聚变装置的真空室壁评估方法、装置及聚变装置

技术领域

本公开涉及聚变技术领域，尤其涉及一种聚变装置的真空室壁评估方法、装置及聚变装置。

背景技术

在托卡马克核聚变装置物理实验中，高温等离子体与聚变装置的真空室壁发生碰撞作用，使得真空室壁释放杂质例如碳、氧和铁等进入到真空室内的等离子体中，杂质会损耗等离子体的能量，从而造成等离子体能量的巨大损失。目前，通过对聚变装置中的真空室内壁进行硼化或硅化处理，在真空室内壁形成薄膜，可对真空室壁中的杂质进行抑制，降低了真空室壁中的杂质混入到等离子体中，有利于提高等离子体电流以及密度。

随着聚变装置中等离子体放电次数的增多，等离子体对真空室内壁的薄膜轰击次数增加，导致真空室内壁对杂质抑制的能力逐渐降低。为了提高预判真空室内壁中薄膜寿命的准确度，需获取真空室内壁对杂质的抑制能力即获取真空室壁性能，为再次进行真空室壁处理的时机提供数据支持。然而，由于真空室内的真空条件受到多种因素的影响，无法准确获取不同工况下的真空室壁条件，导致无法准确评估真空室壁性能。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，本公开提供了一种聚变装置的真空室壁评估方法、装置及聚变装置，有利于为真空室壁提供可靠的评估依据，提高了对真空室壁处理的评估准确度，从而有利于准确获取真空室壁性能。

第一方面，本公开实施例提供了一种聚变装置的真空室壁评估方法，包括：

获取所述聚变装置的真空室的真空抽速曲线；

基于所述真空抽速曲线获取拟合函数；其中，所述拟合函数是真空室抽气时间和真空室气压的函数；

基于所述拟合函数获取所述真空室壁性能参数；

基于所述真空室壁性能参数，评估所述真空室壁性能。

在一些实施例中，所述获取所述聚变装置的真空室的真空抽速曲线，包括：

在所述真空室抽气的过程中实时获取所述真空室的气压；

基于所述真空室气压获取所述真空抽速曲线。

在一些实施例中，所述真空室的气压用于表征杂质分压的变化规律。

在一些实施例中，所述基于所述拟合函数获取所述真空室壁性能参数，包括：

基于所述拟合函数，获取幂函数系数和常数指数；

将所述幂函数系数和所述常数指数作为所述真空室壁性能参数。

在一些实施例中，所述拟合函数为：

Y＝a×X

其中，a代表所述幂函数系数，b代表所述常数指数，X代表所述真空室抽气时间，Y代表所述杂质分压。

在一些实施例中，所述基于所述真空室壁性能参数，评估所述真空室壁性能之前，还包括：

获取幂函数系数阈值和常数指数阈值；

所述基于所述真空室壁性能参数，评估所述真空室壁性能，包括：

基于所述幂函数系数和所述幂函数系数阈值的大小比较关系，以及所述常数指数和所述常数指数阈值的大小比较关系，评估所述真空室壁性能。

在一些实施例中，所述基于所述幂函数系数和所述幂函数系数阈值的大小比较关系，以及所述常数指数和所述常数指数阈值的大小比较关系，评估所述真空室壁性能，包括：

基于所述幂函数系数小于所述幂函数系数阈值且所述常数指数小于所述常数指数阈值，评估所述真空室壁处于吸附杂质的状态；

基于所述幂函数系数大于等于所述幂函数系数阈值，和/或，所述常数指数大于等于所述常数指数阈值，评估所述真空室壁处于释放杂质的状态。

在一些实施例中，所述基于所述拟合函数获取所述真空室壁性能参数，包括：

基于所述拟合函数，获取所述拟合函数与所述真空室抽气时间对应的坐标围成的面积；

所述基于所述真空室壁性能参数，评估所述真空室壁性能，包括：

基于所述面积小于面积阈值，评估所述真空室壁处于吸附杂质的状态；

基于所述面积大于等于面积阈值，评估所述真空室壁处于释放杂质的状态。

第二方面，本公开实施例还提供了一种聚变装置的真空室壁评估装置，包括：

曲线获取模块，用于获取所述聚变装置的真空室的真空抽速曲线；

函数获取模块，用于基于所述真空抽速曲线获取拟合函数；其中，所述拟合函数是真空室抽气时间和真空室气压的函数；

参数获取模块，用于基于所述拟合函数获取所述真空室壁性能参数；

性能评估模块，用于基于所述真空室壁性能参数，评估所述真空室壁性能。

第三方面，本公开实施例还提供了一种聚变装置，包括处理器和存储器，所述处理器通过调用所述存储器存储的程序或指令，执行如第一方面提供的任一种聚变装置的真空室壁处理评估方法的步骤。

