显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置被集成到诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视的各种电子装置中。

显示装置可以包括发送和接收用于无线通信的电磁波的天线。例如，显示装置可以包括执行诸如长期演进(LTE)的第4代(4G)移动通信和第5代(5G)移动通信的天线。电磁波的频带根据通信技术而变化，并且天线的形状或长度根据电磁波的频带而变化。因此，显示装置包括其形状或长度根据电磁波的频带而确定的天线电极。

发明内容

本公开的至少一个实施例提供了一种包括天线电极并且能够进行诸如手势感测的接近感测的显示装置。

根据本公开的实施例，显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区域、设置在显示区域周围的非显示区域以及从非显示区域突出的天线区域；天线电极，在非显示区域中设置在基底的一个表面上；馈电线，在天线区域中设置在基底的一个表面上并且与天线电极分隔开；第一电极，在天线区域和非显示区域中设置在基底的一个表面上并且设置在馈电线的一侧；以及第二电极，在天线区域和非显示区域中设置在基底的一个表面上并且设置在馈电线的另一侧。第一电极与第二电极之间的距离从馈电线的一端朝向天线电极增加。

馈电线与第一电极之间的最小距离可以小于天线电极与第一电极之间的最小距离。

馈电线与第二电极之间的最小距离可以小于天线电极与第二电极之间的最小距离。

天线区域和非显示区域可以包括其中设置有馈电线的馈电区域和其中设置有天线电极的辐射区域。第一电极可以设置在馈电区域和辐射区域中。第一电极的宽度在辐射区域中可以从馈电区域和辐射区域的边界朝向第一电极的端部减小。

天线区域和非显示区域可以包括其中设置有馈电线的馈电区域和其中设置有天线电极的辐射区域。第二电极可以设置在馈电区域和辐射区域中。第二电极的宽度在辐射区域中可以从馈电区域和辐射区域的边界朝向第二电极的端部减小。

馈电线可以在一个方向上延伸。显示装置还可以包括从馈电线的在与所述一个方向相交的另一方向上的一侧突出的短截线。

天线电极可以是具有矩形平面形状的贴片天线电极。

显示装置还可以包括在天线区域中设置在基底的另一表面上的第三电极。

第三电极可以在基底的厚度方向上与馈电线、第一电极和第二电极叠置。

第三电极的厚度可以大于天线电极的厚度、馈电线的厚度、第一电极的厚度和第二电极的厚度。

天线电极的厚度、馈电线的厚度、第一电极的厚度和第二电极的厚度可以彼此相等。

显示装置还可以包括：第一天线垫、第二天线垫、第三天线垫和天线电路板，第一天线垫设置在馈电线的一端处，第二天线垫设置在第一电极的一端处，第三天线垫设置在第二电极的一端处，天线电路板连接到第一天线垫、第二天线垫和第三天线垫；导电粘合构件，设置在第一天线垫、第二天线垫和第三天线垫中的每个与天线电路板之间；主电路板，包括连接到设置在天线电路板的一端处的第一连接器的第二连接器；以及天线驱动电路，设置在主电路板上，并且被构造为将电磁波信号发送到天线电极或从天线电极接收电磁波信号。

显示装置还可以包括在非显示区域中围绕显示区域的坝。天线电极可以设置在坝与基底的边缘之间。

根据本公开的实施例，显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区域、设置在显示区域周围的非显示区域以及从非显示区域突出的天线区域；天线电极，在非显示区域中设置在基底的一个表面上；馈电线，在天线区域中设置在基底的一个表面上，其中，馈电线与天线电极分隔开并且在一个方向上延伸；第一电极，在天线区域和非显示区域中设置在基底的一个表面上并且在馈电线的一侧；第二电极，在天线区域和非显示区域中设置在基底的一个表面上并且在馈电线的另一侧；以及短截线，从馈电线的在与所述一个方向相交的另一方向上的一侧突出。

第一电极与第二电极之间的距离可以从馈电线的一端朝向天线电极增加。

馈电线与第一电极之间的最小距离可以小于天线电极与第一电极之间的最小距离。

馈电线与第二电极之间的最小距离可以小于天线电极与第二电极之间的最小距离。

天线区域和非显示区域可以包括其中设置有馈电线的馈电区域和其中设置有天线电极的辐射区域。第一电极可以设置在馈电区域和辐射区域中。第一电极的宽度在辐射区域中可以从馈电区域和辐射区域的边界朝向第一电极的一端减小。

天线区域和非显示区域可以包括其中设置有馈电线的馈电区域和其中设置有天线电极的辐射区域。第二电极可以设置在馈电区域和辐射区域中。第二电极的宽度在辐射区域中可以从馈电区域和辐射区域的边界朝向第二电极的一端减小。

第二电极的面积可以大于第一电极的面积。

根据本公开的实施例，显示装置包括：基底；栅极绝缘层，设置在基底的一个表面上；薄膜晶体管的栅电极，设置在栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，设置在薄膜晶体管的栅电极上；第一连接电极，设置在第一层间绝缘层上，并且穿过穿透栅极绝缘层和第一层间绝缘层的接触孔连接到薄膜晶体管的有源层；第一有机层，设置在第一连接电极上；像素电极，设置在第一有机层上；以及天线电极、馈电线、第一电极和第二电极，设置在基底的所述一个表面上并且彼此分隔开。天线电极、馈电线、第一电极和第二电极中的每个包括：第一电极层，由与薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料制成；第二电极层，由与第一连接电极的材料相同的材料制成；以及第三电极层，由与像素电极的材料相同的材料制成。

显示装置还可以包括：发光层，设置在像素电极上；共电极，设置在发光层上；封装层，设置在共电极上；以及传感器电极，设置在封装层上。天线电极、馈电线、第一电极和第二电极中的每个还可以包括由与传感器电极的材料相同的材料制成的第四电极层。

显示装置还可以包括设置在基底的另一表面上的第三电极。第三电极的厚度大于第一电极层的厚度、第二电极层的厚度、第三电极层的厚度和第四电极层的厚度。

根据根据示例性实施例的显示装置，天线模块形成在从显示面板的非显示区域的一侧突出的天线区域中以及主区域的与天线区域相邻的非显示区域中。由于天线区域在显示面板下面弯曲并且仅天线电极在非显示区域中形成在坝外侧，因此不需要在显示面板中针对天线模块提供单独的空间。

根据根据示例性实施例的显示装置，通过在斜槽形辐射区域中包括以岛图案形成的天线电极，可以减小从馈电线在辐射区域中辐射的电磁波受到外部电介质和导体的影响。另外，在天线电极与馈电线之间匹配阻抗。

根据根据示例性实施例的显示装置，通过经由包括从馈电线的一侧突出的短截线来改变电磁波的辐射图案的相位，可以增加天线的辐射性能。

附图说明

图1和图2是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图3和图4是根据一个或更多个实施例的显示装置的侧视图。

图5和图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图7和图8是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图9是图1的显示区域的布局图。

图10是图9的区域Z的布局图。

图11是图1的天线区域的平面图。

图12是图1的天线区域的仰视图。

图13是沿着图10的线A-A'截取的显示装置的剖视图。

图14是沿着图11的线B-B'截取的显示装置的剖视图。

图15是沿着图11的线C-C'截取的显示装置的剖视图。

图16是沿着图1的线D-D'截取的显示装置的剖视图。

图17是根据一个或更多个实施例的作为天线模块的频率的函数的天线模块的反射系数的曲线图。

图18示出了根据一个或更多个实施例的使用天线的接近触摸感测。

图19和图20是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图21是图19的天线区域的平面图。

图22是图19的天线区域的仰视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更充分地描述本公开的实施例。在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。

