显示装置

关联申请的交叉参照

本申请主张基于2022年6月10日提出申请的日本专利申请第2022-094446号的优先权，并援引该日本申请中记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置已实用化。该显示元件具备：包含薄膜晶体管的像素电路；与像素电路连接的下电极；覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层的上电极。有机层除了包含发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

在制造这样的显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

发明内容

实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置。

根据一个实施方式，显示装置具备：

基板；下电极，其配置于前述基板的上方；肋部，其由无机绝缘材料形成、具有与前述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置于前述肋部之上且由导电材料形成的下部、和配置于前述下部之上且从前述下部的侧面突出的上部；有机层，其在前述开口处配置于前述下电极之上；上电极，其配置于前述有机层之上；盖层，其配置于前述上电极之上；和密封层，其覆盖前述盖层、与前述隔壁的前述下部相接，前述开口的边缘(edge)包含第1直线部、第2直线部、以及与前述第1直线部及前述第2直线部连接的曲线部，前述第1直线部与前述第2直线部所成的角度为90°以上。

根据实施方式，能够提供能抑制可靠性降低的显示装置。

附图说明

图1为示出显示装置DSP的构成例的图。

图2为示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3为用于对图2所示的肋部5的开口AP1、AP2、AP3各自的形状的一例进行说明的俯视图。

图4为用于对图3所示的开口的边缘所包含的直线部的优选长度进行说明的俯视图。

图5为沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略性截面图。

图6为示出显示元件201的构成的一例的图。

图7为用于对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明的流程图。

图8为用于对显示装置DSP的制造方法进行说明的图。

图9为用于对显示装置DSP的制造方法进行说明的图。

图10为用于对显示装置DSP的制造方法进行说明的图。

图11为用于对显示装置DSP的制造方法进行说明的图。

图12为用于对显示装置DSP的制造方法进行说明的图。

图13为用于对肋部5的开口AP1、AP2、AP3各自的形状的其他例子进行说明的俯视图。

图14为用于对肋部5的开口AP的形状的比较例进行说明的俯视图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

公开内容不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。此外，为了清楚地进行说明，与实际情况相比，附图中有时对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示，但不过是一例，并非用来限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，有时对于与关于已出现的图在前文陈述过的构成要素发挥相同或类似的功能的构成要素标注同一附图标记，适当省略重复的详细说明。

需要说明的是，为了容易理解而根据需要在附图中记载彼此正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视。

本实施方式涉及的显示装置为作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，可搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等上。

图1为示出显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA、和显示区域DA的周边的周边区域SA。基板10可以为玻璃，也可以为具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视下的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视下的形状不限于长方形，也可以为正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上呈矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。一例中，像素PX包含第1色的子像素SP1、第2色的子像素SP2、及第3色的子像素SP3。第1色、第2色、及第3色为彼此不同的颜色。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起、或者代替子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP具备像素电路1、和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3、和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3例如是由薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。

图2为示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的例子中，子像素SP2及子像素SP3在第2方向Y上排列。此外，子像素SP2及子像素SP3分别与子像素SP1在第1方向X上排列。

子像素SP1、SP2、SP3为这样的布局的情况下，显示区域DA中形成有：子像素SP2及子像素SP3在第2方向Y上交替地配置的列；和多个子像素SP1在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替地排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3可以在第1方向X上依次排列。

显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3处分别具有开口AP1、AP2、AP3。对于开口AP1、AP2、AP3各自的形状，在后文陈述。

隔壁6在俯视下与肋部5重叠。隔壁6具有：沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x；和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP2、AP3之间、以及在第2方向Y上相邻的2个开口AP1之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP2之间、以及在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x及第2隔壁6y彼此连接。由此，隔壁6整体形成为包围开口AP1、AP2、AP3的方格状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1、SP2、SP3分别具备显示元件201、202、203作为显示元件20。

子像素SP1具备各自与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备各自与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备各自与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形以虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3、及上电极UE1、UE2、UE3的外形以单点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。需要说明的是，图示的下电极、有机层、上电极各自的外形不限于反映正确的形状这一情况。

下电极LE1、上电极UE1、及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件201。下电极LE2、上电极UE2、及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件202。下电极LE3、上电极UE3、及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件203。

