阵列基板、显示面板和显示装置

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

反射式液晶显示器(Reflection type liquid crystal display，RLCD)因其轻薄、节能、护眼等优点被广泛的应用在电子书、户外广告等产品上。

但是，目前的反射式液晶显示器的视角较窄，而且显示不均匀。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。

根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板，包括：

第一衬底基板；

开关层组，设于所述第一衬底基板的一侧，所述开关层组包括多个开关单元和多个第一遮光层，多个所述第一遮光层间隔设置，所述第一遮光层与所述开关单元中的一层同层同材料设置；

绝缘层组，设于所述开关层组背离所述第一衬底基板的一侧，所述绝缘层组背离第一衬底基板的一面设置有多个第一突出部，相邻所述第一突出部之间连接有第一连接部，所述第一突出部在第三方向的高度高于所述第一连接部在所述第三方向的高度，所述第一突出部以及所述第一连接部在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影内，所述第三方向与所述第一衬底基板靠近所述开关层组的一面垂直；

反射层，设于所述绝缘层组背离所述第一衬底基板的一侧，所述反射层背离所述第一衬底基板的一面设置有多个第二突出部，所述第一突出部在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第二突出部在所述第一衬底基板上的正投影之内，所述反射层包括多个反射部，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影位于所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影之内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的面积占所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影的面积的80％至100％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影连续地覆盖，至少两个所述第一突出部以及它们之间的第一连接部在所述第一衬底基板上的正投影。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一突出部在所述第一衬底基板上的正投影的面 积占所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的面积的80％以上。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开关层组包括：

源漏极层，所述第一遮光层与所述源漏极层同层同材料设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开关层组还包括：

栅极层，设于所述第一衬底基板的一侧；

栅绝缘层，设于所述栅极层远离所述第一衬底基板的一侧；

有源层，设于所述栅绝缘层远离所述第一衬底基板的一侧；

所述源漏极层设于所述有源层远离所述第一衬底基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极层包括：

多根栅线，沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第一衬底基板的靠近所述开关层组的一面平行；

多个子第二电极，阵列排布，所述子第二电极设置为框形；

多个连接部，所述连接部连接于沿所述第一方向排列的相邻两个所述子第二电极之间。

在本公开的一种示例性实施例中，多个所述第二突出部在所述第一衬底基板上的正投影与所述栅线所述第一衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述有源层包括：

沟道部，设于所述栅线的远离所述第一衬底基板的一侧；

第一填充部，与所述沟道部间隔设置，且位于所述连接部远离所述第一衬底基板的一侧，且覆盖至少部分所述连接部的侧壁；

第二填充部，与所述沟道部间隔设置，且位于所述栅线远离所述第一衬底基板的一侧，且覆盖至少部分所述栅线的侧壁。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源漏极层包括：

数据线，沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，且所述数据线的第一部分位于所述第一填充部的远离所述连接部的一侧，所述数据线的第二部分位于一部分所述第二填充部的远离所述栅线的一侧；

第一遮光层，设于所述数据线的第一方向的一侧，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影位于所述子第二电极在所述第一衬底基板上的正投影之内；

源极，其一端连接于所述数据线；

漏极，其一端连接于所述第一遮光层；

第二电极连接部，连接于在第二方向上相邻的两个子第二电极之间，且所述第二电极连接部的一部分位于另一部分所述第二填充部的远离所述栅线的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源漏极层还包括：

维修块，连接于所述第一遮光层靠近所述栅线的一侧，所述维修块在所述第一衬底基板上的正投影与所述栅线在所述第一衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层组上设置有第一过孔，所述阵列基板还包括:

第一电极层，设于所述绝缘层组与所述反射层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一遮光层连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述栅线在所述第一衬底基板上的正投影有交叠；所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影与所述栅线在所述第一衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影位于所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影之内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影的形状与所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影的形状相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层组包括：

第一保护层，设于所述源漏极层远离第一衬底基板的一侧，所述第一保护层上设置有第一子过孔；

绝缘层，设于所述第一保护层远离第一衬底基板的一侧，所述绝缘层上设置有第二子过孔；

第二保护层，设于所述绝缘层远离第一衬底基板的一侧，且所述第二保护层的一部分覆盖所述第二子过孔的孔壁，所述第二保护层上设置有第三子过孔，所述第一子过孔、所述第二子过孔与所述第三子过孔连通形成所述第一过孔；

其中，所述第一子过孔在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第二子过孔在所述第一衬底基板上的正投影内，所述第三子过孔在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第二子过孔在所述第一衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板具有设于显示区一侧的绑定区，所述阵列基板还包括：

多个第一绑定引脚，设于所述绑定区，所述第一绑定引脚与所述栅极层或所述源漏极层同层同材料设置；

多个第二绑定引脚，设于所述绑定区，且对应位于所述第一绑定引脚远离所述第一衬底基板的一侧，所述第二绑定引脚与所述第一电极同层同材料设置，所述第二绑定引脚在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一绑定引脚在所述第一衬底基板上的正投影内，且所述第二绑定引脚在所述第一衬底基板上的正投影的远离所述显示区的边沿，与所述第一绑定引脚在所述第一衬底基板上的正投影的远离所述显示区的边沿之间设置有间隙。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述绑定区设置有贯穿所述第一保护层和所述第二保护层的凹槽，所述凹槽位于所述第一绑定引脚远离所述显示区的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层组背离所述第一衬底基板的一面包括第一平面，所述第一平面在所述第一衬底基板上的正投影与所述沟道部在所述第一衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

隔垫物，设于所述第一平面远离所述第一衬底基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层组背离所述第一衬底基板的一面包括第二平面，所述第二平面在所述第一衬底基板上的正投影位于相邻两个所述第一电极之间的间隔空间在所述第一衬底基板上的正投影之内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开关层组还包括：

栅极层和多个第二遮光层，多个所述第二遮光层间隔设置，所述第二遮光层与所述栅极层同层同材料设置，所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影位于所述反射部在所述第一衬底基板上的正投影所述之内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述开关层组包括：

栅极层，设于所述第一衬底基板的一侧，所述第一遮光层与所述栅极层同层同材料设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极层包括：