本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：

本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁评估方法包括：获取聚变装置的真空室的真空抽速曲线；基于真空抽速曲线获取拟合函数；其中，拟合函数是真空室抽气时间和真空室气压的函数；基于拟合函数获取真空室壁性能参数；基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能。由此，对真空抽速曲线进行拟合分析，获得对应的拟合函数，而真空抽速曲线随真空室壁条件的变化而发生变化，因此拟合函数也随真空室壁的条件变化而发生变化，通过拟合函数获取真空室壁性能参数，根据真空室壁性能参数评估真空室壁性能状况，例如真空室壁处于吸附杂质的状态或释放杂质的状态，从而实现了对真空室壁性能进行评估。另外，将拟合函数作为经验公式并结合实际情况作为评估真空室壁性能的依据，由于真空条件受到多种因素的影响，拟合函数也会随各种工况条件发生变化，有利于为真空室壁提供可靠的评估依据，提高了对真空室壁处理的评估准确度，从而有利于准确获取真空室壁性能。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例提供的一种聚变装置的真空室壁评估方法的流程示意图；

图2为本公开实施例提供的一种真空抽速曲线的示意图；

图3为本公开实施例提供的一种真空室壁释放杂质的炮数点阵分布示意图；

图4为本公开实施例提供的另一种真空室壁释放杂质的炮数点阵分布示意图；

图5为本公开实施例提供的一种聚变装置的真空室壁评估装置的结构示意图；

图6为本公开实施例提供的一种聚变装置的结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。

图1为本公开实施例提供的一种聚变装置的真空室壁评估方法的流程示意图。本方法适用于需要对聚变装置的真空室壁进行评估的应用场景。本方法可以由本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁评估装置来执行，该聚变装置的真空室壁评估装置可以采用软件和/或硬件的方式实现。如图1所示，该方法包括以下步骤：

S101、获取聚变装置的真空室的真空抽速曲线。

具体地，搭建聚变装置，聚变装置包括真空系统，在聚变装置中的真空室中进行等离子体放电。当真空室中完成一次或多次等离子体放电后，对聚变装置的真空室进行抽气，例如聚变装置中包括抽气系统，利用聚变装置中的抽气系统对真空室进行抽气，以获取真空抽速曲线。

在一些实施例中，获取聚变装置的真空室的真空抽速曲线，包括：

在真空室抽气的过程中实时获取真空室的气压；

基于真空室的气压获取真空抽速曲线。

具体地，当真空室中的等离子体放电完成后，对真空室进行抽气。在抽气的过程中，实时监测并获取真空室中每一时刻的气压变化数据，例如通过残余气体分析仪(Residual Gas Analysers，RGA)获取真空室中每一时刻的气压变化数据。同时建立直角坐标系，直角坐标系包括坐标原点、横坐标以及纵坐标，横坐标表示抽气时间，纵坐标表示真空室中的气压，由此在对真空室进行抽气的过程中，可获取到真空室中的气压随抽气时间的变化数据，根据真空室中的气压随抽气时间的变化数据，可获取到真空抽速曲线，即真空抽速曲线是以真空室中的气压随抽气时间的变化数据生成的。

示例性地，图2为本公开实施例提供的一种真空抽速曲线的示意图。如图2所示，横坐标表示时间T，单位为s，纵坐标表示真空室中的气压P，单位为pa。图2示出了四条真空抽速曲线，每一条真空抽速曲线为真空室进行一次等离子体放电后，获取到的真空抽速曲线，四条真空抽速曲线分别代表了四次不同的等离子体放电过程所处的四种不同的真空室壁条件，即四种不同的真空室壁性能。

