显示面板

相关申请的交叉引用

本申请要求来自于2022年7月1日在韩国知识产权局中提交的韩国专利申请第10-2022-0081361号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

本公开的实施方式在本文中针对显示面板，并且更具体地，针对包括覆盖发光元件的封装层的显示面板。

背景技术

电子装置包括由电信号激活的有源区。电子装置感测从外部通过有源区施加的压力，并且同时，显示向用户提供信息的各种图像。

电子装置包括使用有机发光材料、量子点发光材料等中的一种的发光元件。这样的发光元件易受到氧气和湿气的影响，并且当氧气和湿气从外部渗透时，可能出现各种缺陷。

发明内容

本公开的实施方式提供了一种显示面板，在该显示面板中，无机层代替了封装层中的典型有机层，使得封装层具有提高的阻挡和平坦化性质。

本发明构思的实施方式提供了一种显示面板，该显示面板包括基层、设置在基层上的电路层、设置在电路层上的发光元件层和设置在发光元件层上的封装层。封装层包括第一无机层和设置在第一无机层上的第二无机层，第一无机层包括下层和设置在下层上的上层。下层包括包含氧化硅的阻挡层，并且上层包括碳氧化硅。

在实施方式，下层还可以包括包含碳氧化硅的平坦化层。下层包括两个或更多个层的层叠结构，在该层叠结构中，阻挡层和平坦化层交替地层叠，并且上层与阻挡层接触。

在实施方式中，在平坦化层中，基于总含量，硅的含量可以为近似20at％至近似40at％，氧的含量可以为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量可以为大于0at％至近似30at％。

在实施方式中，在平坦化层中，基于总含量，碳的含量可以为大于0at％至近似15at％。

在实施方式中，阻挡层的厚度可以为近似10nm至近似500nm，并且平坦化层的厚度可以为近似10nm至近似1μm。

在实施方式中，下层的厚度可以为近似10nm至近似2μm。

在实施方式中，上层可以具有单层结构。

在实施方式中，在上层中，基于总含量，硅的含量可以为近似20at％至近似40at％，氧的含量可以为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量可以为大于0at％至近似30at％。

在实施方式中，在上层中，基于总含量，碳的含量可以为大于0at％至近似15at％。

在实施方式中，上层的厚度可以为近似3μm至近似10μm。

在实施方式中，发光元件层可以包括像素限定层和发光元件，该发光元件包括设置在像素限定层中形成的开口中的功能层。第一无机层可以覆盖发光元件。

在本发明构思的实施方式中，显示面板包括基层、设置在基层上的电路层、设置在电路层上的发光元件层和设置在发光元件层上的封装层。封装层包括第一无机层和设置在第一无机层上的第二无机层。第一无机层包括两个或更多个层的层叠结构，在该层叠结构中，包括氧化硅的阻挡层和包括碳氧化硅的平坦化层交替地层叠，并且第一无机层的最上层是平坦化层。

在实施方式中，在平坦化层中，基于总含量，硅的含量可以为近似20at％至近似40at％，氧的含量可以为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量可以为大于0at％至近似30at％。

在实施方式中，第一无机层的最上层的厚度可以为近似3μm至近似10μm。

在实施方式中，在第一无机层中，除了最上层之外的层的总厚度可以为近似10nm至近似2μm。

在本发明构思的实施方式中，显示面板包括基层、设置在基层上的电路层、设置在电路层上的发光元件层和设置在发光元件层上的封装层。封装层包括第一无机层和设置在第一无机层上的第二无机层。第一无机层包括两个或更多个层的层叠结构，在该层叠结构中，至少一个阻挡层和至少一个平坦化层交替地层叠。至少一个阻挡层包括硅和氧，并且至少一个平坦化层包括硅、氧和碳。

在实施方式中，至少一个阻挡层可以包括第一阻挡层至第m阻挡层，至少一个平坦化层可以包括第一平坦化层至第n平坦化层，m和n均独立地为2或更大的整数，第一阻挡层至第m阻挡层与第一平坦化层至第n平坦化层交替地层叠，并且第二无机层与第一平坦化层接触。

在实施方式中，第一平坦化层可以具有比第二平坦化层至第n平坦化层中的每个的厚度大的厚度。

在实施方式中，在第一平坦化层至第n平坦化层中的每个中，基于总含量，硅的含量可以为近似20at％至近似40at％，氧的含量可以为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量可以为大于0at％至近似30at％。

在实施方式中，第一阻挡层至第m阻挡层中的任一个的组成比可以不同于至少另一阻挡层的组成比，并且第一平坦化层至第n平坦化层中的任一个的组成比可以不同于至少另一平坦化层的组成比。

附图说明

图1是根据本发明构思的实施方式的电子装置的透视图。

图2是根据本发明构思的实施方式的电子装置的分解透视图。

图3是根据本发明构思的实施方式的电子装置的截面视图。

图4是根据本发明构思的实施方式的电子装置的截面视图。

图5是根据本发明构思的实施方式的电子装置的一部分的截面视图。

图6是根据本发明构思的实施方式的电子装置的一部分的截面视图。

图7是示出根据本发明构思的实施方式的显示面板的一部分的截面视图。

图8是根据本发明构思的实施方式的显示面板的一部分的截面视图。

图9是根据本发明构思的实施方式的显示面板的一部分的截面视图。

图10是根据本发明构思的实施方式的显示面板的一部分的截面视图。

图11是根据本发明构思的实施方式的显示面板的一部分的截面视图。

图12是根据本发明构思的实施方式的显示模块的平面视图。

图13是根据本发明构思的实施方式的显示模块的一部分的截面视图。

图14是根据本发明构思的实施方式的阻挡层的测试样品的截面TEM图像。

图15是根据本发明构思的实施方式的阻挡层和平坦化层在其上层叠的层叠膜的测试样品的截面TEM图像。

具体实施方式

本发明构思可以以许多替代形式进行修改，并且因此具体实施方式将在附图中举例说明并且详细描述。然而，应当理解，具体实施方式不旨在将本发明构思限制于所公开的特定形式，而是旨在涵盖落入本发明构思的精神和范围内的所有修改、等同物和替换物。

