地震处理方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本发明涉及晶体制备技术领域，特别是涉及一种地震处理方法、一种地震处理装置、一种电子设备以及一种存储介质。

背景技术

单晶硅材料的制备工艺以直拉法(Czochralski process/CZ)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。

其中，当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温，将温度调整到引晶的温度。引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，在引晶温度下，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后，进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤，在该步骤中，通过对拉速和温度的自动控制，让晶体将按照设定的直径等径生长。晶体在完成等径生长后将进入收尾过程，收尾的过程也是为了消除位错。收尾完成后晶体生长基本完成，让晶体继续保留在硅单晶炉中一定的时间，从而完成晶体的退火。

由于单晶炉台数量众多，发生地震事件时，对所有炉台都有影响，造成的损失是极其巨大的，尤其是在拉晶阶段晶棒逐渐成型或晶棒的提出过程中，严重者除了造成设备损坏还会造成人身伤害。地震发生时首先要做的是疏散现场人员，其次才是进行炉台相关操作以及时止损，但这样存在很大的滞后性。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种地震处理方法，以解决地震发生时，对设备甚至人身造成伤害，无法及时止损的问题。

相应的，本发明实施例还提供了一种地震处理装置、一种电子设备以及一种存储介质，用以保证上述方法的实现及应用。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种地震处理方法，包括：

检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况；

根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件；

根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，包括：

根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比；

根据所述设备占比，确定所述地震事件。

可选地，所述根据所述设备占比，确定所述地震事件，包括：

若所述设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为轻微地震事件；所述第二预设占比大于所述第一预设占比；

若所述设备占比超过第二预设占比，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为严重地震事件。

可选地，所述地震事件为轻微地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，包括：

获取所述多个直拉单晶设备的设定晶棒转速；

针对每个直拉单晶设备，根据所述设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理；

分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的晶棒转速降低处理。

可选地，所述地震事件为严重地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，包括：

获取所述多个直拉单晶设备的工步状态；

针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理；

分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理，包括：

若所述工步状态为第一预设状态，确定对应的地震异常处理包括第一运动控制处理和/或第一功率控制处理；其中，所述第一预设状态包括引晶状态、或放肩状态、或转肩状态、或等径状态、或收尾状态、或晶棒提出状态、或回熔状态，所述第一运动控制处理包括以下至少一种：晶棒转速降低处理、坩埚转速降低处理、晶棒提升处理、坩埚下降处理，所述第一功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第一预设功率的和值。

可选地，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理，包括：

若所述工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理和/或第二功率控制处理；其中，所述第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置；所述第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值；

若所述工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理和/或所述第二功率控制处理；其中，所述第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀；

若所述工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理；

若所述工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

本发明实施例还公开了一种地震处理装置，包括：

情况检测模块，用于检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况；

事件确定模块，用于根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件；

地震处理模块，用于根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述事件确定模块，包括：

占比确定子模块，用于根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比；

事件确定子模块，用于根据所述设备占比，确定所述地震事件。

可选地，所述事件确定子模块，包括：

轻微事件确定单元，用于若所述设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为轻微地震事件；所述第二预设占比大于所述第一预设占比；

严重事件确定单元，用于若所述设备占比超过第二预设占比，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为严重地震事件。

可选地，所述地震事件为轻微地震事件，所述地震处理模块，包括：

转速获取子模块，用于获取所述多个直拉单晶设备的设定晶棒转速；

第一处理确定子模块，用于针对每个直拉单晶设备，根据所述设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理；

第一处理执行子模块，用于分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的晶棒转速降低处理。

可选地，所述地震事件为严重地震事件，所述地震处理模块，包括：

状态获取子模块，用于获取所述多个直拉单晶设备的工步状态；

第二处理确定子模块，用于针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理；

第二处理执行子模块，用于分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述第二处理确定子模块，包括：

第一确定单元，用于若所述工步状态为第一预设状态，确定对应的地震异常处理包括第一运动控制处理和/或第一功率控制处理；其中，所述第一预设状态包括引晶状态、或放肩状态、或转肩状态、或等径状态、或收尾状态、或晶棒提出状态、或回熔状态，所述第一运动控制处理包括以下至少一种：晶棒转速降低处理、坩埚转速降低处理、晶棒提升处理、坩埚下降处理，所述第一功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第一预设功率的和值。

