具有发光器件和触摸结构的触摸显示装置

本申请要求于2019年12月27日提交的韩国专利申请第10-2019-0176475号的优先权权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，就如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及其中在覆盖发光器件的封装元件上设置有触摸结构的触摸显示装置。

背景技术

通常，诸如监视器、TV、膝上型计算机和数码相机的电子设备包括用于实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括至少一个发光器件。发光器件可以发射显示特定颜色的光。例如，发光器件可以包括在第一发射电极与第二发射电极之间的发光层。

显示装置可以通过用户或工具的触摸来运行特定程序或输入特定信号。例如，显示装置可以包括触摸结构。触摸结构可以包括触摸电极和至少一个电连接相邻电极的桥电极。触摸结构可以设置成靠近发光器件。例如，触摸结构可以设置在覆盖发光器件的封装元件上。

触摸结构的触摸电极和桥电极可以包括具有相对低电阻的金属。例如，触摸结构的触摸电极和桥电极可以与发光器件间隔开。从发光器件以一定倾斜度倾斜地发射的光可以被触摸电极和/或桥电极向内反射。因此，在显示装置中，光提取效率可能降低。

发明内容

因此，本发明是针对一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的触摸显示装置。

本发明的目的是提供能够提高光提取效率的触摸显示装置。

本发明的另一目的是提供能够提高每个像素区域的正面亮度的触摸显示装置。

本发明的另外的优点、目的和特征将在以下描述中部分地阐述，并且部分地对于本领域的普通技术人员在审阅以下内容后将变得明显，或者可以根据本发明的实践获知。本发明的目的和其他优点可以通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的目的，如本文中实施和广泛描述的，提供了一种包括器件基板的触摸显示装置。在器件基板上设置有发光器件和封装元件。封装元件覆盖发光器件。在封装元件上设置有触摸结构。触摸结构包括触摸电极和至少一个桥电极。桥电极电连接相邻的触摸电极。在触摸电极与桥电极之间设置有触摸绝缘层。触摸绝缘层包括引导开口。引导开口与发光器件交叠。引导开口的侧面被触摸电极之一覆盖。

引导开口的侧面可以是相对于封装元件的与器件基板相对的上表面具有倾斜角度的倾斜表面。

触摸电极的设置在引导开口的侧面上的区域可以具有比对应的触摸电极的设置在触摸绝缘层的与器件基板相对的上表面上的区域高的反射率。

触摸电极中的每一个可以具有其中堆叠有第一触摸电极层和第二触摸电极层的结构。第二触摸电极层可以具有比第一触摸电极层小的反射率。第二触摸电极层可以与触摸绝缘层的引导开口间隔开。

触摸绝缘层可以包括有机绝缘材料。

触摸绝缘层的与器件基板相对的上表面在引导开口的外部处可以为平坦表面。

在器件基板上可以设置有触摸焊盘。触摸焊盘可以与封装元件间隔开。触摸结构可以通过触摸布线电连接至触摸焊盘。触摸布线可以沿着封装元件的表面延伸。

触摸焊盘可以设置在触摸绝缘层的外部。

桥电极可以设置在发光器件的外部。

在另一实施方式中，触摸显示装置包括器件基板。发光器件包括顺序地堆叠在器件基板上的第一发射电极、发光层和第二发射电极。在第二发射电极上设置有封装元件。在封装元件上设置有触摸绝缘层。触摸绝缘层包括与发光器件交叠的引导开口。在封装元件与触摸绝缘层之间设置有桥电极。桥电极与触摸绝缘层的引导开口间隔开。在触摸绝缘层的与器件基板相对的上表面上设置有触摸电极。触摸电极电连接至桥电极。触摸电极延伸至引导开口的侧面上。

触摸电极可以设置在发光器件的外部。

触摸电极可以具有多层结构。触摸绝缘层的上表面上的触摸电极的堆叠结构可以与引导开口的侧面上的触摸电极的堆叠结构不同。

触摸电极可以包括：在触摸绝缘层的上表面上的第一触摸电极层；以及在引导开口的侧面上的第二触摸电极层。第一触摸电极层可以在引导开口的侧面与第二触摸电极层之间延伸。第二触摸电极层的反射率可以比第一触摸电极层的反射率高。