在本公开中，当元件或区、层、部分等被称为“在”另一元件上、“连接到”或“联接到”另一元件时，这意味着该元件可以直接设置在另一元件上/连接到/联接到另一元件，或者在其间可以设置第三元件。

在本公开中，“直接设置”可以意味着在层、膜、区、板等的一部分与其他部分之间不附加层、膜、区、板等。

相似的参考数字可以指代相似的元件。

考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(诸如测量系统的局限性)，如本文中使用的术语“近似”包括所述值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“近似”可以意味着在如本领域普通技术人员所理解的一个或多个标准偏差内。此外，要理解的是，虽然根据实施方式，参数可以在本文中被描述为具有“近似”的特定值，但是如本领域普通技术人员所理解的，参数可以恰好是特定值或在测量误差内近似是特定值。

在下文中，将参考附图描述根据本发明构思的实施方式的显示面板和电子装置。

图1是根据本发明构思的实施方式的电子装置ED的透视图。图2是根据本发明构思的实施方式的电子装置ED的分解透视图。图3和图4是根据本发明构思的实施方式的电子装置ED的截面视图。

图1至图4中图示的根据发明构思的实施方式的电子装置ED由电信号激活。例如，电子装置ED可以是移动电话、平板计算机、监视器、电视、汽车导航系统、游戏控制台或可穿戴装置，但本发明构思的实施方式不一定限于此。图1图示了作为移动电话的电子装置ED。

根据实施方式的电子装置ED通过有源区AA-ED显示图像。有源区AA-ED包括与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的部分。有源区AA-ED还包括从由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的至少一侧弯曲的弯折表面。

外围区NAA-ED与有源区AA-ED相邻。外围区NAA-ED围绕有源区AA-ED。因此，有源区AA-ED的形状实质上由外围区NAA-ED限定。然而，实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，外围区NAA-ED仅与有源区AA-ED的一侧相邻，或者被省略。根据本发明构思的实施方式的电子装置ED的有源区AA-ED可以具有各种形状中的一种，并且不一定限于任何一个实施方式。

图1中图示的实施方式的电子装置ED包括分别从由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的两侧弯曲的两个弯折表面。然而，有源区AA-ED的形状不一定限于此。例如，在一些实施方式中，有源区AA-ED仅包括平面，或者有源区AA-ED还包括分别从例如平面的四侧弯曲的四个弯折表面。

图1和以下附图图示了本公开中描述的第一方向DR1至第四方向DR4并且第一方向DR1至第四方向DR4是相对的，并且可以被转换为不同的方向。

在本公开中，第一方向DR1和第二方向DR2彼此垂直，并且第三方向DR3相对于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直。第四方向DR4垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面，并且指向与第三方向DR3相反的方向。

电子装置ED的厚度方向平行于第三方向DR3，第三方向DR3垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。在本公开中，基于第三方向DR3来限定电子装置ED的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。

实施方式的电子装置ED包括显示模块DM。显示模块DM生成图像并且感测外部施加的压力。根据实施方式的显示模块DM包括显示面板DP。实施方式的显示模块DM还包括设置在显示面板DP上的传感器层TP和设置在传感器层TP上的光学层RCL。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，传感器层TP和光学层RCL中的一个或多个被省略。

显示模块DM包括有源区AA和外围区NAA。有源区AA由电信号激活。外围区NAA被定位成与有源区AA的至少一侧相邻。

有源区AA与图1中图示的电子装置ED的有源区AA-ED相对应。外围区NAA与图1中图示的电子装置ED的外围区NAA-ED相对应。

参考图2，在实施方式中，有源区AA包括多个发光区。例如，实施方式的电子装置ED包括第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B。在实施方式中，第一发光区PXA-R发射红色光，第二发光区PXA-G发射绿色光，并且第三发光区PXA-B发射蓝色光。

当在平面视图中观察时，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B被分离而不彼此重叠。例如，非发光区NPXA设置在相邻的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B之间。

图2图示了第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B被排列成行。即，在图2中图示的实施方式的电子装置ED中，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B沿着第二方向DR2以该顺序重复排列。

然而，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的排列不限于图2中示出的排列。第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的排列顺序可以根据电子装置ED的显示质量特性而变化。例如，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的排列可以具有

在实施方式中，发射不同波长的光的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B具有彼此不同的面积。例如，面积指当在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面视图中观察时的面积。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B具有相同的面积。此外，根据电子装置ED的显示质量特性，可以不同地调整面积比，并且可以不同地改变平面视图中的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的形状。

图2图示了第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每个在平面视图中具有矩形形状，但是本发明构思的实施方式不一定限于此。在一些实施方式中，第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每个在平面视图中具有其它多边形形状、圆形形状等中的一种。

在实施方式中，外围区NAA围绕有源区AA。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，与图2中图示的实施方式不同，外围区NAA的一部分被省略。在外围区NAA中，设置了驱动有源区AA的驱动电路或驱动线。

参考图4，在实施方式中，外围区NAA包括相对于在一个方向(诸如第二方向DR2)上延伸的弯曲轴BX弯曲的可弯曲部BA。可弯曲部保护层BPL设置在可弯曲部BA中。可弯曲部保护层BPL保护设置在外围区NAA中的电路层CL等。可弯曲部保护层BPL防止在可弯曲部BA中暴露的电路层CL等中的组件出现裂纹。可弯曲部保护层BPL包括丙烯酸基聚合物、硅基聚合物和酰亚胺基聚合物中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

然而，在一些实施方式中，与图4中图示的实施方式不同，可弯曲部保护层BPL连接到光学层RCL的边缘或者与光学层RCL的边缘重叠。此外，光学层RCL的一些组件延伸到可弯曲部BA并且延伸到可弯曲部保护层BPL。此外，在实施方式中，可弯曲部保护层BPL被省略。

