显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

在有机发光二极管(OLED)显示面板的相关技术中，有机发光层采用蒸镀工艺，因精度问题，常常导致两种颜色的发光层搭接在一起形成并联支路，导致漏电流的产生，使得低灰阶视效存在偷亮的问题。而现有做法是在像素定义层上开设凹槽以隔断子像素之间的发光层，但是在实际制程中，相邻子像素之间的发光层无法完全断裂，依旧存在电流横向导通的情况，也即横向漏电情况无法很好的解决。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板，可以提高两个相邻子像素之间的发光层隔断的成功率。

本申请实施例提供一种显示面板，其包括：

基板；

薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上；

平坦层，所述平坦层设置在所述薄膜晶体管结构层上；

阳极，所述阳极设置在所述平坦层上；

像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层上，所述像素定义层上设置有像素开口和隔断开口，所述像素开口暴露所述阳极，所述隔断开口位于所述像素开口的至少一侧；以及

发光层，所述发光层覆盖在所述像素定义层和所述阳极上；

其中，所述平坦层上设置有对应于所述隔断开口的凹槽，所述凹槽连通于所述隔断开口，所述凹槽位于所述阳极的至少一侧，所述像素定义层包括连接于所述隔断开口的侧壁的隔断部；

在所述显示面板的正投影方向上，所述隔断部悬空设置在所述凹槽的上方，所述发光层在所述隔断部处断开。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔断部靠近所述基板的一面连接于所述凹槽的侧壁面，在所述显示面板的正投影方向上，所述隔断部与所述凹槽的槽口部分重叠设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素定义层靠近所述平坦层的一侧形成有底切槽，所述底切槽连通于所述隔断开口的至少一侧，所述底切槽连通于所述凹槽靠近所述隔断部的区域，所述像素定义层还包括连接于所述隔断部远离所述隔断开口一侧的连接部；

其中，在所述显示面板的正投影方向上，所述连接部悬空设置在所述底切槽的上方，且所述隔断部与所述凹槽的槽口部分重叠设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，自所述基板向所述发光层的方向上，所述凹槽的宽度递增。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽的侧壁的坡度角大于或等于75度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽的深度大于或等于0.1微米，所述凹槽的深度大于所述发光层的厚度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽的深度等于所述阳极的厚度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切槽的深度等于所述阳极的厚度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔断部的宽度大于或等于0.1微米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔断部的坡度角介于40度至90度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔断部的坡度角大于或等于75度。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述显示面板的正投影图案中，所述凹槽沿着所述阳极的周缘方向延伸且形成一闭合的环状结构，所述隔断开口沿着所述阳极的周缘方向延伸且形成一闭合的环状结构。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述平坦层和所述像素定义层的材料相同，且均为光阻材料。

本申请实施例的显示面板在像素定义层上设置隔断开口，在平坦层上设置有对应于隔断开口的凹槽，凹槽连通于隔断开口，凹槽位于阳极的至少一侧，像素定义层包括连接于隔断开口的侧壁的隔断部；在显示面板的正投影方向上，隔断部悬空设置在凹槽的上方，所述发光层在隔断部处断开。

本实施例采用在像素定义层靠近平坦层的一侧形成具有隔断部和凹槽的底切结构以隔断发光层，提高了隔断发光层的成功率。

另外，底切结构由至少形成在凹槽内的、与阳极同一制程下形成的阳极材料被刻蚀后形成；由于形成阳极的材料分别与像素定义层和平坦层不同，故在刻蚀该阳极材料时，刻蚀液不会腐蚀像素定义层和平坦层，提高了形成底切结构的稳定性。

附图说明

图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；

图2是图1中A部分的放大图；

图3是本申请实施例提供的显示面板的正投影示意图；

图4是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S1的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S2的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S3的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S4的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S5的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤S6的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的；用语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。

本申请实施例提供一种显示面板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

请参照图1，本申请实施例提供一种显示面板10，其包括基板11、薄膜晶体管结构层12、平坦层13、阳极14、像素定义层15和发光层16。

薄膜晶体管结构层12设置在基板11上。平坦层13设置在薄膜晶体管结构层12上。阳极14设置在平坦层13上。像素定义层15设置在平坦层13上。发光层16覆盖在像素定义层15和阳极14上。