可选地，所述第二处理确定子模块，包括：

第二确定单元，用于若所述工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理和/或第二功率控制处理；其中，所述第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置；所述第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值；

第三确定单元，用于若所述工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理和/或所述第二功率控制处理；其中，所述第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀；

第四确定单元，用于若所述工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理；

第五确定单元，用于若所述工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

本发明实施例还公开了一种电子设备，其特征在于，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的方法步骤。

本发明实施例还公开了一种可读存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行本发明实施例中一个或多个所述的地震处理方法。

本发明实施例包括以下优点：

依据本发明实施例，通过检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，使得利用晶体划弧情况自动检测地震事件，并自动控制直拉单晶设备采取地震异常处理，避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

附图说明

图1是本发明的一种地震处理方法实施例的步骤流程图；

图2是本发明的一种地震处理方法实施例的步骤流程图；

图3是轻微地震时的自动处理流程的示意图；

图4是严重地震时的自动处理流程的示意图；

图5是本发明的一种地震处理装置实施例的结构框图；

图6是根据一示例性实施例示出的一种用于地震处理的计算设备的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参照图1，示出了本发明的一种地震处理方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤101，检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况。

在本发明实施例中，直拉单晶过程是利用直拉法将原料提炼成单晶的过程，例如，直拉单晶硅的过程。直拉单晶过程可以划分为加料阶段、熔料阶段、调温阶段、引晶阶段等。

在本发明实施例中，直拉单晶设备是用于直拉单晶的设备，例如，直拉单晶硅的单晶炉。晶体划弧是指直拉单晶过程中出现的晶体摆动的现象，是直拉法经常出现的异常现象，并影响单晶的正常生长，造成单晶生产的成本上升，从生长机理方面看，晶体摆动会引起液面温度的变化，对固体-液体界面的稳定性造成干扰，从而影响单晶的品质和无位错生长。从操作控制方面而言，晶体摆动动会使直径控制变得困难，也不利于等径生长过程中的自动控制，造成了生产周期的相对延长，从而增加了生产成本。

对于一个规模较大的生产单位来说，直拉单晶设备的数量比较多，个别直拉单晶设备出现晶体划弧是正常的，但如果大量直拉单晶设备出现晶体划弧则相对异常的，很大可能是地震引起的，基于这样的考虑，本发明提出根据多个直拉单晶设备的晶体划弧情况来检测地震的方法。

在本发明实施例中，对于单个直拉单晶设备的晶体划弧情况的检测可以利用CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)机器视觉系统检测晶棒的位置，若晶棒的位置出现摆动，且摆动幅度超过设定阈值，则确定该直拉单晶设备出现晶体划弧，或者其他任意适用的实现方式，本发明实施例对此不做限制。晶体划弧情况可以分为发生晶体划弧和未发生晶体划弧两种情况，或者还可以将看晶体划弧的情况再分为划弧的多种程度，或者其他任意适用的情况，本发明实施例对此不做限制。

在本发明实施例中，分别对多个直拉单晶设备进行检测，得到多个直拉单晶设备的晶体划弧情况。例如，各个直拉单晶设备分别检测晶体划弧情况，再上报到应急中控平台，由应急中控平台据此检测地震。

步骤102，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件。

在本发明实施例中，地震事件是指发生地震的事件，地震事件还可以分为轻微地震事件、严重地震事件等，或者其他任意适用的地震事件，本发明实施例对此不做限制。

在本发明实施例中，由于多个直拉单晶设备中若有一定数量的设备同时发生晶体划弧极有可能是地震引起的，因此，根据多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，可以比较可靠的确定是否发生地震，或者还可以确定地震的严重程度。

