掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

一种可再生全固态电致变色器件

文献发布时间:2024-04-18 20:01:30


一种可再生全固态电致变色器件

技术领域

本发明涉及一种可再生全固态电致变色器件,属于化工材料合成和功能材料技术领域。

背景技术

能源是维持国家经济持续发展、保障人民物质生活水平的重要基础。如今,能源短缺、环境污染等问题日益严峻,科学家在开发新能源的同时也在努力寻找节能降耗的方法。电致变色器件及技术主要应用于节能建筑玻璃、其他移动体车窗上、汽车防眩后视镜、显示屏、电子纸、隐身伪装等领域。Low-E是一种低辐射玻璃,工作原理是反射大部分的红外线,减少进入室内的热量。中空玻璃是减少室内外的热交换。其目的都是减少室内制冷能耗。但是这两种窗户以及他们的组合都仅仅是有利于降温,而不能调控。即,冬天寒冷的时候,热量依然难以进入室内。

传统电致变色器件主要有五层薄膜组成、包括两层透明导电层、离子储存层、电致变色层、以及离子传导层。其中,离子储存层辅助电致变色层在第一,第二导电层上施加低电压实现电致变色反应。离子传导层是提供锂离子及扩散薄膜层,担负着电场作用下确保离子传导率,其结构与制备工艺是保证器件电致变色性能的最重要的技术之一。

三氧化钨是一种常见的无机电致变色材料,拥有优异的电致变色性能和电化学活性。但是,三氧化钨的电致变色性能并不是无限稳定的,其循环使用的寿命是有限的。与致密的晶体结构的三氧化钨电致变色薄膜相比,疏松多孔的非晶结构的三氧化钨电致变色薄膜虽然可以提供更多的离子注入和传输通道,但循环稳定性也会相对差,以锂离子作溶质离子为例,三氧化钨电致变色过程主要是由于锂离子在电压驱动下的“注入”和“脱出”过程导致的。在电压的驱动下,锂离子在三氧化钨中的“注入”和“脱出”理论上是一个可逆的化学反应过程,但实际上随着循环次数的增多,三氧化钨材料会发生一些不可逆的化学变化,导致锂离子“注入”的量大于“脱出”的量,进而导致三氧化钨中锂离子随着循环次数的增加而不断积累,直接表现为三氧化钨电致变色性能的下降和电化学活性的降低。

发明内容

因此,解决上述问题的关键是如何将三氧化钨材料中残存的锂离子“脱出”,使得三氧化钨材料重新具有高电致变色性能和电化学活性。本公开中,首次设计了多层复合电极集合隔离层的特殊结构,利用电极在外加电压下焦耳热促进电致变色层被俘获的阳离子解离,降低阳离子的迁移位垒。因而在较低的电压下,离子回到离子存储层中,实现电致变色器件的再生。而且,本发明设计的复合电极结构简单,适用于半器件,液态、凝胶态和全固态的器件。并且该工艺不受器件组装和封装工艺的限制。

第一方面,本发明提供了一种可再生全固态电致变色器件,包括:依次层叠设置的第一透明电极层(或称第一透明电极)、隔离层、第二透明电极层(或称第二透明电极)、电致变色层、离子传导层、离子存储层和第三透明电极层(或称第三透明电极);在第一透明电极层的水平方向的两侧设置的第一电源;以及在第二透明电极层和第三透明电极层之间设置的第二电源。本发明中,隔离层的目的是分隔开两层电极层,使其能够独立工作,一层的目的是星辰焦耳热,一层的目的是驱动器件产生电致变色。材质考虑因素:首先,光学透明,否则影响器件的光学性能;其次,电子绝缘性能好,有效避免避免电子隧穿。隔离层厚度越薄越好,但是过薄的时候电子隧穿效应明显,且薄膜容易不连续,导致上下电极接触。隔离层过厚时,影响热效应促进电致变色器件褪色的效果。施加电压过高,则产生的热效应过大,导致器件中被束缚的离子过度迁移,形成不可逆的坏点,施加电压过低,则热效应不足,难以驱动部分被束缚的离子回到电解质层中。