第一触摸电极层和第二触摸电极层可以包括金属。

在器件基板上可以设置有堤部绝缘层。堤部绝缘层可以覆盖第一发射电极的边缘。第一发射电极的由堤部绝缘层露出的一部分可以具有比触摸绝缘层的引导开口小的宽度。

桥电极可以与堤部绝缘层交叠。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的触摸显示装置的视图；

图2是示出根据本发明的实施方式的触摸显示装置的顶表面的视图；

图3是图2中的A区域的放大图；

图4是沿着图2中的I-I'截取的视图；

图5是图4中的P区域的放大图；以及

图6至图8是分别示出根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置的视图。

具体实施方式

在下文中，参照附图通过以下详细描述将清楚地理解与本发明的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果有关的细节，这些附图示出了本发明的一些实施方式。此处，提供本发明的实施方式是为了使得本发明的技术精神能够圆满地传达至本领域技术人员，并且因此本发明可以以其他形式实施，而不限于下面描述的实施方式。

另外，在整个说明书中，相同或非常相似的元件可以由相同的附图标记指定，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以与第二元件接触，但是可以在第一元件与第二元件之间插入第三元件。

此处，诸如例如“第一”和“第二”的术语可以用于将任意一个元件与另一元件区分开。然而，在不脱离本发明的技术精神的情况下，根据本领域技术人员的方便，第一元件和第二元件可以被任意命名。

在本发明的说明书中使用的术语仅用于描述特定实施方式，并且不旨在限制本发明的范围。例如，除非上下文另外明确指出，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。另外，在本发明的说明书中，还应当理解，术语“包括”和“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但是不排除存在或增加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确定义，否则不应当以理想化或过于正式的意义来解释。

(实施方式)

图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的触摸显示装置的视图。图2是示出根据本发明的实施方式的触摸显示装置的顶表面的视图。图3是图2中的A区域的放大图。图4是沿着图2中的I-I'截取的视图。图5是图4中的P区域的放大图。

参照图1至图5，根据本发明的实施方式的触摸显示装置可以包括器件基板110。器件基板110可以包括绝缘材料。例如，器件基板110可以包括玻璃或塑料。

在器件基板110上可以设置有信号线GL、DL和VDD。例如，信号线GL、DL和VDD可以包括用于传输栅极信号的栅极线GL，用于传输数据的数据线DL，以及用于供应电力电压的电力供应线VDD。信号线GL、DL和VDD可以限定像素区域PA。像素区域PA中的每一个可以使用通过信号线GL、DL和VDD施加的信号来发射光。例如，像素区域PA中的每一个可以包括驱动电路和发光器件130。

驱动电路可以根据栅极信号生成与数据信号对应的驱动电流。例如，驱动电路可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管T1可以根据栅极信号导通/关断第二薄膜晶体管T2。第二薄膜晶体管T2可以生成与数据信号对应的驱动电流。存储电容器Cst可以在一个帧中维持第二薄膜晶体管T2的操作。

第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以具有相同的结构。例如，第二薄膜晶体管T2可以包括半导体图案121、栅极绝缘层122、栅电极123、层间绝缘层124、源电极125和漏电极126。

半导体图案121可以包括半导体材料。例如，半导体图案121可以包括硅。半导体图案121可以是氧化物半导体。例如，半导体图案121可以包括金属氧化物例如IGZO。半导体图案121可以包括源极区、沟道区和漏极区。沟道区可以设置在源极区与漏极区之间。源极区和漏极区可以具有比沟道区高的电导率。

栅极绝缘层122可以设置在半导体图案121上。例如，半导体图案121可以设置在器件基板110与栅极绝缘层122之间。栅极绝缘层122可以延伸超过半导体图案121。例如，半导体图案121的侧表面可以与栅极绝缘层122直接接触。栅极绝缘层122可以包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层122可以包括硅氧化物(SiO)和/或硅氮化物(SiN)。栅极绝缘层122可以包括具有高介电常数的材料。例如，栅极绝缘层122可以包括诸如铪氧化物(HfO)的高K材料。栅极绝缘层122可以具有多层结构。

