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一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法

文献发布时间:2024-04-18 20:01:55


一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法

技术领域

本发明涉及电路设计领域,具体的说,是涉及一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法。

背景技术

印制电路板(Printed Circuit Board,PCB板)又称印刷电路板,印刷线路板,是电子产品物理支撑以及信号传输的重要组成部分,在众多硬件系统架构中,DDR系统基本上都会存在。

随着信号传输速率越来越高,DDR的设计难度越来越大。尤其目前DDR系列已经来到了DDR5时代,DDR5相比于DDR4及以往的系列,最重要的一个区别是DDR5颗粒的地址控制信号也加入了颗粒的片内端接(即ODT,on die termination),也就是将端接电阻放在了芯片内部。

而在一拖多的DDR5通道来说,每个DDR5颗粒都会有多种端接的参数可供调节,而多个DDR5颗粒就会有多排列组合,例如一个DDR5颗粒有6种ODT参数可以调节,那么一拖四的DDR5通道,就有4个颗粒,如此一来,就会有6×6×6×6=1296种排列组合,故很难通过人工的选择,快速获得一个比较优的仿真结果。

因此,如何在一拖多结构的DDR5通道中,快速为每个颗粒选择合适的ODT参数,使得信号仿真结果满足要求,成为业内一大难题。

发明内容

为了克服现有的技术的不足,本发明提供一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法,快速通过基于目标的自动扫描来选择满足目标的参数组合,从而节省了大量的人力时间。

本发明技术方案如下所述:

一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法,搭建链路模型,将包含有ODT参数的每个颗粒模型定义为变量,使用目标控件设置仿真目标,使用优化控件自动寻找合适的ODT参数组合,以使得每个颗粒模型的仿真结果都满足所设置的仿真目标。

根据上述方案的本发明,所述链路模型包括一个主控芯片模型和若干个所述颗粒模型,每个所述颗粒模型配置有眼图观测点;且每个所述颗粒模型具有若干种可供选择的ODT参数。

根据上述方案的本发明,所述将包含有ODT参数的每个颗粒模型定义为变量的步骤,包括:

获取颗粒模型的固定信息,包括模型名称、选择的信号引脚名、器件型号;

获取颗粒模型的若干ODT参数,作为颗粒模型的变量信息;

将固定信息和变量信息打包,并用于代表颗粒模型,完成颗粒模型变量的定义。

根据上述方案的本发明,ODT参数包括若干用于表示端接电阻的阻值参数。

根据上述方案的本发明,在定义好变量后,设置函数find a=b用于选择不同颗粒模型中的不同ODT参数,其中,a表示颗粒模型的序号,b表示该颗粒模型的ODT参数的序号。

根据上述方案的本发明,使用目标控件设置仿真目标的步骤,具体为:使用目标控件,在每一个颗粒模型的观测点设置眼高目标,眼高目标为200mV或300mV或350mV或400mV。

根据上述方案的本发明,使用优化控件自动寻找合适的ODT参数组合的步骤,包括:

将每个颗粒模型的仿真目标填入优化控件的目标栏;

将每个颗粒模型的find函数填入优化控件的变量栏;

运行优化控件,开始仿真,直至每个颗粒模型的仿真结果都符合仿真目标,并得到每个颗粒模型的ODT参数。

根据上述方案的本发明,在优化控件找到合适的ODT参数组合后,查看所有颗粒模型的仿真信号图,验证每个仿真信号图是否满足设置的目标。

根据上述方案的本发明,其有益效果在于:

本发明通过将包含有ODT参数的每个颗粒模型定义为变量,使用目标控件设置仿真目标,使用优化控件自动寻找合适的ODT参数组合,实现在一拖多的DDR5通道中,快速通过基于目标的自动扫描来选择满足仿真目标的ODT参数组合,从而节省了大量的人力时间。

附图说明

图1为本发明的方法流程图;

图2为本发明的DDR5通道结构示意图;

图3为本发明的链路模型示意图;

图4为颗粒模型的属性界面示意图;

图5为颗粒模型的目标设置界面示意图;

图6为在优化控件导入目标参数文件的界面示意图;

图7为在优化控件导入find函数文件的界面示意图;

图8为眼高目标设置为200mV的实施例中软件运行界面示意图;

图9为眼高目标设置为300mV的实施例中软件运行界面示意图。

在图中,

1、第一颗粒;2、第二颗粒;3、第三颗粒;4、第四颗粒;5、主控芯片;6、眼图观测点。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果,以下结合附图和实施例对本发明进行进一步的讲解说明。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时声明,以下所描述的实施例仅用于解释本发明,并不用于限定本发明。

需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“若干”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体地限定。

如图1所示,一种DDR5仿真中自动优选ODT端接参数的方法,搭建链路模型,将包含有ODT参数的每个颗粒模型定义为变量,使用目标控件(goal控件)设置仿真目标,使用优化控件(OPTIM控件)自动寻找合适的ODT参数组合,以使得每个颗粒模型的仿真结果都满足所设置的仿真目标。

在本发明中,链路模型包括一个主控芯片模型和若干个所述颗粒模型,每个所述颗粒模型配置有眼图观测点6;且每个所述颗粒模型具有若干种可供选择的ODT参数。

在一个具体实施例中,为一拖四的DDR5通道,其具有四个颗粒,请参照图2,图中左边第一个三角形表示主控芯片5,第二至第五个三角形依次表示第一颗粒1、第二颗粒2、第三颗粒3、第四颗粒4,矩形表示传输线;利用ADS软件对该链路模型进行搭建,搭建的链路模型图可参阅图3。查询链路模型中每个颗粒模型的属性,能看到每个颗粒都有多种ODT端接的参数可以选择,例如第二个颗粒模型的属性界面中模型选择栏(Model Selector)所示的“ODT off”、“40ohm ODT”、“60ohm ODT”等,请参阅图4。