在本发明实施例中，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件的具体实现方式可以包括多种。例如，根据多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比，根据设备占比，确定地震事件。又例如，根据多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比，晶体划弧情况还包括晶体划弧相关的数据，例如，描述晶体划弧的程度的数据等，结合设备占比和晶体划弧相关的数据，确定地震事件。具体可以包括任意适用的实现方式，本发明实施例对此不做限制。

步骤103，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

在本发明实施例中，检测到地震事件后，自动对多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。地震异常处理是指预先设定的发生地震时自动执行的一个或一系列处理。例如，将直拉单晶设备的工步切换到异常处理工步，对晶棒转速的降低处理，加热器功率的设定处理，坩埚转速的降低处理等，或者其他任意适用的处理，本发明实施例对此不做限制。

在本发明实施例中，若地震事件分为多种地震事件，针对每种地震事件，可以预先设定对应的地震异常处理，从而针对不同的地震事件，采取相适合的处理。

另外，除了通过上述方式确定地震事件外，还可以接收外部通知的地震事件，或者人工提交的地震事件，或者其他任意适用的方式确定地震事件，以及地震事件的程度等其他信息。控制系统也可以据此控制多个直拉单晶设备自动执行对应的地震异常处理。

在本发明实施例中，多个直拉单晶设备所处的工步状态可能各不相同，例如，有的直拉单晶设备处于引晶状态、有的直拉单晶设备处于加料器加料状态、有的直拉单晶设备处于料桶提入状态等。针对直拉单晶设备所处的每种工步状态，可以预先设定对应的地震异常处理，从而针对不同的工步状态，采取相适合的处理。

在本发明实施例中，在确定地震异常处理后，分别控制多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，以使在直拉单晶过程中自动检测地震事件，并使直拉单晶设备可以自动进行地震异常处理。

依据本发明实施例，通过检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，使得利用晶体划弧情况自动检测地震事件，并自动控制直拉单晶设备采取地震异常处理，避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

参照图2，示出了本发明的一种地震处理方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤201，检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况。

在本发明实施例中，此步骤的具体实现方式可以参见前述实施例中的描述，此处不另赘述。

步骤202，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比。

在本发明实施例中，在直拉单晶过程中，晶体划弧从直拉单晶设备中拉出了晶体之后才开始出现。处于等径状态的直拉单晶设备一般处于稳定的产出晶体的阶段，期间可能出现晶体划弧。先获取处于等径状态的直拉单晶设备的数量，再根据多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比。

步骤203，根据所述设备占比，确定所述地震事件。

在本发明实施例中，根据上述确定的设备占比，可以确定地震事件。例如，若设备占比超过50％，则确定已经发生地震事件。

在本发明的一种可选实施例中，根据所述设备占比，确定所述地震事件的一种具体实现方式中，可以包括：若所述设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为轻微地震事件，若所述设备占比超过第二预设占比，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为严重地震事件。所述第二预设占比大于所述第一预设占比。

设备占比达到第一预设占比，可以确定已经发生地震事件。第一预设占比可以设置为任意适用的预设值，本发明实施例对此不做限制。若设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，则确定地震事件为轻微地震事件，因相较于严重地震事件，轻微地震事件时设备占比相对较小。

设备占比超过第二预设占比，则确定地震事件为严重地震事件。

根据设备占比，不仅可以检测是否发生地震，还可以检测地震事件的强度，从而对地震事件更加精细的划分。

步骤204，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

在本发明的一种可选实施例中，所述地震事件为轻微地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理的一种具体实现方式中，可以包括：获取所述多个直拉单晶设备的设定晶棒转速；针对每个直拉单晶设备，根据所述设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理；分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的晶棒转速降低处理。