栅电极123可以设置在栅极绝缘层122上。栅电极123可以与半导体图案121的沟道区交叠。例如，半导体图案121的源极区和漏极区可以设置在栅电极123的外部。栅电极123可以包括导电材料。例如，栅电极123可以包括金属例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)。

层间绝缘层124可以设置在栅电极123上。层间绝缘层124可以延伸超过半导体图案121。例如，栅电极123的侧表面可以与层间绝缘层124直接接触。层间绝缘层124可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层124可以包括硅氧化物(SiO)。

源电极125可以设置在层间绝缘层124上。源电极125可以电连接至半导体图案121的源极区。例如，栅极绝缘层122和层间绝缘层124可以包括使半导体图案121的源极区部分地露出的源极接触孔。源电极125可以经由源极接触孔连接至半导体图案121的源极区。例如，源电极125可以包括与半导体图案121的源极区交叠的部分。源电极125可以包括导电材料。例如，源电极125可以包括金属例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。源电极125可以包括与栅电极123不同的材料。

漏电极126可以设置在层间绝缘层124上。漏电极126可以电连接至半导体图案121的漏极区。漏电极126可以与源电极125间隔开。例如，栅极绝缘层122和层间绝缘层124可以包括使半导体图案121的漏极区部分地露出的漏极接触孔。漏电极126可以经由漏极接触孔连接至半导体图案121的漏极区。例如，漏电极126可以包括与半导体图案121的漏极区交叠的部分。漏电极126可以包括导电材料。例如，漏电极126可以包括金属例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。漏电极126可以包括与源电极125相同的材料。例如，漏电极126可以包括与栅电极123不同的材料。

第一薄膜晶体管T1的栅电极可以电连接至栅极线GL。第二薄膜晶体管T2的栅电极123可以电连接至第一薄膜晶体管T1的漏电极。第一薄膜晶体管T1的源电极可以连接至数据线DL。第二薄膜晶体管T2的源电极125可以连接至电力供应线VDD。存储电容器Cst可以包括连接至第一薄膜晶体管T1的漏电极的第一电容器电极和连接至第二薄膜晶体管T2的漏电极126的第二电容器电极。

在器件基板110与驱动电路之间可以设置有器件缓冲层111。例如，每个驱动电路的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst可以设置在器件缓冲层111上。器件缓冲层111可以防止在形成驱动电路的过程期间来自器件基板110的污染。器件缓冲层111可以包括绝缘材料。例如，器件缓冲层111可以包括硅氧化物(SiO)和/或硅氮化物(SiN)。器件缓冲层111可以具有多层结构。例如，器件缓冲层111可以具有其中堆叠有由硅氧化物(SiO)形成的绝缘层和由硅氮化物(SiN)形成的绝缘层的结构。

在驱动电路上可以设置有下钝化层112。下钝化层112可以防止由于外部水分和冲击引起的驱动电路的损坏。下钝化层112可以沿着每个驱动电路的与器件基板110相对的表面延伸。下钝化层112可以延伸超过每个驱动电路。例如，下钝化层112可以覆盖每个第二薄膜晶体管T2的源电极125和漏电极126。下钝化层112可以包括绝缘材料。下钝化层112可以包括无机绝缘材料。例如，下钝化层112可以包括硅氧化物(SiO)或硅氮化物(SiN)。

在下钝化层112上可以设置有外涂层113。外涂层113可以消除由于驱动电路引起的厚度差。例如，可以通过外涂层113来消除由于每个第二薄膜晶体管T2引起的厚度差。外涂层113的与器件基板110相对的表面可以为平坦表面。外涂层113可以包括绝缘材料。外涂层113可以包括具有相对高的流动性的材料。例如，外涂层113可以包括有机绝缘材料。

在外涂层113上可以设置发光器件130。发光器件130可以发射显示特定颜色的光。例如，发光器件130可以包括顺序地堆叠在外涂层113上的第一发射电极131、发光层132和第二发射电极133。

第一发射电极131可以包括导电材料。第一发射电极131可以包括具有相对高的反射率的材料。例如，第一发射电极131可以包括金属例如铝(Al)和银(Ag)。第一发射电极131可以具有多层结构。例如，第一发射电极131可以具有如下结构：在由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极之间设置由金属形成的反射电极。