多根栅线，沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第一衬底基板的靠近所述开关层组的一面平行；

多个子第二电极，阵列排布，所述子第二电极设置为框形，所述第一遮光层设于所述框形内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一遮光层与所述第二电极连接为一体；或所述第一遮光层与所述第二电极之间设置有第二间隙。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二突出部的侧壁在第三方向的高度随着与所述第二突出部的中部在第一面的距离增加而减小，所述第一面与所述第一衬底基板的靠近所述开关层组的一面平行，所述第三方向与所述第一面垂直。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二突出部的侧壁与所述第一面的夹角大于等于6°且小于等于13°。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二突出部的侧壁包括依次平滑连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分相对于所述第三部分更靠近所述第一衬底基板，所述第一部分和第三部分设置为弧面，所述第二部分设置为斜面。

在本公开的一种示例性实施例中，多个所述第二突出部的第一部分平滑连接。

根据本公开的另一个方面，提供了一种显示面板，包括：

阵列基板，为上述任意一项所述的阵列基板；

彩膜基板，设于所述阵列基板的靠近反射层的一侧；

胶框，设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间；

液晶层，设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，且位于所述胶框内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述胶框在第一衬底基板上的正投影与绝缘层组中的绝缘层在所述第一衬底基板上的正投影无交叠。

根据本公开的再一个方面，提供了一种显示装置，包括：上述任意一项所述的显示面板。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为设置有散射膜的显示面板的结构示意图。

图2为形成第一突出部时的工艺结构示意图。

图3为本公开阵列基板第一示例实施方式的结构示意图。

图4为本公开显示面板一示例实施方式的结构示意图。

图5为图3中栅极层的结构示意图。

图6为在图5的基础上形成有源层后的结构示意图。

图7为在图6的基础上形成源漏极层后的结构示意图。

图8为按照图7中的A-A或B-B剖切后的剖视示意图。

图9为在图7的基础上形成第一电极后的结构示意图。

图10为在第一电极之上形成反射层后的结构示意图。

图11图3中两个第二突出部的局部放大示意图。

图12为按照图9中的C-C剖切后的剖视示意图。

图13为按照图9中的D-D剖切后的剖视示意图。

图14为本公开阵列基板的俯视示意图。

图15为本公开的显示面板的非显示区的剖视结构示意图。

图16为本公开第二示例实施方式的结构示意图。

图17为图16中的栅极层的一示例实施方式的结构示意图。

图18为图16中的栅极层的另一示例实施方式的结构示意图。

图19为本公开第三示例实施方式的结构示意图。

附图标记说明：

100、阵列基板；200、彩膜基板；

1、第一衬底基板；

2、开关层组；21、第一遮光层；22、第二遮光层；23、开关单元；24、栅极层；241、栅线；242、第二电极；2421、子第二电极；2422、连接部；243、第二间隙；25、栅绝缘层；26、有源层；261、第一填充部；262、第二填充部；263、沟道部；27、源漏极层；271、数据线；272、源极；273、漏极；274、第二电极连接部；275、维修块；

3、绝缘层组；31、第一保护层；311、第一子过孔；32、绝缘层；321、第二子过孔；33、第二保护层；331、第三子过孔；34、第一突出部；35、第一过孔；36、第一平面；37、第二平面；38、第一连接部；

4、第一电极层；41、第一电极；

5、反射层；51、第二突出部；511、第一部分；512、第二部分；513、第三部分；52、 第一间隙；53、反射部；

61、第一绑定引脚；62、第二绑定引脚；

7、凹槽；

8、隔垫物；91、第一配向膜；92、第二配向膜；

201、第二衬底基板；202、透光部；203、遮光部；

301、胶框；302、液晶层；303、散射膜；

401、支撑柱；402、设备机台；

501、切割线；

X、第一方向；Y、第二方向；Z、第三方向；

AA、显示区；BOD、绑定区。

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

参照图1所示，一些RLCD产品需使用散射膜303(POL)来实现漫反射，但是，散射膜价格昂贵，且散射膜中的1/2波片的材料韧性较脆，在信赖性测试时，受热膨胀容易发生断裂，从而导致影响信赖性测试。可以采用在反射层5上形成凸凹结构(第二突出部51)对光线进行漫反射，代替散射膜303。

发明人发现：导致显示面板显示不均匀的主要原因是，在反射层5上形成的凸凹结构(第二突出部51)不均匀，导致形成的漫反射光不均匀；参照图2所示，而形成的凸凹结构(第二突出部51)不均匀的主要问题在于，曝光设备机台上设置有取放第一衬底基板1的支撑柱401，支撑柱401的材质与设备机台402的材质不同。在对绝缘层32进行曝光刻蚀形成第一突出部34时，由于支撑柱401的材质与设备机台402的材质不同，光照射在设备机台 402和支撑柱401上后，通过设备机台402和支撑柱401反射到阵列基板100上的光线的能量不同，导致对绝缘层32的曝光能量不同，最终导致在支撑柱401处和设备机台402处形成的第一突出部34的角度有差异，导致在支撑柱401处和设备机台402处显示面板的反射率不同、反射光不均匀，最终影响显示效果。

本公开示例实施方式提供了一种阵列基板100，参照图3-图19所示，该阵列基板100可以包括显示区AA和绑定区BOD，该阵列基板100可以包括第一衬底基板1、开关层组2、绝缘层组3以及反射层5；开关层组2设于第一衬底基板1的一侧，开关层组2包括多个开关单元23和多个第一遮光层21，多个第一遮光层21间隔设置，第一遮光层21与开关单元23中的一层同层同材料设置；绝缘层组3设于开关层组2背离第一衬底基板1的一侧，绝缘层组3背离第一衬底基板1的一面设置有多个第一突出部34；反射层5设于绝缘层组3背离第一衬底基板1的一侧，反射层5背离第一衬底基板1的一面设置有多个第二突出部51，第一突出部34在第一衬底基板1上的正投影位于第二突出部51在第一衬底基板1上的正投影之内，反射层5包括多个反射部53，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影位于反射部53在第一衬底基板1上的正投影之内。