在此，当两个或更多个元件(元素)或值被描述为彼此基本上相同或彼此大约相等时，将理解的是，元件(元素)或值彼此相同，元件(元素)或值在测量误差内彼此相等，或者如果可测量地不相等，则如由本领域普通技术人员将理解的，元件(元素)或值在数值上足够接近以在功能上彼此相等。例如，如在此所使用的“大约(约)”包括所陈述的值，并且意指：考虑到所提及的测量和与特定量的测量有关的误差(诸如测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，如由本领域普通技术人员所理解的，“大约(约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内。此外，将理解的是，虽然参数在此可以被描述为具有“大约(约)”特定值，但是根据示例性实施例，如将由本领域普通技术人员所理解的，该参数可以精确地是特定值或在测量误差内近似是特定值。

将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”、“结合到”另一组件或“与”另一组件“相邻”时，它可以直接在所述另一组件上、直接连接到、直接结合到所述另一组件或与所述另一组件紧邻，或者可以存在居间组件。

还将理解的是，除非上下文另有明确说明，否则每个实施例内的特征或方面的描述可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。因此，在此所描述的所有特征和结构可以以任何期望的方式混合和匹配。

图1和图2是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

参照图1和图2，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以合并到便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统和超移动PC(UMPC))中。可选地，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以是电视、笔记本计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置的显示单元。可选地，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以合并到诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。可选地，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以合并到车辆的仪表板、车辆的中央仪表板、设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)以及代替车辆的侧视镜的室内镜显示器中，或者可以放置在前排座椅的后部作为用于车辆的后排座椅的娱乐装置。

在本公开中，第一方向(X轴方向)是显示装置10的短边方向，诸如显示装置10的水平方向。第二方向(Y轴方向)是显示装置10的长边方向，诸如显示装置10的竖直方向。第三方向(Z轴方向)是显示装置10的厚度方向。第一方向(X轴方向)上的短边和第二方向(Y轴方向)上的长边交汇的边缘可以以预定曲率成圆或者可以形成直角。

根据一个或更多个实施例的显示装置10包括显示面板300、显示电路板310、显示驱动电路320、触摸驱动电路330、天线电路板340和第一连接器341。

显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板300可以是使用包括有机发光层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用微型LED的微型发光二极管显示面板、使用包括量子点发光层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板和使用包括无机半导体的无机发光器件的无机发光显示面板中的一种。

显示面板300是柔性并且可以容易地弯曲、折叠或卷曲的柔性显示面板。例如，显示面板300是可以折叠和展开的可折叠显示面板、显示表面弯曲的弯曲显示面板、除了显示表面之外的区域弯曲的弯曲显示面板、可以卷曲的可卷曲显示面板和可以伸展的可伸展显示面板中的一个。

显示面板300包括主区域MA、从主区域MA的一侧突出的子区域SBA以及从主区域MA的另一侧突出的天线区域AA。

主区域MA包括显示图像的显示区域DA和作为显示区域DA的外围区域的非显示区域NDA。显示区域DA占据主区域MA的大部分。显示区域DA设置在主区域MA的中心。非显示区域NDA在显示区域DA的外部。非显示区域NDA是显示面板300的边缘区域。

子区域SBA从主区域MA的一侧在第二方向(Y轴方向)上突出。例如，主区域MA的一侧是主区域MA的底侧。如图1中所示，子区域SBA在第一方向(X轴方向)上的长度小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度，并且子区域SBA在第二方向(Y轴方向)上的长度小于主区域MA在第二方向(Y轴方向)上的长度，但是本公开的实施例不必限于此。

如图2中所示，子区域SBA可以弯曲并且设置在显示面板300下面。例如，子区域SBA在第三方向(Z轴方向)上与显示面板300的主区域MA叠置。

显示垫DPD设置在子区域SBA的一个侧边缘上。例如，子区域SBA的一个侧边缘是子区域SBA的底边缘。显示电路板310附着到子区域SBA的显示垫DPD上。显示电路板310使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电膏的导电粘合构件附着到子区域SBA的显示垫DPD。显示电路板310是包括可以弯曲的柔性印刷电路板(FPCB)、刚性并且不容易弯曲的刚性印刷电路板(PCB)或者刚性印刷电路板和柔性印刷电路板两者的复合印刷电路板。

显示驱动电路320设置在显示面板300的子区域SBA中。显示驱动电路320接收控制信号和电力电压，并且产生和输出驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动电路320是集成电路(IC)。

触摸驱动电路330设置在显示电路板310上。触摸驱动电路330是集成电路。触摸驱动电路330附着到显示电路板310上。

触摸驱动电路330通过显示电路板310电连接到显示面板300的传感器电极层的传感器电极。因此，触摸驱动电路330可以将触摸驱动信号输出到传感器电极中的每个并且感测在传感器电极的互电容中充入的电压。

显示面板300的传感器电极层感测接触触摸而不是接近触摸。接触触摸指物体(诸如人手指或笔)与设置在传感器电极层上的覆盖窗的直接接触。接近触摸指物体(诸如人的手指或笔)放置在覆盖窗附近(诸如悬停)。

供应驱动显示面板300的显示像素和显示驱动电路320的驱动电压的电源单元附加地设置在显示电路板310上。可选地，电源单元与显示驱动电路320集成，并且显示驱动电路320和电源单元是一个集成电路。

天线区域AA包括天线电极、馈电线以及用于无线发送和接收的天线模块的电极中的至少一个。天线区域AA从主区域MA的另一侧在第二方向(Y轴方向)上突出。例如，主区域MA的另一侧是主区域MA的上侧。如图1中所示，天线区域AA在第一方向(X轴方向)上的长度小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度，并且天线区域AA在第二方向(Y轴方向)上的长度小于主区域MA在第二方向(Y轴方向)上的长度，但是本公开的实施例不必限于此。

如图2中所示，天线区域AA可以弯曲并且设置在显示面板300下面。天线区域AA在第三方向(Z轴方向)上与显示面板300的主区域MA叠置。

天线垫APD设置在天线区域AA的一个边缘处。例如，天线区域AA的一个边缘是天线区域AA的尖端边缘。天线电路板340附着到天线区域AA的天线垫APD上。天线电路板340使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件附着到天线区域AA的天线垫APD上。天线电路板340的一侧包括连接到其上安装有天线驱动电路(图4的350)的主电路板700(见图4)的第一连接器341。天线电路板340是可弯曲的柔性印刷电路板(FPCB)。

图3和图4是根据一个或更多个实施例的显示装置的侧视图。

参照图3和图4，根据一个或更多个实施例的显示装置10包括显示面板300、偏振膜PF、覆盖窗CW和面板底盖PB。显示面板300可以包括基底SUB、显示层DISL、封装层ENC和传感器电极层SENL。

基底SUB由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。基底SUB是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。

显示层DISL设置在基底SUB的主区域MA中。显示层DISL显示图像并且包括发光区域。显示层DISL包括其中形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管层和在发光区域中的、其中设置有发射光的发光元件的发光元件层。

在显示层DISL的显示区域DA中，设置有驱动发光区域中的发光元件的扫描线、数据线和电源线。在显示层DISL的非显示区域NDA中，设置有将扫描信号输出到扫描线的扫描驱动器以及使数据线和显示驱动电路320连接的扇出线。