发光层132可以生成具有与第一发射电极131与第二发射电极133之间的电压差对应的亮度的光。例如，发光层132可以是包括发射材料的发射材料层(EML)。发射材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施方式的触摸显示装置可以是具有有机材料的发光层132的有机发光显示装置。

第二发射电极133可以包括导电材料。第二发射电极133可以包括与第一发射电极131不同的材料。例如，第二发射电极133可以是由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，由发光层132生成的光可以通过第二发射电极133发射。

发光器件130还可以包括在第一发射电极131与发光层132之间以及/或者在发光层132与第二发射电极133之间的发射功能层。发射功能层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电极注入层(EIL)中的至少一个。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以提高发光器件130的发射效率。

每个像素区域PA的发光器件130可以电连接至对应的像素区域PA的驱动电路。例如，下钝化层112和外涂层113可以包括使每个驱动电路的第二薄膜晶体管T2部分地露出的电极接触孔。每个像素区域PA的第一发射电极131可以经由对应的电极接触孔电连接至对应的像素区域PA的第二薄膜晶体管T2。例如，每个发光器件130的第一发射电极131可以电连接至对应的第二薄膜晶体管T2的漏电极126。

每个像素区域PA的发光器件130可以独立于相邻像素区域PA的发光器件130而被控制。例如，每个像素区域PA的第一发射电极131可以与相邻像素区域PA的第一发射电极131绝缘。每个像素区域PA的第一发射电极131可以与相邻像素区域PA的第一发射电极131间隔开。可以在相邻的第一发射电极131之间的空间中设置堤部绝缘层114。堤部绝缘层114可以包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层114可以包括有机绝缘材料。堤部绝缘层114可以设置在外涂层113上。例如，堤部绝缘层114可以与相邻的第一发射电极131之间的外涂层113直接接触。堤部绝缘层114可以包括与外涂层113不同的材料。堤部绝缘层114可以覆盖每个第一发射电极131的边缘。例如，每个像素区域PA的发光层132和第二发射电极133可以堆叠在对应的第一发射电极131的通过堤部绝缘层114露出的一部分上。

像素区域PA中的每一个可以实现与相邻像素区域PA不同的颜色。例如，每个像素区域PA的发光层132可以包括与相邻像素区域PA的发光层132不同的材料。每个像素区域PA的发光层132可以与相邻像素区域PA的发光层132间隔开。例如，每个像素区域PA的发光层132可以包括在堤部绝缘层114上的端部。每个像素区域PA的发光层132可以通过与相邻像素区域PA的发光层132不同的处理来形成。例如，每个像素区域PA的发光层132可以通过使用精细金属掩模(FMM)的沉积处理来形成。

每个像素区域PA的第二发射电极133可以施加有与相邻像素区域PA的第二发射电极133相同的电压。例如，每个像素区域PA的第二发射电极133可以电连接至相邻像素区域PA的第二发射电极133。每个像素区域PA的第二发射电极133可以包括与相邻像素区域PA的第二发射电极133相同的材料。每个像素区域PA的第二发射电极133可以与相邻像素区域PA的第二发射电极133接触。例如，每个像素区域PA的第二发射电极133可以延伸至堤部绝缘层114上。

每个像素区域PA的发光器件130可以具有与相邻像素区域PA的发光器件130相同的结构。例如，每个像素区域PA的发光器件130可以包括与相邻像素区域PA的发光器件130相同的发射功能层。每个像素区域PA的发射功能层可以连接至相邻像素区域PA的发射功能层。例如，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电极注入层(EIL)中的至少一个可以延伸至堤部绝缘层114上。

在每个像素区域PA的发光器件130上可以设置有封装元件140。封装元件140可以防止由于外部水分和冲击而引起的发光器件130的损坏。封装元件140可以延伸超过第二发射电极133。例如，封装元件140可以覆盖外涂层113、堤部绝缘层114和发光器件130。

封装元件140可以具有多层结构。例如，封装元件140可以包括顺序地堆叠在第二发射电极133上的第一封装层141、第二封装层142和第三封装层143。第一封装层141、第二封装层142和第三封装层143可以包括绝缘材料。第二封装层142可以包括与第一封装层141和第三封装层143不同的材料。例如，第一封装层141和第三封装层143可以包括无机绝缘材料，并且第二封装层142可以包括有机绝缘材料。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以有效地防止由于外部水分和冲击而引起的发光器件130的损坏。可以通过第二封装层142消除由于发光器件130引起的厚度差。例如，封装元件140的与器件基板110相对的上表面可以与器件基板110的表面平行。