像素定义层15上设置有像素开口15a和隔断开口15b。像素开口15a暴露阳极14。隔断开口15b位于像素开口15a的至少一侧。

其中，平坦层13上设置有对应于隔断开口15b的凹槽13a。凹槽13a连通于隔断开口15b。凹槽13a位于阳极14的至少一侧。像素定义层15包括连接于隔断开口15b的侧壁的隔断部151。

在所述显示面板的正投影方向上，隔断部151悬空设置在凹槽13a的上方，发光层16在隔断部151处断开。

本实施例采用在像素定义层15靠近平坦层13的一侧形成具有隔断部151和凹槽13a的底切结构dq以隔断发光层16，提高了隔断发光层16的成功率。底切结构dq设置在相邻两个子像素之间，隔断相邻两个子像素的发光层，避免了相邻两个子像素的发光层连接，进而避免了横向漏电流传输至相邻的子像素导致偷亮缺陷。

另外，底切结构dq由至少形成在凹槽13a内的、与阳极14同一制程下形成的阳极材料被刻蚀后形成；由于形成阳极14的材料分别与像素定义层15和平坦层13不同，故在刻蚀该阳极材料时，刻蚀液不会腐蚀像素定义层15和平坦层13，提高了形成底切结构dq的稳定性。

需要说明的是，显示面板100还包括阴极，阴极设置发光层16上。阴极在隔断部151处呈连续连接状态。阳极14电连接于薄膜晶体管结构层12的薄膜晶体管。

可选的，隔断部151靠近基板11的一面连接于凹槽13a的侧壁面。在显示面板100的正投影方向上，隔断部151与凹槽13a的槽口部分重叠设置。也即，隔断部151与凹槽13a界定形成底切结构dq。

其中，隔断部151至少设置在隔断开口15b的一侧。也就是说，底切结构dq可以是单侧底切结构，也可以是双侧底切结构。比如，隔断部151可以设置在隔断开口15b靠近像素开口15a的一侧，或者，隔断部151设置在隔断开口15b远离像素开口15a的一侧，亦或者是，隔断部151设置在隔断开口15b的相对侧。

为了更大程度地提高隔断发光层16的成功率，本实施例选取双侧底切结构dq为例进行说明，但并不限于此。需要说明的是，双侧底切结构中的隔断部151和凹槽13a的结构同样适用于单侧底切结构。

可选的，一隔断部151位于隔断开口15b靠近像素开口15a的一侧，另一隔断部151位于隔断开口15b远离像素开口15a的一侧。

像素定义层15还包括第一像素定义部152和第二像素定义部153。第一像素定义部152连接于一隔断部151和像素开口15a之间。第一像素定义部152覆盖阳极14的边缘区域，且接触于平坦层13远离基板11一侧的表面。

第二像素定义部153连接于另一隔断部151远离像素开口15a的一侧。第二像素定义部153接触于平坦层13远离基板11一侧的表面。

可选的，自基板11向发光层16的方向上，凹槽13a的宽度递增。也即凹槽13a为上宽下窄的结构。比如，凹槽13a可以为类倒梯形结构，凹槽13a的侧壁可以是斜面或曲面。

可选的，凹槽13a的侧壁的坡度角a1大于或等于75度，比如可以是80度、81度、82度、83度、84度、85度、86度、87度、88度、89度或90度。

凹槽13a的坡度角a1选取大于或等于75度，以提高隔断发光层16的成功率。

可选的，凹槽13a的深度s大于或等于0.1微米。凹槽13a的深度s大于发光层16的厚度。比如，凹槽13a的深度s可以是0.1微米、0.2微米、0.3微米、0.4微米、0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.8微米、0.9微米、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米或10微米，等等。

其中，凹槽13a的深度s大于发光层16的厚度，是隔断发光层16的基础条件。另外，凹槽13a的深度s大于或等于0.1微米，不仅提高了隔断发光层16的成功率，而且是形成坡度角a1的基础。若凹槽13a的深度s小于0.1微米，那么在工艺上则难以形成坡度角a1。

可以理解的是，凹槽13a的深度s越深，则隔断发光层16的成功率越高。

可选的，凹槽13a的深度s等于阳极14的厚度。阳极14的厚度大于发光层16的厚度。

需要解释的是，在形成底切结构dq的制程中，先在平坦层13上形成凹槽13a，随后在凹槽13a内形成阳极材料，阳极材料与阳极采用相同材料且用同一光罩制程形成；随后形成图案化的像素定义层15，隔断开口15b的暴露阳极材料的部分，阳极材料的两侧边缘区域覆盖有像素定义层15；接着，采用刻蚀液通过隔断开口15b刻蚀掉阳极材料，形成底切结构dq。