封装层ENC设置在显示层DISL上。封装层ENC封装显示层DISL的发光元件层，并且防止氧和湿气渗透到显示层DISL的发光元件层中。封装层ENC设置在显示层DISL的顶表面和侧表面上。

传感器电极层SENL设置在显示层DISL上。传感器电极层SENL包括传感器电极。传感器电极层SENL使用传感器电极来感测触摸。

偏振膜PF设置在传感器电极层SENL上。偏振膜PF包括第一基体构件、线性偏振板、诸如λ/4板(四分之一波板)的相位延迟膜和第二基体构件。第一基体构件、相位延迟膜、线性偏振板和第二基体构件顺序地堆叠在传感器电极层SENL上。

覆盖窗CW设置在偏振膜PF上。覆盖窗CW通过透明粘合构件(诸如光学透明粘合(OCA)膜)附着到偏振膜PF。

面板底盖PB设置在显示面板300下面。面板底盖PB通过粘合构件附着到显示面板300的下(或底)表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板底盖PB包括吸收外部入射光的至少一个光阻挡构件、吸收外部冲击的缓冲构件和/或从显示面板300散热的散热构件。

光阻挡构件设置在显示面板300下面。光阻挡构件阻挡光透射，以防止从显示面板300上方观看到设置在光阻挡构件下面的组件(诸如显示电路板310)。光阻挡构件包括诸如黑色颜料或黑色染料的光吸收材料。

缓冲构件设置在光阻挡构件下面。缓冲构件吸收外部冲击并且防止对显示面板300的损坏。缓冲构件可以由单层或多层形成。例如，缓冲构件由诸如氨基甲酸乙酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯等的聚合物树脂形成，或者包括诸如橡胶、氨基甲酸乙酯类材料或通过使丙烯酸类材料泡沫模制而形成的海绵的弹性材料。

散热构件设置在缓冲构件下面。散热构件包括包含石墨或碳纳米管的第一散热层以及由屏蔽电磁波并且导热的薄金属膜(诸如铜、镍、铁素体或银)形成的第二散热层。

如图4中所示，基底SUB的子区域SBA可以弯曲并且设置在显示面板300下面。基底SUB的子区域SBA通过第一粘合构件391附着到面板底盖PB的下表面。第一粘合构件391可以是压敏粘合剂。

另外，如图4中所示，基底SUB的天线区域AA可以弯曲并且设置在显示面板300下面。基底SUB的天线区域AA通过第二粘合构件392附着到面板底盖PB的下表面。第二粘合构件392可以是压敏粘合剂。

显示电路板310使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件附着到基底SUB的子区域SBA的显示垫DPD。显示电路板310包括连接到柔性电路板312的连接器311。柔性电路板312通过连接器352连接到主电路板700。

触摸驱动电路330设置在显示电路板310上。触摸驱动电路330基于由显示面板300的传感器电极层的传感器电极中的每个感测的电信号的变化来产生触摸数据，并且将触摸数据传输到主电路板700的主处理器710。主处理器710通过分析触摸数据来计算触摸发生的触摸坐标。

天线电路板340使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件附着到基底SUB的天线区域AA的天线垫APD。连接器351将天线电路板340连接到主电路板700。天线区域AA通过天线电路板340连接到主电路板700。

主电路板700是不容易弯曲的刚性印刷电路板(PCB)。主处理器710和天线驱动电路350设置在主电路板700上。

天线驱动电路350通过天线电路板340电连接到显示面板300的天线电极。因此，天线驱动电路350可以接收由天线电极接收的电磁波信号，并且将电磁波信号发送到天线电极。天线电路板340是集成电路(IC)。

天线驱动电路350处理发送到天线电极和从天线电极接收的电磁波信号。例如，天线驱动电路350改变由天线电极接收的电磁波信号的振幅。可选地，天线驱动电路350除改变由天线电极接收的电磁波信号的振幅之外还改变由天线电极接收的电磁波信号的相位。天线驱动电路350将所处理的电磁波信号发送到移动通信模块。移动通信模块设置在主电路板700上。

另外，天线驱动电路350改变从移动通信模块接收的电磁波信号的振幅。可选地，天线驱动电路350除改变从移动通信模块接收的电磁波信号的振幅之外还改变从移动通信模块接收的电磁波信号的相位。天线驱动电路350将所处理的电磁波信号发送到天线电极。

图5和图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。图7和图8是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图5和图6的实施例与图1和图2的实施例的不同之处在于，天线区域AA从主区域MA的左侧在第一方向(X轴方向)上突出。图7和图8的实施例与图1和图2的实施例的不同之处在于，天线区域AA从主区域MA的右侧在第一方向(X轴方向)上突出。在图5至图8中，可以省略重复图1和图2的实施例的描述的描述。

如图5至图8中所示，在一些实施例中，天线区域AA从主区域MA的一侧突出，并且主区域MA的一侧可以是主区域MA的上侧、下侧、左侧和右侧中的一个。

当天线区域AA从主区域MA的下侧在第二方向(Y轴方向)上突出时，天线区域AA在第一方向(X轴方向)上与子区域SBA分隔开。天线区域AA在第一方向(X轴方向)上的长度小于子区域SBA在第一方向(X轴方向)上的长度，并且天线区域AA在第二方向(Y轴方向)上的长度小于子区域SBA在第二方向(Y轴方向)上的长度，但是本公开的实施例不必限于此。

图9是图1的显示区域的布局图。

图9示出了传感器电极层SENL的传感器电极SE包括以互电容法驱动的两种类型的电极(驱动电极TE和感测电极RE)，互电容法在将驱动信号传输到驱动电极TE之后感测通过感测电极RE充入的电压，但是本公开的实施例不必限于此。在图9中，为了便于说明，仅示出了传感器电极SE(驱动电极TE和感测电极RE)与虚设图案DE。

参照图9，在实施例中，显示区域DA包括传感器电极SE和虚设图案DE。传感器电极SE通过形成互电容来感测物体或人的触摸。

传感器电极SE包括驱动电极TE和感测电极RE。感测电极RE可以被定义为第一传感器电极，驱动电极TE可以被定义为第二传感器电极，连接到感测电极RE的感测线可以被定义为第一传感器线，并且连接到驱动电极TE的驱动线可以被定义为第二传感器线。可选地，驱动电极TE可以被定义为第一传感器电极，感测电极RE可以被定义为第二传感器电极，驱动线可以被定义为第一传感器线，并且感测线可以被定义为第二传感器线。

显示区域DA包括多个感测电极组RG和多个驱动电极组TG。

多个感测电极组RG在第一方向(X轴方向)上延伸并且在第二方向(Y轴方向)上布置。多个感测电极组RG中的每个包括多个感测电极RE。在多个感测电极组RG中的每个中，感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上布置。在多个感测电极组RG的每个中，感测电极RE在第一方向(X轴方向)上电连接。例如，在第一方向(X轴方向)上相邻的感测电极RE彼此连接，但是在第二方向(Y轴方向)上相邻的感测电极RE彼此电分离。

多个驱动电极组TG在第二方向(Y轴方向)上延伸并且在第一方向(X轴方向)上布置。多个驱动电极组TG中的每个包括多个驱动电极TE。在多个驱动电极组TG的每个中，驱动电极TE在第二方向(Y轴方向)上布置。在多个驱动电极组TG的每个中，多个驱动电极TE在第二方向(Y轴方向)上电连接。例如，在第二方向(Y轴方向)上相邻的驱动电极TE彼此连接，但是在第一方向(X轴方向)上相邻的驱动电极TE彼此电分离。