在本发明中,将包含有ODT参数的每个颗粒模型定义为变量的步骤,包括:

步骤A.获取颗粒模型的固定信息,包括模型名称、选择的信号引脚名、器件型号;其中,模型名称有“y32a.ibs”,选择的信号引脚名为“N3”,器件型号

“MT60B1G16HC”,此三个信息固定,在仿真过程中为不作扫描的值,起到寻值调取的作用。

步骤B.获取颗粒模型的若干ODT参数,作为颗粒模型的变量信息,例如:

String[1]=”CA_INPUT_ODTOFF_4800”,

String[2]=”CA_INPUT_ODT40_4800”,

String[3]=”CA_INPUT_ODT60_4800”,

String[4]=”CA_INPUT_ODT80_4800”,

String[5]=”CA_INPUT_ODT240_4800”,

String[6]=”CA_INPUT_ODT480_4800”;

6种ODT参数作为变值,可供选择。可见,ODT参数包括若干用于表示端接电阻的阻值参数,有0、40ohm、60ohm、80ohm、240ohm、480ohm。

步骤C.将固定信息和变量信息打包,并用于代表颗粒模型,完成颗粒模型变量的定义。

在定义好变量后,我们设置一个函数find a=b用于选择不同颗粒模型中的不同ODT参数,其中,a表示颗粒模型的序号,b表示该颗粒模型的ODT参数的序号。

例如,第一个颗粒模型的ODT参数可采用上述步骤B所示参数,那么find1=1,表示调用第一个颗粒模型的第1个ODT参数,即ODTOFF,此时第一个颗粒模型的ODT参数被设定为0;

那么find1=2,表示调用第一个颗粒模型的第2个ODT参数,即ODT40,此时第二个颗粒模型的ODT参数被设定为40ohm,依次类推有find1=3、4、5或6。同理,find2=3,表示调用第二个颗粒模型的第3个ODT参数。

综上可知,可将4个颗粒都做同样的变量设置,得到find1到find4分别控制不同颗粒的ODT参数选择的变量。

在本发明中,使用目标控件设置仿真目标的步骤,具体为:使用目标控件(goal控件),在每一个颗粒模型的观测点设置眼高目标,眼高目标为200mV或300mV或350mV或400mV。在一个具体实施例中,将第一个颗粒模型的眼高目标设置为200mV,即0.2V,在目标设置界面中,的Limit lines栏中填入Min为0.2,Weight为1,完成第一个颗粒模型的眼高目标设置,保存为OptimGoal1,请参阅图5。同理,设置其他三个颗粒模型的眼高目标,并保存有OptimGoal2、OptimGoal3、OptimGoal4。

在本发明中,使用优化控件自动寻找合适的ODT参数组合的步骤,包括:

步骤D.将每个颗粒模型的仿真目标填入优化控件的目标栏;

例如,将前序步骤设置并保存好的每个颗粒模型的目标参数文件导入,参数文件名包括:

“OptimGoal1”、“OptimGoal2”、“OptimGoal3”、“OptimGoal4”,请参阅图6。

步骤E.将每个颗粒模型的find函数填入优化控件的变量栏;

例如,将前序步骤的find1到find4的ODT参数选择函数导入,请参阅图7。

步骤F.运行优化控件,开始仿真,直至每个颗粒模型的仿真结果都符合仿真目标,并得到每个颗粒模型的ODT参数。

例如,设置每个颗粒模型都要满足200mV的眼高目标后,开始OPTIM仿真,很快自动找到一组所有颗粒都满足200mV眼高目标的ODT参数组合,软件运行界面请参阅图8。由图可知,得到find1=5,find2=4,find3=3,find4=2,因此设计人员得知,第一个颗粒模型选择第5个ODT参数,即ODT240;第二个颗粒模型选择第4个ODT参数,即ODT80;第三个颗粒模型选择第3个ODT参数,即ODT60;第四个颗粒模型选择第2个ODT参数即ODT40,可获得较好的眼图质量。

最后,在优化控件找到合适的ODT参数组合后,可查看所有颗粒模型的仿真信号图,验证每个仿真信号图是否满足设置的目标,即查看每个颗粒的眼图中眼高是否大于200mV。

在其他可选实施例中,设置眼高目标时,可以将其设置为目标要求更高的值,如300mV,软件则可以在能满足要求的前提下尝试寻找一组ODT参数组合来满足要求,软件运行界面请参阅图9。可知,得到find1=5,find2=5,find3=5,find4=2时的ODT参数组合,能够实现每一个颗粒模型的仿真结果都满足设定的眼高目标300mV。

综上所述,本专利的方法是通过在ADS搭建DDR5仿真链路,然后把每个颗粒的ODT参数设置为变量,方便去调节不同的参数。然后使用goal控件和OPTIM控件进行ODT参数的自动化选择以满足不同的眼高要求。由于DDR5一般是多负载的颗粒,因此每个颗粒加起来的可以选择的ODT参数组合是成倍的增加,人工几乎不可能每种去尝试,从而来确定最佳的值。因此本专利的优势是非常明显的,会快速通过基于目标的自动扫描来选择满足目标的参数组合,从而节省了大量的人力时间和项目时间,非常具有通用性。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术分类

06120116571886