较佳的,所述离子传导层为固态离子传导层或液态离子传导层。

又,较佳的,所述固态离子传导层的材质选自钽酸锂、铌酸锂、钛酸锂、五氧化二钽和五氧化二铌中的至少一种。优选地,所述固态离子传导层的厚度为20nm~500nm;。

又,较佳的,所述液态离子传导层为阳离子盐溶液,所述阳离子盐为Li盐、Na盐、Al盐、Zn盐、Mg盐中的至少一种,优选为高氯酸锂、高氯酸钠、高氯酸铝、高氯酸锌、高氯酸镁中的至少一种;所述阳离子盐溶液的溶剂选自碳酸丙烯酯

碳酸丙烯酯(PC)、碳酸乙烯酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸甲乙酯(EMC)、乙二醇二甲醚(DME)、

中的至少一种。优选地,所述阳离子盐溶液的浓度为0.2~2moL/L,所述液态离子传导层的厚度为10μm~80μm。

较佳的,所述离子储存层的材质选自氧化镍、氧化钛、五氧化二钒、和氧化钴中的至少一种;所述离子储存层的厚度为20nm~200nm。

较佳的,所述第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层的材质独立地选自透明导电氧化物、金属纳米线中至少一种;所述第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层的方阻为10~40Ω/cm

较佳的,所述隔离层的材质为绝缘材料,优选选自SiO

较佳的,所述电致变色层的材质为WO

较佳的,所述第一电源在第一透明电极上的施加电压以产生焦耳热;所述电压的范围为5~50V,施加电压的时间为1~10分钟。

第二方面,本发明还提供了一种可再生全固态电致变色器件,包括:依次层叠设置的第一透明电极层(或称第一透明电极)、隔离层、第二透明电极层(或称第二透明电极)、电致变色层、凝胶基离子存储层和第三透明电极层(或称第三透明电极);

在第一透明电极层的水平方向的两侧设置的第一电源;

以及在第二透明电极层和第三透明电极层之间设置的第二电源。

较佳的,所述凝胶基离子存储层由阳离子盐的树脂浆料经涂覆和光固化处理得到;所述阳离子的树脂浆料的组成包括:光固化树脂、溶剂、稳定剂、有机前驱体和阳离子盐;所述光固化树脂、溶剂、稳定剂、有机前驱体和阳离子盐的质量比为1:(1~3):(0.05~0.2):(0.5~2):(1~3);

优选地,所述光固化树脂选自泰特尔TTA21、L-6206、L-6380H、L-6605中的至少一种;

优选地,所述溶剂为PMA、NMP、DMC、MDBE中的至少一种;

优选地,所述稳定剂为过渡金属有机化合物,优选为二茂铁及其衍生物,例如二茂铁、二茂猛、乙烯基二茂铁;

优选地,所述有机前驱体包括酸酯类化合物,优选为乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯ETPTA、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的至少一种;

优选地,所述阳离子盐为Li盐、Na盐、Al盐、Zn盐、Mg盐中的至少一种,优选为高氯酸锂、高氯酸钠、高氯酸铝、高氯酸锌、高氯酸镁中的至少一种。

优选地,所述涂覆的方式为旋涂,所述旋涂的转速为1000~3000转/分钟,时间为10~60秒;

优选地,所述光固化处理为在50~500W的紫外灯照射5秒~1分钟。

又,较佳的,所述阳离子盐的树脂浆料中包含引发剂;所述引发剂选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、异丙苯过氧化氢、叔丁基过氧化氢、过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二环己酯、过氧化二叔丁基、过氧化二异丙苯过氧化苯甲酸叔丁酯和过氧化叔戊酸叔丁基酯中的至少一种,加入量为总质量的0.1~0.5%。

较佳的,所述第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层的材质独立地选自透明导电氧化物、金属纳米线中至少一种;所述第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层的方阻为10~40Ω/cm