在实施方式中，显示面板DP生成图像。显示面板DP是发光型显示面板，诸如有机发光显示面板、无机发光显示面板、量子点显示面板、微型LED显示面板和纳米LED显示面板中的一种。在下文中，实施方式的显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。

图3是本发明构思的沿着图2的线I-I'截取的截面视图。参考图3和图4，在实施方式中，显示面板DP包括基层BS、电路层CL、发光元件层EDL和封装层TFE。

基层BS提供了其上设置有电路层CL的基础表面。基层BS可以是刚性衬底，或者能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。基层BS可以是玻璃衬底、金属衬底和聚合物衬底等中的一种。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且基层BS可以是无机层、有机层和复合材料层中的一种。

电路层CL设置在基层BS上。电路层CL包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。通过涂覆、沉积等在基层BS上方形成绝缘层、半导体层和导电层，并且然后，通过多次执行的光刻工艺和蚀刻工艺来选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层。此后，在电路层CL中形成半导体图案、导电图案和信号线。

发光元件层EDL设置在电路层CL上。发光元件层EDL包括发光元件。例如，发光元件包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED和纳米LED中的一种。

封装层TFE设置在发光元件层EDL上。封装层TFE覆盖发光元件层EDL。封装层TFE设置在其中设置有发光元件层EDL的有源区AA中，并且延伸到其中没有设置发光元件层EDL的外围区NAA中。

封装层TFE保护发光元件层EDL免受诸如湿气、氧气和灰尘颗粒的异物的影响。以下将更详细地描述根据本发明构思的实施方式的封装层TFE。

传感器层TP设置在显示面板DP上。传感器层TP感测外部施加的输入。外部输入可以是用户输入。用户输入可以是各种形式的外部输入之一，诸如来自用户身体的一部分、光、热、笔或压力等。

传感器层TP通过连续工艺形成在显示面板DP上。在实施方式中，传感器层TP直接设置在显示面板DP上。例如，在传感器层TP与显示面板DP之间没有设置第三元件。例如，在传感器层TP与显示面板DP之间没有设置单独的粘合构件。例如，传感器层TP直接设置在显示面板DP的封装层TFE上。然而，实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，传感器层TP和显示面板DP通过粘合构件彼此联接。粘合构件可以包括典型的粘合剂或压敏粘合剂。

光学层RCL设置在传感器层TP上。光学层RCL直接设置在传感器层TP上。光学层RCL通过连续工艺形成在传感器层TP上。光学层RCL降低从显示模块DM入射的外部入射光的反射率。光学层RCL可以包括偏振层或滤色器层。然而，在实施方式中，光学层RCL被省略。

在本发明构思的实施方式中，传感器层TP被省略。例如，光学层RCL直接设置在显示面板DP上。在实施方式中，传感器层TP和光学层RCL的位置是可互换的。

电子装置ED还包括电连接到显示模块DM的驱动单元DM-M。驱动单元DM-M电连接到显示面板DP和传感器层TP。驱动单元DM-M包括驱动芯片IC。驱动芯片IC生成或处理各种电信号，并且电连接到显示面板DP、传感器层TP等，并且控制显示面板DP、传感器层TP等。

驱动单元DM-M包括柔性电路板FB和驱动电路板MB。柔性电路板FB在一侧电连接到显示面板DP和传感器层TP，并且在另一侧电连接到驱动电路板MB。驱动芯片IC设置在柔性电路板FB上。在这种情况下，柔性电路板FB也可以被称为膜上芯片(CoF)。然而，在实施方式中，与图示的实施方式不同，驱动芯片IC设置在显示模块DM的基层BS上。

图2将驱动单元DM-M示出为连接到显示模块DM的一侧并且展开，但如图4中图示，在实施方式的电子装置ED中，驱动单元DM-M在第四方向DR4上弯曲。参考图4，在实施方式中，驱动单元DM-M弯曲并且在第三方向DR3上与显示面板DP重叠。

参考图3，在实施方式中，实施方式的电子装置ED还包括设置在显示模块DM上的窗WM。窗WM覆盖显示模块DM的整个外部。窗WM通过粘合层AP联接到显示模块DM。

窗WM具有与显示模块DM的形状相对应的形状。在实施方式的电子装置ED中，窗WM包括光学透明的绝缘材料。窗WM可以是玻璃衬底或聚合物衬底。例如，窗WM是化学增强的钢化玻璃衬底。

参考图2，在实施方式中，窗WM包括透射部TA和边框部BZA。透射部TA与显示模块DM的有源区AA相对应，并且边框部BZA与显示模块DM的外围区NAA相对应。边框部BZA限定透射部TA的形状。边框部BZA与透射部TA相邻，并且围绕透射部TA。然而，实施方式不一定限于图示的实施方式，并且在一些实施方式中，边框部BZA仅与透射部TA的一侧相邻，或者边框部BZA的一部分被省略。

图5和图6是根据本发明构思的实施方式的电子装置ED的一部分的截面视图。图7是根据本发明构思的实施方式的显示面板DP的一部分的截面视图。

图5是沿着图2的线II-II'截取的截面视图。图5图示了实施方式的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B以及非发光区NPXA。图6图示了图5中所示的电子装置ED的一部分。图6图示了实施方式的第一发光区PXA-R和非发光区NPXA。图7是图6的区TT'的截面视图。

参考图5和图6，实施方式的电子装置ED包括显示面板DP、设置在显示面板DP上的传感器层TP和设置在传感器层TP上的光学层RCL。

参考图5至图7，实施方式的显示面板DP包括依次层叠的基层BS、电路层CL、发光元件层EDL和封装层TFE。

基层BS是玻璃衬底、金属衬底和聚合物衬底等中的一种。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，基层BS是无机层、有机层和复合材料层中的一种。