虚设图案DE中的每个被驱动电极TE或感测电极RE围绕。虚设图案DE中的每个与驱动电极TE或感测电极RE电分离。虚设图案DE中的每个与驱动电极TE或感测电极RE分隔开。虚设图案DE中的每个电浮置。

图9示出了驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE中的每个具有菱形平面形状，但是实施例不必限于此。例如，在其它实施例中，驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE中的每个具有除了菱形之外的平坦形状(诸如除了菱形之外的多边形、圆形或椭圆形)。

多个感测电极组RG与感测线一一对应地连接。例如，多个感测电极组RG中的每个在右端或左端处连接到感测线。感测线连接到子区域SBA的显示垫DPD中的一些。因此，感测线通过显示垫DPD中的一些和显示电路板310电连接到触摸驱动电路330。

多个驱动电极组TG与驱动线一一对应地连接。例如，多个驱动电极组TG中的每个在下端和/或上端处连接到驱动线。驱动线连接到子区域SBA的其它显示垫DPD。因此，感测线通过其它显示垫DPD和显示电路板310电连接到触摸驱动电路330。

图10是图9的区域Z的布局图。

参照图10，在实施例中，由于驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE设置在同一层，因此它们彼此分隔开。即，在驱动电极TE与感测电极RE之间形成了间隙。另外，在驱动电极TE与虚设图案DE之间以及在感测电极RE与虚设图案DE之间形成了间隙。

第一连接部BE1与驱动电极TE和感测电极RE设置在不同的层。第一连接部BE1在第三方向(Z轴方向)上与两个驱动电极TE和一个感测电极RE叠置。两个驱动电极TE在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻。

在第二方向(Y轴方向)上相邻的驱动电极TE通过至少一个第一连接部BE1彼此连接。第一连接部BE1的一侧通过第一触摸接触孔TCNT1连接到驱动电极TE中的一个。第一连接部BE1的另一侧通过第一触摸接触孔TCNT1连接到另一驱动电极TE。

第一连接部BE1弯曲至少一次。在图10中，第一连接部BE1具有括号形状(“<”或“>”)，但是第一连接部BE1的平面形状不必限于此。由于在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE通过第一连接部BE1连接，因此即使第一连接部BE1中的一个断开，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE也稳定地彼此连接。图10示出了相邻的驱动电极TE通过两个第一连接部BE1连接，但是第一连接部BE1的数量不必限于此。

驱动电极TE和感测电极RE在它们的交叉点处通过第一连接部BE1电分离。因此，可以在驱动电极TE与感测电极RE之间形成互电容。

驱动电极TE、感测电极RE和第一连接部BE1中的每个形成为平面网格或网格结构。另外，虚设图案DE中的每个也形成为平面网格或网格结构。出于这个理由，驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部BE1和虚设图案DE都不与发光区域EA1、EA2和EA3叠置。因此，从发光区域EA1、EA2和EA3发射的光不被驱动电极TE、感测电极RE、第一连接部BE1和虚设图案DE阻挡。因此，可以防止光的亮度降低。

发光区域EA1、EA2、EA3和EA4包括发射第一颜色光的第一发光区域EA1、发射第二颜色光的第二发光区域EA2、发射第三颜色光的第三发光区域EA3和发射第四颜色光的第四发光区域EA4。例如，第一颜色可以是红色，第二颜色和第四颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但是本公开的实施例不必限于此。发光区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每个被非发光区域NEA围绕。

第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个具有菱形平面形状或矩形平面形状，但是实施例不必限于此。例如，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个可以具有除了矩形之外的多边形、圆形或椭圆形平面。另外，在图10中，第三发光区域EA3具有最大的面积，并且第二发光区域EA2和第四发光区域EA4具有最小的面积，但是本公开的实施例不必限于此。

彼此相邻的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可以被定义为用于表达白色灰度的一个像素组PXG。例如，白色灰度由从第一发光区域EA1发射的光、从第二发光区域EA2发射的光、从第三发光区域EA3发射的光和从第四发光区域EA4发射的光的组合来表达。

第二发光区域EA2和第四发光区域EA4设置在奇数编号的行中。第二发光区域EA2和第四发光区域EA4在奇数编号的行中的每个中在第一方向(X轴方向)上相邻。第二发光区域EA2和第四发光区域EA4交替地设置在奇数编号的行中的每个中。第四发光区域EA4具有在一个方向DR1上的长边和在另一方向DR2上的短边，而第二发光区域EA2具有在所述另一方向DR2上的长边和在所述一个方向DR1上的短边。所述一个方向DR1是第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向，并且所述另一方向DR2与所述一个方向DR1正交。

第一发光区域EA1和第三发光区域EA3布置在偶数编号的行中。第一发光区域EA1和第三发光区域EA3在偶数编号的行中的每个中在第一方向(X轴方向)上相邻。第一发光区域EA1和第三发光区域EA3交替地设置在偶数编号的行的每个中。

第二发光区域EA2和第四发光区域EA4布置在奇数编号的列中。第二发光区域EA2和第四发光区域EA4在奇数编号的列中的每个中在第二方向(Y轴方向)上相邻。第二发光区域EA2和第四发光区域EA4交替地设置在奇数编号的列中的每个中。

第一发光区域EA1和第三发光区域EA3布置在偶数编号的列中。第一发光区域EA1和第三发光区域EA3在偶数编号的列中的每个中在第二方向(Y轴方向)上相邻。第一发光区域EA1和第三发光区域EA3交替地设置在偶数编号的列中的每个中。

图11是图1的天线区域的平面图。图12是图1的天线区域的仰视图。

参照图11和图12，在实施例中，天线模块AM包括天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1、第二电极GND2、第三电极GND3、第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3。

根据实施例的天线模块AM设置在天线区域AA和非显示区域NDA中。天线模块AM可以设置在馈电区域LAA和辐射区域EAA中。馈电区域LAA是天线区域AA的一部分。辐射区域EAA包括非显示区域NDA的一部分和天线区域AA的除了馈电区域LAA之外的剩余区域。

馈电线AL设置在馈电区域LAA中，天线电极AE设置在辐射区域EAA中。第一电极GND1、第二电极GND2和第三电极GND3设置在馈电区域LAA和辐射区域EAA两者中。第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3设置在馈电区域LAA中。

天线电极AE设置在基底SUB的上表面上。天线电极AE设置在主区域MA的非显示区域NDA中。天线电极AE在非显示区域NDA中设置在坝DAM的外侧。例如，天线电极AE在坝DAM与基底SUB的边缘之间设置在非显示区域NDA中。坝DAM包括第一坝DAM1和设置为比第一坝DAM1靠近基底SUB的边缘的第二坝DAM2。坝DAM围绕显示区域DA。

天线电极AE具有矩形平面形状，并且是基于低电介质和导体的影响来调节天线的性能的寄生贴片天线电极。例如，天线电极AE不连接到馈电线AL，并且天线电极AE以岛图案与馈电线AL分隔开。

天线电极AE在第二方向(Y轴方向)上的长度小于从坝DAM到非显示区域NDA与天线区域AA之间的边界的距离。例如，从坝DAM到非显示区域NDA与天线区域AA之间的边界的距离是近似300μm以使边框最小化。例如，天线电极AE在第二方向(Y轴方向)上的长度小于或等于300μm。

