阵列基板、阵列基板制作方法及掩膜版

技术领域

本发明实施例涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板制作方法及掩膜版。

背景技术

显示面板一般包括阵列基板以及设置于阵列基板上的发光层，阵列基板包括控制发光层发光的薄膜晶体管。相关技术中，阵列基板包括基底以及形成在基底上的金属膜，阵列基板还具有显示区以及环绕显示区的非显示区，显示区内的金属膜包括栅极以及电容极板，非显示区的金属膜包括平行且间隔设置的多个导线。制作时，先在基底上形成金属膜，之后在金属膜上形成光刻胶，将掩膜版罩设在光刻胶上，掩膜版上设置有开口，之后通过蚀刻的方式去除开口对应的金属膜，以形成栅极、电容极板以及导线。

然而，在蚀刻的过程中，开口对应的金属膜被去除，以在金属膜上形成槽口，并且槽口的侧壁较为陡峭，后续工艺中，在金属膜上形成其他膜层时，其他膜层容易在槽口侧壁处发生滑落，导致其他膜层不能完全覆盖金属膜，进而影响阵列基板的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板制作方法及掩膜版，以解决阵列基板上的金属膜上形成的槽口侧壁较为陡峭，后续工艺中，在金属膜上形成其他膜层时，其他膜层容易在槽口侧壁处发生滑落，导致其他膜层不能完全覆盖金属膜，进而影响阵列基板的性能的技术问题。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：基底、设置在所述基底上的金属膜，所述金属膜上设置有第一槽口，所述第一槽口包括位于中部的第一凹槽以及位于所述第一凹槽边缘且与所述第一凹槽连通的第二凹槽，所述第一凹槽的底面相较于所述第二凹槽的底面更靠近所述基底，在平行于所述基底的平面上，所述第一凹槽的投影位于所述第二凹槽的投影的内部。

如上所述的阵列基板，其中，所述阵列基板具有显示区以及环绕所述显示区的非显示区，所述金属膜上还设置有第二槽口，所述第二槽口设置在所述显示区内，所述第二槽口将所述金属膜分割成栅极，所述第一槽口设置在所述非显示区内，所述第一槽口将所述金属膜分割成导线。

如上所述的阵列基板，其中，所述阵列基板具有显示区以及环绕所述显示区的非显示区，所述第一槽口为多个，所述显示区和所述非显示区内均设置有多个所述第一槽口，所述显示区内所述第一槽口将所述金属膜分割成驱动薄膜晶体管的栅极，所述非显示区内的所述第一槽口将所述金属膜分割成导线。

本发明实施例还提供一种阵列基板制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成金属膜；

在所述金属膜上形成光刻胶，并在所述光刻胶上罩设掩膜版；所述掩膜版上具有第一开口，所述第一开口内设置有半透膜，所述半透膜上设置有透光孔；

对所述光刻胶进行曝光，以在所述光刻胶上形成正对所述透光孔的第一强曝光区、以及正对所述半透膜的弱曝光区；

对所述金属膜进行蚀刻，以在所述金属膜上形成第一槽口；所述第一槽口包括正对所述第一强曝光区的第一凹槽以及正对所述弱曝光区的第二凹槽，所述第一凹槽的底面相较于所述第二凹槽的底面更靠近所述基底，在平行于所述基底的平面上，所述第一凹槽的投影位于所述第二凹槽的投影的内部。

如上所述的阵列基板制作方法，其中，

所述基底具有显示区以及环绕所述显示区的非显示区，所述第一开口与所述非显示区的部分所述金属膜对应；所述掩膜版上还设置有与所述显示区的部分所述金属膜对应的第二开口；

对所述光刻胶进行曝光后，还在所述显示区正对的所述光刻胶上形成正对所述第二开口的第二强曝光区；

对所述金属膜进行蚀刻后，还在所述显示区的所述金属膜上形成正对所述第二强曝光区的第二槽口；所述第二槽口用于将所述金属膜分割成栅极，所述第一槽口用于将所述金属膜分割成导线。

如上所述的阵列基板制作方法，其中，所述基底具有显示区以及环绕所述显示区的非显示区，所述第一开口为多个，所述显示区和所述非显示区内均设置有所述第一开口；

对所述金属膜进行蚀刻后，在所述显示区和所述非显示区内的所述金属膜上均形成第一槽口，所述显示区内所述第一槽口将所述金属膜分割成驱动薄膜晶体管的栅极，所述非显示区内的所述第一槽口将所述金属膜分割成导线。