基层BS可以具有单层或多层结构。例如，当基层BS具有多层结构时，基层BS具有合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。特别地，合成树脂层包括聚酰亚胺基树脂。此外，合成树脂层包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在本公开中，“X～基”树脂是指包含“X～”的官能团。

在基层BS上，设置有电路层CL。电路层CL包括缓冲层BFL。缓冲层BFL增加了基层BS与半导体图案之间的联接力。缓冲层BFL包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种。例如，缓冲层BFL包括从氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中选择的交替层叠的两层或更多层。

半导体图案设置在缓冲层BFL上。半导体图案包括硅。例如，半导体图案包括非晶硅和多晶硅等中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在实施方式中，半导体图案包括金属氧化物。

图5和图6仅图示了半导体图案的一部分并且半导体图案进一步设置在另一区中。根据特定规则跨像素来布置半导体图案。半导体图案具有不同的电性质，这取决于半导体图案是否掺杂。半导体图案包括具有高电导率的第一区和具有低电导率的第二区。第一区掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的区，并且N型晶体管包括掺杂有N型掺杂剂的区。第二区可以是非掺杂区或者是掺杂到比第一区的浓度低的浓度的区。第二区也可以被称为沟道区。

第一区的电导率大于第二区的电导率，并且第一区用作电极或信号线。第二区与晶体管的有源区(或沟道)相对应。例如，半导体图案的一部分是晶体管的有源区，其另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且其另一部分是连接电极或连接信号线。

多个像素中的每个具有包括多个晶体管和电容器的等效电路以及发光元件，并且像素的等效电路可以以各种形式进行修改。图6图示了像素的一个晶体管TR和发光元件EMD。

晶体管TR的源极S1、有源区A1和漏极D1由半导体图案形成。源极S1和漏极D1在截面中从有源区A1在相反的方向上延伸。图6图示了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。连接信号线SCL在平面视图中电连接到晶体管TR的漏极D1。

第一绝缘层10设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10通常与多个像素重叠，并且覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中，第一绝缘层10是单层氧化硅层。不仅第一绝缘层10，而且下面要描述的电路层CL的绝缘层是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但不一定限于此。

晶体管TR的栅极G1设置在第一绝缘层10上。栅极G1是金属图案的一部分。栅极G1与有源区A1重叠。在对半导体图案进行掺杂的过程中，栅极G1起到掩模的作用。栅极G1包括钛(Ti)、银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等中的至少一种，但不一定限于此。

第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上，并且覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层或多层结构。

第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上，并且可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层或多层结构。

第一连接电极CNE1设置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CNT-1而连接到连接信号线SCL。

第四绝缘层40设置在第三绝缘层30上，并且覆盖第一连接电极CNE1。第四绝缘层40可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层或多层结构。

第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50是有机层。

第二连接电极CNE2设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2通过穿透第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2而连接到第一连接电极CNE1。

第六绝缘层60设置在第五绝缘层50上，并且覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60是有机层。

包括发光元件EMD的发光元件层EDL设置在电路层CL上。发光元件层EDL包括发光元件EMD和像素限定层PDL，并且发光元件EMD包括设置在像素限定层PDL中形成的开口OP中的功能层EL。

参考图7，在实施方式中，发光元件EMD包括第一电极AE、功能层EL和第二电极CE。功能层EL包括发光层EML。此外，功能层EL还包括空穴传输区HTR和电子传输区ETR。第一电极AE设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿透第六绝缘层60的接触孔CNT-3而连接到第二连接电极CNE2。第一电极AE包括下述中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn或Zn，从中选择的两种或更多种的化合物，从中选择的两种或更多种的混合物和它们的氧化物。

当第一电极AE是透射电极时，第一电极AE包括透明金属氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。

当第一电极AE是透反电极或反射电极时，第一电极AE包括下述中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca(LiF和Ca的层叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的层叠结构)、Mo、Ti、W和它们的化合物或混合物(诸如Ag和Mg的混合物)。在实施方式中，第一电极AE具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反膜，以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)等中的一种形成的透明导电膜。在实施方式中，第一电极AE具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但不一定限于此。

像素限定层PDL设置在第六绝缘层60上，并且覆盖第一电极AE的一部分。

开口OP形成在像素限定层PDL中。像素限定层PDL中的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。

在实施方式中，第一发光区PXA-R与由开口OP暴露的第一电极AE的区相对应。非发光区NPXA围绕第一发光区PXA-R。例如，像素限定层PDL限定第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B。第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B与非发光区NPXA通过像素限定层PDL来区分。

此外，在实施方式中，像素限定层PDL包括在厚度方向上层叠的多个子像素限定层。

在实施方式中，像素限定层PDL包括聚合物树脂。例如，像素限定层PDL包括聚丙烯酸酯基树脂或聚酰亚胺基树脂。此外，像素限定层PDL还包括除了聚合物树脂之外的无机物质。此外，像素限定层PDL可以包括吸光材料，或者可以包括黑色颜料或黑色染料。在像素限定层PDL中包括黑色颜料或黑色染料实现了黑色像素限定层。炭黑可以用作黑色颜料或黑色染料，但本发明构思的实施方式不一定限于此。

此外，像素限定层PDL包括无机物质。例如，像素限定层PDL包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅等中的至少一种。

功能层EL设置在第一电极AE上。在图5和图6中，功能层EL被图示为设置在开口OP中，但本发明构思的实施方式不一定限于此。功能层EL与第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B重叠。

在实施方式中，功能层EL中的发光层EML分别设置在第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每个中。多个发光层EML分别设置在由像素限定层PDL划分的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中。多个发光层EML中的每个发射红色光、绿色光和蓝色光中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，发光层EML跨第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B以及非发光区NPXA延伸并且被提供为公共层。例如，发光层EML发射蓝色光或白色光。发光层EML包括有机发光材料或量子点材料。

空穴传输区HTR和电子传输区ETR共同设置在第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B以及非发光区NPXA中。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR分别设置在第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每个中。