本公开的阵列基板100，一方面，反射层5背离第一衬底基板1的一面设置有多个第二突出部51，通过多个第二突出部51将射入至阵列基板100的环境光反射形成漫反射，代替散射膜303，不仅能够降低成本，而且，参照图1和图4所示，图1是设置散射膜的显示面板的结构示意图，图4是本公开显示面板的结构示意图，从图中可以得1中的视角α小于图4中的视角β，通过多个第二突出部51可以提升视角和反射的均一性。

另一方面，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影位于反射部53在第一衬底基板1上的正投影之内，且第一遮光层21的边沿与反射部53的边沿之间的间距小于等于30微米；尽量将第一遮光层21的面积制作的较大，在对绝缘层组3进行刻蚀形成第一突出部34时，可以尽量多的遮挡设备机台402和支撑柱401的反射光，避免该反射光射至绝缘层组3，从而避免由于设备机台402和支撑柱401的材质不同导致的反射光的强度不同，导致形成的第一突出部34不均匀的不良，进而避免形成的第二突出部51不均匀的不良；使得多个第二突出部51形貌基本相同，而且各处均匀设置，从而使得显示面板的显示各处均匀。

再一方面，第一遮光层21与开关单元23中的一层同层同材料设置，即第一遮光层21与开关单元23中的一层通过同一次构图工艺形成，设置第一遮光层21不会增加阵列基板100的制备工艺步骤、成本，也不会增加阵列基板100的厚度。

在本示例实施方式中，第一衬底基板1可以是玻璃基板；当然，在本公开的其他一些示例实施方式中，第一衬底基板1还可以是石英等等；第一衬底基板1还可以包括绝缘材料层，绝缘材料层可以设置在玻璃基板的一侧，该绝缘材料层可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。

在本示例实施方式中，参照图3和图5所示，在第一衬底基板1的一侧可以设置有栅极层24，栅极层24可以包括多根栅线241、多个子第二电极2421和多个连接部2422。子第二电极2421可以设置为框形，例如，子第二电极2421可以设置为矩形框。如此设置，避免 后续形成的第一遮光层21与子第二电极2421重叠面积过大，形成的存储电容过大，导致充电时间过长，无法充满；或子第二电极2421的面积过小，会导致存储电容过小，导致cross talk(画面串音)。

栅线241沿第一方向X延伸，第一方向X与第一衬底基板1的靠近开关层组2的一面平行，其中栅线241的一部分可以作为栅极。多个子第二电极2421呈阵列排布，且沿第一方向X排列的多个子第二电极2421形成一行，相邻两行子第二电极2421之间设置有一根栅线241，即栅线241设置在子第二电极2421的第二方向Y的一侧。连接部2422连接于沿第一方向X排列的相邻两个子第二电极2421之间，即位于同一行的多个子第二电极2421之间通过连接部2422相互连接。子第二电极2421可以是子公共电极，公共电极是整层设置的，子第二电极2421需要连接为一体。

在本示例实施方式中，参照图3和图6所示，在栅极层24远离第一衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层25。在栅绝缘层25远离第一衬底基板1的一侧设置有有源层26，有源层26可以包括沟道部263、导体部和第一填充部261和第二填充部262。沟道部263设于栅线241的远离第一衬底基板1的一侧，与沟道部263相对的栅线241的一部分作为栅极。在沟道部263两端一一对应地连接有两个导体部，第一填充部261设置在连接部2422远离第一衬底基板1的一侧，且覆盖至少部分连接部2422的侧壁；使得连接部2422的侧壁的坡度减缓。第二填充部262设置在栅线241远离第一衬底基板1的一侧，且覆盖至少部分栅线241的侧壁，使得栅线241的侧壁的坡度减缓。

在本示例实施方式中，参照图3、图7和图8所示，在有源层26远离第一衬底基板1的一侧设置有源漏极层27，源漏极层27可以包括源极272、漏极273、数据线271、第一遮光层21和第二电极连接部274。数据线271沿第二方向Y延伸，第二方向Y与所述第一方向X相交，例如，可以是第二方向Y与所述第一方向X垂直。因此，数据线271与栅线241必然会有交叉，但是由于栅线241的侧面的坡度较陡，而且栅绝缘层25的厚度较薄，对栅线241的平坦化作用较弱，因此，数据线271在与栅线241的交叉处容易断裂，导致断路；而将一部分第二填充部262设置在栅线241与数据线271的交叉处，即使得数据线271的一部分位于第二填充部262远离栅线241的一侧，第二填充部262能够对栅线241侧面的坡度进行进一步的平坦化，设置在第二填充部262之上的数据线271不容易断裂，不会断路。

而且，数据线271与第二电极连接部274也必然会有交叉，但是由于第二电极连接部274与栅线241通过同一次构图工艺形成，第二电极连接部274的侧面的坡度也较陡，而且栅绝缘层25的厚度较薄，对第二电极连接部274的平坦化作用较弱，因此，数据线271在与第二电极连接部274的交叉处容易断裂，导致断路；而将第一填充部261设置在第二电极连接部274与数据线271的交叉处，即使得数据线271的一部分位于第一填充部261远离第二电极连接部274的一侧，第一填充部261能够对第二电极连接部274侧面的坡度进行进一步的平坦化，设置在第一填充部261之上的数据线271不容易断裂，不会断路。

请继续参照图7所示，第一遮光层21设于数据线271的第一方向X的一侧，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影位于子第二电极2421在第一衬底基板1上的正投影之内， 例如，可以是第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影与子第二电极2421在第一衬底基板1上的正投影重合；也可以是第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的边沿线位于子第二电极2421在第一衬底基板1上的正投影的最外侧边沿线内侧，且第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的边沿线与子第二电极2421在第一衬底基板1上的正投影的最外侧边沿线之间的间距为大于等于0μm且小于等于10μm。第一遮光层21与子第二电极2421重叠的部分形成存储电容，存储电容需要多大，第一遮光层21和子第二电极2421重叠部分就设计多大。

源极272的一端连接于数据线271，另一端连接于一个导体部；漏极273的一端连接于第一遮光层21，另一端连接于另一个导体部。栅极、沟道部263、源极272、漏极273以及两个导体部形成一个开关单元23，该开关单元23是薄膜晶体管。