如上所述的阵列基板制作方法，其中，所述对所述金属膜进行蚀刻之后还包括：

在所述金属膜上形成绝缘膜。

本发明实施例还提供一种掩膜版，包括板体，所述板体上设置有第一开口，所述第一开口内设置有半透膜，所述半透膜上设置有透光孔；所述掩膜版用于对阵列基板上的金属膜进行蚀刻，以在所述金属膜上形成正对所述透光孔的第一凹槽和正对所述半透膜的第二凹槽。

如上所述的掩膜版，其中，所述掩膜版还包括第二开口，所述第二开口用于正对阵列基板显示区的部分金属膜设置，所述第一开口用于正对阵列基板非显示区部分金属膜设置；所述第二开口用于在金属膜上形成栅极，所述第一开口用于在金属膜上形成导线。

如上所述的掩膜版，其中，所述第一开口为多个，阵列基板的显示区和非显示区均对应设置多个所述第一开口；显示区内的所述第一开口用于在金属膜上形成驱动薄膜晶体管的栅极，非显示区内的所述第一开口用于在金属膜上形成导线。

本发明实施例提供的阵列基板、阵列基板制作方法及掩膜版，基底上设置有金属膜，在金属膜上形成第一槽口，第一槽口包括第一凹槽以及与第一凹槽连通的第二凹槽，第一凹槽的底面相较于第二凹槽的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽的投影位于第二凹槽的投影的内部；如此设置，第一凹槽和第二凹槽构成第一槽口，第一槽口将金属膜分割成对应的图形，第二凹槽的深度较小，进而降低了第一槽口侧壁的坡度，在形成后续膜层时，可以避免膜层在第一槽口侧壁上发生滑落，后续膜层可以覆盖金属膜，提高了阵列基板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的阵列基板制作方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板制作方法中进行曝光的示意图；

图3为本发明实施例提供的阵列基板制作方法中蚀刻后的示意图；

图4为本发明实施例提供的掩膜版的结构图；

图5为发明实施例提供阵列基板的俯视图；

图6为本发明实施例提供的阵列基板的剖视图。

附图标记说明：

10：掩膜版；

20：光刻胶；

30：金属膜；

40：沟道结构；

50：栅极绝缘层；

60：栅极；

70：导线；

101：第一开口；

102：半透膜；

103：透光孔；

104：第二开口；

201：第一强曝光区；

202：弱曝光区；

203：第二强曝光区；

301：第一槽口；

302：第一凹槽；

303：第二凹槽；

304：第二槽口。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明中，除非另有明确的规定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型，可以是机械连接，也可以是电连接或者彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒体间接连接，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的互相作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

显示面板一般包括层叠设置的发光层以及阵列基板，阵列基板上设置有控制发光层发光的薄膜晶体管。

相关技术中，阵列基板包括基底以及形成在基底上的金属膜，阵列基板还具有显示区以及环绕显示区的非显示区，显示区内的金属膜包括栅极以及电容极板，非显示区的金属膜包括平行且间隔设置的多个导线。制作时，先在基底上形成金属膜，之后在金属膜上形成光刻胶，将掩膜版罩设在光刻胶上，掩膜版上设置有开口，开口围成栅极、电容极板以及导线，之后通过蚀刻的方式去除开口对应的金属膜，以形成栅极、电容极板以及导线。

然而，在蚀刻的过程中，开口对应的金属膜被去除，以在金属膜上形成槽口，并且槽口的侧壁较为陡峭，后续工艺中，在金属膜上形成其他膜层时，其他膜层容易在槽口侧壁处发生滑落，导致其他膜层不能完全覆盖金属膜，导致在后续的工艺中出现短路、断路等情况，进而影响阵列基板的性能。

本实施例提供一种阵列基板、阵列基板制作方法及掩膜版，通过在金属膜上形成第一凹槽以及与第一凹槽连通的第二凹槽，第一凹槽的底面相较于第二凹槽的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽的投影位于第二凹槽的投影的内部，进而使得第一凹槽和第二凹槽构成的槽口侧壁相对于基底倾斜，减缓了槽口侧壁的坡度，进而在形成后续膜层时，可以避免膜层在槽口的侧壁上脱落，提高了阵列基板的性能。