较佳的,所述隔离层的材质为绝缘材料,优选选自SiO

较佳的,所述电致变色层的材质为WO

较佳的,所述第一电源在第一透明电极上的施加电压以产生焦耳热;所述电压的范围为5~50V,施加电压的时间为1~10分钟。

有益效果:

1、本发明首次设计复合电极,通过外加电压驱动形成焦耳热,能够促使电致变色层中的缺陷复合中心解耦。同时在电压驱动下被俘获的离子回到离子存储层中,使得电致变色器件实现刷新和再生;

2、本发明设计的复合电极的结构简单,可通过物理法连续可控制备,不仅降低生产成本,还能够提高控制精度。而且,本发明中设计的电致变色器件具有广泛的普适性和推广前景。

附图说明

图1为实施例1中可再生全固态电致变色器件的结构示意图;

图2为实施例2中可再生全固态电致变色器件的结构示意图;

图3为实施例3中可再生全固态电致变色器件的结构示意图。

具体实施方式

以下通过下述实施方式进一步说明本发明,应理解,下述实施方式仅用于说明本发明,而非限制本发明。

针对本领域电致变色器件在长期循环过程中发生阳离子被俘获,引起电致变色性能和电化学下降后难以恢复的技术问题,本发明的目的在于提供一种可再生全固态电致变色器件。

为此,本专利设计了多层复合电极,利用电极在外加电压下焦耳热促进电致变色层被俘获的阳离子解离,降低阳离子的迁移位垒。因而在较低的电压下,离子回到离子存储层中,实现器件的再生。

具体地,可再生全固态电致变色器件的结构,如图1-3所示,包括依次层叠设置由第一透明电极、隔离层、第二透明电极、电致变色层、离子传到层、离子储存层(或仅采用凝胶基离子存储层替换离子传到层和离子储存层)、和第三透明电极组成。其中,在第一透明电极层的水平方向的两侧设置的第一电源,其作用是通过在电极表面施加电压产生焦耳热效应。以及在第二透明电极层和第三透明电极层之间设置的第二电源,其作用作为电致变色的驱动电极。第一透明电极:不仅需要较高的透过率,还需要有适当的电阻,才能在电压下产生焦耳热。第二透明电极:不仅需要考虑电流密度对电子迁移的以你选哪个,还得考虑电极与电制变色界面的接触势垒。

本发明中,采用磁控溅射、激光脉冲沉积、分子束外延、旋涂、喷涂或者提拉等成膜方式制备第一透明电极层、第二透明电极、第三透明电极层、离子传到层、离子储存层和电致变色层等。

本发明中,磁控溅射沉积所使用的直流磁控溅射系统设备可以包括沉积腔室、进样室、若干个靶头、一个衬底板、一个直流电流、以及一系列的机械泵和真空泵,其中靶头与衬底板成一定角度,相隔一定距离,直流电源连接在靶头上。将基底超声清洗,分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗基材各20min,并用压缩空气吹干。用高温胶带覆盖住一定部分的导电基底作为电极,并固定在衬底托盘上,放入进样室内,打开机械泵抽至5Pa以下,然后打开挡板阀,送入真空度(本底真空度)已达10

具体的溅射沉积过程为:将高纯氩气和氧气分别通入溅射室中,所采用的氩气和氧气的纯度为99.99%及以上,控制腔体内总压强和氧分压分别为0.5~2.0Pa和0~50%范围内,氧分压优选为0~25%。控制靶材与基底垂直距离为10~20cm,初始基底温度为室温。打开直流电源,控制直流电源功率为30~200W,预溅射时间5~30min,溅射时间为10~60min,衬底温度为室温。溅射结束后,待基底温度降至室温,取出衬底。