在封装元件140上可以设置有触摸结构310和320。触摸结构310和320可以检测用户或工具的触摸。例如，触摸结构310和320中的每一个可以包括触摸电极311和321以及至少一个桥电极312和322。桥电极312和322中的每一个可以电连接相邻的触摸电极311和321。在封装元件140与触摸结构310和320之间可以设置有触摸缓冲层200。触摸缓冲层200可以防止由于形成触摸结构310和320的过程而引起的发光器件130和封装元件140的损坏。触摸缓冲层200可以包括绝缘材料。例如，触摸缓冲层200可以包括硅氮化物(SiN)和/或硅氧化物(SiO)。

触摸电极311和321可以包括导电材料。触摸电极311和321可以包括具有相对低电阻的材料。触摸电极311和321可以包括具有相对高反射率的材料。例如，触摸电极311和321可以包括诸如铝(Al)的金属。

桥电极312和322可以包括导电材料。桥电极312和322可以包括具有相对低电阻的材料。例如，桥电极312和322可以包括金属例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)。

触摸电极311和321以及桥电极312和322可以设置在发光器件130的外部。触摸电极311和321以及桥电极312和322可以与发光器件130间隔开。例如，触摸电极311和321以及桥电极312和322可以与堤部绝缘层114交叠。触摸电极311和321中的每一个可以是具有与发光器件130交叠的孔的网格形状。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，从发光器件130沿垂直于器件基板110的表面的方向发射的光可以不被触摸电极311和321以及桥电极312和322阻挡。并且，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，从每个像素区域PA的发光器件130沿朝向相邻像素区域PA的方向发射的光可能被触摸电极311和321以及桥电极312和322阻挡。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以防止由于从相邻像素区域PA发射的光的混合而引起的图像质量劣化。

触摸结构310和320可以由第一触摸结构310和第二触摸结构320组成。第一触摸结构310中的每一个可以包括第一触摸电极311和至少一个第一桥电极312。第一触摸电极311可以通过第一桥电极321沿第一方向连接。第二触摸结构320中的每一个可以包括第二触摸电极321和至少一个第二桥电极322。第二触摸电极321可以通过第二桥电极322沿垂直于第一方向的第二方向连接。第二触摸电极321可以与第一触摸电极311并排设置。例如，第二触摸电极321可以与第一触摸电极311设置在同一层上。第二桥电极322可以与第一桥电极312相交。第二桥电极322可以与第一桥电极312绝缘。例如，第二桥电极322可以设置在与第一桥电极312不同的层上。

在第一桥电极312与第二桥电极322之间可以设置有触摸绝缘层340。第二桥电极322可以设置在触摸缓冲层200与触摸绝缘层340之间。第一触摸电极311和第二触摸电极321可以设置在触摸绝缘层340上。例如，第一桥电极312可以包括与第一触摸电极311和第二触摸电极321相同的材料。第一桥电极312可以与第一触摸电极311直接接触。第二桥电极322可以包括与第一桥电极312不同的材料。触摸绝缘层340可以包括使第二桥电极322的一部分露出的触摸接触孔。第二触摸电极321可以经由触摸接触孔连接至第二桥电极322。

触摸绝缘层340可以包括绝缘材料。触摸绝缘层340可以消除由于第二桥电极322引起的厚度差。例如，触摸绝缘层340的与器件基板110相对的上表面可以为平坦表面。触摸绝缘层340可以包括有机绝缘材料。

触摸绝缘层340可以包括与发光器件130交叠的多个引导开口340h。每个引导开口340h的侧面340s可以被触摸电极311和321之一覆盖。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，从每个像素区域PA的发光器件130沿对应的引导开口340h的侧面340s的方向发射的光L2可以沿对应的像素区域PA的内部方向被反射。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以提高光提取效率。