下电极LE1、LE2、LE3例如相当于显示元件的阳极。上电极UE1、UE2、UE3相当于显示元件的阴极、或公共电极。

下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，开口AP1的面积大于开口AP2的面积，开口AP2的面积大于开口AP3的面积。换言之，从开口AP1露出的下电极LE1的面积大于从开口AP2露出的下电极LE2的面积，从开口AP2露出的下电极LE2的面积大于从开口AP3露出的下电极LE3的面积。

例如，子像素SP1的显示元件201以发出蓝色波长区域的光的方式构成。另外，子像素SP2的显示元件202以发出绿色波长区域的光的方式构成，另外，子像素SP3的显示元件203以发出红色波长区域的光的方式构成。

图3为用于对图2所示的肋部5的开口AP1、AP2、AP3各自的形状的一例进行说明的俯视图。

首先，对开口AP1进行说明。

开口AP1的边缘具有直线部L11至L18、和曲线部C11至C18。

直线部L11及L17彼此平行，沿着第1方向X延伸，与下电极LE1的短边LS大致平行。直线部L12、L14、L16、L18彼此平行，沿着第2方向Y延伸，与下电极LE1的长边LL大致平行。特别地，直线部L12、L16位于同一直线上。接触孔CH1位于直线部L12与直线部L16之间，而且，与直线部L12、L16一起位于同一直线上。直线部L14在第1方向X上位于接触孔CH1与直线部L18之间。直线部L13及L15在与第1方向X及第2方向Y不同的倾斜方向上延伸。

曲线部C11至C18各自形成为大致圆弧状。曲线部C11与直线部L11及L12连接。曲线部C12与直线部L12及L13连接。曲线部C13与直线部L13及L14连接。曲线部C14与直线部L14及L15连接。曲线部C15与直线部L15及L16连接。曲线部C16与直线部L16及L17连接。曲线部C17与直线部L17及L18连接。曲线部C18与直线部L18及L11连接。

夹着1个曲线部而相邻的2个直线部所成的角度为90°以上。需要说明的是，此处所谓的所成的角度，当在图中以虚线表示各直线部的延长线时，相当于彼此交叉的延长线所成的角度。

例如，直线部L11与直线部L12所成的角度θ11为90°。直线部L12与直线部L13所成的角度θ12、直线部L13与直线部L14所成的角度θ13、直线部L14与直线部L15所成的角度θ14、以及直线部L15与直线部L16所成的角度θ15均为大于90°的钝角。直线部L16与直线部L17所成的角度θ16、直线部L17与直线部L18所成的角度θ17、以及直线部L18与直线部L11所成的角度θ18均为90°。

接着，对开口AP2进行说明。

开口AP2的边缘具有：直线部L21至L24；和曲线部C21至C24。

直线部L21及L23彼此平行，沿着第1方向X延伸。直线部L22及L24彼此平行，沿着第2方向Y延伸。

曲线部C21至C24各自形成为大致圆弧状。曲线部C21与直线部L21及L22连接。曲线部C22与直线部L22及L23连接。曲线部C23与直线部L23及L24连接。曲线部C24与直线部L24及L21连接。

直线部L21与直线部L22所成的角度θ21、直线部L22与直线部L23所成的角度θ22、直线部L23与直线部L24所成的角度θ23、以及直线部L24与直线部L21所成的角度θ24均为90°。

接着，对开口AP3进行说明。

开口AP3的边缘具有：直线部L31至L34；和曲线部C31至C34。

直线部L31及L33彼此平行，沿着第1方向X延伸。直线部L32及L34彼此平行，沿着第2方向Y延伸。

曲线部C31至C34各自形成为大致圆弧状。曲线部C31与直线部L31及L32连接。曲线部C32与直线部L32及L33连接。曲线部C33与直线部L33及L34连接。曲线部C34与直线部L34及L31连接。

直线部L31与直线部L32所成的角度θ31、直线部L32与直线部L33所成的角度θ32、直线部L33与直线部L34所成的角度θ33、以及直线部L34与直线部L31所成的角度θ34均为90°。