需要说明的是，本说明书中说明的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，在本公开的其他示例实施方式中，薄膜晶体管还可以是顶栅型或双栅型，对其具体结构在此不再赘述。而且，在使用极性相反的薄膜晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。

请继续参照图7所示，子第二电极2421可以是子公共电极，公共电极是整层设置的，子第二电极2421需要连接为一体，在第一方向X上相邻的两个子第二电极2421通过连接部2422连接为一体。第二电极连接部274连接于在第二方向Y上相邻的两个子第二电极2421之间，且第二电极连接部274的一部分位于第二填充部262的远离栅线241的一侧。第二电极连接部274与栅线241必然会有交叉，但是由于栅线241的侧面的坡度较陡，而且栅绝缘层25的厚度较薄，对栅线241的平坦化作用较弱，因此，第二电极连接部274在与栅线241的交叉处容易断裂，导致断路；而将另一部分第二填充部262设置在栅线241与第二电极连接部274的交叉处，即使得第二电极连接部274的一部分位于第二填充部262远离栅线241的一侧，第二填充部262能够对栅线241侧面的坡度进行进一步的平坦化，设置在第二填充部262之上的第二电极连接部274不容易断裂，不会断路。

第一遮光层21与其两侧的两条栅线241之间的间距不同，或同一条栅线241与其两侧的两个第一遮光层21之间的间距不同，具体地，栅线241与其属于同一个像素内的第一遮光层21之间的间距W1，大于栅线241与其不属于同一个像素内的第一遮光层21之间的间距W2。

而且，在第一遮光层21与栅线241之间的间隙内可以没有设置第二突出部51和第一突出部34，即多个第一突出部34和多个第二突出部51在第一衬底基板1上的正投影与上述间隙在第一衬底基板1上的正投影没有交叠；而多个第一突出部34和多个第二突出部51在第一衬底基板1上的正投影与栅线241在第一衬底基板1上的正投影有部分交叠。如此设置可以增大反射层5的面积，提高显示效果。

在本示例实施方式中，源漏极层27还可以包括维修块275，维修块275连接于第一遮光层21靠近栅线241的一侧，具体地，维修块275可以位于第一遮光层21远离开关单元23的一侧。当然，维修块275也可以位于第一遮光层21靠近开关单元23的一侧。

维修块275在第一衬底基板1上的正投影与栅线241在第一衬底基板1上的正投影有交叠。在薄膜晶体管(开关单元23)损坏的情况下，对应的子像素无法显示；可以将与数据线271连接的源极272切断，而将维修块275通过过孔与栅线241连接，通过栅线241给第一遮光层21接入电信号，第一遮光层21将该电信号传输至像素电极(第一电极4)，实现该像素的显示。当然，在本公开的另一些示例实施方式中，可以将与第一遮光层21连接的漏极273切断。

在本示例实施方式中，参照图3所示，在源漏极层27远离第一衬底基板1的一侧设置有绝缘层组3；绝缘层组3可以包括第一保护层31、绝缘层32和第二保护层33。第一保护层31设于源漏极层27远离第一衬底基板1的一侧，第一保护层31上设置有第一子过孔311，第一子过孔311连通至第一遮光层21；第一保护层31的材料可以是无机材料，例如，可以是氮化硅、氧化硅等等。第一保护层31的厚度大于等于100nm且小于等于500nm。

绝缘层32设于第一保护层31远离第一衬底基板1的一侧，绝缘层32上设置有第二子过孔321，第二子过孔321与第一子过孔311连通，使得第二子过孔321连通至第一遮光层21；绝缘层32的材料可以是有机材料，例如，可以是聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等等。绝缘层32的厚度大于等于0.5μm且小于等于5μm。由于绝缘层32的厚度较厚，因此，对绝缘层32进行刻蚀形成第三突出部，后续在绝缘层32远离衬底基板的一侧形成的第二保护层33，自然会形成第一突出部34。而且，绝缘层32的材质可以是光刻胶，在绝缘层32上形成第三突出部和第二子过孔321时只需要进行曝光显影即可，节省工艺步骤；而在其他膜层上形成第三突出部时，在曝光显影后，还需要以光刻胶为掩模对其他膜层进行刻蚀。

绝缘层32远离第一衬底基板1的一面设置有多个第三突出部，第三突出部的侧壁在第三方向Z的高度随着与第三突出部的中心在第一面的距离增加而减小，第一面与第一衬底基板1的靠近开关层组2的一面平行，即第一面是第一方向X和第二方向Y形成的平面，第三方向Z与第一面垂直；例如，第三突出部远的侧壁可以设置为弧面，弧面可以是圆弧面、椭圆弧面等等，具体地，第三突出部可以设置为球缺结构、椭球缺结构等等；第三突出部的侧壁还可以设置为斜面，具体地，为了保证后续形成的第二突出部具有足够的反射面，第三突出部可以不设置上顶面，即第三突出部可以设置为各种棱锥结构。

第二保护层33设于绝缘层32远离第一衬底基板1的一侧，且部分第二保护层33还覆盖第二子过孔321的孔壁；第二保护层33上设置有第三子过孔331，第三子过孔331与第二子过孔321和第一子过孔311连通，使得第三子过孔331连通至第一遮光层21；第一子过孔311、第二子过孔321与第三子过孔331形成第一过孔35，第一过孔35连通至第一遮光层21。第二保护层33的材料可以是无机材料，第二保护层33的材料可以与第一保护层31的材料相同，例如，可以是氮化硅、氧化硅等等。第一保护层31和第二保护层33可以起到对绝缘层32的保护作用。第二保护层33的厚度大于等于50nm且小于等于350nm。