故采用凹槽13a的深度s等于阳极14的厚度，便于形成平坦的表面；且在提高隔断发光层16成功率的基础上，可降低隔断开口15b的刻蚀深度，降低了形成隔断开口15b的难度，以及降低材料残留的风险。

可选的，平坦层13和像素定义层15的材料相同，且均为光阻材料。由于平坦层13和像素定义层15均为相同的光阻材料，使得在刻蚀凹槽13a内的阳极材料时，刻蚀液不会腐蚀平坦层13和像素定义层15，提高了底切结构dq形态的完整性，进而提高了底切结构dq的稳定性。其次，平坦层13和像素定义层15的材料均为相同的光阻材料，避免了频繁更换材料的问题，可提高制程的效率，而且二者采用光阻材料，可直接进行曝光显影的图案化处理，进一步提高了制程的效率。

可选的，隔断部151的坡度角a2介于40度至90度。比如可以是40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度、85度或90度。

进一步的，隔断部151的坡度角a2大于或等于75度。隔断部151的坡度角a2选取大于或等于75度，以提高其隔断发光层16的成功率。

可选的，隔断部151的宽度h大于或等于0.1微米。比如，隔断部151的宽度h可以是0.1微米、0.2微米、0.3微米、0.4微米、0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.8微米、0.9微米、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米或10微米，等等。

其中，隔断部151的宽度h大于或等于0.1，不仅提高其隔断发光层16的成功率，而且用于保证形成大于或等于75度的坡度角a2。

可选的，隔断部151的坡度角a2大于凹槽13a的侧壁的坡度角a1，坡度角a1相对较小，可使得凹槽13a的宽度更大，提高隔断发光层16的成功率；而坡度角a2较大，可更好地隔断发光层16。

请参照图3，可选的，在显示面板100的正投影图案中，凹槽13a沿着阳极14的周缘方向延伸且形成一闭合的环状结构。隔断开口15b沿着阳极14的周缘方向延伸且形成一闭合的环状结构。

其中，一个像素开口15a对应一个子像素。采用底切结构dq包围子像素，使得子像素的发光层16的四周均被隔断，全面避免了漏电流的横向传输至另一子像素。

在一些实施例中，底切结构dq也可以设置在阳极14的单侧、双侧或三侧等。

需要说明的是，子像素的布局可以是多种多样，本申请不作限制。在一些实施例中，也可以是所有的子像素均对应设置一个环状的底切结构dq。其中，底切结构dq的设置可以根据子像素之间的距离进行设定，若距离较远，不存在发光层的连接风险，则可不设置底切结构dq。

在一些实施例中，在显示面板100的正投影图案中，底切结构dq也可以是其他形态，比如为直条状、波纹状或锯齿状，底切结构dq拦断在相邻的两个子像素之间。其中，采用波纹状或锯齿状等凹凸条形态的底切结构dq，相较于直条形态的底切结构dq，具有更强的隔断性能。

在本实施例的显示面板100的制备方法中，其包括以下步骤：

步骤S1，请参照图4，在基板11上形成薄膜晶体管结构层12。

其中，薄膜晶体管结构层12包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括电极SD。电极SD是源极或漏极。在一些实例中，电极SD也可以是转接走线，阳极14通过转接走线连接于薄膜晶体管。随后转入步骤S2。

步骤S2，请参照图5，在薄膜晶体管结构层12上形成图案化的平坦层13。

其中，平坦层13上设置有凹槽13a和过孔13b，过孔13b暴露电极SD。凹槽13a位于过孔13b的一侧。

可选的，平坦层13的材料为有机光阻。采用半色调掩模板对应平坦层13进行曝光显影处理，形成凹槽13a和过孔13b。

随后转入步骤S3。

步骤S3，请参照图6，在平坦层13上形成阳极14和阳极材料xs。

可选的，采用蒸镀工艺或气相沉积工艺，在平坦层13上形成导电材料层；随后采用光刻工艺对导电材料层进行图案化处理，形成阳极14和阳极材料xs。阳极材料xs形成在凹槽13a内，阳极14通过过孔13b连接于电极SD。