请参照图2-图6，本申请实施例提供一种阵列基板，包括基底、设置在基底上的金属膜30，金属膜30上设置有第一槽口301，第一槽口301包括位于中部的第一凹槽302以及位于第一凹槽302边缘且与第一凹槽302连通的第二凹槽303，第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部。

阵列基板包括基底、在基底上依次层叠的缓冲层、沟道结构40、栅极绝缘层50、栅极层、第一绝缘层、电容层、第二绝缘层以及源、漏极层；其中，栅极层为金属层，并且包括第一电容极板、栅极60以及导线70；电容层为金属层，并且包括正对第一电容极板的第二电容极板，使得第一电容极板和第二电容极板可以构成电容；源、漏极层也可以金属层，并且源/漏极用于与沟道结构40连接。

本实施例中的金属膜30可以为栅极层，并且金属膜30用于形成正对沟道结构40的栅极60、第一电容极板以及导线70；示例性的，导线70可以为扫描线或者数据线。当然，本实施例中金属膜30还可以为电容层或者源、漏极层等，本实施例对金属膜30不做限制。

在制作过程中，第一槽口301通过掩膜版10形成，掩膜版10上具有第一开口101，第一开口101内设置有半透膜102，半透膜102上设置有透光孔103；半透膜102用于形成第二凹槽303，透光孔103用于形成第一凹槽302。

具体地，先形成金属膜30，之后在金属膜30上形成光刻胶20，将掩膜版10罩设在光刻胶20上；之后对光刻胶20进行曝光，以在光刻胶20上形成正对透光孔103的第一强曝光区201、以及正对半透膜102的弱曝光区202；对金属膜30进行蚀刻，以在金属膜30上形成第一槽口301；第一槽口301包括正对第一强曝光区201的第一凹槽302以及正对弱曝光区202的第二凹槽303，并且第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部。

也就是说，第二凹槽303环绕第一凹槽302设置，第二凹槽303位于第一凹槽302的边缘，并且第二凹槽303与第一凹槽302连通，使得第二凹槽303和第一凹槽302构成的第一槽口301的侧壁呈阶梯状。

第一强曝光区201被曝光的程度较高，使得第一曝光区的光刻胶20被蚀刻的速度较快，弱曝光区202被曝光的程度较弱，使得弱曝光区202的蚀刻速度较慢。因此在蚀刻相同的时间内，第一强曝光区201对应的金属膜30被蚀刻的深度较大，弱曝光区202对应的金属膜30被蚀刻的深度较小，使得第一凹槽302的深度大于第二凹槽303的深度。

通过上述设置，阵列基板包括基底以及设置在基底上的金属膜30，金属膜30上设置有第一槽口301，第一槽口301包括位于中部的第一凹槽302以及位于第一凹槽302边缘且与第一凹槽302连通的第二凹槽303，第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部；如此设置，第一凹槽302和第二凹槽303构成第一槽口301，第一槽口301将金属膜30分割成对应的图形，第二凹槽303的深度较小，进而降低了第一槽口301侧壁的坡度，在形成后续膜层时，可以避免膜层在第一槽口301侧壁上发生滑落，后续膜层可以覆盖金属膜30，提高了阵列基板的性能。

在金属膜30为栅极层的实现方式中，第一槽口301可以将金属膜30分割成栅极60和第一电容极板，和/或第一槽口301将金属膜30分割成导线70，本实施例对此不作限制。金属膜30为栅极层，也就是说金属膜30为阵列基板上最先形成的金属层，如此设置，可以提高后续膜层的质量，进而提高阵列基板的性能。

本实施例中，阵列基板具有显示区以及环绕显示区的非显示区，显示区内具有薄膜晶体管以及电容等器件；非显示区环绕显示区设置。金属膜30上设置有第一槽口301和第二槽口304，第一槽口301设置在非显示区，第二槽口304设置在显示区；在金属膜30为栅极层的实现方式中，第二槽口304用于将金属膜30分割成栅极60，第一槽口301用于将金属膜30分割成导线70。

在制作时，第二槽口304可以通过设置在掩膜版上的第二开口104形成，第二开口104为通孔，使得第二槽口304的侧壁坡度大于第一槽口301侧壁的坡度。坡度是指金属膜30在形成栅极60或导线70后，栅极60或导线70的侧壁与平面所形成的锐角。