由于第二保护层33的厚度较薄，因此，在第二保护层33远离第一衬底基板1的一面形成有多个第一突出部34，第一突出部34与上述第三突出部相对设置，即第一突出部34位于第三突出部远离第一衬底基板1的一侧；第一突出部34的侧壁在第三方向Z的高度也随 着与第一突出部34的中心在第一面的距离增加而减小；例如，第一突出部34远离第一衬底基板1的一面可以设置为弧面，在第三突出部的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等的情况下，对应地，第一突出部34的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等；在第三突出部设置为球缺结构、椭球缺结构等等的情况下，对应地，第一突出部34设置为球缺结构、椭球缺结构等等。第一突出部34远离第一衬底基板1的一面还可以设置为斜面，在第三突出部设置为各种棱锥结构的情况下，对应地，第一突出部34也设置为各种棱锥结构。

另外，在本公开的其他示例实施方式中，绝缘层组3可以仅包括绝缘层32和第二保护层33或绝缘层32，也可以包括更多的绝缘材料层，例如，还可以包括钝化层、缓冲层等等。而且突出部可以设置在厚度较厚的任意一层。

相邻第一突出部34之间连接有第一连接部38，第一突出部34在第三方向Z的高度高于第一连接部38在第三方向Z的高度，第一突出部34以及第一连接部38在第一衬底基板1上的正投影位于第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影内。第一连接部38与第一部分511相对设置。

例如，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影可以连续地覆盖，两个第一突出部34以及它们之间的第一连接部38在第一衬底基板1上的正投影。当然，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影可以连续地覆盖，三个或更多个第一突出部34以及它们之间的第一连接部38在第一衬底基板1上的正投影。

第一突出部34在第一衬底基板1上的正投影的面积占第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的面积的80％以上，例如，第一突出部34在第一衬底基板1上的正投影的面积占第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的面积的85％、90％、95％等等，也可以是100％。

绝缘层组3的具体的制备过程为：在源漏极层27远离第一衬底基板1的一侧形成第一保护层31和绝缘层32，然后，对绝缘层32进行图案化处理形成第二子过孔321并在绝缘层32远离第一衬底基板1的一面形成多个第三突出部；在绝缘层32远离第一衬底基板1的一侧形成第二保护层33，由于在绝缘层32上已经形成了第二子过孔321，因此，第二保护层33的一部分会覆盖在第二子过孔321的孔底壁和孔侧壁；最后，对第一保护层31和第二保护层33进行图案化处理形成第一子过孔311和第三子过孔331，而且是对第二子过孔321内的第一保护层31和第二保护层33进行图案化处理；因此，第一子过孔311在第一衬底基板1上的正投影位于第二子过孔321在第一衬底基板1上的正投影内，第三子过孔331在第一衬底基板1上的正投影位于第二子过孔321在第一衬底基板1上的正投影内。当然，在本公开的其他示例实施方式中，第一保护层31和第二保护层33也可以分两次分别进行图案化处理，即形成第二子过孔321后，对第一保护层31进行图案化处理形成第一子过孔311，然后形成第二保护层33，最后对第二保护层33进行图案化处理形成第三子过孔331。

对第一保护层31、绝缘层32和第二保护层33通过同一次构图工艺形成第一子过孔311、第二子过孔321和第三子过孔331时，第一保护层31的材质较软，而且绝缘层32的厚度较厚，刻蚀时间较长，第一保护层31又位于最下层，容易发生底切(undercut)现象，工艺难 度很大。因此，先对绝缘层32进行图案化处理形成第二子过孔321，然后在第二子过孔321处对第一保护层31和第二保护层33进行图案化处理形成第一子过孔311和第三子过孔331；去除绝缘层32后，第一保护层31的厚度和第二保护层33的厚度均较薄，刻蚀时间较短，不容易发生底切(undercut)现象，降低了工艺难度。而且，绝缘层32的材质可以是光刻胶，在绝缘层32上形成第三突出部和第二子过孔321时只需要进行曝光显影即可，不需要刻蚀。

请继续参照图3所示，绝缘层组3背离第一衬底基板1的一面包括第一平面36，第一平面36在第一衬底基板1上的正投影与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影有交叠，例如，可以是第一平面36在第一衬底基板1上的正投影与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影重合，也可以是第一平面36在第一衬底基板1上的正投影的边沿位于沟道部263在第一衬底基板1上的正投影的边沿内侧，还可以是第一平面36在第一衬底基板1上的正投影的一部分与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影的一部分交叠。

具体来讲，绝缘层32背离第一衬底基板1的一面可以包括第三平面，第三平面在第一衬底基板1上的正投影与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影有交叠，例如，可以是第三平面在第一衬底基板1上的正投影与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影重合，也可以是第三平面在第一衬底基板1上的正投影的边沿位于沟道部263在第一衬底基板1上的正投影的边沿内侧，还可以是第三平面在第一衬底基板1上的正投影的一部分与沟道部263在第一衬底基板1上的正投影的一部分交叠。第二保护层33设置在绝缘层32远离第一衬底基板1的一侧，因此，第一平面36形成在第二保护层33远离第一衬底基板1的一面。而且，由于绝缘层32上的第三突出部，是通过对绝缘层32的刻蚀形成的，在第三平面处不刻蚀即可形成第三平面，因此，第三平面相对于周围是突出的。后续形成的第二保护层33对绝缘层32背离第一衬底基板1的一面具有一定的平坦化作用，因此，在第二保护层33较薄的情况下，第一平面36在第一衬底基板1上的正投影与第三平面在第一衬底基板1上的正投影基本重合；在第二保护层33较厚的情况下，第一平面36在第一衬底基板1上的正投影位于第三平面在第一衬底基板1上的正投影的内侧。

也就是说：绝缘层组3背离第一衬底基板1的一面的与沟道部263相对的一部分为第一平面36。具体为，绝缘层32背离第一衬底基板1的一面的与沟道部263相对的一部分为平面，那么，后续形成的第二保护层33背离第一衬底基板1的一面的与沟道部263相对的一部分也为平面。

阵列基板100还可以包括隔垫物8，隔垫物8设于第一平面36远离第一衬底基板1的一侧。因为，隔垫物8用于支撑彩膜基板200，需要设置较为平整的支撑平面，那么，就需要为隔垫物8提供较为平整的基础平面，第三突出部会导致设置隔垫物8的基础平面不平整，设置第一平面36后，为隔垫物8提供较为平整的基础平面。因此，当隔垫物8设置在其他位置的时候，第一平面36也可以设置在其他位置。