空穴传输区HTR设置在第一电极AE与发光层EML之间。空穴传输区HTR包括空穴传输层，并且还包括空穴注入层。电子传输区ETR设置在发光层EML与第二电极CE之间。电子传输区ETR包括电子传输层，并且还包括电子注入层。

在一些实施方式中，发光层EML包括发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种的荧光或磷光材料。此外，发光层EML包括有机金属络合物作为发光材料。在一些实施方式中，发光层EML包括量子点作为发光材料。

第二电极CE设置在功能层EL上。第二电极CE形成为单一体，并且跨第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B以及非发光区NPXA延伸作为公共层。第二电极CE包括下述中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn或Zn，从中选择的两种或更多种的化合物，从中选择的两种或更多种的混合物和它们的氧化物。

第二电极CE是透射电极、透反电极和反射电极中的一种。当第二电极CE是透射电极时，第二电极CE由透明金属氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。

当第二电极CE是透反电极或反射电极时，第二电极CE包括下述中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca(LiF和Ca的层叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的层叠结构)、Mo、Ti、Yb、W和它们的化合物或混合物(诸如AgMg、AgYb或MgYb)。在一些实施方式中，第二电极CE具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反膜，以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第二电极CE可以包括上述金属材料中的一种、上述金属中的两种或更多种的组合、上述金属中的一种的氧化物等。

在实施方式中，发光元件层EDL还包括设置在发光元件EMD上的封盖层CPL。封盖层CPL设置在第二电极CE上。封盖层CPL包括单层或多层。

在实施方式中，封盖层CPL可以是无机层或有机层。例如，当封盖层CPL包括无机物质时，该无机物质包括诸如LiF的碱金属化合物、诸如MgF

封盖层CPL是保护发光元件EMD的缓冲层。封盖层CPL的折射率为近似1.6或更大。例如，封盖层CPL的折射率为近似1.9。由于封盖层CPL具有近似1.9的折射率，因此发光元件层EDL的光提取效率等增加。

发光元件层EDL的上表面EDL-US由像素限定层PDL和发光元件层EDL的形状来确定。例如，发光元件层EDL的上表面EDL-US不是平坦的，而是包括台阶。发光元件层EDL的上表面EDL-US相对于基层BS的高度在第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B以及非发光区NPXA中彼此不同。发光元件层EDL的上表面EDL-US中的台阶被封装层TFE平坦化。

封装层TFE设置在发光元件层EDL上。封装层TFE包括设置在发光元件层EDL上的第一无机层INL1和设置在第一无机层INL1上的第二无机层INL2。封装层TFE覆盖由发光元件层EDL引起的台阶或弯折。

第一无机层INL1设置在发光元件层EDL上并且覆盖发光元件层EDL的台阶。例如，第一无机层INL1覆盖发光元件层EDL的上表面EDL-US的台阶，并且为第二无机层INL2提供平坦表面。

第一无机层INL1包括两层或更多层的层叠结构，在该层叠结构中，阻挡层和平坦化层交替地层叠。例如，第一无机层INL1包括设置在发光元件层EDL上的阻挡层和设置在阻挡层上的平坦化层。在实施方式中，第一无机层INL1还包括设置在阻挡层的下部中的附加平坦化层和附加阻挡层。例如，当阻挡层和平坦化层交替地层叠时，第一无机层INL1的最上层是平坦化层。

阻挡层包括硅和氧。例如，阻挡层包括氧化硅。平坦化层包括硅、氧和碳。例如，平坦化层包括碳氧化硅。

第二无机层INL2设置在第一无机层INL1上。第二无机层INL2包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

传感器层TP设置在显示面板DP上。在实施方式中，传感器层TP直接设置在第二无机层INL2上。传感器层TP可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层TP包括感测基层BS-TP、第一导电层ML1、感测绝缘层IPV和第二导电层ML2。

感测基层BS-TP直接设置在显示面板DP上。在实施方式中，感测基层BS-TP是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在实施方式中，感测基层BS-TP是包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂和酰亚胺基树脂中的一种的有机层。感测基层BS-TP可以具有单层结构，或者可以具有其中多个层沿着第三方向DR3层叠的多层结构。

第一导电层ML1和第二导电层ML2中的每个可以具有单层结构或其中多个层沿着第三方向DR3层叠的多层结构。单层结构的导电层包括金属层和透明导电层中的一种。金属层包括Mo、Ag、Ti、Cu、Al和它们的合金中的至少一种。透明导电层包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、过氧化锌(ZnO

多层结构的导电层包括金属层。在实施方式中，金属层具有Ti/Al/Ti的三层结构。多层结构的导电层包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

感测绝缘层IPV设置在第一导电层ML1与第二导电层ML2之间。感测绝缘层IPV可以设置在第一导电层ML1上，同时覆盖第一导电层ML1的一部分，而第二导电层ML2可以设置在感测绝缘层IPV上，并且可以穿透感测绝缘层IPV的一部分以接触第二导电层ML2。在实施方式中，感测绝缘层IPV包括无机膜。无机膜包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

在实施方式中，感测绝缘层IPV包括有机膜。有机膜包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。

光学层RCL设置在传感器层TP上。在实施方式中，光学层RCL通过连续工艺形成在传感器层TP上。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

光学层RCL包括颜料或染料。此外，光学层RCL包括透射不同波长区的光的多个滤波器。不同波长滤波器中的每个设置在相应的第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中。

光学层RCL还包括分隔层BM。分隔层BM的材料未被特别地限制，只要它吸收光即可。分隔层BM是黑色的，并且在实施方式中，分隔层BM包括黑色着色剂。黑色着色剂是黑色染料和黑色颜料中的一种。黑色着色剂包括炭黑、诸如铬的金属和其氧化物中的至少一种。

分隔层BM覆盖传感器层TP的第二导电层ML2。分隔层BM防止外部光从第二导电层ML2的反射。

然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且在一些实施方式中，传感器层TP和光学层RCL中的至少一个被省略。