例如，在真空室壁硼化前获取两次等离子体放电后的真空抽速曲线，以及在真空室壁硼化后获取两次等离子体放电后的真空抽速曲线。由于真空室壁寿命有限，每进行一次等离子体放电后，真空室壁性能发生变化，对应地真空抽速曲线发生变化。

在一些实施例中，真空室的气压用于表征杂质分压的变化规律。

具体地，当真空室中的等离子体进行放电时，高温等离子体与聚变装置的真空室壁发生碰撞作用，使得真空室壁释放杂质例如碳、氧和铁等进入到真空室室内。其中，杂质的释放量跟真空室壁性能有关，例如若真空室壁性能好，则真空室壁释放的杂质少或者真空室壁吸附放电后的等离子体；若真空室壁性能差，真空室壁释放的杂质多。

当等离子放电完成后，真空室的气压包括等离子体分压和杂质分压。当对真空室的气压进行抽气时，真空室中的等离子体和杂质均被抽走，因此真空室的气压逐渐降低，如图2所示，真空抽速曲线随抽气时间呈下降的趋势直至真空抽速曲线处于平稳趋势。每次进行等离子体放电后，等离子体的气压基本保持一致，真空室的气压的变化主要取决于真空室壁释放的杂质状况，因此真空室的气压可用于表征杂质分压的变化规律。

由此，真空抽速曲线的变化趋势取决于真空室壁释放的杂质状况，而真空室壁释放的杂质状况跟真空室壁性能有关，可得真空抽速曲线的变化趋势跟真空室壁性能有关。

现有技术中，采用可见光谱仪扫描不同波段的纳米量级波长，通过对比分析峰强度可判断真空室中的碳、氧和铁等杂质含量。然而，由于可见光谱仪受到很多条件的限制例如扫描频率、采样率和系统性能等，导致可见光谱仪不能同时扫描到多种杂质，不能有效地反应每一炮等离子体放电后的全部杂质状况，从而不能准确获取真空室壁性能。而本方案通过获取真空室的真空抽速曲线，对真空室的气压进行检测，真空室的气压包括杂质分压，从而通过真空抽速曲线能够有效地反应每一炮等离子体放电后的全部杂质状况，有利于提高真空室壁性能获取的准确度。

S102、基于真空抽速曲线获取拟合函数；其中，拟合函数是真空室抽气时间和真空室气压的函数。

具体地，如图2所示，每一条真空抽速曲线均代表在真空室进行抽气时，真空室的气压数据随抽气时间的变化而变化。由此，基于真空室的气压数据随抽气时间的变化而变化，以抽气时间和真空室气压作为变化参数，构建包括抽气时间和真空室气压的拟合函数，即基于真空抽速曲线获取拟合函数。

示例性地，图2中示出了对应于每一条真空抽速曲线的拟合函数公式。例如真空抽速曲线01、真空抽速曲线02、真空抽速曲线03和真空抽速曲线04分别对应四个不同的拟合函数公式。

S103、基于拟合函数获取真空室壁性能参数。

具体地，拟合函数是针对于真空抽速曲线进行拟合获取的，因此拟合函数可用于表征对应的真空抽速曲线的变化趋势。然而，真空抽速曲线的变化趋势与真空室壁性能有关，由此可得到拟合函数与真空室壁性能有关，通过拟合函数可获取到真空室壁性能参数，真空室壁性能参数包括下述实施例所述的幂函数系数和常数指数。

在一些实施例中，基于拟合函数获取真空室壁性能参数，包括：

基于拟合函数，获取幂函数系数和常数指数；

将幂函数系数和常数指数作为真空室壁性能参数。

具体地，如图2所示，针对于四条真空抽速曲线可获取到对应的四个拟合函数，例如真空抽速曲线01、真空抽速曲线02、真空抽速曲线03和真空抽速曲线04分别对应四个不同的拟合函数。

示例性地，拟合函数可为Y＝a×X

通过对图2中的四个拟合函数进行分析，可以发现四个拟合函数的幂函数系数和常数指数均不同。其中，四个拟合函数的幂函数系数和常数指数均不同与真空室壁性能有关，因此基于拟合函数获取幂函数系数和常数指数，进而将幂函数系数和常数指数作为真空室壁性能参数。