天线电极AE在第一方向(X轴方向)上的长度取决于要由天线电极AE发送和接收的电磁波的频率。天线电极AE在第一方向(X轴方向)上的长度被设计为具有馈电线AL的管内波长(in-pipe wavelength)的一半(λg/2)的谐振长度。例如，当要使用天线电极AE发送和接收的电磁波的频率是约60GHz时，天线电极AE在第一方向(X轴方向)上的长度是约2.5mm。

馈电线AL设置在基底SUB的上表面上。馈电线AL设置在天线区域AA中。馈电线AL的延伸方向与天线区域AA的延伸方向相同。例如，当天线区域AA从主区域MA的上侧在第二方向(Y轴方向)上突出(如图1和图2中所示)时，馈电线AL在第二方向(Y轴方向)上延伸。可选地，当天线区域AA从主区域MA的左侧在第一方向(X轴方向)上突出(如图5和图6中所示)或者从主区域MA的右侧在第一方向(X轴方向)上突出(如图7和图8中所示)时，馈电线AL在第一方向(X轴方向)上延伸。

短截线(stub)ST从馈电线AL的一侧突出。例如，短截线在与馈电线AL的延伸方向相交的方向上突出。例如，如图11中所示，短截线ST从馈电线AL的上侧突出。短截线ST匹配馈电线AL与天线电极AE之间的阻抗，并且通过改变电磁波的辐射图案的相位来增大天线的辐射性能。例如，由于天线区域AA从显示面板300向下弯曲，因此短截线ST设置为靠近辐射区域EAA。例如，短截线ST设置为相比于靠近馈电线AL的与第一天线垫APD1相邻的端部而言更靠近与馈电线AL的与辐射区域EAA相邻的端部。

第一电极GND1和第二电极GND2设置在基底SUB的上表面上。第一电极GND1和第二电极GND2设置在天线区域AA和非显示区域NDA中。

第一电极GND1设置在馈电线AL的一侧，并且第二电极GND2设置在馈电线AL的另一侧。第一电极GND1和第二电极GND2与馈电线AL分隔开。接地电压被施加到第一电极GND1和第二电极GND2。

由于短截线ST，第一电极GND1的面积小于第二电极GND2的面积。第一电极GND1的面积和第二电极GND2的面积大于馈电线AL的面积。

辐射区域EAA具有用于发送和接收宽带电磁波的斜槽(渐变槽)形状。例如，第一电极GND1与第二电极GND2之间的距离从馈电线AL的一端朝向天线电极AE增加。馈电线AL与第一电极GND1之间的最小距离可以小于天线电极AE与第一电极GND1之间的最小距离，并且馈电线AL与第二电极GND2之间的最小距离可以小于天线电极AE与第二电极之GND2之间的最小距离。另外，第一电极GND1的宽度在辐射区域EAA中朝向第一电极GND1的一端减小。例如，第一电极GND1的宽度从馈电区域LAA与辐射区域EAA之间的边界朝向第一电极GND1的在辐射区域EAA中的一端减小。另外，第二电极GND2的宽度在辐射区域EAA中朝向第二电极GND2的一端减小。例如，第二电极GND2的宽度从馈电区域LAA与辐射区域EAA之间的边界朝向第二电极GND2的在辐射区域EAA中的一端减小。

当辐射区域EAA具有斜槽形状时，由于辐射区域EAA的中心区域是空的，因此从辐射区域EAA辐射的电磁波可能受到外部电介质和导体的影响。因此，通过在辐射区域EAA中具有与馈电线AL、第一电极GND1和第二电极GND2分隔开的贴片天线电极AE，可以减小从馈电线AL在辐射区域EAA中辐射的电磁波受到外部电介质和导体的影响，并且可以匹配天线电极AE与馈电线AL之间的阻抗。

从辐射区域EAA的馈电线AL的一端辐射的电磁波通过显示面板300的与介电层对应的绝缘层130、141和142(见下面的图13和图14)朝向天线电极AE传播。天线电极AE从馈电线AL的一端朝向显示面板300的顶表面辐射电磁波。

由于天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1和第二电极GND2通过同一工艺形成，因此它们由相同的材料制成。

第三电极GND3设置在基底SUB的下表面上。第三电极GND3设置在天线区域AA和非显示区域NDA中。如图12中所示，第三电极GND3设置在整个天线区域AA中，但是本公开的实施例不必限于此。接地电压被传输到第三电极GND3。

第三电极GND3在第三方向(Z轴方向)上与馈电线AL、第一电极GND1和第二电极GND2叠置。由于第一电极GND1、第二电极GND2和第三电极GND3，馈电线AL具有接地共面波导(GCPW)结构。

第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3设置在基底SUB的下表面上。第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3设置在天线区域AA的一个边缘处。

第一天线垫APD1连接到馈电线AL的一端。第一天线垫APD1与馈电线AL一体地形成。

第二天线垫APD2连接到第一电极GND1的一端。第二天线垫APD2与第一电极GND1一体地形成。

第三天线垫APD3连接到第二电极GND2的一端。第三天线垫APD3与第二电极GND2一体地形成。

第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件连接到天线电路板340。

另外，第三电极GND3也连接到天线垫，并且使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合剂构件连接到天线电路板340。

如图11和图12中所示，天线模块AM形成在从显示面板300的主区域MA的一侧突出的天线区域AA中以及主区域MA的与天线区域AA相邻的非显示区域NDA中。如图2、图4、图6和图8中所示，天线区域AA在显示面板300下面弯曲，并且仅天线电极AE在主区域MA的非显示区域NDA中形成在坝DAM外侧。因此，显示面板300中的天线模块AM不需要单独的空间。

另外，在图11和图12中，根据实施例的天线模块AM使用其中辐射区域EAA和馈电区域LAA直接连接的直接馈电法，但是本公开的实施例不必限于此。例如，根据实施例的天线模块AM使用其中天线电极AE通过设置在其下面的介电区域馈电的间接馈电法。

另外，图11和图12示出了其中天线模块AM设置在坝DAM的外围部分处的实施例，但是如果天线电极AE的长度或馈电线AL的长度需要增加，则天线电极AE或馈电线AL可以使用透明材料延伸到显示区域DA。

图13是沿着图10的线A-A'截取的显示装置的剖视图。

参照图13，在实施例中，显示装置10包括基底SUB、包含设置在基底SUB的一个表面上的薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML的显示层DISL、设置在显示层DISL上的封装层ENC以及包含设置在封装层ENC上的传感器电极SE的传感器电极层SENL。显示装置10还包括设置在传感器电极层SENL上的偏振膜PF和设置在偏振膜PF上的覆盖窗CW。

基底SUB包括支撑基底SSUB、第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2和第二缓冲层BF2。第一基底SUB1设置在支撑基底SSUB上，第一缓冲层BF1设置在第一基底SUB1上，第二基底SUB2设置在第一缓冲层BF1上，并且第二缓冲层BF2设置在第二基底SUB2上。

支撑基底SSUB是支撑柔性第一基底SUB1和第二基底SUB2的刚性基底。支撑基底SSUB由玻璃或塑料材料(诸如聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。

第一基底SUB1和第二基底SUB2由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种的有机材料形成。第一基底SUB1和第二基底SUB2可以由相同的有机材料或不同的有机材料形成。

第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2中的每个由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种的无机材料形成。可选地，第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2的每个具有其中包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个的多个层交替地堆叠的多层结构。第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2可以由相同的无机材料或由不同的无机材料形成。

