一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备

技术领域

本发明涉及提高硅基SnO

背景技术

Er

为了进一步提高硅基SnO

发明内容

鉴于此，本发明所要解决的问题在于提供一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO

本发明的技术方案是，碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO

碱土金属掺杂可以增加SnO

碱土金属离子掺杂硅基SnO

1)采用RCA标准清洗法清洗硅片作为衬底；

2)将碱土金属氯酸盐作为掺杂剂溶解到正硅酸四乙酯(TEOS)、去离子水、无水乙醇、SnCl

2-1)正硅酸四乙酯(TEOS)、去离子水和无水乙醇按照体积比1:1:2混合均匀，加入盐酸调节PH为2.0左右，按照设计的摩尔比精确称量SnCl

2-2)溶胶置于60±5℃环境水浴4±1小时，然后置于室温条件老化1天形成凝胶；

2-3)量取适量的凝胶滴涂到清洗干净的硅片上，利用旋涂技术制备碱土金属离子掺杂硅基SnO

2-4)将碱土金属离子掺杂硅基SnO

通过所述的方法得到的碱土金属离子掺杂硅基SnO

有益效果：(一)使用本方法所制备的碱土金属离子掺杂硅基SnO

附图说明

图1为本发明0mol％Ba和10mol％Ba掺杂硅基SnO

图2为本发明10mol％Ba掺杂硅基SnO

图3中，(a)为325nm激光激发下，0、5、10和15mol％Ba掺杂硅基SnO

图4中，(a)为325nm激光激发下，0、5、11和20mol％Mg掺杂硅基SnO

图5中，(a)为325nm激光激发下，0、2、5、8和11mol％Ca掺杂硅基SnO

图6中，(a)为325nm激光激发下，0、5、10、15、20和25mol％Sr掺杂硅基SnO

具体实施方式

结合附图及具体实施例对本发明进行进一步的描述。

碱土金属离子掺杂硅基SnO

具体步骤包括以下步骤：

1)采用RCA标准清洗法清洗硅片作为衬底；

2)将正硅酸四乙酯(TEOS)、去离子水和无水乙醇按照体积比1:1:2混合均匀，加入盐酸调节PH约为2.0左右，精确称量SnCl

3)保持持续搅拌的情况下，将溶胶置于60℃环境水浴4小时充分水解形成凝胶，然后放置室温条件下老化1天；

4)量取适量的凝胶滴涂到清洗干净的硅片上，利用旋涂技术，转速2000-7000转/分，匀胶1分钟形成薄膜；

5)将制备好的凝胶薄膜置于干燥箱100℃干燥1小时，随后在空气氛围1000℃退火1小时制备成碱土金属离子掺杂硅基SnO

具体实施例1：

精确称量SnCl

图1为0mol％Ba和10mol％Ba掺杂硅基SnO

图2为10mol％Ba掺杂硅基SnO

图3为325nm激光激发下不同Ba离子浓度掺杂硅基SnO

实施例2：

精确称量SnCl

图4为325nm激光激发下不同Mg离子浓度掺杂硅基SnO

实施例3：

精确称量SnCl

图5为325nm激光激发下不同Ca离子浓度掺杂硅基SnO

实施例4：

精确称量SnCl

图6为325nm激光激发下不同Sr离子浓度掺杂硅基SnO

上述具体实施例，对本发明的技术方案和有益效果进行了进一步详细说明。需要强调的是以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改等同于替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。