S104、基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能。

具体地，参照上述实施例，基于不同的真空抽速曲线获取不同的拟合函数，而不同的拟合函数的幂函数系数和常数指数均不同与真空室壁性能有关，由此通过获取到的真空室壁性能参数即幂函数系数和常数指数，可用于评估真空室壁性能，评估真空室壁是处于吸附杂质的状态或者处于释放杂质的状态。

在一些实施例中，基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能之前，还包括：

获取幂函数系数阈值和常数指数阈值；

基于幂函数系数和常数指数，判断壁性能，包括：

基于幂函数系数和幂函数系数阈值的大小比较关系，以及常数指数和常数指数阈值的大小比较关系，评估真空室壁性能。

其中，幂函数系数可用于表征真空室壁处于吸气状态或排气状态，当幂函数系数越大时，真空室壁处于排气状态，不利于真空室壁对杂质的抑制；当幂函数系数越小时，真空室壁处于吸气状态，有利于吸附杂质。常数指数壁可用于表征真空室壁对杂质的吸附粘度系数，常数指数系数越大，真空室壁的吸附粘度系数越小，杂质越难滞留在真空室壁中；常数指数系数越小，真空室壁的吸附粘度系数越大，杂质易滞留在真空室壁中。由此，设置幂函数系数阈值和常数指数阈值，根据幂函数系数和幂函数系数阈值的大小比较关系，以及常数指数和常数指数阈值的大小比较关系，评估真空室壁性能。

具体地，在评估真空室壁性能之前，将获取到的拟合函数的幂函数系数与幂函数系数阈值进行大小比较，以及将获取到拟合函数的常数指数与常数指数阈值进行大小比较，进一步地，根据幂函数系数与幂函数系数阈值的大小比较结果，以及常数指数与常数指数阈值的大小比较结果，来评估真空室壁性能。

其中，幂函数系数阈值和常数指数阈值可根据本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁评估方法的需求进行适应性设置。

在一些实施例中，基于幂函数系数和幂函数系数阈值的大小比较关系，以及常数指数和常数指数阈值的大小比较关系，评估真空室壁性能，包括：

基于幂函数系数小于幂函数系数阈值且常数指数小于常数指数阈值，评估所述真空室壁处于吸附杂质的状态；

基于幂函数系数大于等于幂函数系数阈值，和/或，常数指数大于等于常数指数阈值，评估真空室壁处于释放杂质的状态。

具体地，当获取到的幂函数系数小于幂函数系数阈值，且获取到的常数指数小于常数指数阈值，此时可评估真空室壁性能处于吸附杂质的状态，即真空室壁处于较好的状态，可有效抑制真空室壁中的金属、氧和碳等杂质逸出，降低了真空室壁中的杂质被碰撞后，进入到真空室内部并混入到等离子体中的几率，减小等离子体放电能量损失，大大改善等离子性能；当获取到的幂函数系数大于等于幂函数系数阈值，和/或，获取到的常数指数大于等于常数指数阈值，此时可评估真空室壁性能处于释放杂质的状态，即真空室壁处于较差的状态，真空室壁中的金属、氧和碳等杂质容易逸出，并混入到真空室的等离子体中，杂质会损耗等离子体的能量，从而造成等离子体能量的巨大损失。

本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁处理评估方法，获取真空抽速曲线，进而通过对真空抽速曲线进行拟合分析，获得对应的拟合函数，而真空抽速曲线随真空室壁条件的变化而发生变化，因此拟合函数也随真空室壁的条件变化而发生变化，通过拟合函数的幂函数系数和常数指数与真空室壁条件的阈值进行判断，评估真空室壁处于吸附杂质的状态或释放杂质的状态，有利于实现对处理后的真空室壁性能进行评估。由此，通过真空度变化曲线获取拟合函数，将拟合函数作为经验公式并结合实际情况作为评估真空室壁处理的依据，由于真空条件受到多种因素的影响，拟合函数也会随各种工况条件发生变化，有利于为真空室壁提供可靠的评估依据，提高了对真空室壁处理的评估准确度，从而有利于准确获取真空室壁性能。