在确定轻微地震事件后，预设设定轻微地震事件对应的地震异常处理为晶棒转速降低处理。具体实现时，针对各个直拉单晶设备，获取设定晶棒转速，然后根据设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理。例如，如图3所示的轻微地震时的自动处理流程的示意图。若设定晶棒转速小于设定转速阈值X，则确定对应的晶棒转速降低处理为晶棒转速降低到零。若设定晶棒转速不小设定转速阈值X，则确定对应的晶棒转速降低处理为在当前的晶棒转速的基础上降低设定转速Y。

在轻微地震事件时，自动降低晶棒转速，可以降低晶体划弧的幅度，减少晶体划弧对单晶生长和操作控制方面的影响，降低因晶体划弧带来的产品的失败率，保证产品质量，减少损失。

在本发明的一种可选实施例中，所述地震事件为严重地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理的一种具体实现方式中，可以包括：获取所述多个直拉单晶设备的工步状态；针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理；分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

在严重地震事件时，预先设定了对应的的地震异常处理。对于严重地震事件，需要预先设定与直拉单晶设备的工步状态相适合的地震异常处理。

其中，工步状态是指直拉单晶设备所处的工步。工步状态可以包括引晶状态、放肩状态、转肩状态、等径状态、收尾状态、晶棒提出状态、回熔状态、加料器加料状态、料桶提入且隔离阀开启状态、料桶提入且隔离阀关闭状态、料桶提出状态等，或者其他任意适用的状态，本发明实施例对此不做限制。各种工步状态预先设定的对应的地震异常处理可以根据实际需要进行设定，本发明实施例对此不做限制。

根据每个直拉单晶设备工步状态，确定对应的地震异常处理，对每个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，从而有针对性的对于不同工步状态的直拉单晶设备采取相适应的地震异常处理，继而避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

在本发明的一种可选实施例中，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理的一种具体实现方式中，可以包括：若所述工步状态为第一预设状态，确定对应的地震异常处理包括第一运动控制处理和/或第一功率控制处理。

其中，第一预设状态包括引晶状态、或放肩状态、或转肩状态、或等径状态、或收尾状态、或晶棒提出状态、或回熔状态。在工步状态为第一预设状态时，对应的地震异常处理包括第一运动控制处理，或者第一功率控制处理，或者第一运动控制处理和第一功率控制处理。如图4所示的严重地震时的自动处理流程的示意图。

其中，第一运动控制处理是对直拉单晶设备中与运动控制相关的处理。第一运动控制处理包括以下至少一种：晶棒转速降低处理、坩埚转速降低处理、晶棒提升处理、坩埚下降处理。晶棒转速降低处理为对晶棒转速进行降低的处理。例如，晶棒转速在T1时间内降低到A转速。坩埚转速降低处理为对坩埚转速进行降低的处理。例如，坩埚转速在T2时间内降低到B转速。晶棒提升处理为对晶棒进行提升的处理。例如，晶棒提升速度设定为C速度。坩埚下降处理为对坩埚进行下降的处理。例如，坩埚下降速度设定为D速度，坩埚自动下降E距离。通过第一运动控制处理，可以减少地震对生产安全的影响，避免对设备和人身造成的伤害，减少损失。

其中，第一功率控制处理是对直拉单晶设备中与功率控制相关的处理。第一功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第一预设功率的和值。第一预设功率可以设置为任意适用的功率，本发明实施例对此不做限制。例如，加热器功率变更为引晶功率+XKw。加热器功率保持在引晶功率和第一预设功率的和值，可以是原料保持熔化状态，避免原料在坩埚内结晶，对设备造成伤害。

在本发明的一种可选实施例中，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理的一种具体实现方式中，可以包括：若所述工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理和/或第二功率控制处理；其中，所述第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置；所述第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值；若所述工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理和/或所述第二功率控制处理；其中，所述第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀；若所述工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理；若所述工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

加料器是直拉单晶设备中用于加料的一种部件，加料器加料状态是指设备处于通过加料器进行加料的状态。若工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理，或者第二功率控制处理，或者第二运动控制处理和第二功率控制处理。