凝胶基离子存储层是由阳离子盐的树脂浆料经涂覆和光固化处理后得到。阳离子盐的树脂浆料,是以UV固化树脂为基材,添加适量的溶剂、阳离子盐、稳定剂、还原剂、消泡剂、流平剂、附着力促进剂和引发剂,经过充分搅拌溶解之后获得稳定的溶液。所述引发剂选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、异丙苯过氧化氢、叔丁基过氧化氢中的至少一种,加入量可为前驱液总质量的0.1~0.5%。所述消泡剂选自BYK011、BYK012、BYK014BYK018和BUK019中的至少一种,加入量可为前驱液总质量的0.1~0.5%。所述流平剂选自BYK333、BYK358N、BYK306和BYK378中的至少一种,加入量可为前驱液总质量的0.5~2%。所述附着力促进剂选自BYK4500、BYK4509BYK4510、BYK4511和BYK4512中的至少一种,加入量可为前驱液总质量的0.05~0.2%。

本发明中,通过磁控溅射法,以硅、铝、氟化锂等为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为0.5-2.0Pa,氧分压为0-50%,靶材与第一透明电极的距离为10-20cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为30-150W或者功率密度为0.6-3.0W/cm

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解,以下实施例只用于对本发明进行进一步说明,不能理解为对本发明保护范围的限制,本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例中具体的时间、温度、压力、功率等工艺参数也仅是合适范围中的一个示例,即本领域技术人员可以通过本文的说明在合适的范围内选择,而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

(1)选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源沉20nm的隔离层薄膜;

(2)以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积100nm厚的第二透明电极;

(3)以金属钨为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为2.0Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积400nm的电致变色层薄膜;

(4)以钽酸锂为靶材,射频电源的功率是180W,氩气气氛,气压是1Pa,沉积时间是1.5h沉积离子传导层;

(5)以NiCr合金作为靶材,直流电源的功率是100W,氩气和氧气比例是9:1,气压是1Pa,沉积时间是0.5h沉积离子存储层;

(6)以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积100nm厚的第三透明电极。器件结构如附图1所示。

实施例2

(1)选择透明导电玻璃(ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源沉20nm的隔离层薄膜;

(2)以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积100nm厚的第二透明电极;

(3)以金属钨为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为2.0Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积400nm的电致变色层薄膜;

(4)配置光固化电解质前驱液。1)按1:2:0.1:1:1比例称量光固化树脂、溶剂、二茂铁、ETPTA和1mol/L的高氯酸锂/碳酸丙烯酯溶液;2)将上述混合溶液避光脚板,直至完全溶解;3)加入(0.1-0.5)%的引发剂(材质为偶氮二异丁腈),并进一步充分搅拌。采用旋涂的工艺将上述混合溶液沉积于电致变色层表面,旋转速度2500rpm,膜层厚度60μm。旋涂完成后覆盖上第三透明电极。将制备好的器件放在100W紫外下灯均匀照射15s。待器件固化之后,使用有机溶剂清除多余器件表面的有机物。最终完成可再生全固态电致变色器件的制备流程。器件的基本结构如图2所示。器件结构如附图2所示。

实施例3

(1)选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源沉20nm的隔离层薄膜;

(2)以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积100nm厚的第二透明电极;

(3)以金属钨为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为2.0Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W沉积400nm的电致变色层薄膜;

(4)以NiCr合金作为靶材在ITO透明电极表面采用直流电源,功率是100W,氩气和氧气比例是9:1,气压是1Pa,沉积时间是0.5h沉积离子存储层;

(5)在离子存储层和电致变色层之间填充高氯酸锂的碳酸丙烯酯溶液(浓度是1moL/L),器件结构如附图3所示。

实施例4

本实施例4中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(4)中,配置光固化电解质前驱液时,1)按1:2:0.1:1:1比例称量光固化树脂、溶剂、二茂铁、ETPTA和1mol/L的高氯酸钠/碳酸丙烯酯溶液。

实施例5

本实施例5中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(4)中,配置光固化电解质前驱液时,1)按1:2:0.1:1:1比例称量光固化树脂、溶剂、二茂铁、ETPTA和1mol/L的高氯酸铝/碳酸丙烯酯溶液。