在本示例实施方式中，请继续参照图3和图9所示，在绝缘层组3远离第一衬底基板1的一侧设置有第一电极层4，使得第一电极层4位于绝缘层组3与反射层5之间；第一电极层4包括多个第一电极41，第一电极4通过第一过孔35与第一遮光层21连接。第一电极4 可以是像素电极，第一遮光层21与子第二电极直接形成Cst电容，从而不会增加寄生电容。

第一电极层4的材质可以是ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)。当然，也可以是IZO(氧化铟锌)等其他透明导电氧化物。第一电极层4的厚度大于等于30nm且小于等于100nm。由于第一电极层4的厚度较薄，因此，在第二保护层33背离第一衬底基板1的一面形成有多个第四突出部，第四突出部与上述第一突出部34相对设置，即第四突出部位于第一突出部34远离第一衬底基板1的一侧；第四突出部的侧壁在第三方向Z的高度也随着与第四突出部的中心在第一面的距离增加而减小；例如，第四突出部远离第一衬底基板1的一面可以设置为弧面，在第一突出部34的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等的情况下，对应地，第四突出部的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等；在第一突出部34设置为球缺结构、椭球缺结构等等的情况下，对应地，第四突出部设置为球缺结构、椭球缺结构等等。第四突出部远离第一衬底基板1的一面还可以设置为斜面，在第一突出部34设置为各种棱锥结构的情况下，对应地，第四突出部也设置为各种棱锥结构。

请参照图3和图10所示，在第一电极层4远离第一衬底基板1的一侧设置有反射层5，反射层5的材质可以是金属。反射层5的厚度大于等于50nm且小于等于300nm。由于反射层5的厚度较薄，因此，在反射层5背离第一衬底基板1的一面形成有多个第二突出部51，第二突出部51与上述第四突出部相对设置，即第二突出部51位于第四突出部远离第一衬底基板1的一侧；第二突出部51的侧壁在第三方向Z的高度也随着与第二突出部51的中心在第一面的距离增加而减小；例如，第二突出部51远离第一衬底基板1的一面可以设置为弧面，在第四突出部的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等的情况下，对应地，第二突出部51的侧壁是圆弧面、椭圆弧面等等；在第四突出部设置为球缺结构、椭球缺结构等等的情况下，对应地，第二突出部51设置为球缺结构、椭球缺结构等等。第二突出部51远离第一衬底基板1的一面还可以设置为斜面，在第四突出部设置为各种棱锥结构的情况下，对应地，第二突出部51也设置为各种棱锥结构。

具体地，参照图11所示，第二突出部51的侧壁可以包括依次平滑连接的第一部分511、第二部分512和第三部分513，第一部分511相对于第三部分513更靠近第一衬底基板，第一部分511和第三部分513设置为弧面，第一部分511的曲率半径可以小于第三部分513的曲率半径，第一部分511可以设置为凹陷状，第三部分513可以设置为突出状；第二部分512设置为斜面。具体地，第二突出部51的侧壁靠近第一衬底基板的部分可以是圆弧面，第二突出部51的侧壁的中间部分可以设置为斜面，第二突出部51的侧壁远离第一衬底基板的部分可以是圆弧面。

多个第二突出部51的第一部分511平滑连接，具体地，多个第二突出部51的第一部分511在第二突出部51的底部平滑连接；而且同一个第二突出部51的第三部分513在第二突出部51的顶部平滑连接。使得第二突出部51的各处均形成漫反射面，提高反射层5的反射效率，保证显示效果。

第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的面积占反射部53在第一衬底基板1上的正投影的面积的60％至100％。例如，第一遮光层21在第一衬底基板1上的正投影的面积 占反射部53在第一衬底基板1上的正投影的面积的85％至95％，具体地，可以是86％、88％、90％、91％、93.5％等等。

第二突出部51的侧壁与第一面的夹角大于等于6°且小于等于13°，例如，第二突出部51的侧壁与第一面的夹角可以是7.5°、9°、9.5°、10°10.5°、12°等等。在这个范围内反射层5的反射率最高。

参照图11所示，在第二突出部51远离第一衬底基板1的一面设置为弧面的情况下，第二突出部51的侧壁与第一面的夹角指的是第一突出部34靠近第一衬底基板的一端切线与第一面之间的夹角λ。

参照图10所示，第一电极41的形状可以与反射部53的形状相同，即第一电极41的在第一衬底基板1上的正投影的形状可以与反射部53在第一衬底基板1上的正投影的的形状相同。第一电极41在第一衬底基板1上的正投影位于反射部53在第一衬底基板1上的正投影之内，例如，可以是第一电极41在第一衬底基板1上的正投影与反射部53在第一衬底基板1上的正投影重叠；还可以是第一电极41在第一衬底基板1上的正投影的边沿位于反射部53在第一衬底基板1上的正投影的边沿内，而且第一电极41在所述第一衬底基板1上的正投影的边沿与反射部53在所述第一衬底基板1上的正投影的边沿之间设置有间隙。间隙的宽度大于等于1微米且小于等于5微米，例如，间隙的宽度可以是2微米、3微米、4.5微米等等。如此设置，可以避免在第一电极4和反射部53的制备过程中的误差，导致反射部53没有将第一电极4覆盖。

另外，在本公开的其他一些示例实施方式中，反射部53在第一衬底基板1上的正投影也可以位于第一电极41在第一衬底基板1上的正投影内，即第一电极41的边沿没有被反射部53覆盖。由于第一电极41的材质是ITO，第一电极41在沉积形成的过程中，温度升高容易结晶，对第一电极41进行刻蚀后，也会有一些残留形成残沙，如果反射部53覆盖在第一电极41被刻蚀的位置，由于残沙的存在，反射层5在残沙处容易形成鼓包，导致反射率异常，显示异常；第一电极41的边沿没有被反射部53覆盖，那么反射部53不会覆盖残沙，不会由于残沙而产生鼓包，以及反射率异常，使得显示面板显示正常。