每个引导开口340h的侧面340s可以是相对于封装元件140的上表面具有倾斜角度的倾斜表面。例如，每个引导开口340h的宽度W2可以随着距封装元件140的距离的增加而增加。也就是说，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以防止由于由每个引导开口340h的侧面340s反射的光而引起的干涉。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以通过由每个引导开口340h的侧面340s反射的光来有效地提高每个像素区域PA的正面亮度。

每个引导开口340h的宽度W2可以比对应的第一发射电极131的由堤部绝缘层114露出的一部分的宽度W1大。例如，从每个发光器件130以一定倾斜角度或更小的倾斜角度发射的光L1可以穿过对应的引导开口340h。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，从每个发光器件130发射的光L1的发射角度可以由触摸结构310和320确定。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以通过触摸绝缘层340的引导开口340h控制视角。

在触摸结构310和320上可以设置有盖绝缘层400。盖绝缘层400可以防止由于外部冲击和水分而引起的触摸结构310和320的损坏。

在器件基板110上可以设置有焊盘104和304。焊盘104和304可以与封装元件140间隔开。例如，焊盘104和304可以设置在封装元件140外部。在封装元件140与焊盘104和304之间可以设置有至少一个堰部106。堰部106可以阻挡具有相对高的流动性的第二封装层142的流动。例如，堰部106可以限定被第二封装层142覆盖的区域。堰部106可以沿着器件基板110的边缘延伸。堰部106可以包括绝缘材料。堰部106可以包括与形成在器件基板110与发光器件130之间的绝缘层之一相同的材料。例如，堰部106可以与外涂层113同时形成。

焊盘104和304可以由显示焊盘104和触摸焊盘304组成。显示焊盘104中的每一个可以电连接至信号线GL、DL和VDD之一。显示焊盘104可以包括导电材料。显示焊盘104可以包括与由驱动电路组成的电极之一相同的材料。例如，显示焊盘104可以与每个第二薄膜晶体管T2的源电极125和漏电极126同时形成。

触摸焊盘304中的每一个可以电连接至触摸结构310和320之一。例如，触摸结构310和302中的每一个可以通过沿着封装元件140的表面延伸的触摸布线330之一电连接至对应的触摸焊盘304。触摸布线330中的每一个可以包括与对应的触摸结构310和320的触摸电极311和321相同的材料。例如，触摸布线330可以与对应的触摸结构310和320的触摸电极311和321同时形成。触摸布线330中的每一个可以与对应的触摸结构310和320的触摸电极311和321直接接触。

触摸焊盘304中的每一个可以具有多层结构。例如，触摸焊盘304中的每一个可以包括与显示焊盘104设置在同一层上的下焊盘层304a以及与触摸布线330设置在同一层上的上焊盘层304b。下焊盘层304a可以包括与显示焊盘104相同的材料。上焊盘层304b可以包括与触摸布线330相同的材料。例如，每个触摸焊盘304的上焊盘层304b可以直接连接至对应的触摸布线330。下钝化层112和触摸缓冲层200可以延伸至堰部106的外部。例如，下钝化层112和触摸缓冲层200可以包括使每个触摸焊盘304的下焊盘层304a部分地露出的焊盘接触孔。每个触摸焊盘304的上焊盘层304b可以与对应的触摸焊盘304的下焊盘层304a在对应的焊盘接触孔中直接接触。

显示焊盘104和触摸焊盘304可以设置在触摸绝缘层340外部。触摸绝缘层340可以与显示焊盘104和触摸焊盘304间隔开。例如，触摸绝缘层340可以仅设置在由堰部106所限定的区域中。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，在每个触摸焊盘304的下焊盘层304a与上焊盘层304b之间不形成由于触摸绝缘层340而引起的厚度差。也就是说，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，使每个触摸焊盘304的下焊盘层304a部分地露出的焊盘接触孔的深度可以与触摸绝缘层340的厚度无关。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，每个触摸焊盘304的下焊盘层304a和上焊盘层304b可以被稳定地连接。

因此，根据本发明的实施方式的触摸显示装置可以包括在覆盖发光器件130的封装元件140上的第一触摸结构310和第二触摸结构320，其中，使每个第一触摸结构310的第一桥电极312与每个第二触摸结构320的第二桥电极322绝缘的触摸绝缘层340可以包括与发光器件130交叠的引导开口340h，并且其中，每个引导开口340h的侧面340s可以被触摸结构310和320的触摸电极311和321之一覆盖。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以提高每个像素区域PA的光提取效率和正面亮度。由此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以提高图像的质量。