图8是根据本发明构思的实施方式的显示面板DP的一部分的截面视图。图8示出了图6的区TT'。

参考图8，在实施方式中，封装层TFE的第一无机层INL1包括下层LL和设置在下层LL上的上层UL。下层LL设置在发光元件层EDL上。

第一无机层INL1包括阻挡性质和平坦化性质两者。具体地，第一无机层INL1包括下层LL，下层LL包括含有氧化硅的阻挡层，并且因此第一无机层INL1具有防止外部氧气和湿气渗透到发光元件EMD中的阻挡性质。此外，第一无机层INL1包括上层UL，上层UL包括碳氧化硅，并且因此第一无机层INL1具有平坦化性质。此外，下层LL还包括包含碳氧化硅的平坦化层，使得下层LL具有阻挡性质和平坦化性质两者。

下层LL和上层UL都使用化学气相沉积(CVD)设备提供。在实施方式中，下层LL和上层UL在同一腔室中连续地沉积。下层LL沉积在发光元件层EDL上，并且上层UL可以沉积在下层LL上。上层UL可以沉积成足以覆盖发光元件层EDL的台阶并且为第一无机层INL1的上表面INL1-US提供平坦表面的厚度。

由于第一无机层INL1是通过化学气相沉积(CVD)设备形成的，因此能够省略形成典型封装层的平坦化有机层的印刷工艺、涂覆工艺、固化工艺和灰化工艺。例如，封装层TFE仅通过沉积工艺形成。此外，防止典型有机层的流动的坝结构能够被省略。因此，在包括本发明构思的实施方式的封装层TFE的电子装置ED中，能够减少工艺成本和工艺时间，使得生产率能够提高。

在本发明构思的实施方式中，下层LL包括至少一个层。在本发明构思的实施方式中，下层LL包括包含氧化硅的至少一个阻挡层。在实施方式中，阻挡层由硅和氧组成。构成阻挡层的硅和氧的原子百分比(at％)为1:2。

阻挡层阻挡氧气和湿气从外部渗透到发光元件EMD中。阻挡层是在高沉积速率和100℃或更低的温度下形成的，所以形成工艺具有高生产率，并且使对发光元件EMD的损坏最小化。

下层LL还包括包含碳氧化硅的平坦化层。例如，下层LL包括由硅、氧和碳组成的平坦化层。在平坦化层中，基于总含量，硅的含量为近似20at％至近似40at％，氧的含量为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量为大于0at％至近似30at％。在实施方式中，基于总含量，碳的含量为大于0at％至近似15at％。

平坦化层覆盖可能存在于发光元件层EDL的上表面EDL-US上的灰尘颗粒。平坦化层是在高沉积速率和100℃或更低的温度下形成的，所以形成工艺具有高生产率，并且使对发光元件EMD的损坏最小化。

上层UL具有单层结构。例如，上层UL是平坦化层。平坦化层包括硅、氧和碳。

图9至图11是根据本发明构思的实施方式的显示面板DP的一部分的截面视图。图9至图11均图示了图6的区TT'。

下层LL可以具有单层或多层结构。

参考图9，在实施方式中，当下层LL具有单层结构时，下层LL是第一阻挡层BL1。上层UL是第一平坦化层PL1。例如，当下层LL具有单层结构时，第一无机层INL1包括第一阻挡层BL1和设置在第一阻挡层BL1上的第一平坦化层PL1。

当下层LL具有多层结构时，如图10和图11所示，下层LL包括至少一个阻挡层BL和至少一个平坦化层PL。当下层LL具有多层结构时，与发光元件层EDL接触的层是下层LL的最下层或第一无机层INL1的最下层，并且与上层UL接触的层是下层LL的最上层。

参考图10和图11，下层LL具有包括两层或更多层的层叠结构，在该层叠结构中，阻挡层BL和平坦化层PL交替地层叠，并且上层UL与阻挡层BL接触。下层LL的最上层是阻挡层BL。例如，当下层LL具有双层结构时，下层LL的最下层是平坦化层PL，并且下层LL的最上层是阻挡层BL。

参考图10，在实施方式中，第一无机层INL1包括至少一个阻挡层BL和至少一个平坦化层PL。至少一个阻挡层BL包括多个(例如，m个)阻挡层。例如，至少一个阻挡层BL包括第一阻挡层BL1至第m阻挡层BLm。至少一个平坦化层PL包括多个(例如，n个)平坦化层。例如，至少一个平坦化层PL包括第一平坦化层PL1至第n平坦化层PLn。数字m和n均独立地是2或更大的整数。数字m和n可以彼此相等，或者可以彼此不同。

第一无机层INL1包括其中第一阻挡层BL1至第m阻挡层BLm和第一平坦化层PL1至第n平坦化层PLn交替地层叠的结构。

因此，增加了第一无机层INL1的覆盖性质和阻挡性质。

例如，当n为2并且m为2时，第一无机层INL1具有四层结构。具体地，第一无机层INL1包括设置在发光元件层EDL上的第二阻挡层BL2、设置在第二阻挡层BL2上的第二平坦化层PL2、设置在第二平坦化层PL2上的第一阻挡层BL1以及设置在第一阻挡层BL1上的第一平坦化层PL1。

第一平坦化层PL1与上层UL相对应，并且第一阻挡层BL1至第m阻挡层BLm以及第二平坦化层PL2至第n平坦化层PLn与下层LL相对应。第一阻挡层BL1是下层LL的最上层。

在图10中，示出了下层LL的最下层作为第m阻挡层BLm，但本发明构思的实施方式不一定限于此。由于下层LL的最上层是阻挡层BL1，并且上层UL是第一平坦化层PL1，所以即使在第一无机层INL1与第二无机层INL2之间的边界部处，阻挡层BL和平坦化层PL也交替地层叠。