开口AP1、AP2、AP3的形状不限于图示的例子。例如，开口AP2、AP3的各边缘可以包含比图示的例子更多的直线部及曲线部。

图4为用于对图3所示的开口的边缘所包含的直线部的优选长度进行说明的俯视图。

图4中，示出开口AP1的边缘中的直线部L11及直线部L12各自的一部分、和曲线部C11。

曲线部C11如前文所述形成为圆弧状，相当于半径a的圆的圆周的一部分。即，曲线部C11的曲率半径表示为“a”。

期望的是，直线部L11的沿着第1方向X的长度Lx为与直线部L11相邻的曲线部C11的曲率半径a的同等以上。同样地，期望的是，直线部L12的沿着第2方向Y的长度Ly为与直线部L12相邻的曲线部C11的曲率半径a的同等以上。另外，期望的是，开口AP1所包含的其他直线部的长度也为与各直线部相邻的曲线部的曲率半径的同等以上。

此外，期望的是，其他开口AP2、AP3所包含的直线部的长度也为与各直线部相邻的曲线部的曲率半径的同等以上。

图5为沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略性截面图。

在上述的基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11被绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使因电路层11而产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。

下电极LE1、LE2、LE3被配置于绝缘层12之上。肋部5被配置于绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部被肋部5覆盖。即，下电极LE1、LE2、LE3的端部被配置于绝缘层12与肋部5之间。在下电极LE1、LE2、LE3中彼此相邻的下电极之间，绝缘层12被肋部5覆盖。

隔壁6包含：配置于肋部5之上的下部(杆部)61；和配置于下部61之上的上部(伞部)62。图的左侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP1与开口AP2之间。图的右侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP2与开口AP3之间。上部62具有大于下部61的宽度。由此，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。上部62中的、与下部61相比向开口AP1突出的部分称为突出部621，与下部61相比向开口AP2突出的部分称为突出部622，与下部61相比向开口AP3突出的部分称为突出部623。

有机层OR1通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1并与肋部5的一部分重叠。上电极UE1与下电极LE1相对并且配置于有机层OR1之上。此外，上电极UE1与下部61的侧面接触。有机层OR1及上电极UE1与上部62相比位于下方。

有机层OR2通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2并与肋部5的一部分重叠。上电极UE2与下电极LE2相对并且配置于有机层OR2之上。此外，上电极UE2与下部61的侧面接触。有机层OR2及上电极UE2与上部62相比位于下方。

有机层OR3通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3并与肋部5的一部分重叠。上电极UE3与下电极LE3相对并且配置于有机层OR3之上。此外，上电极UE3与下部61的侧面接触。有机层OR3及上电极UE3与上部62相比位于下方。

在图示的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包含用于对有机层OR1、OR2、OR3的发光层所发出的光的光学特性进行调整的盖层(光学调整层)CP1、CP2、CP3。

盖层CP1位于开口AP1，与上部62相比位于下方，并配置于上电极UE1之上。盖层CP2位于开口AP2，与上部62相比位于下方，并配置于上电极UE2之上。盖层CP3位于开口AP3，与上部62相比位于下方，并配置于上电极UE3之上。

子像素SP1、SP2、SP3上分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。

密封层SE1与盖层CP1、以及隔壁6的下部61及上部62相接，连续地覆盖子像素SP1的各部件。

密封层SE2与盖层CP2、以及隔壁6的下部61及上部62相接，连续地覆盖子像素SP2的各部件。

密封层SE3与盖层CP3、以及隔壁6的下部61及上部62相接，连续地覆盖子像素SP3的各部件。

密封层SE1、SE2、SE3被保护层13覆盖。

在图示的例子中，有机层OR1的一部分、上电极UE1的一部分、及盖层CP1的一部分位于隔壁6与密封层SE1之间，配置于上部62之上，与相比于上部62位于下方的部分分离。

另外，有机层OR2的一部分、上电极UE2的一部分、及盖层CP2的一部分位于隔壁6与密封层SE2之间，配置于上部62之上，与相比于上部62位于下方的部分分离。

另外，有机层OR3的一部分、上电极UE3的一部分、及盖层CP3的一部分位于隔壁6与密封层SE3之间，配置于上部62之上，与相比于上部62位于下方的部分分离。

绝缘层12为有机绝缘层。肋部5、及密封层SE1、SE2、SE3为无机绝缘层。

肋部5由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，肋部5也可以形成为作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al

密封层SE1、SE2、SE3例如由同一无机绝缘材料形成。

密封层SE1、SE2、SE3由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，密封层SE1、SE2、SE3也可以形成为作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al