示例性的，掩膜版10上的第一开口101可以正对非显示区的部分金属膜30；掩膜版10上还设置有正对显示区的部分金属膜30的第二开口104，第二开口104为通孔。

进而，在对掩膜版10进行曝光时，在非显示区对应的光刻胶20上形成第一强曝光区201和弱曝光区202的同时，还在显示区内对应的光刻胶20上形成正对第二开口104的第二强曝光区203。在对光刻胶20进行蚀刻后，在非显示区的金属膜30上形成第一槽口301的同时，还在显示区的金属膜30上形成第二槽口304。

由于第二开口104为通孔，相应的，在金属膜30上形成的第二槽口304尺寸精度较高，通过第二槽口304将金属膜30分割成栅极60，可以使得栅极60具有较高的尺寸精度，进而提高了栅极60所在的薄膜晶体管的性能；导线70位于非显示区内，通过第一开口101在金属膜30上形成的第一槽口301的侧壁坡度较小，进而避免在形成后续膜层时，膜层在第一槽口301的侧壁处脱落，提高后续膜层的质量。

在其他实现方式中，阵列基板具有显示区以及环绕显示区的非显示区，第一开口101为多个，显示区和非显示区内均设置有多个第一开口101；显示区和非显示区内的金属膜30上均设置多个第一槽口301，显示区内第一槽口301将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一槽口301将金属膜30分割成导线70。

设置在阵列基板上的薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，通过使显示区和非显示区均对应设置第一开口101，并且显示区内的第一开口101形成的第一槽口301将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一开口101形成的第一槽口301将金属膜30分割成导线70；驱动晶体管对性能要求不高，如此设置，进一步避免形成后续膜层时在第一槽口301侧壁脱落，进而提高后续膜层的质量。

进一步地，掩膜版10上还设置有第二开口104，第二开口104为通孔，并且正对显示区设置，第二开口104用于在光刻胶20上形成第二强曝光区203，以在进行时刻时，在显示区的金属膜30上形成第二槽口304，第二槽口304用于将显示区的金属膜30分割成开关薄膜晶体管的栅极。

请参照图1-图6，本实施例提供的还一种阵列基板制作方法，包括：

S101：提供基底。

基底的材质可以包括硅、锗等，示例性的可以通过沉积的工艺形成。在形成基底之后还包括在基底上形成缓冲层，缓冲层的材质可以包括氮化硅或者氧化硅。在形成缓冲层后，在缓冲层上形成沟道结构40以及覆盖沟道结构40的栅极绝缘层50。

在形成栅极绝缘层50之后还包括：

S102：在基底上形成金属膜30。

阵列基板包括基底、在基底上依次层叠的缓冲层、沟道结构40、栅极绝缘层50、栅极层、第一绝缘层、电容层、第二绝缘层以及源、漏极层；其中，栅极层为金属层，并且包括第一电容极板、栅极60以及导线70；电容层为金属层，并且包括正对第一电容极板的第二电容极板，使得第一电容极板和第二电容极板可以构成电容；源、漏极层也可以金属层，并且源/漏极用于与沟道结构40连接。

值得说明的是，本实施例中的金属膜30可以为栅极层，并且金属膜30用于形成正对沟道结构40的栅极60、第一电容极板以及导线70；示例性的，导线70可以为扫描线或者数据线。当然，本实施例中金属膜30还可以为电容层或者源、漏极层等，本实施例对金属膜30不做限制。

在形成金属膜30之后还包括：

S103：在金属膜上形成光刻胶，并在光刻胶上罩设掩膜版；掩膜版上具有第一开口，第一开口内设置有半透膜，半透膜上设置有透光孔。

示例性的，可以通过halftone工艺形成掩膜版10，以使得第一开口101内具有透光率较低的半透膜102，并且半透膜102上设置有透光孔103。

在形成掩膜版10之后还包括：

S104：对光刻胶进行曝光，以在光刻胶上形成正对透光孔的第一强曝光区、以及正对半透膜的弱曝光区。

由于光线在半透膜102中的透光率较低，因此在曝光时，经过半透膜102的光线较少，使得正对半透膜102的光刻胶20被曝光的程度较弱，进而形成弱曝光区202。进入透光孔103的光线可以均照射在光刻胶20上，使得正对透光孔103的光刻胶20被曝光的程度较高，进而形成第一强曝光区201。