在一些实施例中，基于拟合函数获取真空室壁性能参数，包括：

基于拟合函数，获取拟合函数与真空室抽气时间对应的坐标围成的面积；

基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能，包括：

基于面积小于面积阈值，评估真空室壁处于吸附杂质的状态；

基于面积大于等于面积阈值，评估真空室壁处于释放杂质的状态。

具体地，可基于真空抽速曲线得到的拟合函数，计算对应的拟合函数曲线与抽气时间对应的坐标围城的面积。例如，图2中的真空抽速曲线02对应的拟合函数曲线y＝0.0004x

具体地，设置面积阈值，将拟合函数曲线与坐标轴的横坐标围城的面积与面积阈值进行大小关系比较，若拟合函数曲线与坐标轴的横坐标围城的面积小于面积阈值，此时可评估真空室壁性能处于吸附杂质的状态，即真空室壁处于较好的状态，可降低真空室壁中的杂质被碰撞后，进入到真空室内部并混入到等离子体中的几率，减小等离子体放电能量损失，大大改善等离子体性能；若拟合函数曲线与坐标轴的横坐标围城的面积大于等于面积阈值，此时可评估真空室壁性能处于释放杂质的状态，即真空室壁处于较差的状态，真空室壁中的杂质容易逸出并混入到等离子体中，杂质会损耗等离子体的能量，从而造成等离子体能量的巨大损失。

由于一条拟合函数曲线仅代表了一次等离子放电状态，为了提高判断准确性，需进行多次等离子体放电，获取多个拟合函数曲线，将多个结果进行对比分析。示例性地，图3为本公开实施例提供的一种真空室壁释放杂质的炮数点阵分布示意图。如图3所示，横坐标代表放炮次数，纵坐标代表真空室的气压，单位为pa。图3中的031代表真空室壁硼化前，每一炮等离子体放电后真空室壁杂质的释放量；图3中的032代表真空室壁硼化后，每一炮等离子体放电后真空室壁杂质的释放量；图3中的033代表对硼化的真空室壁进行氦辉光后，每一炮等离子体放电后真空室壁杂质的释放量；图3中的034代表对真空室壁进行二次硼化后，每一炮等离子体放电后真空室壁杂质的释放量；图3中的035代表对真空室壁进行氦辉光后，每一炮等离子体放电后真空室壁杂质的释放量。

对比031杂质的释放量和032杂质的释放量可得，真空室壁硼化后，真空室壁杂质的释放量明显降低，表明硼化后对真空室的壁性能有明显提升效果。需要说明的是，硼化后的前几炮等离子体放电后，真空室壁杂质的释放量与硼化前真空室壁杂质的释放量没有明显变化，主要是由于真空室壁硼化前执行的氦辉光时间过短引起除氢不充分造成的。针对033杂质的释放量，随着等离子体放电次数增加，真空室壁硼化效果慢慢降低，真空室壁杂质的释放量明显增加；随后对真空室壁进行二次硼化，获取034杂质的释放量，当对真空室壁进行氦辉光后，硼膜效果明显恢复，然而随着等离子体放电次数增加，对真空室壁再次进行氦辉光后，硼膜效果降低，例如035杂质的释放量出现上升的趋势。

由此，通过图3所示的炮数点阵分布，1.0×10

由此，通过对抽气时间进行积分，获取真空室的气压，判断真空室壁释放杂质的情况，可实现评估真空室壁是处于吸附杂质的状态或处于释放杂质的状态，即评估真空室壁性能，在高真空或超高真空条件下尤为实用。在聚变领域中，真空室壁性能可作为壁材料的照射、壁调节、损伤和修复的依据。

示例性地，图4为本公开实施例提供的另一种真空室壁释放杂质的炮数点阵分布示意图。如图4所示，横坐标代表炮数，纵坐标代表氦积分强度，纵坐标的数值大小代表真空室中氦杂质的多少，图4中的两条纵向线分别代表真空室壁第一次硼化时所处的炮数和真空室壁第二次硼化时所处的炮数。随着等离子体放电多次，获取真空室中释放的氦杂质量，真空室壁第一次硼化前后氦积分强度均处于较低水平，表明氦杂质强度较低，即真空室中氦杂质较少，可评估真空室壁性能较好。真空室壁第一次硼化后相较第一次真空室壁硼化前，氦杂质强度稍微降低，但变化不大，表明真空室壁性能处于较好的状态。在真空室壁第二次硼化前，氦杂质出现积分强度上升的趋势，表明真空室壁释放的氦杂质增多；在真空室壁第二次硼化后，氦杂质得到一定抑制，但在经过50炮后，真空室壁释放的氦杂质积分强度出现上升的趋势，即真空室壁释放的氦杂质增多，表明第二次硼化后的真空室壁性能没有得到有效恢复，此时需要考虑其他更有效的方式进一步处理，例如但不限于硼膜刻蚀等。