第一电极5在第一衬底基板1上的正投影与栅线241在第一衬底基板1上的正投影有交叠；即第一电极5不仅覆盖第一遮光层21，而且第一电极5向栅线241一侧突出与栅线241的一部分重叠。反射部53在第一衬底基板1上的正投影与栅线241在第一衬底基板上的正投影有交叠，即反射部53不仅覆盖第一遮光层21，而且反射部53向栅线241一侧突出与栅线241的一部分重叠。尽可能地将反射部53的面积制作的较大，提高了反射面积，从而提高反射率，进而改善显示效果。

参照图12和图13所示，绝缘层组3背离第一衬底基板1的一面还可以包括第二平面37，第二平面37在第一衬底基板1上的正投影位于相邻两个第一电极4之间的间隔空间在第一衬底基板1上的正投影之内。

第二平面37可以包括沿第一方向X延伸的多个第一子平面和沿第二方向Y延伸的多个第二子平面，第一子平面的宽度与第一方向X垂直的宽度大于等于1微米且小于等于12微 米，例如，可以是5微米、6微米、8微米等等；第二子平面的宽度与第二方向Y垂直的宽度大于等于4微米且小于等于8微米，例如，可以是6微米；多个第一子平面和多个第二子平面交叉形成网格状，在各个网格内设置多个第一突出部34。

具体来讲，绝缘层32背离第一衬底基板1的一面可以包括第四平面，第四平面在第一衬底基板1上的正投影位于相邻两个第一电极4之间的间隔空间在第一衬底基板1上的正投影之内。第四平面在第一衬底基板1上的正投影可以与相邻两个第一电极4之间的间隔空间在第一衬底基板1上的正投影重合，也可以是第四平面在第一衬底基板1上的正投影位于相邻两个第一电极4之间的间隔空间在第一衬底基板1上的正投影内侧。第二保护层33设置在绝缘层32远离第一衬底基板1的一侧，因此，第二平面37形成在第二保护层33远离第一衬底基板1的一面。而且，由于绝缘层32上的第三突出部，是通过对绝缘层32的刻蚀形成的，在第四平面处不刻蚀即可形成第四平面，因此，第四平面相对于周围是突出的。后续形成的第二保护层33对绝缘层32背离第一衬底基板1的一面具有一定的平坦化作用，因此，在第二保护层33较薄的情况下，第四平面在第一衬底基板1上的正投影与第二平面37在第一衬底基板1上的正投影基本重合；在第二保护层33较厚的情况下，第四平面在第一衬底基板1上的正投影位于第二平面37在第一衬底基板1上的正投影的内侧。当然，如图12和图13所示，第二平面37也可以通过刻蚀形成。

由于反射层5直接设置在第一电极4远离第一衬底基板1的一侧，反射层5的材质为Ag(银)，是导电的，那么对第一电极4通电后，反射层5必然会通电；如果在相邻两个像素区之间的间隔空间也设置第一突出部34的话，使得间隔空间内的形成反射材料层的表面凸凹不平，在对反射材料层进行刻蚀形成不同像素的不同的反射部53时，位于间隔空间的凹陷部内的光刻胶不容易去除，导致反射材料层也无法被刻蚀掉，从而导致相邻两个子像素的像素电极相互连接，从而导致亮点不良。

设置第二平面37后，使得第二平面37内的形成反射材料层的表面较为平整，在对反射材料层进行刻蚀形成不同像素的不同的反射部53时，位于第二平面37内的光刻胶容易去除，反射材料层也会被刻蚀掉，使得相邻两个反射部53之间具有间隙，从而使得相邻两个子像素的像素电极不会相互连接，也不会导致亮点不良。

需要说明的是，上述说明的第一平面36和第二平面37，并不是绝对的平面，也是有一定的粗糙度的；限定为平面主要是相对于绝缘层组3的其他位置设置有第一突出部34而言，在第一平面36和第二平面37处没有设置第一突出部34，使得第一平面36和第二平面处37更为平坦化。

另外，在本公开的其他一些示例实施方式中，可以在相邻两个像素之间也设置有第一突出部34和反射层5，在反射层5上设置有第二突出部51，仅在薄膜晶体管以及第一过孔35相对的区域内没有设置第一突出部34和反射层5，当然，也就不会形成第二突出部51。如此设置可以增大反射层5的面积，以提高显示效果。

上面对显示区AA的结构进行了详细说明，参照图14和图15所示，在绑定区BOD，阵列基板100还可以包括多个第一绑定引脚61和多个第二绑定引脚62；第一绑定引脚61 与栅极层24或源漏极层27同层同材料设置；多个第二绑定引脚62一一对应地位于多个第一绑定引脚61远离第一衬底基板1的一侧，第二绑定引脚62与第一电极4同层同材料设置，第二绑定引脚62在第一衬底基板1上的正投影位于第一绑定引脚61在第一衬底基板1上的正投影内，且第二绑定引脚62在第一衬底基板1上的正投影的远离显示区AA的边沿，与第一绑定引脚61在第一衬底基板1上的正投影的远离显示区AA的边沿之间设置有间隙；即第二绑定引脚62向显示区AA一侧内缩，第二绑定引脚62远离显示区AA的端面与第一绑定引脚61远离显示区AA的端面之间的距离m为间隙，间隙的宽度大于等于1.5微米且小于等于3.5微米，例如，可以是2微米、2.5微米、3微米等等。如此设置，可以避免第二绑定引脚62的翘起。

在绑定区BOD设置有贯穿第一保护层31和第二保护层33的凹槽7，凹槽7位于第一绑定引脚61远离显示区AA的一侧，即凹槽7位于第一绑定引脚61靠近切割线501的一侧，由于在对阵列基板100进行切割时，第一保护层31和第二保护层33会产生裂纹，设置凹槽7可以阻断裂纹延伸至第一绑定引脚61，从而避免第一绑定引脚61的开裂，保证第一绑定引脚61的电性能。

阵列基板100还可以包括测试走线，测试走线与阵列基板100的切割线之间的距离大于等于0.2毫米且小于等于0.3毫米，增加了测试走线与切割线之间的距离，可以避免测试走线在切割时被划伤。