参考图11，在实施方式中，第一无机层INL1包括至少一个阻挡层BL和至少一个平坦化层PL。至少一个阻挡层BL包括多个(例如，m-1个)阻挡层。例如，至少一个阻挡层BL包括第一阻挡层BL1至第m-1阻挡层BLm-1。至少一个平坦化层PL包括多个(例如，n个)平坦化层。例如，至少一个平坦化层PL包括第一平坦化层PL1至第n平坦化层PLn。m和n均独立地为2或更大的整数。

第一平坦化层PL1与上层UL相对应，并且第一阻挡层BL1至第m-1阻挡层BLm-1以及第二平坦化层PL2至第n平坦化层PLn与下层LL相对应。第一阻挡层BL1是下层LL的最上层。在图11中，下层LL的最下层是第n平坦化层PLn。本发明构思的实施方式的封装层TFE包括两层或更多层的层叠结构，在该层叠结构中，阻挡层BL和平坦化层PL交替地层叠，并且因此，封装层TFE能够仅使用化学气相沉积(CVD)设备来形成。例如，通过在同一腔室中仅连续地改变沉积条件并且通过仅使用化学气相沉积(CVD)设备来形成封装层TFE。

在实施方式中，下层LL的厚度为近似10nm至近似2μm。例如，下层LL的厚度为近似100nm至近似2μm，或者近似100nm至近似1μm。

下层LL中的第一阻挡层BL1至第m阻挡层BLm中的每个的厚度为近似10nm至近似500nm。例如，下层LL中的第一阻挡层BL1至第m阻挡层BLm中的每个的厚度为近似10nm至近似100nm。

下层LL中的第二平坦化层PL2至第n平坦化层PLn中的每个的厚度为近似10nm至近似1μm。例如，下层LL中的第二平坦化层PL2至第n平坦化层PLn中的每个的厚度为近似10nm至近似500nm，或者近似10nm至近似100nm。

第一无机层INL1包括下层LL和设置在下层LL上的上层UL，并且上层UL包括碳氧化硅。即，上层UL包括硅、氧和碳。在上层UL中，基于总含量，硅的含量为近似20at％至近似40at％，氧的含量为近似50at％至近似70at％，并且碳的含量为大于0at％至近似30at％。在实施方式中，基于总含量，碳的含量为大于0at％至近似15at％。

上层UL覆盖发光元件层EDL的上表面EDL-US中的台阶，从而使第一无机层INL1的上表面INL1-US平坦化。上层UL沉积成足以为第一无机层INL1的上表面INL1-US提供平坦表面的厚度。上层UL具有单层结构。在本公开的实施方式中，上层UL可以被称为第一无机层INL1的最上层或第一平坦化层PL1。

上层UL的厚度为近似3μm至近似10μm。在本公开的实施方式中，在第三方向DR3上测量厚度。参考图5，在本公开的实施方式中的上层UL的厚度是与第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B重叠的部分的厚度t1-1和与非发光区NPXA重叠的部分的厚度t1-2的平均值。上层UL的厚度与填充下层LL与第二无机层INL2之间的空间的整个上层UL的平均厚度相对应。

第二无机层INL2设置在第一无机层INL1上。第二无机层INL2与第一平坦化层PL1直接接触。第二无机层INL2起到保护发光元件层EDL免受湿气和氧气影响的阻挡物的作用。第二无机层INL2包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

第二无机层INL2的厚度t2为近似1μm或更小。第二无机层INL2是平坦的第一无机层INL1的上表面INL1-US上的平坦化层。具体地，第二无机层INL2是形成在第一无机层INL1的上层UL上的平坦化层。

使用化学气相沉积(CVD)设备来提供第二无机层INL2。第二无机层INL2直接地沉积并且形成在第一无机层INL1上。第二无机层INL2可以在与用于沉积第一无机层INL1的腔室相同的腔室中沉积，或者可以在不同的腔室中沉积。

图12是根据本发明构思的实施方式的显示模块DM的平面视图。

参考图12，在实施方式中，显示模块DM包括有源区AA和设置在有源区AA的外围处的外围区NAA，并且外围区NAA包括与有源区AA相邻的第一外围区NAA-1和与有源区AA间隔开的第二外围区NAA-2。此外，外围区NAA包括从第二外围区NAA-2的至少一个侧表面延伸的可弯曲部BA。

第一无机层INL1和第二无机层INL2覆盖整个有源区AA，并且延伸到外围区NAA的一部分。在平面视图中，第二无机层INL2的面积大于第一无机层INL1的面积。第一无机层INL1的边缘ED-INL1和第二无机层INL2的边缘ED-INL2不匹配。例如，第一无机层INL1的边缘ED-INL1与第二无机层INL2的边缘ED-INL2间隔开。

第一无机层INL1的边缘ED-INL1和第二无机层INL2的边缘ED-INL2位于外围区NAA中。例如，第一无机层INL1的边缘ED-INL1位于第一外围区NAA-1中，并且第二无机层INL2的边缘ED-INL2位于第二外围区NAA-2中。例如，在平面视图中，第二无机层INL2的边缘ED-INL2定位成从第一无机层INL1的边缘ED-INL1向外。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

图13是根据本发明构思的实施方式的显示模块DM的一部分的截面视图。图13是沿着图12的线III-III'截取的截面视图。图13图示了包括封装层TFE的实施方式，封装层TFE包括具有下层LL和上层UL的第一无机层INL1以及第二无机层INL2。

参考图13，在实施方式中，封装层TFE的边缘位于显示模块DM的外围区NAA中。例如，第一无机层INL1的下层LL的边缘ED-LL和第一无机层INL1的边缘ED-INL1位于第一外围区NAA-1中，并且第二无机层INL2的边缘ED-INL2位于第二外围区NAA-2中。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

基层BS包括有源区AA-BS和外围区NAA-BS。基层BS的有源区AA-BS与显示模块DM的有源区AA相对应，并且基层BS的外围区NAA-BS与显示模块DM的外围区NAA相对应。