图6是图4中的K区域的放大图。参照图4至图6，根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置可以包括具有多层结构的触摸电极311和312。例如，触摸电极311和321中的每一个可以包括顺序地堆叠在触摸绝缘层340上的第一触摸电极层321a、第二触摸电极层321b和第三触摸电极层321c。第一触摸电极层321a、第二触摸电极层321b和第三触摸电极层321c可以包括导电材料。第一触摸电极层321a、第二触摸电极层321b和第三触摸电极层321c可以包括彼此不同的材料。例如，第一触摸电极层321a和第三触摸电极层321c可以包括钛(Ti)，并且第二触摸电极层321b可以包括铝(Al)。

触摸绝缘层340的与器件基板110相对的上表面上的触摸电极311和321的堆叠结构可以与每个引导开口340h的侧面340s上的触摸电极311和321的堆叠结构不同。例如，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，第三触摸电极层321c可以不形成在每个引导开口340h的侧面340s上。第三触摸电极层321c可以具有比第二触摸电极层321b低的反射率。因此，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，设置在每个引导开口340h的侧面340s上的触摸电极311和321的区域可以具有比设置在触摸绝缘层340的与器件基板110相对的上表面上的对应的触摸电极311和321的区域高的反射率。因此，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，可以防止由于触摸电极311和321而引起的外部光的反射，并且可以使用每个引导开口340h的侧面340s来提高每个像素区域PA的光提取效率和正面亮度。

根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置被描述为：触摸电极311和321在每个引导开口340h的侧面340s上可以具有相对少量的堆叠。然而，在根据本发明的又一实施方式的触摸显示装置中，触摸电极311和321中的每一个可以具有以下结构：其中在每个引导开口340h的侧面340s上堆叠的层比在触摸绝缘层340的与器件基板110相对的上表面上堆叠的层多。例如，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，触摸电极311和321中的每一个可以包括低电阻金属层321a和反射电极层321d，如图7所示。低电阻金属层321a可以沿着触摸绝缘层340的表面延伸。反射电极层321d可以与每个引导开口340h的侧面340s交叠。低电阻金属层321a可以在每个引导开口340h的侧面340s与反射电极层321d之间延伸。反射电极层321d可以包括设置在触摸绝缘层340的与器件基板110相对的上表面上的端部。例如，每个触摸电极311和321的反射电极层321d可以设置在桥电极312和322外部。

低电阻金属层321a可以包括具有相对低电阻的材料。例如，低电阻金属层321a可以包括金属例如铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。反射电极层321d可以包括具有相对高反射率的材料。例如，反射电极层321d可以包括金属例如铝(Al)和银(Ag)。反射电极层321d的反射率可以比低电阻金属层321a的反射率高。因此，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，可以提高形成根据区域具有不同反射率的触摸电极311和321的过程的自由度。并且，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，可以使由于触摸电极311和321引起的外部光的反射最小化，并且可以使由于在每个引导开口340h的侧面340s上的触摸电极311和321引起的反射最大化。

根据本发明的实施方式的触摸显示装置被描述为：每个触摸电极311和321的端部可以与堤部绝缘层114交叠。然而，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，每个引导开口340h中的触摸电极321之间的距离可以与每个第一发射电极131的由堤部绝缘层114露出的一部分的宽度W3相同，如图8所示。因此，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，可以通过触摸电极321控制视角。例如，根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置可以使用触摸电极321实现窄视角。因此，在根据本发明的另一实施方式的触摸显示装置中，可以提高提供至用户的图像的质量。

因此，根据本发明的实施方式的触摸显示装置可以包括：在覆盖发光器件的封装元件上的触摸结构；以及在触摸结构的触摸电极与桥电极之间的触摸绝缘层，其中，触摸绝缘层可以包括与发光器件交叠的引导开口，并且其中，每个引导开口的侧面可以被触摸电极之一覆盖。因此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，从发光器件倾斜地发射的光可以被设置在每个引导开口的侧面上的触摸电极的区域反射至外部。由此，在根据本发明的实施方式的触摸显示装置中，可以提高每个像素区域的光提取效率和正面亮度。