本公开实施例通过对真空室的真空抽速曲线进行采集、处理和进一步分析真空室的气压特性曲线，可有效评估真空室壁硼化、硅化或锂化等处理后的真空室壁性能。当进行多次等离子放电后，评估真空室壁性能，若真空室壁性能较好，则可判定真空室壁条件满足下一次等离子放电；若空室壁性能较差，则判定真空室壁条件不再满足下一次等离子放电，此时需要对真空室壁进行处理，例如对真空室壁硼化、硅化或锂化等处理，以提高真空室壁性能。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种聚变装置的真空室壁评估装置。图5为本公开实施例提供的一种聚变装置的真空室壁评估装置的结构示意图。如图5所示，该聚变装置的真空室壁评估装置包括：曲线获取模块51，用于获取聚变装置的真空室的真空抽速曲线；函数获取模块52，用于基于真空抽速曲线获取拟合函数；其中，拟合函数是真空室的抽气时间和真空室气压的函数；参数获取模块53，用于基于拟合函数获取真空室壁性能参数；性能评估模块54，用于基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能。

上述实施方式中提供的聚变装置的真空室壁评估装置能够执行以上各实施方式中提供的任一种聚变装置的真空室壁评估方法，具有相同或相应的有益效果，在此不再一一赘述。

本公开实施例还提供了一种存储介质，存储介质存储程序或指令，程序或指令使计算机执行上述实施方式中提供的任一种聚变装置的真空室壁评估方法的步骤。

示例性地，程序或指令使计算机执行一种聚变装置的真空室壁处理评估方法，该方法包括：

获取聚变装置的真空室的真空抽速曲线；

基于真空抽速曲线获取拟合函数；其中，拟合函数是真空室抽气时间和真空室气压的函数；

基于拟合函数获取真空室壁性能参数；

基于真空室壁性能参数，评估真空室壁性能。

在一些实施例中，该计算机可执行指令在由计算机处理器执行时还可以用于执行本公开实施例所提供的上述任一种聚变装置的真空室壁评估方法的技术方案，实现对应的有益效果。

通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本公开可借助软件及必需的通用硬件来实现，当然也可以通过硬件实现，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本公开的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如计算机的软盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、闪存(FLASH)、硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例的方法。

在上述实施方式的基础上，本公开实施例还提供了一种聚变装置，图6为本公开实施例提供的一种聚变装置的结构示意图。如图6所示，该聚变装置包括处理器601和存储器602，处理器601通过调用存储器存储的程序或指令，执行如上述实施方式中提供的任一种聚变装置的真空室壁性能判断方法的步骤，因此具备上述实施例的有益效果，这里不再赘述。

如图6所示，可以设置聚变装置包括至少一个处理器601、至少一个存储器602和至少一个通信接口603。聚变装置中的各个组件通过总线系统604耦合在一起。通信接口603用于与外部设备之间的信息传输。可理解，总线系统604用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统604除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但为了清楚说明起见，在图6中将各种总线都标为总线系统604。

可以理解，本实施例中的存储器602可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。在一些实施方式中，存储器602存储了如下的元素：可执行单元或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集操作系统和应用程序。在本发明实施例中，处理器601通过调用存储器602存储的程序或指令，执行本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁评估方法各实施例的步骤。

本公开实施例提供的方法可以应用于处理器601中，或者由处理器601实现。处理器601可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器601中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器601可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

本公开实施例提供的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件单元组合执行完成。软件单元可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器602，处理器601读取存储器602中的信息，结合其硬件完成方法的步骤。

该聚变装置还可以包括一个实体部件，或者多个实体部件，以根据处理器601在执行本公开实施例提供的聚变装置的真空室壁评估方法时生成的指令。不同的实体部件可以设置到聚变装置内，或者聚变装置外，例如云端服务器等。各个实体部件与处理器601和存储器602共同配合实现本实施例中聚变装置的功能。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。