其中，第二运动控制处理是对直拉单晶设备中与运动控制相关的处理。第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置。料罐是加料器中装料的容器。后限位置是料罐在加料器中所能退回的极限位置。通过第二运动控制处理，可以减少地震对生产安全的影响，避免对设备和人身造成的伤害，减少损失。

其中，第二功率控制处理是对直拉单晶设备中与功率控制相关的处理。第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值。第二预设功率可以设置为任意适用的功率，本发明实施例对此不做限制。例如，加热器功率变更为引晶功率+YKw。加热器功率保持在引晶功率和第二预设功率的和值，可以是原料保持熔化状态，避免原料在坩埚内结晶，对设备造成伤害。

料桶是直拉单晶设备中用于加料的一种部件，料桶提入且隔离阀开启状态是指设备处于通过料桶进行加料，且料桶已经提入到加料的位置，隔离阀处于开启的状态。若工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理，或者第二功率控制处理，或者第三运动控制处理和第二功率控制处理。

其中，第三运动控制处理是对直拉单晶设备中与运动控制相关的处理。第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀。副炉室是直拉单晶设备中的一个空间，料桶在主炉室内，因此需要将料桶升至副炉室下沿。通过第三运动控制处理，可以减少地震对生产安全的影响，避免对设备和人身造成的伤害，减少损失。

若工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

若工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

依据本发明实施例，通过检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比，根据所述设备占比，确定所述地震事件，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，使得利用晶体划弧情况自动检测地震事件，并自动控制直拉单晶设备采取地震异常处理，避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

依据本发明实施例，通过检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，使得利用晶体划弧情况自动检测地震事件，并自动控制直拉单晶设备采取地震异常处理，避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图5，示出了本发明的一种地震处理装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

情况检测模块301，用于检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况；

事件确定模块302，用于根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件；

地震处理模块303，用于根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述事件确定模块，包括：

占比确定子模块，用于根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比；

事件确定子模块，用于根据所述设备占比，确定所述地震事件。

可选地，所述事件确定子模块，包括：

轻微事件确定单元，用于若所述设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为轻微地震事件；所述第二预设占比大于所述第一预设占比；

严重事件确定单元，用于若所述设备占比超过第二预设占比，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为严重地震事件。

可选地，所述地震事件为轻微地震事件，所述地震处理模块，包括：

转速获取子模块，用于获取所述多个直拉单晶设备的设定晶棒转速；

第一处理确定子模块，用于针对每个直拉单晶设备，根据所述设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理；

第一处理执行子模块，用于分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的晶棒转速降低处理。

可选地，所述地震事件为严重地震事件，所述地震处理模块，包括：

状态获取子模块，用于获取所述多个直拉单晶设备的工步状态；

第二处理确定子模块，用于针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理；

第二处理执行子模块，用于分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述第二处理确定子模块，包括：

第一确定单元，用于若所述工步状态为第一预设状态，确定对应的地震异常处理包括第一运动控制处理和/或第一功率控制处理；其中，所述第一预设状态包括引晶状态、或放肩状态、或转肩状态、或等径状态、或收尾状态、或晶棒提出状态、或回熔状态，所述第一运动控制处理包括以下至少一种：晶棒转速降低处理、坩埚转速降低处理、晶棒提升处理、坩埚下降处理，所述第一功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第一预设功率的和值。

可选地，所述第二处理确定子模块，包括：

第二确定单元，用于若所述工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理和/或第二功率控制处理；其中，所述第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置；所述第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值；

第三确定单元，用于若所述工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理和/或所述第二功率控制处理；其中，所述第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀；

第四确定单元，用于若所述工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理；

第五确定单元，用于若所述工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

图6是根据一示例性实施例示出的一种用于地震处理的电子设备400的结构框图。例如，电子设备400可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。