实施例6

本实施例6中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(4)中,配置光固化电解质前驱液时,1)按:1:2:0.1:1:1比例称量光固化树脂、溶剂、二茂铁、ETPTA和1mol/L的高氯酸锂/碳酸丙烯酯溶液;2)将上述混合溶液避光脚板,直至完全溶解;3)加入(0.1-0.5)%的引发剂,并进一步充分搅拌。采用旋涂的工艺将上述混合溶液沉积于电致变色层表面,旋转速度2500rpm,所得膜层厚度20μm。

实施例7

本实施例7中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(4)中,配置光固化电解质前驱液时,1)按:2:0.1:1:1比例称量光固化树脂、溶剂、二茂铁、ETPTA和1mol/L的高氯酸锂/碳酸丙烯酯溶液;2)将上述混合溶液避光脚板,直至完全溶解;3)加入(0.1-0.5)%的引发剂,并进一步充分搅拌。采用旋涂的工艺将上述混合溶液沉积于电致变色层表面,旋转速度2500rpm,所得膜层厚度80μm。

实施例8

本实施例8中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(3)中,以金属钨为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为2.0Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W,沉积得到厚度为100nm的电致变色层薄膜。

实施例9

本实施例9中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(3)中以金属钨为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为2.0Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W,沉积得到厚度为500nm的电致变色层薄膜。

实施例10

实施例10中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(2)中,以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W,沉积得到厚度为50nm厚的第二透明电极。

实施例11

本实施例11中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(2)中,以ITO透明导电材料为靶材,溅射气体为氩气,总压强为0.5Pa,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的直流电源功率为70W,沉积得到厚度为150nm厚的第二透明电极。

实施例12

本实施例12中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为10nm的隔离层薄膜。

实施例13

本实施例13中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为100nm的隔离层薄膜。

实施例14

本实施例14中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为40nm的隔离层薄膜。

实施例15

本实施例15中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为60nm的隔离层薄膜。

实施例16

本实施例16中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为80nm的隔离层薄膜。

对比例1

实施例13中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,不制备隔离层薄膜,即SiO

对比例2

本对比例2中可再生全固态电致变色器件的制备流程参照实施例2,区别仅在于:步骤(1)中,选择透明导电玻璃(具体材质为ITO)衬底,通过磁控溅射法,以硅为靶材,溅射气体为氩气和氧气,总压强为1Pa,氧分压为15%,靶材与基底的距离为15cm,初始基底温度为室温,施加在所述靶材上的射频电源功率为100W表面使用直流电源,沉积得到厚度为120nm的隔离层薄膜。

表1为本发明中可再生全固态电致变色器件的组成及性能:

对比例1由于没有设置隔离层,第一透明电极与第二透明电极直接接触,即只有一个电极,因此无论施加多大的电压,都没有焦耳热效应。

再生电压:器件第一透明电极施加一定电压后,被俘获的离子发生解离。再生电压指的是达到离子解离平衡时施加的电压。显然再生电压越低,说明器件结构越合理,恢复速度越快;

再生时间:施加再生电压时,离子解离达到平衡时需要的时间。显然再生时间越短,说明器件结构越合理,恢复速度越快;

再生性能:再生电压施加完成之后,器件透过率与初始透过率的比值。循环之后的器件由于部分离子难以脱出,导致器件的透过率降低。施加再生电压后,大部分离子解离并迁移回离子存储层,器件的透过率明显提高。此时的透过率与初始透过率比值越大,证明再生性能越好。

需要说明的是实施例1-3展示了本专利中设计的结构应用于液态、凝胶态和全固态电致变色器件,实施例4-16以实施例2中结构展示了透明电极、隔离层、电致变色以及传导离子性质对器件刷新能力的影响机制。这种影响机制同样适用于实施例1和3中展示的器件结构。

相关技术
  • 设计变更评估方法以及设计变更评估系统
  • 设计变更评估方法以及设计变更评估系统
技术分类

06120116561820