薄膜晶体管层TFTL形成在基底SUB上，并且包括薄膜晶体管TFT、电容器Cst、连接电极CE1和CE2以及绝缘层130、141、142、160和180。薄膜晶体管TFT的包括沟道区TCH、源区TS和漏区TD的有源层设置在第二缓冲层BF2上。有源层包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和氧化物半导体材料中的至少一种。当有源层包括多晶硅或氧化物半导体材料时，源区TS和漏区TD是掺杂有离子以导电的导电区。

栅极绝缘层130形成在第二缓冲层BF2和薄膜晶体管TFT的有源层上。栅极绝缘层130由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个的无机层形成。

薄膜晶体管TFT的栅电极TG和第一电容器电极CAE1设置在栅极绝缘层130上。薄膜晶体管TFT的栅电极TG在第三方向(Z轴方向)上与沟道区TCH叠置。栅电极TG和第一电容器电极CAE1可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或更多种或者其合金的单层或多层。

第一层间绝缘层141可以设置在栅极绝缘层130以及栅电极TG和第一电容器电极CAE1上。第一层间绝缘层141由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种的无机层形成。第一层间绝缘层141可以包括多个无机层。

第二电容器电极CAE2设置在第一层间绝缘层141上。第二电容器电极CAE2在第三方向(Z轴方向)上与第一电容器电极CAE1叠置。因此，电容器Cst由第一电容器电极CAE1和第二电容器电极CAE2以及设置在第一电容器电极CAE1与第二电容器电极CAE2之间的用作介电层的第一层间绝缘层141形成。第二电容器电极CAE2可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或更多种或者其合金的单层或多层。

第二层间绝缘层142设置在第一层间绝缘层141和第二电容器电极CAE2上。第二层间绝缘层142由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种的无机层形成。第二层间绝缘层142可以包括多个无机层。

第一连接电极CE1设置在第二层间绝缘层142上。第一连接电极CE1穿过穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的第一接触孔CT1连接到漏区TD。第一连接电极CE1可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或更多种或者其合金的单层或多层。

使由薄膜晶体管TFT引起的台阶平坦的第一有机层160可以设置在第二层间绝缘层142和第一连接电极CE1上。第一有机层160由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等中的一种的有机层形成。

第二连接电极CE2设置在第一有机层160上。第二连接电极CE2穿过穿透第一有机层160的第二接触孔CT2连接到第一连接电极CE1。第二连接电极CE2可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或更多种或者其合金的单层或多层。

第二有机层180设置在第一有机层160和第二连接电极CE2上。第二有机层180由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

发光元件层EML设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件LEL和堤190。

发光元件LEL中的每个包括顺序地堆叠的像素电极171、发光层172和共电极173。发光区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每个表示来自像素电极171的空穴和来自共电极173的电子在发光层172中彼此复合以发射光的区域。像素电极171可以是阳极电极，共电极173可以是阴极电极。

像素电极171形成在第二有机层180上。像素电极171穿过穿透第二有机层180的第三接触孔CT3连接到第二连接电极CE2。

在其中发光层172在共电极173的方向上发射光的顶部发射结构中，像素电极171可以是包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种的单层，或者可以是铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)中的一种以增加反射率。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。

堤190设置在第二有机层180上，并且限定显示像素的发光区域EA1、EA2、EA3和EA4。堤190暴露像素电极171的部分区域。堤190覆盖像素电极171的边缘。堤190延伸到穿透第二有机层180的第三接触孔CT3中。因此，穿过第二有机层180的第三接触孔CT3被堤190填充。堤190由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的一种的有机层形成。

间隔件191设置在堤190上。间隔件191在制造发光层172的工艺期间支撑掩模。间隔件191由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的一种的有机层形成。

发光层172形成在像素电极171上。发光层172包括发射预定颜色的光的有机材料。例如，发光层172包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。有机材料层包括主体和掺杂剂。有机材料层包括发射预定颜色的光的材料，并且使用磷光材料或荧光材料形成。

例如，发射第一颜色光的第一发光区域EA1的发光层172的有机材料层包括包含CBP(咔唑联苯)和mCP(1,3-双(N-咔唑基)苯)中的一种的主体材料以及包含掺杂剂的磷光材料，掺杂剂包含PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮合铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)合铱)和PtOEP(八乙基卟啉铂)中的至少一种。可选地，第一发光区域EA1的发光层172的有机材料层是包括PBD:Eu(DBM)

发射第二颜色光的第二发光区域EA2和第四发光区域EA4的发光层172的有机材料层包括包含CBP和mCP中的一种的主体材料以及包含掺杂剂的磷光材料，掺杂剂包含Ir(ppy)

发射第三颜色光的第三发光区域EA3的发光层172的有机材料层包括包含CBP和mCP中的一种的主体材料以及包含掺杂剂的磷光材料，掺杂剂包含(4,6-F

共电极173形成在发光层172上。共电极173覆盖发光层172。共电极173是共同地形成在发光区域EA1、EA2、EA3和EA4中的公共层。覆盖层形成在共电极173上。

共电极173由透射光的透明导电材料(TCO)(诸如ITO和IZO中的一种)形成，或者由半透射导电材料(诸如镁(Mg)、银(Ag)以及镁(Mg)和银(Ag)的合金中的一种)形成。当共电极173是透反射金属材料时，通过微腔增加光输出效率。

封装层ENC形成在发光元件层EML上。封装层ENC包括防止氧或湿气渗透到发光元件层EML中的至少一个无机封装层(例如，TFE1和TFE3)。另外，封装层ENC包括保护发光元件层EML免受诸如灰尘的异物影响的至少一个有机封装层TFE2。例如，封装层ENC包括第一无机封装层TFE1、有机封装层TFE2和第二无机封装层TFE3。

第一无机封装层TFE1设置在共电极173上，有机封装层TFE2设置在第一无机封装层TFE1上，并且第二无机封装层TFE3设置在有机封装层TFE2上。第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以形成为其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个交替地堆叠的多层结构。有机封装层TFE2是包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种的有机膜。

传感器电极层SENL设置在封装层ENC上。传感器电极层SENL包括第三缓冲层BF3、第一传感器绝缘层TINS1、第二传感器绝缘层TINS2、传感器电极SE和第一连接部BE1。

第三缓冲层BF3设置在封装层ENC上。第三缓冲层BF3具有绝缘和光学功能。第三缓冲层BF3包括至少一个无机层。例如，第三缓冲层BF3具有其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个交替地堆叠的多层结构。第三缓冲层BF3可以通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺和沉积工艺中的一种形成。在实施例中，省略了第三缓冲层BF3。

第一连接部BE1设置在第三缓冲层BF3上。第一连接部BE1可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层形成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)中的一种形成。

第一传感器绝缘层TINS1设置在第一连接部BE1上。第一传感器绝缘层TINS1具有绝缘和光学功能。第一传感器绝缘层TINS1由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种无机层形成。第一传感器绝缘层TINS1通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺和沉积工艺中的一种形成。

诸如驱动电极TE和感测电极RE的传感器电极SE设置在第一传感器绝缘层TINS1上。另外，虚设图案DE设置在第一传感器绝缘层TINS1上。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE不与发光区域EA1、EA2、EA3和EA4叠置。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种的单层形成，或者可以是铝和钛的堆叠结构(Ti/A1/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/A1/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)中的一种。