基层BS包括有源区AA-BS和外围区NAA-BS，并且基层BS的外围区NAA-BS包括第一外围部NAA1-BS和第二外围部NAA2-BS。基层BS的有源区AA-BS与发光元件层EDL重叠。基层BS的外围区NAA-BS不与发光元件层EDL重叠。在外围区NAA-BS中，第一外围部NAA1-BS与有源区AA-BS相邻，并且第二外围部NAA2-BS隔着第一外围部NAA1-BS与有源区AA-BS间隔开。

基层BS的第一外围部NAA1-BS与第一无机层INL1和第二无机层INL2重叠。基层BS的第二外围部NAA2-BS不与第一无机层INL1重叠，但与第二无机层INL2重叠。

然而，在实施方式中，与图13中图示的实施方式不同，第一无机层INL1的下层LL的边缘ED-LL与上层UL的边缘(即，第一无机层INL1的边缘ED-INL1)重叠。例如，下层LL和上层UL在同一腔室中连续地沉积，并且使用一个掩模被同时图案化。

电路层CL设置在基层BS上。电路层CL与有源区AA和外围区NAA重叠。电路层CL的与外围区NAA重叠的部分可以缺少电路层CL的与有源区AA重叠的部分的一些组件。例如，与有源区AA相比，在第二外围区NAA-2中，去除了第五绝缘层50和第六绝缘层60，并且电路层CL包括第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

第二无机层INL2直接设置在延伸到第二外围部NAA2-BS中的第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40的最上层上。

与典型的封装层不同，本发明构思的实施方式不包括用于平坦化的单独的有机层，所以为控制有机层的流动而引入的坝被省略。例如，实施方式的显示模块DM具有如下结构，其中第五绝缘层50、第六绝缘层60和像素限定层PDL在同一工艺中形成，并且在外围区NAA中从第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40突出的坝被省略。

图14是根据本发明构思的实施方式的阻挡层的测试样品的截面TEM图像。图15是根据本发明构思的实施方式的阻挡层和平坦化层在其上层叠的层叠膜的测试样品的截面TEM图像。

图14是根据本发明构思的实施方式的用于测试阻挡层的颗粒覆盖性质的样品的截面的TEM图像。在图14中，阻挡层已经沉积在颗粒上达近似800nm的厚度。

参考图14，由于Si衬底上的颗粒引起的不均匀性被阻挡层平坦化。图14的阻挡层的阻挡性质将在下面的表2中详细描述。

图15是用于测试其中根据本发明构思的实施方式的阻挡层和平坦化层交替地层叠的结构的颗粒覆盖性质的样品的截面的TEM图像。图15示出了一种结构，即，7层的层叠膜，其中阻挡层和平坦化层交替地层叠在颗粒上。在7层的层叠膜中，最下层和最上层是阻挡层。7层的层叠膜中的七个层中的每个的厚度为近似20nm至近似70nm，并且7层的层叠膜的总厚度为近似500nm。图15的样品的每层的组成比如下表1中所示。

在表1中，层组成比通过硅、氧和其他物质(诸如碳和氟)进行区分。

表1

该表显示出当阻挡层和平坦化层如图15中所示以小的厚度交替地层叠时，平坦化性质进一步增加。此外，参考图15中用箭头标记的颗粒的下部区，阻挡层和平坦化层沉积成均匀的厚度而不留下空的空间。因此，其中阻挡层和平坦化层交替地层叠的结构具有颗粒覆盖性质。

一起参考图14和图15，本公开的实施方式的封装层具有阻挡性质，因为其下层包括至少一个阻挡层。此外，本公开的实施方式的封装层增加了颗粒覆盖性质，因为其下层包括其中阻挡层和平坦化层交替地层叠的结构。

图15的包括碳氧化硅的平坦化层显示出平坦化性质，并且本公开的实施方式的也包括碳氧化硅的上层具有平坦化性质。

为了评估本公开的实施方式的封装层的阻挡性质，表2显示出水蒸气透过率(WVTR)测试的结果。每个测试样品的类型和水蒸气透过率如下表2中所示。

在下表2中，PEN膜是含有聚萘二甲酸乙二醇酯的膜。

在下表2中，阻挡层是上面关于图14描述的，并且7层的层叠膜是上面关于图15描述的。

表2

参考表2，与比较例1和比较例2相比，示例1和示例2具有增加的阻挡性质。此外，当示例2中层叠了阻挡层和平坦化层时，WVTR值进一步减小，并且阻挡性质进一步增加。

参考比较例1和比较例2，即使当平坦化层设置在PEN膜上时，WVTR值也不改变。例如，当仅设置了平坦化层而没有阻挡层时，没有阻挡性质。

本公开的实施方式的封装层具有阻挡性质，因为其下层包括至少一个阻挡层，并且保护发光元件层免受外部湿气和氧气的影响。此外，本公开的实施方式的封装层具有平坦化性质，并且当其下层具有其中阻挡层和平坦化层层叠的结构时，阻挡性质进一步增加。

本公开的实施方式的封装层不包括平坦化有机层，但包括包含下层和上层的第一无机层以及第二无机层，并且因此具有阻挡性质和平坦化性质。

当制造本公开的实施方式的封装层时，不需要印刷工艺等，诸如形成有机层的喷墨，这简化了设备，减少了制造时间，并且增加了封装层的加工性。例如，能够仅通过化学气相沉积(CVD)设备来沉积本公开的封装层。

本公开的实施方式的显示面板包括具有阻挡性质和平坦化性质的封装层，这增加了显示面板的可靠性。

实施方式的显示面板的封装层中的第一无机层包括含有氧化硅的阻挡层和含有碳氧化硅的平坦化层，从而同时提供阻挡性质和平坦化性质。

此外，实施方式的显示面板中包括的封装层包括无机层，并且因此能够通过化学气相沉积(CVD)设备形成。因此，与形成包括有机层的封装层的工艺相比，增加了本公开的封装层的加工性。