隔壁6的下部61由导电材料形成，与各上电极UE1、UE2、UE3电连接。隔壁6的上部62也可以由导电材料形成。

与隔壁6、绝缘层12的厚度相比，肋部5的厚度足够小。在一例中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。

隔壁6的下部61的厚度(从肋部5的上表面至上部62的下表面为止的厚度)大于肋部5的厚度。

密封层SE1的厚度、密封层SE2的厚度、及密封层SE3的厚度大致同等，例如为1μm以上。

下电极LE1、LE2、LE3可以由ITO等透明导电材料形成，也可以具有银(Ag)等金属材料与透明导电材料的层叠结构。上电极UE1、UE2、UE3例如由镁及银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3可以由ITO等透明导电材料形成。

有机层OR1、OR2、OR3各自包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多个功能层。另外，有机层OR1包含发光层EM1。有机层OR2包含发光层EM2。发光层EM2由与发光层EM1不同的材料形成。有机层OR3包含发光层EM3。发光层EM3由与发光层EM1及EM2不同的材料形成。

形成发光层EM1的材料、形成发光层EM2的材料、及形成发光层EM3的材料为发出彼此不同的波长区域的光的材料。

在一例中，发光层EM1由发出蓝色波长区域的光的材料形成，发光层EM2由发出绿色波长区域的光的材料形成，发光层EM3由发出红色波长区域的光的材料形成。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的薄膜的多层体形成。多层体可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜作为薄膜。另外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，与密封层SE1、SE2、SE3的材料也不同。需要说明的是，可以省略盖层CP1、CP2、CP3。

保护层13由透明的薄膜的多层体形成，例如，包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜作为薄膜。

对隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的各上电极UE1、UE2、UE3。通过子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1，向下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。

当在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差时，有机层OR1中的发光层EM1发出蓝色波长区域的光。当在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差时，有机层OR2中的发光层EM2发出绿色波长区域的光。当在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差时，有机层OR3中的发光层EM3发出红色波长区域的光。

图6为示出显示元件201的构成的一例的图。需要说明的是，此处，将下电极相当于阳极、上电极相当于阴极的情况作为例子进行说明。

显示元件201在下电极LE1与上电极UE1之间包含有机层OR1。

在有机层OR1中，空穴注入层HIL1、空穴传输层HTL1、电子阻挡(blocking)层EBL1、发光层EM1、空穴阻挡层HBL1、电子传输层ETL1及电子注入层EIL1依次层叠。

需要说明的是，有机层OR1除了包含上述的功能层以外，根据需要还可以包含载流子产生层等其他功能层，也可以省略上述功能层中的至少一者。

盖层CP1包含透明层TL1及无机层IL1。透明层TL1配置于上电极UE1之上。无机层IL1配置于透明层TL1之上。密封层SE1配置于无机层IL1之上。

透明层TL1例如是由有机材料形成的有机层，还是具有比上电极UE1大的折射率的高折射率层。无机层IL1例如是由氟化锂(LiF)或硅氧化物(SiOx)形成的透明的薄膜，且是具有比透明层TL1小的折射率的低折射率层。

需要说明的是，盖层CP1可以为3层以上的层叠体。

此处，对显示元件201的构成的一例进行了说明，但对于其他显示元件202及203，也可以应用与显示元件201同样的构成，或者也可存在应用与显示元件201不同的构成的情况。

接着，对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明。

图7为用于对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明的流程图。

此处所示的制造方法大致包括：准备具有子像素SP1、子像素SP2、及子像素SP3的处理基板SUB的工序(步骤ST1)；形成子像素SP1的显示元件201的工序(步骤ST2)；形成子像素SP2的显示元件202的工序(步骤ST3)；和形成子像素SP3的显示元件203的工序(步骤ST4)。

在步骤ST1中，首先，准备在基板10上形成有子像素SP1的下电极LE1、子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3、肋部5、及隔壁6的处理基板SUB。如图5所示，在基板10与下电极LE1、LE2、LE3之间，还形成有电路层11及绝缘层12。