第二传感器绝缘层TINS2设置在驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE上。第二传感器绝缘层TINS2具有绝缘和光学功能。第二传感器绝缘层TINS2包括无机层和有机层中的至少一种。无机层是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一种。有机层包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的一种。第二传感器绝缘层TINS2通过使用柔性材料的层压工艺、使用溶液型材料的旋涂工艺、狭缝模涂覆工艺和沉积工艺中的一种形成。

面板底盖PB的散热层HSL设置在基底SUB的支撑基底SSUB的下表面上。散热层HSL由可以屏蔽电磁波并且导热的薄金属膜(诸如铜、镍、铁素体和银中的一种)形成。

图14是沿着图11的线B-B'截取的显示装置的剖视图。图15是沿着图11的线C-C'截取的显示装置的剖视图。

参照图14和图15，在实施例中，围绕显示区域DA的坝DAM设置在显示面板300的非显示区域NDA中。坝DAM防止封装层ENC的有机封装层TFE2溢出。坝DAM包括第一坝DAM1和设置在第一坝DAM1外侧的第二坝DAM2。第一坝DAM1和第二坝DAM2设置在第二层间绝缘层142上。

第一坝DAM1包括顺序地堆叠的第一子坝SDAM1、第二子坝SDAM2和第三子坝SDAM3。第一子坝SDAM1由与第一有机层160的材料相同的材料形成，第二子坝SDAM2由与第二有机层180的材料相同的材料形成，并且第三子坝SDAM3由与堤190的材料相同的材料形成。

第二坝DAM2包括顺序地堆叠的第一子坝SDAM1、第二子坝SDAM2、第三子坝SDAM3和第四子坝SDAM4。第一子坝SDAM1由与第一有机层160的材料相同的材料形成，并且第二子坝SDAM2由与第二有机层180的材料相同的材料形成。第三子坝SDAM3由与堤190的材料相同的材料形成，并且第四子坝SDAM4由与间隔件191的材料相同的材料形成。

天线电极AE包括顺序地堆叠在栅极绝缘层130上的第一天线电极层AEL1至第八天线电极层AEL8。然而，本公开的实施例不必限于此，在其它实施例中，天线电极AE仅包括天线电极层AEL1至AEL8中的一些。

第一天线电极层AEL1设置在栅极绝缘层130上，并且与薄膜晶体管TFT的栅电极TG和第一电容器电极CAE1通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第一天线电极层AEL1的边缘被第一层间绝缘层141覆盖。

第二天线电极层AEL2设置在暴露的第一天线电极层AEL1上，而不被第一层间绝缘层141覆盖。第二天线电极层AEL2与第二电容器电极CAE2通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第二天线电极层AEL2的边缘被第二层间绝缘层142覆盖。

第三天线电极层AEL3设置在暴露的第二天线电极层AEL2上，而不被第二层间绝缘层142覆盖。第三天线电极层AEL3与第一连接电极CE1通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第四天线电极层AEL4设置在第三天线电极层AEL3上。第四天线电极层AEL4与第二连接电极CE2通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第五天线电极层AEL5设置在第四天线电极层AEL4上。第五天线电极层AEL5与像素电极171通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第六天线电极层AEL6设置在第五天线电极层AEL5上。第六天线电极层AEL6与共电极173通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第七天线电极层AEL7设置在第六天线电极层AEL6上。第七天线电极层AEL7与传感器电极层SENL的第一连接部BE1通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第八天线电极层AEL8设置在第七天线电极层AEL7上。第八天线电极层AEL8与传感器电极层SENL的驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

馈电线AL包括顺序地堆叠在栅极绝缘层130上的第一馈电线层至第八馈电线层ALL1、ALL2、ALL3、ALL4、ALL5、ALL6、ALL7和ALL8。然而，本公开的实施例不必限于此，在其它实施例中，馈电线AL仅包括第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8中的一些。

第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8与第一天线电极层AEL1至第八天线电极层AEL8一体地形成。例如，第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8具有与第一天线电极层AEL1至第八天线电极层AEL8基本上相同的结构。因此，将省略对第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8的描述。

第一电极GND1和第二电极GND2中的每个包括顺序地堆叠在栅极绝缘层130上的第一电极层GNL1至第八电极层GNL8。然而，本公开的实施例不必限于此，并且在其它实施例中，第一电极GND1和第二电极GND2中的每个仅包括第一电极层GNL1至第八电极层GNL8中的一些。

第一电极层GNL1与薄膜晶体管TFT的栅电极TG、第一电容器电极CAE1和第一天线电极层AEL1通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第一电极层GNL1的边缘被第一层间绝缘层141覆盖。

第二电极层GNL2设置在暴露的第一电极层GNL1上，而不被第一层间绝缘层141覆盖。第二电极层GNL2与第二电容器电极CAE2和第二天线电极层AEL2通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第二电极层GNL2的边缘被第二层间绝缘层142覆盖。

第三电极层GNL3设置在暴露的第二电极层GNL2上，而不被第二层间绝缘层142覆盖。第三电极层GNL3与第一连接电极CE1和第三天线电极层AEL3通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第四电极层GNL4设置在第三电极层GNL3上。第四电极层GNL4与第二连接电极CE2和第四天线电极层AEL4通过同一工艺形成，并且包括相同的材料。

第五电极层GNL5设置在第四电极层GNL4上。第五电极层GNL5与像素电极171和第五天线电极层AEL5通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第六电极层GNL6设置在第五电极层GNL5上。第六电极层GNL6与共电极173和第六天线电极层AEL6通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第七电极层GNL7设置在第六电极层GNL6上。第七电极层GNL7与传感器电极层SENL的第一连接部BE1和第七天线电极层AEL7通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第八电极层GNL8设置在第七电极层GNL7上。第八电极层GNL8与传感器电极层SENL的驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE以及第八天线电极层AEL8通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3中的每个包括顺序地堆叠在栅极绝缘层130上的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8。然而，本公开的实施例不必限于此，在其它实施例中，第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3中的每个仅包括第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8中的一些。

第一垫电极层PDL1与薄膜晶体管TFT的栅电极TG、第一电容器电极CAE1、第一天线电极层AEL1以及第一电极层GNL1通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第一垫电极层PDL1的边缘被第一层间绝缘层141覆盖

第二垫电极层PDL2设置在暴露的第一垫电极层PDL1上，而不被第一层间绝缘层141覆盖。第二垫电极层PDL2与第二电容器电极CAE2、第二天线电极层AEL2和第二电极层GNL2通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。第二垫电极层PDL2的边缘被第二层间绝缘层142覆盖。

第三垫电极层PDL3设置在暴露的第二垫电极层PDL2上，而不被第二层间绝缘层142覆盖。第三垫电极层PDL3与第一连接电极CE1、第三天线电极层AEL3和第三电极层GNL3通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第四垫电极层PDL4设置在第三垫电极层PDL3上。第四垫电极层PDL4与第二连接电极CE2、第四天线电极层AEL4和第四电极层GNL4通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第五垫电极层PDL5设置在第四垫电极层PDL4上。第五垫电极层PDL5与像素电极171、第五天线电极层AEL5和第五电极层GNL5通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第六垫电极层PDL6设置在第五垫电极层PDL5上。第六垫电极层PDL6与共电极173、第六天线电极层AEL6和第六电极层GNL6通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第七垫电极层PDL7设置在第六垫电极层PDL6上。第七垫电极层PDL7与传感器电极层SENL的第一连接部BE1、第七天线电极层AEL7和第七电极层GNL7通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第八垫电极层PDL8设置在第七垫电极层PDL7上。第八垫电极层PDL8与传感器电极层SENL的驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE、第八天线电极层AEL8以及第八电极层GNL8通过同一工艺形成，并且由相同的材料形成。