在对掩膜版10进行曝光后，还包括：

S105：对金属膜进行蚀刻，以在金属膜上形成第一槽口；第一槽口包括正对第一强曝光区的第一凹槽以及正对弱曝光区的第二凹槽，第一凹槽的底面相较于第二凹槽的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽的投影位于第二凹槽的投影的内部。

具体地，第一强曝光区201被曝光的程度较高，使得第一强曝光区201的光刻胶20被蚀刻的速度较快，弱曝光区202被曝光的程度较弱，使得弱曝光区202的蚀刻速度较慢。因此在蚀刻相同的时间内，第一强曝光区201对应的金属膜30被蚀刻的深度较大，弱曝光区202对应的金属膜30被蚀刻的深度较小，使得第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底。

在金属膜30为栅极层的实现方式中，在对光刻胶20进行蚀刻之后形成第一槽口301，第一槽口301可以围设成栅极60和第一电容极板，和/或第一槽口301围设成导线70，本实施例对此不作限制。金属膜30为栅极层，也就是说金属膜30为阵列基板上最先形成的金属，如此设置，可以提高后续膜层的质量，进而提高阵列基板的性能。

进一步地，在对光刻胶20进行蚀刻后还包括，在金属膜30上形成绝缘膜，并在绝缘膜上形成其他金属膜。示例性的，其他金属膜可以为电容层，相应的绝缘膜为第一绝缘层；当然其他金属膜也可以为源、漏极层相应的绝缘膜为第二绝缘层。

在形成其他金属膜之后可以采用金属膜30相同的方法，形成第二电容极板或源、漏极等图形，以在蚀刻后其他金属膜形成的槽口侧壁坡度较小，在形成后续膜层时，膜层可以完全覆盖其他金属膜，提高了阵列基板的性能。值得说明的是，由于其他金属膜的图形与金属膜30的图形可能存在差异，相应的，其他金属膜对应的掩膜版10与金属膜30对应的掩膜版10的第一槽口301形状和位置也不同。

本实施例提供的阵列基板制作方法，在第一金属层上形成光刻胶20，并且光刻胶20上罩设掩膜版10，掩膜版10具有第一开口101，第一开口101内设置有半透膜102，半透膜102上设置有透光孔103；对光刻胶20进行曝光后，在光刻胶20上形成正对透光孔103的第一强曝光区201、以及正对半透膜102的弱曝光区202，对金属膜30进行蚀刻，以在金属膜30上形成第一槽口301，第一槽口301包括正对第一强曝光区201的第一凹槽302以及正对弱曝光区202的第二凹槽303，第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部；如此设置，第一凹槽302和第二凹槽303构成第一槽口301，第一槽口301将金属膜30分割成对应的图形，第二凹槽303的深度较小，进而降低了第一槽口301侧壁的坡度，在形成后续膜层时，可以避免膜层在第一槽口301侧壁上发生滑落，后续膜层可以覆盖金属膜30，提高了阵列基板的性能。

另外，由于第一槽口301的坡度得以减小，在后续膜层制作时，位于第一槽口301处的光刻胶不至于偏厚，进而避免了在蚀刻过程中光刻胶的残留。

本实施例中，基底具有显示区以及环绕显示区的非显示区，显示区内具有薄膜晶体管以及电容等器件；非显示区环绕显示区设置。相应的，掩膜版10上的第一开口101可以正对非显示区的部分金属膜30；掩膜版10上还设置有正对显示区的部分金属膜30的第二开口104，第二开口104为通孔。

进而，在对掩膜版10进行曝光时，在非显示区对应的光刻胶20上形成第一强曝光区201和弱曝光区202的同时，还在显示区内对应的光刻胶20上形成正对第二开口104的第二强曝光区203在对光刻胶20进行蚀刻后，在非显示区的金属膜30上形成第一槽口301的同时，还在显示区的金属膜30上形成第二槽口304。第二开口104为通孔，使得第二槽口304的侧壁坡度大于大一槽口301的侧壁坡度。