在本公开的另一示例实施方式中，参照图16和图17所示，可以将第一遮光层21与栅极层24同层同材料设置。栅极层24可以包括多根栅线241、多个子第二电极2421和多个连接部2422。子第二电极2421可以设置为框形，例如，子第二电极2421可以设置为矩形框。栅线241沿第一方向X延伸，第一方向X与第一衬底基板1的靠近开关层组2的一面平行，其中栅线241的一部分可以作为栅极。多个子第二电极2421呈阵列排布，且沿第一方向X排列的多个子第二电极2421形成一行，相邻两行子第二电极2421之间设置有一根栅线241，即栅线241设置在子第二电极2421的第二方向Y的一侧。连接部2422连接于沿第一方向X排列的相邻两个子第二电极2421之间，即位于同一行的多个子第二电极2421之间通过连接部2422相互连接。

第一遮光层21设于框形内，第一遮光层21可以设置为矩形片状，第一遮光层21的外边沿可以与第二电极242的内边沿连接为一体，使得第一遮光层21与第二电极242形成一个矩形片状。使得子第二电极2421的面积较大，增大了子第二电极2421与源漏极层形成的存储电容，导致充电时间过长或无法充满。

当然，在本公开的其他一些示例实施方式中，参照图18所示，在第一遮光层21与第二电极242之间设置有第二间隙243，使得第一遮光层21与第二电极242之间绝缘，在对第二电极242通电的情况下，不会对第一遮光层21通电，避免第一遮光层21影响阵列基板100的电容。而且在工艺条件能够达到的情况下，第二间隙243的宽度可以制作的越窄越好，使得第一遮光层21的面积尽量的大，遮挡的光线尽量的多。

这种情况下，源漏极层27可以包括可以包括源极272、漏极273、数据线271和第二电 极连接部274。上述实施例中设置为第一遮光层21的部分的面积可以设置的较小，只要能够与第一电极4连接即可。

在本公开的另一示例实施方式中，参照图19所示，可以设置两层遮光层，分别为第一遮光层21和第二遮光层22，第一遮光层21可以与源漏极层27同层铜材料设置，第一遮光层21的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

第二遮光层22可以与栅极层24同层同材料设置。即栅极层24可以包括多个第二遮光层22、多根栅线241、多个子第二电极2421和多个连接部2422。子第二电极2421可以设置为框形，例如，子第二电极2421可以设置为矩形框。

第二遮光层22设于框形内，第二遮光层22可以设置为矩形片状，第二遮光层22的外边沿可以与第二电极242的内边沿连接为一体，使得第二遮光层22与第二电极242形成一个矩形片状。

当然，在本公开的其他一些示例实施方式中，在第二遮光层22与第二电极242之间设置有第二间隙243，使得第二遮光层22与第二电极242之间绝缘，在对第二电极242通电的情况下，不会对第二遮光层22通电，避免第二遮光层22影响阵列基板100的电容。而且在工艺条件能够达到的情况下，第二间隙243的宽度可以制作的越窄越好，使得第二遮光层22的面积尽量的大，遮挡的光线尽量的多。

基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以包括阵列基板100、彩膜基板200、胶框301以及液晶层302；阵列基板100为上述任意一项所述的阵列基板100；彩膜基板200设于阵列基板100的靠近反射层5的一侧；胶框301设于阵列基板100与彩膜基板200之间；液晶层302设于阵列基板100与彩膜基板200之间，且位于胶框301内。

阵列基板100的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

在本示例实施方式中，参照图14所示，胶框301在第一衬底基板1上的正投影与绝缘层32在第一衬底基板1上的正投影无交叠，即对绝缘层32进行挖槽，第二保护层33覆盖凹槽的侧壁。可以兼容黑白显示。胶框301的宽度K大约为1mm，在没有设置绑定区BOD的侧部胶框301外侧面与切割线501之间的距离K1大约为0.2mm，胶框301内侧面与第二保护层33之间的距离K2大约为0.2mm。

参照图15所示，在阵列基板100靠近彩膜基板200的一侧还设置有第一配向膜91，在彩膜基板200靠近阵列基板100的一侧还设置有第二配向膜92。

在本示例实施方式中，彩膜基板200可以包括第二衬底基板201、透光部202和遮光部203，透光部202设于第二衬底基板201的靠近阵列基板100的一侧，透光部202与像素区相对设置；遮光部203设于第二衬底基板201的靠近阵列基板100的一侧，遮光部203与像素区之间的间隙相对设置，遮光部203在第二衬底基板201上的正投影位于第二衬底基板内，即遮光部203的边沿与第二衬底基板201的边沿没有平齐，而是相对于第二衬底基板201的边沿内缩。

具体地，参照图12所示，在与第二方向Y垂直的截面上，即与数据线271垂直的截面 上；遮光部203的宽度e大约为11微米，数据线271的宽度a大约为4微米，相邻两个反射部53之间的间隙d大约为6微米，遮光部203与反射部53的重叠宽度f/g大约为2.5微米，数据线271的靠近反射部53的一面与反射部53靠近数据线271的一面之间的距离b/c大约为1微米，数据线271的靠近第二电极242的一面与第二电极242靠近数据线271的一面之间的距离h/i大约为5.5微米。在本公开的另一些示例实施方式中，数据线271的宽度a大约为3.5微米，数据线271的靠近反射部53的一面与反射部53靠近数据线271的一面之间的距离b/c大约为0.75微米，数据线271的靠近第二电极242的一面与第二电极242靠近数据线271的一面之间的距离h/i大约为7微米。

具体地，参照图13所示，在与第一方向X垂直的截面上，即与栅线241垂直的截面上；遮光部203的宽度e大约为13微米，栅线241的宽度a大约为21.2微米，相邻两个反射部53之间的间隙d大约为6微米，遮光部203与反射部53的重叠宽度f/g大约为3.5微米，栅线241与相邻像素区的反射部53之间的距离b大约为10.5微米。在本公开的另一些示例实施方式中，栅线241的宽度a大约为22.2微米、3.5微米等等，栅线241与相邻像素区的反射部53之间的距离b大约为0.75微米等等。

基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述任意一项所述的显示面板，显示面板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

与现有技术相比，本发明示例实施方式提供的显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的阵列基板100的有益效果相同，在此不做赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。