参照图6，电子设备400可以包括以下一个或多个组件：处理组件402，存储器404，电源组件406，多媒体组件408，音频组件410，输入/输出(I/O)的接口412，传感器组件414，以及通信组件416。

处理组件402通常控制电子设备400的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件402可以包括一个或多个处理器420来执行指令，以完成上述的地震处理方法的全部或部分步骤。此外，处理组件402可以包括一个或多个模块，便于处理组件402和其他组件之间的交互。例如，处理部件402可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件408和处理组件402之间的交互。

存储器404被配置为存储各种类型的数据以支持在设备400的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备400上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器404可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

电力组件404为电子设备400的各种组件提供电力。电力组件404可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备400生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件408包括在所述电子设备400和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件408包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备400处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件410被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件410包括一个麦克风(MIC)，当电子设备400处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器404或经由通信组件416发送。在一些实施例中，音频组件410还包括一个扬声器，用于输出音频信号。

I/O接口412为处理组件402和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件414包括一个或多个传感器，用于为电子设备400提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件414可以检测到设备400的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为电子设备400的显示器和小键盘，传感器组件414还可以检测电子设备400或电子设备400一个组件的位置改变，用户与电子设备400接触的存在或不存在，电子设备400方位或加速/减速和电子设备400的温度变化。传感器组件414可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件414还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件414还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。

通信组件416被配置为便于电子设备400和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备400可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信部件414经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信部件414还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

在示例性实施例中，电子设备400可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述地震处理方法。

在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器404，上述指令可由电子设备400的处理器420执行以完成上述地震处理方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由终端的处理器执行时，使得终端能够执行一种地震处理方法，所述方法包括：

检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况；

根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件；

根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，包括：

根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定在处于等径状态的直拉单晶设备中同时出现晶体划弧的直拉单晶设备的设备占比；

根据所述设备占比，确定所述地震事件。

可选地，所述根据所述设备占比，确定所述地震事件，包括：

若所述设备占比在第一预设占比和第二预设占比之间，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为轻微地震事件；所述第二预设占比大于所述第一预设占比；

若所述设备占比超过第二预设占比，确定发生所述地震事件，且所述地震事件为严重地震事件。

可选地，所述地震事件为轻微地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，包括：

获取所述多个直拉单晶设备的设定晶棒转速；

针对每个直拉单晶设备，根据所述设定晶棒转速，确定对应的晶棒转速降低处理；

分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的晶棒转速降低处理。

可选地，所述地震事件为严重地震事件，所述根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，包括：

获取所述多个直拉单晶设备的工步状态；

针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理；

分别对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理。

可选地，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理，包括：

若所述工步状态为第一预设状态，确定对应的地震异常处理包括第一运动控制处理和/或第一功率控制处理；其中，所述第一预设状态包括引晶状态、或放肩状态、或转肩状态、或等径状态、或收尾状态、或晶棒提出状态、或回熔状态，所述第一运动控制处理包括以下至少一种：晶棒转速降低处理、坩埚转速降低处理、晶棒提升处理、坩埚下降处理，所述第一功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第一预设功率的和值。

可选地，所述针对每个直拉单晶设备，根据所述工步状态，确定对应的地震异常处理，包括：

若所述工步状态为加料器加料状态，确定对应的地震异常处理包括第二运动控制处理和/或第二功率控制处理；其中，所述第二运动控制包括以下至少一种：停止加料、料罐退至后限位置；所述第二功率控制处理包括加热器功率调整为引晶功率和第二预设功率的和值；

若所述工步状态为料桶提入且隔离阀开启状态，确定对应的地震异常处理包括第三运动控制处理和/或所述第二功率控制处理；其中，所述第三运动控制处理包括以下至少一种：将料桶升至副炉室下沿、关闭隔离阀；

若所述工步状态为料桶提入且隔离阀关闭状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理；

若所述工步状态为料桶提出状态，确定对应的地震异常处理包括所述第二功率控制处理。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以预测方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种地震处理方法和装置、一种电子设备以及一种可读储存介质，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。