在步骤ST2中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2、及子像素SP3而形成包含发光层EM1的第1薄膜31(步骤ST21)。第1薄膜31为图5所示的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1、及密封层SE1的层叠体。然后，在第1薄膜31上形成图案化为规定形状的第1抗蚀剂41(步骤ST22)。然后，通过以第1抗蚀剂41为掩模的蚀刻，将第1薄膜31的一部分除去(步骤ST23)。此时，例如，配置于子像素SP2及子像素SP3上的第1薄膜31被除去。然后，将第1抗蚀剂41除去(步骤ST24)。由此，形成子像素SP1。子像素SP1具备具有规定形状的第1薄膜31的显示元件201。

在步骤ST3中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2、及子像素SP3而形成包含发光层EM2的第2薄膜32(步骤ST31)。第2薄膜32为图5所示的有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2、及密封层SE2的层叠体。然后，在第2薄膜32上形成图案化为规定形状的第2抗蚀剂42(步骤ST32)。然后，通过以第2抗蚀剂42为掩模的蚀刻，将第2薄膜32的一部分除去(步骤ST33)。此时，例如，配置于子像素SP1及子像素SP3上的第2薄膜32被除去。然后，除去第2抗蚀剂42(步骤ST34)。由此，形成子像素SP2。子像素SP2具备具有规定形状的第2薄膜32的显示元件202。

在步骤ST4中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2、及子像素SP3而形成包含发光层EM3的第3薄膜33(步骤ST41)。第3薄膜33为图5所示的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3、及密封层SE3的层叠体。然后，在第3薄膜33上形成图案化为规定形状的第3抗蚀剂43(步骤ST42)。然后，通过以第3抗蚀剂43为掩模的蚀刻，将第3薄膜33的一部分除去(步骤ST43)。此时，例如，配置于子像素SP1及子像素SP2上的第3薄膜33被除去。然后，将第3抗蚀剂43除去(步骤ST44)。由此，形成子像素SP3。子像素SP3具备具有规定形状的第3薄膜33的显示元件203。

需要说明的是，第2薄膜32、第2抗蚀剂42、第3薄膜33、及第3抗蚀剂43的详细图示省略。

以下，参照图8至图12对步骤ST1及步骤ST2进行说明。需要说明的是，图8至图12所示的各截面例如与沿着图2中的A-B线的截面相当。

首先，在步骤ST1中，如图8所示，准备处理基板SUB。准备处理基板SUB的工序包括：在基板10之上形成电路层11的工序；在电路层11上形成绝缘层12的工序；在绝缘层12上形成子像素SP1的下电极LE1、子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3的工序；形成具有与下电极LE1、LE2、LE3各自重叠的开口AP1、AP2、AP3的肋部5的工序；和形成隔壁6的工序，所述隔壁6包含配置于肋部5之上的下部61及配置于下部61之上且从下部61的侧面突出的上部62。

肋部5由例如硅氮化物形成。形成肋部5的工序包括：在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上形成硅氮化物层的工序；形成与开口AP1、AP2、AP3对应地经图案化的抗蚀剂的工序；通过以抗蚀剂为掩模的干式蚀刻将硅氮化物层除去的工序；和除去抗蚀剂的工序。

形成抗蚀剂的工序中，以开口AP1、AP2、AP3各自的边缘成为参照图3进行说明那样的形状的方式，将抗蚀剂图案化。

在除去硅氮化物层的工序中，向搬入有处理基板SUB的腔室内导入氟系气体作为蚀刻反应气体。作为氟系气体，例如，可应用六氟化硫(SF

由此，抑制在开口AP1、AP2、AP3各自的内侧生成硅氮化物的残渣。

隔壁6中的至少下部61由导电材料形成。

形成开口AP1、AP2、AP3的工序可以在形成隔壁6之前进行，也可以在形成隔壁6之后进行。

在图9至图12的各图中，将相比于绝缘层12靠下层的基板10及电路层11的图示省略。

接下来，在步骤ST21中，如图9所示，遍及子像素SP1、子像素SP2、及子像素SP3而形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括：在处理基板SUB之上形成包含发光层EM1的有机层OR1的工序；在有机层OR1之上形成上电极UE1的工序；在上电极UE1之上形成盖层CP1的工序；和在盖层CP1之上形成密封层SE1的工序。即，在图示的例子中，第1薄膜31包含有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1、及密封层SE1。