在金属膜30为栅极层的实现方式中，第二槽口304用于将金属膜30分割成栅极60，第一槽口301用于将金属膜30分割成导线70。

由于第二开口104为通孔，相应的，在金属膜30上形成的第二槽口304尺寸精度较高，通过第二槽口304将金属膜30分割成栅极60，可以使得栅极60具有较高的尺寸精度，进而提高了栅极60所在的薄膜晶体管的性能；导线70位于非显示区内，通过第一开口101在金属膜30上形成的第一槽口301的侧壁坡度较小，进而避免在形成后续膜层时，膜层在第一槽口301的侧壁处脱落，提高后续膜层的质量。

在其他实现方式中，基底具有显示区以及环绕显示区的非显示区，第一开口101为多个，显示区和非显示区内均设置有第一开口101；对光刻胶20进行蚀刻后，在显示区和非显示区内的金属膜30上均形成第一槽口301，显示区内第一槽口301将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一槽口301将金属膜30分割成导线70。

设置在阵列基板上的薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，通过使显示区和非显示区均对应设置第一开口101，并且显示区内的第一开口101形成的第一槽口301用于将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一开口101形成的第一槽口301用于将金属膜30分割成导线70；驱动晶体管对性能要求不高，如此设置，进一步避免形成后续膜层时在第一槽口301侧壁脱落，进而提高后续膜层的质量。

进一步地，掩膜版10上还设置有第二开口104，第二开口104为通孔，并且正对显示区的部分金属膜30设置，第二开口104用于在光刻胶20上形成第二强曝光区203，以在进行时刻时，在显示区的金属膜30上形成第二槽口304，第二槽口304用于将显示区的金属膜30分割成开关薄膜晶体管的栅极60。

继续参照图2-图6，本申请实施例还提供一种掩膜版10，包括板体，板体上设置有第一开口101，第一开口101内设置有半透膜102，半透膜102上设置有透光孔103；掩膜版10用于对阵列基板上的金属膜30进行蚀刻，以在金属膜30上形成正对透光孔103的第一凹槽302和正对半透膜102的第二凹槽303。示例性的，可以通过halftone工艺形成掩膜版10，以使得第一开口101内具有透光率较低的半透膜102，并且半透膜102上设置有透光孔103。

本实施例提供的掩膜版10用于制作阵列基板上的金属膜30。阵列基板包括基底、在基底上依次层叠的缓冲层、沟道结构40、栅极绝缘层50、栅极层、第一绝缘层、电容层、第二绝缘层以及源、漏极层；其中，栅极层为金属层，并且包括第一电容极板、栅极60以及导线70；电容层为金属层，并且包括正对第一电容极板的第二电容极板，使得第一电容极板和第二电容极板可以构成电容；源、漏极层也可以金属层，并且源/漏极用于与沟道结构40连接。

值得说明的是，本实施例中的金属膜30可以为栅极层，并且金属膜30用于形成正对沟道结构40的栅极60、第一电容极板以及导线70；示例性的，导线70可以为扫描线或者数据线。当然，本实施例中金属膜30还可以为电容层或者源、漏极层等，本实施例对金属膜30不做限制。

在使用的过程中，先形成金属膜30，之后在金属膜30上形成光刻胶20，将掩膜版10罩设在光刻胶20上；之后对光刻胶20进行曝光，以在光刻胶20上形成正对透光孔103的第一强曝光区201、以及正对半透膜102的弱曝光区202；对金属膜30进行蚀刻，以在金属膜30上形成第一槽口301；第一槽口301包括正对第一强曝光区201的第一凹槽302以及正对弱曝光区202的第二凹槽303，第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部。

第一强曝光区201被曝光的程度较高，使得第一强曝光区201的光刻胶20被蚀刻的速度较快，弱曝光区202被曝光的程度较弱，使得弱曝光区202的蚀刻速度较慢。因此在蚀刻相同的时间内，第一强曝光区201对应的金属膜30被蚀刻的深度较大，弱曝光区202对应的金属膜30被蚀刻的深度较小，使得第一凹槽302的深度大于第二凹槽303的深度。