第三电极GND3设置在基底SUB的第一基底SUB1的下表面上。由于天线区域AA弯曲并且设置在主区域MA下面，因此可以从天线区域AA去除基底SUB的支撑基底SSUB。

第三电极GND3与面板底盖PB的散热层HSL由相同的材料形成。第三电极GND3的厚度大于天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1、第二电极GND2、第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3中的每个的厚度。因此，第三电极GND3的厚度大于天线电极AE的第一天线电极层AEL1至第八天线电极层AEL8的厚度的和。另外，第三电极GND3的厚度大于馈电线AL的第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8的厚度的和。另外，第三电极GND3的厚度大于第一电极GND1和第二电极GND2中的每个的第一电极层GNL1至第八电极层GNL8的厚度的和。另外，第三电极GND3的厚度大于第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3中的每个的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8的厚度的和。

此外，天线电极AE的厚度、馈电线AL的厚度、第一电极GND1的厚度、第二电极GND2的厚度、第一天线垫APD1的厚度、第二天线垫APD2的厚度和第三天线垫APD3的厚度相同。

如图14和图15中所示，不需要添加单独的工艺来形成天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1、第二电极GND2、第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3。天线电极AE的第一天线电极层AEL1至第八天线电极层AEL8、馈电线AL的第一馈电线层ALL1至第八馈电线层ALL8、第一电极GND1和第二电极GND2中的每个的第一电极层GNL1至第八电极层GNL8以及第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3中的每个的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8与薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和传感器电极层SENL的电极在同一工艺中用相同的材料形成。

另外，由于第三电极GND3由与面板底盖PB的散热层HSL的材料相同的材料形成，因此不需要添加单独的工艺来形成第三电极GND3。

图16是沿着图1的线D-D'截取的显示装置的剖视图。

参照图16，在实施例中，显示垫DPD中的每个包括顺序地堆叠在栅极绝缘层130上的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8。然而，本公开的实施例不必限于此，在其它实施例中，显示垫DPD中的每个仅包括第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8中的一些。

显示垫DPD中的每个的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8与分别参照图14和图15所描述的第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8具有基本上相同的结构。因此，将省略显示垫DPD中的每个的第一垫电极层PDL1至第八垫电极层PDL8的描述。

如图16中所示，由于天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1、第二电极GND2、第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3与显示垫DPD具有基本上相同的结构，因此不需要添加单独的工艺来形成天线电极AE、馈电线AL、第一电极GND1、第二电极GND2、第一天线垫APD1、第二天线垫APD2和第三天线垫APD3。

图17是根据一个或更多个实施例的作为天线模块的频率的函数的天线模块的反射系数的曲线图。

在图17中，X轴表示频率(GHz)，Y轴表示作为表示输入信号的振幅与从输入信号反射的信号(在下文中，称为反射信号)的振幅的比的值的S11。S11是天线模块AM的反射系数，并且单位是dB。

可以基于其中S11的值为负的情况来确定天线模块AM的操作。当S11具有负值时，反射信号的振幅小于输入信号的振幅。S11的值越小，反射和返回的信号越少，并且天线模块AM在对应的频带中操作。

参照图17，根据实施例的天线模块AM在近似59GHz处具有-27dB的最小值。因此，根据实施例的天线模块AM最佳地在59GHz下操作。

由于其中根据实施例的天线模块AM的S11值小于或等于-10dB的频带是近似39GHz至96GHz，因此根据实施例的天线模块AM的-10dB阻抗带宽是近似57GHz。因此，嵌在显示面板300中的天线模块AM具有宽带宽。

图18示出了根据一个或更多个实施例的使用天线的接近触摸感测。在下文中，将参照图18详细描述天线模块AM的接近触摸感测法。

参照图18，在实施例中，天线驱动电路350在第一时段期间通过馈电线AL将具有预定频率的发送信号输出到天线电极AE。预定频率是近似57.9GHz至68.9GHz，并且可以是61.5GHz。天线电极AE在第一时段期间基于发送信号辐射电磁波EMW。

当天线区域AA从主区域MA的上侧在第二方向(Y轴方向)上突出(如图1和图2中所示)时，天线电极AE在第一方向(X轴方向)上的长度是近似2mm，以使天线电极AE发送和接收约57.9GHz至68.9GHz的毫米波(mmWave)的电磁波。

从天线电极AE辐射的电磁波EMW从定位在距离覆盖窗CW约1m内的物体(诸如手指F或笔)反射。在第二时段期间，天线驱动电路350基于从物体(诸如手指F或笔)反射的电磁波EMW从天线电极AE接收接收信号。例如，天线电极AE被时分驱动以用作用于第一时段的发送电极和用于第二时段的接收电极。

如图18中所示，可以通过使用天线电极AE发送和接收具有超高频(诸如毫米波(mmWave))的电磁波EMW来感测接近触摸(诸如手势感测)。

图19和图20是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图19和图20的实施例与图1和图2的实施例的不同之处在于，天线区域AA在第一方向(X轴方向)上较宽。在图19和图20中，可以省略重复图1和图2的实施例的描述的描述。

如图19和图20中所示，在实施例中，当天线区域AA从主区域MA的上侧在第二方向(Y轴方向)上突出时，天线区域AA在第一方向(X轴方向)上的长度较长。可选地，当天线区域AA从主区域MA的左侧或右侧在第一方向(X轴方向)上突出时，天线区域AA在第二方向(Y轴方向)上的长度较长。当天线区域AA伸长时，由于可以在天线区域AA中形成多个天线电极AE，因此电磁波的发送和接收灵敏度增加。

图21是图19的天线区域的平面图。图22是图19的天线区域的仰视图。

参照图21和图22，在实施例中，多个天线模块AM1、AM2、AM3和AM4可以设置在天线区域AA中。图21和图22示出了设置在天线区域AA中的四个天线模块AM1至AM4，但是可以根据期望的天线性能来确定设置在天线区域AA中的天线模块的数量。

当天线区域AA从主区域MA的上侧在第二方向(Y轴方向)上突出时，多个天线模块AM1至AM4在第一方向(X轴方向)上设置。

在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的天线模块AM1至AM4的天线电极AE的中心之间的距离根据要使用多个天线模块AM1至AM4发送和接收的电磁波的频率而变化。例如，当要发射和接收的电磁波的频率是60GHz时，相邻天线模块的天线电极AE的中心之间的距离是约2.5mm。然而，本公开的实施例不必限于此。

多个天线模块AM1至AM4中的每个通过天线电路板340连接到天线驱动电路350。多个天线模块AM1至AM4中的每个由天线驱动电路350独立地驱动。例如，多个天线模块AM1至AM4中的每个被时分驱动以用作能够发送和接收两者的天线。可选地，多个天线模块AM1至AM4中的一些天线模块是发送电磁波的发送器天线，并且其它天线模块是接收电磁波的接收器天线。可选地，多个天线模块AM1至AM4中的每个是由天线驱动电路350驱动的一个天线阵列，在这种情况下，波束控制(beam steering)是可行的。

由于多个天线模块AM1至AM4中的每个与参照图11和图12所描述的天线模块AM基本上相同，因此将省略多个天线模块AM1至AM4中的每个的描述。

虽然已经参照附图具体示出和描述了本公开的实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的本公开的实施例的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。在此所描述的本公开的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。