有机层OR1分别形成于下电极LE1、下电极LE2、及下电极LE3之上，并且也形成于隔壁6之上。有机层OR1中的形成于上部62之上的部分与形成于各下电极之上的部分分离。有机层OR1的各种功能层及发光层EM1利用蒸镀法形成。

上电极UE1在下电极LE1、下电极LE2、及下电极LE3的正上方分别形成于有机层OR1之上，覆盖肋部5，并与隔壁6的下部61相接。另外，上电极UE1在上部62的正上方也形成于有机层OR1之上。上电极UE1中的形成于上部62的正上方的部分与形成于各下电极的正上方的部分分离。上电极UE1利用蒸镀法形成。

盖层CP1在下电极LE1、下电极LE2、及下电极LE3的正上方分别形成于上电极UE1之上，并且在上部62的正上方也形成于上电极UE1之上。盖层CP1中的形成于上部62的正上方的部分与形成于各下电极的正上方的部分分离。盖层CP1所包含的透明层及无机层利用蒸镀法形成。

密封层SE1以覆盖盖层CP1、及隔壁6的方式形成。即，密封层SE1在下电极LE1、下电极LE2、及下电极LE3的正上方分别形成于盖层CP1之上，并且在上部62的正上方也形成于盖层CP1之上。密封层SE1中，形成于上部62的正上方的部分与形成于各下电极的正上方的部分连接。密封层SE1利用CVD法形成。上电极UE1介于肋部5与密封层SE1之间，密封层SE1与肋部5分离。

接下来，在步骤ST22中，如图10所示，在密封层SE1之上形成经图案化的第1抗蚀剂41。第1抗蚀剂41覆盖子像素SP1的第1薄膜31，使子像素SP2及子像素SP3的第1薄膜31露出。即，第1抗蚀剂41与位于下电极LE1的正上方的密封层SE1重叠。另外，第1抗蚀剂41从子像素SP1向隔壁6的上方延伸。在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6之上，第1抗蚀剂41配置于子像素SP1侧(图的左侧)，在子像素SP2侧(图的右侧)露出密封层SE1。另外，第1抗蚀剂41在子像素SP2及子像素SP3中使密封层SE1露出。

然后，在步骤ST23中，如图11所示，以第1抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从第1抗蚀剂41露出的子像素SP2及子像素SP3的第1薄膜31除去，在子像素SP1中残留第1薄膜31。

除去第1薄膜31的工序例如如下所述。

首先，利用第1抗蚀剂41作为掩模，进行干式蚀刻，将从第1抗蚀剂41露出的密封层SE1除去。

然后，利用第1抗蚀剂41作为掩模，进行湿式蚀刻，将从密封层SE1露出的盖层CP1的无机层除去。

然后，利用第1抗蚀剂41作为掩模，进行干式蚀刻，将从无机层露出的盖层CP1的透明层除去。

然后，利用第1抗蚀剂41作为掩模，进行湿式蚀刻，将从透明层露出的上电极UE1除去。

然后，利用第1抗蚀剂41作为掩模，进行干式蚀刻，将从上电极UE1露出的有机层OR1除去。

由此，在子像素SP2中，下电极LE2露出，另外，包围下电极LE2的肋部5露出。另外，在子像素SP3中，下电极LE3露出，另外，包围下电极LE3的肋部5露出。另外，在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6中，子像素SP2侧露出。另外，子像素SP2与子像素SP3之间的隔壁6露出。

然后，在步骤ST24中，如图12所示，将第1抗蚀剂41除去。由此，子像素SP1的密封层SE1露出。经过这些步骤ST21至ST24，在子像素SP1中形成显示元件201。显示元件201由下电极LE1、包含发光层EM1的有机层OR1、上电极UE1、及盖层CP1构成。另外，显示元件201被密封层SE1覆盖。

在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6上，形成包含发光层EM1的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1、及密封层SE1的层叠体。另外，隔壁6中的子像素SP1这侧的部分被密封层SE1覆盖。需要说明的是，可以有图12所示的隔壁6上的层叠体被完全地除去的情况。

图7所示的步骤ST31至ST34与上述步骤ST21至ST24同样。经过这些步骤ST31至ST34，在图5所示的子像素SP2中，形成显示元件202。显示元件202由下电极LE2、包含发光层EM2的有机层OR2、上电极UE2、及盖层CP2构成。另外，显示元件202被密封层SE2覆盖。