通过上述设置，掩膜版10具有第一开口101，第一开口101内设置有半透膜102，半透膜102上设置有透光孔103；对光刻胶20进行曝光后，在光刻胶20上形成正对透光孔103的第一强曝光区201、以及正对半透膜102的弱曝光区202，对光金属膜30进行蚀刻，以在金属膜30上形成第一槽口301，第一槽口301包括正对第一强曝光区201的第一凹槽302以及正对弱曝光区202的第二凹槽303，第一凹槽302的底面相较于第二凹槽303的底面更靠近基底，在平行于基底的平面上，第一凹槽302的投影位于第二凹槽303的投影的内部；如此设置，第一凹槽302和第二凹槽303构成第一槽口301，第一槽口301将金属膜30分割成对应的图形，第二凹槽303的深度较小，进而降低了第一槽口301侧壁的坡度，在形成后续膜层时，可以避免膜层在第一槽口301侧壁上发生滑落，后续膜层可以覆盖金属膜30，提高了阵列基板的性能。

另外，由于第一槽口301的坡度得以减小，在后续膜层制作时，形成在第一槽口301处的光刻胶不至于偏厚，进而避免了在蚀刻过程中光刻胶的残留。

本实施例中的掩膜版10可以用于制作阵列基板中的栅极层、电容层、源/漏极层中的一种或者多种，当然掩膜版10还可以用于制作阵列基板中的其他金属膜。值得说明的是，由于不同金属膜30的图形可能存在差异，相应的，不同金属膜30对应的掩膜版10中的第一槽口301形状和位置也不同。

在金属膜30为栅极层的实现方式中，在对光刻胶20进行蚀刻之后形成第一槽口301，第一槽口301可以将金属膜30分割成栅极60和第一电容极板，和/或第一槽口301将金属膜30分割成导线70，本实施例对此不作限制。金属膜30为栅极层，也就是说金属膜30为阵列基板上最先形成的金属，如此设置，可以提高后续膜层的质量，进而提高阵列基板的性能。

本实施例中，阵列基板具有显示区以及环绕显示区的非显示区，显示区内具有薄膜晶体管以及电容等器件；非显示区环绕显示区设置。相应的，掩膜版10上的第一开口101可以正对非显示区的部分金属膜30；掩膜版10上还设置有正对显示区的部分金属膜30的第二开口104，第二开口104为通孔。

进而，在对光刻胶20进行曝光时，在非显示区对应的光刻胶20上形成第一强曝光区201和弱曝光区202的同时，还在显示区内对应的光刻胶20上形成正对第二开口104的第二强曝光区203。在对金属膜30进行蚀刻后，在非显示区的金属膜30上形成第一槽口301的同时，还在显示区的金属膜30上形成第二槽口304。由于第二开口104为通孔，使得第二槽口304的侧壁坡度大于第一槽口301的侧壁坡度。

在金属膜30为栅极层的实现方式中，第二槽口304用于将金属膜30分割成栅极60，第一槽口301用于将金属膜30分割成导线70。

由于第二开口104为通孔，相应的，在金属膜30上形成的第二槽口304尺寸精度较高，通过第二槽口304将金属膜30分割成栅极60，可以使得栅极60具有较高的尺寸精度，进而提高了栅极60所在的薄膜晶体管的性能；导线70位于非显示区内，通过第一开口101在金属膜30上形成的第一槽口301的侧壁坡度较小，进而避免在形成后续膜层时，膜层在第一槽口301的侧壁处脱落，提高后续膜层的质量。

在其他实现方式中，阵列基板具有显示区以及环绕显示区的非显示区，第一开口101为多个，显示区和非显示区内均设置有多个第一开口101；对光刻胶20进行蚀刻后，在显示区和非显示区内的金属膜30上均形成第一槽口301，显示区内第一槽口301将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一槽口301将金属膜30分割成导线70。

设置在阵列基板上的薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，通过使显示区和非显示区均对应设置第一开口101，并且显示区内的第一开口101形成的第一槽口301将金属膜30分割成驱动薄膜晶体管的栅极60，非显示区内的第一开口101形成的第一槽口301将金属膜30分割成导线70；驱动晶体管对性能要求不高，如此设置，进一步避免形成后续膜层时在第一槽口301侧壁脱落，进而提高后续膜层的质量。

进一步地，掩膜版10上还设置有第二开口104，第二开口104为通孔，并且正对显示区的部分金属膜30设置，第二开口104用于在光刻胶20上形成第二强曝光区203，以在进行蚀刻时，在显示区的金属膜30上形成第二槽口304，第二槽口304用于将显示区的金属膜30分割成开关薄膜晶体管的栅极。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。