随后转入步骤S4。

步骤S4，请参照图7，在平坦层13上形成像素定义层15，像素定义层15上设置有像素开口15a和隔断开口15b。

可选的，在平坦层13上形成一层有机光阻材料层，有机光阻材料层覆盖阳极14和阳极材料xs，随后，采用半色调掩模板对有机光阻材料层进行曝光显影形成图案化的像素定义层15。其中，在显示面板100的正投影图案中，像素开口15a的开口面积小于阳极14的面积，隔断开口15b的开口面积小于阳极材料xs的面积。

随后转入步骤S5。

步骤S5，请参照图8，在像素定义层15上形成图案化的光阻保护层pr，光阻保护层pr上开设有开孔p1，开孔p1对应于隔断开口15b且暴露阳极材料xs。光阻保护层pr覆盖阳极14，以保护阳极14。

接着，采用刻蚀液刻蚀掉阳极材料xs，以形成底切结构dq。而阳极14被光阻保护层pr保护，不受刻蚀液的影响。

随后转入步骤S6。

步骤S6，请参照图9，去除光阻保护层pr，并在像素定义层15上形成发光层16。发光层16在隔断部151处断开。

需要说明的是，在显示面板100的制程中，还包括在发光层16上形成阴极。

本申请的显示面板100的制备方法，底切结构dq由至少形成在凹槽13a内的、与阳极14同一制程下形成的阳极材料xs被刻蚀后形成；由于形成阳极材料xs的材料分别与像素定义层15和平坦层13不同，故在刻蚀该阳极材料xs时，刻蚀液不会腐蚀像素定义层15和平坦层13，提高了底切结构dq形态的完整性，进而提高了底切结构dq的稳定性。

请参照图10，在本申请的另一实施例的显示面板100中，基于上述实施例的显示面板100的的基础上，增设一底切槽15c。

具体的，像素定义层15靠近平坦层13的一侧形成有底切槽15c。底切槽15c连通于隔断开口15b的至少一侧。底切槽15c连通于凹槽13a靠近隔断部151的区域。像素定义层15还包括连接于隔断部151远离隔断开口15b一侧的连接部154。

在显示面板100的正投影方向上，连接部154悬空设置在底切槽15c的上方，且隔断部151与凹槽13a的槽口部分重叠设置。也即，隔断部151、连接部154、底切槽15c和凹槽13a界定形成底切结构dq。

相较于上述实施例，增设底切槽15c，加深了底切结构dq的深度f和宽度，从而提高了隔断发光层16的成功率。

其中，基于上述实施例的显示面板100的制备方法，可在形成阳极材料xs时，使得阳极材料xs延伸出凹槽13a，即阳极材料xs的两侧区域部分延伸设置在凹槽13a的相对侧。当采用刻蚀液去除阳极材料xs时，一同形成凹槽13a和底切槽15c。

即可采用上述实施例的显示面板100的制程，形成深度和宽度更大的底切结构dq，提高隔断发光层16的成功率。

可选的，底切槽15c的深度等于阳极14的厚度。这样的设置，使得在形成阳极材料xs时，不用额外减薄阳极材料xs延伸出凹槽13a的部分，不用增加制程。

另外，像素定义层15还包括第一像素定义部152和第二像素定义部153。第一像素定义部152连接于一连接部154和像素开口15a之间。第一像素定义部152覆盖阳极14的边缘区域，且接触于平坦层13远离基板11一侧的表面。

第二像素定义部153连接于另一连接部154远离像素开口15a的一侧。第二像素定义部153接触于平坦层13远离基板11一侧的表面。

本申请实施例的显示面板100在像素定义层15上设置隔断开口15b，在平坦层13上设置有对应于隔断开口15b的凹槽13a。凹槽13a连通于隔断开口15b，凹槽13a位于阳极14的至少一侧。像素定义层15包括连接于隔断开口15b的侧壁的隔断部151。在显示面板100的正投影方向上，隔断部151悬空设置在凹槽13a的上方，发光层16在隔断部151处断开。

本实施例采用在像素定义层15靠近平坦层13的一侧形成具有隔断部151、连接部154和凹槽13a的底切结构dq以隔断发光层16，提高了隔断发光层16的成功率。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。