图7所示的步骤ST41至ST44也与上述的步骤ST21至ST24同样。经过这些步骤ST41至ST44，在图5所示的子像素SP3中，形成显示元件203。显示元件203由下电极LE3、包含发光层EM3的有机层OR3、上电极UE3、及盖层CP3构成。另外，显示元件203被密封层SE3覆盖。

如以上说明的，在形成具有开口AP1、AP2、AP3的肋部5时，抑制硅氮化物的残渣的生成。例如，在开口AP1的边缘的附近生成残渣的情况下，因该残渣的影响而在有机层OR1中产生裂纹，可能导致下电极LE1与上电极UE1的短路。

根据本实施方式，硅氮化物的残渣的生成被抑制，因此可抑制下电极LE1与上电极UE1的短路。另外，可抑制因下电极LE1与上电极UE1的短路而导致显示元件201不发光的像素缺陷的产生。因此，能够抑制可靠性降低。

另外，也抑制了由硅氮化物的残渣引起的上电极UE1、盖层CP1的裂纹。因此，在分别除去密封层SE1、上电极UE1、有机层OR1的蚀刻工序中，能够避免对子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3、及肋部5的损伤。

接着，对变形例进行说明。

图13为用于对肋部5的开口AP1、AP2、AP3各自的形状的其他例子进行说明的俯视图。

开口AP1的边缘具有：直线部L11至L18；和曲线部C11至C18。

直线部L11及L17彼此平行，沿着第2方向Y延伸，并与下电极LE1的长边LL大致平行。直线部L12、L14、L16、L18彼此平行，沿着第1方向X延伸，并与下电极LE1的短边LS大致平行。特别地，直线部L12、L16位于同一直线上。接触孔CH1位于直线部L12与直线部L16之间，而且与直线部L12、L16一起位于同一直线上。直线部L14在第2方向Y上位于接触孔CH1与直线部L18之间。直线部L13及L15在与第1方向X及第2方向Y不同的倾斜方向上延伸。

曲线部C11至C18各自形成为大致圆弧状。曲线部C11与直线部L11及L12连接。曲线部C12与直线部L12及L13连接。曲线部C13与直线部L13及L14连接。曲线部C14与直线部L14及L15连接。曲线部C15与直线部L15及L16连接。曲线部C16与直线部L16及L17连接。曲线部C17与直线部L17及L18连接。曲线部C18与直线部L18及L11连接。

在图13所示的例子中，也与图3所示的例子同样地，夹着1个曲线部而相邻的2个直线部所成的角度为90°以上。

需要说明的是，关于开口AP2及AP3，为与图3所示的例子的形状同样的形状，省略说明。

在图3及图13所示的例子中，直线部L11相当于第1直线部，直线部L12相当于第2直线部，直线部L16相当于第3直线部。

在这样的例中，也可获得与上述的例子同样的效果。

接着，对比较例进行说明。

图14为用于对肋部5的开口AP的形状的比较例进行说明的俯视图。

开口AP的边缘包含直线部L41、直线部L42、和曲线部C41。曲线部C41与直线部L41及直线部L42连接。在比较例中，直线部L41与直线部L42所成的角度θ40为小于90°的锐角。

对形成包含这样的边缘的开口AP的工序进行说明。

首先，形成硅氮化物层，在硅氮化物层之上形成抗蚀剂，然后，通过以抗蚀剂为掩模的干式蚀刻，将硅氮化物层除去。

此处，进行应用四氟甲烷(CF

另外，进行应用六氟化硫(SF

如以上所说明的，根据本实施方式，能够提供能抑制可靠性降低、提高制造成品率的显示装置。

以上，以作为本发明的实施方式进行了说明的显示装置为基础，本领域技术人员适当进行设计变更而能够实施的所有显示装置也属于本发明的范围，只要包括本发明的主旨即可。

在本发明的构思范畴中，本领域技术人员能够想到各种变形例，对于这些变形例认为也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员对上述的实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或者设计变更后的变形例、或者进行工序的追加、省略或者条件变更后的变形例包含在本发明的范围内，只要具备本发明的主旨即可。

另外，对于由上述的实施方式中陈述的方式带来的其他作用效果，从本说明书的记载可知的内容、或者本领域技术人员能够适当想到的内容，当然认为是由本发明带来的。