电源，将反应气体电离为等离子态；启动加热装置，使硅片6达到反应温度；待等离子体与硅片6表面发生反应后，生成所需的氮化硅膜；

在反应过程中，反应气体中的副产物(如氢气)逐渐从膜的表面脱离，并通过真空泵排出；

氮化硅膜达到所需厚度后，通过升降装置4驱动各载物件32回落至载物架31上，再由平移轨道将承载有硅片6、载物件32的载物架31从镀膜腔体结构的容置腔中移出，并转移至下一工序。

本申请还提供一种PECVD设备，包括上述实施例中的镀膜腔体结构，还包括但不限于上下料结构、抽真空结构、反应气体供应结构、冷却系统、安保监测系统、控制系统等部分。

上下料结构包括机械臂和平移轨道等。机械臂用于将硅片6放置在载物件32上，或将镀好膜的硅片6从载物件32上取出；平移轨道将载物架31移动至容置腔中。并使各镀膜空间11、硅片6和升降装置4的位置一一对应。

抽真空结构包括真空干泵、分子泵和控制阀等。为了减少氮气、氧气以及水蒸气对镀膜工艺的影响，抽真空结构一般采用真空干泵和分子泵进行抽气，真空干泵用于抽低度真空，与常用的机械油泵相比，可以避免油泵中的油气进入真空室污染基片。在真空干泵抽到一定压力以下后，打开控制阀，用分子泵抽至高度真空。

反应气体供应结构由控制阀、管道、喷淋板5和各种反应气体的气源构成。通过控制系统和控制阀的精确控制，将反应气体供给至喷淋板5，通过喷淋板5排入镀膜空间11。反应气体在射频电源的作用下，电离成等离子体，从而发生镀膜反应。

冷却系统为真空干泵和分子泵等提供冷却作用。安保监测系统用于监测设备各部分是否正常工作，并对异常部分提供警报。

由于该PECVD设备具有上述实施例中的镀膜腔体结构，因此，也具有上述实施例中的镀膜腔体结构的优点。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。