一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

柔性显示装置是一种基于柔性基底材料制作形成的显示装置。由于柔性显示装置具有可卷曲、宽视角、便于携带等特点，近年来受到广泛关注。

柔性基底通常采用第一柔性基底层、连接层、第二柔性基底层的三层式结构。但是，当柔性基底发生卷曲时，常会因粘结力薄弱导致第二柔性基底层和连接层之间产生剥落(peeling)，对柔性产品的性能造成较为恶劣的影响。

发明内容

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，能够提高产品的良率。

本公开实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括柔性基底、设置在所述柔性基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层上的发光元件以及设置在所述发光元件上的封装层，所述柔性基底包括第一柔性基底层、设置在所述第一柔性基底层上的第一连接层以及设置在所述第一连接层上的第二柔性基底层，其中：所述第一连接层包括至少一个第一过孔，所述第一柔性基底层包括至少一个与所述第一过孔对应设置的第一凹槽，所述第一过孔与所述第一凹槽相互贯通，且所述第一凹槽在所述第一柔性基底层上的正投影，包含所述第一过孔在所述第一柔性基底层上的正投影。

在示例性实施例中，所述第一凹槽靠近所述第一过孔一侧的表面在所述第一柔性基底层上的正投影小于或等于所述第一凹槽远离所述第一过孔一侧的表面在所述第一柔性基底层上的正投影。

在示例性实施例中，在垂直于所述显示基板的方向，所述第一过孔包括远离所述第一凹槽一侧的第一表面、靠近所述第一凹槽一侧且与所述第一表面相对的第二表面以及设置在所述第一表面和第二表面之间的第一侧面和第二侧面；

所述第一凹槽包括与所述第二表面部分重合的第三表面、与所述第三表面相对的第四表面以及设置在所述第三表面和第四表面之间的第三侧面和第四侧面，所述第一侧面和第三侧面分别位于所述第一过孔和第一凹槽的一侧，所述第二侧面和第四侧面分别位于所述第一过孔和第一凹槽的另一侧；

所述第一过孔的第一侧面和与该所述第一过孔对应的所述第一凹槽的第三侧面之间的距离为0.4微米至0.6微米；

所述第一过孔的第二侧面和与该所述第一过孔对应的所述第一凹槽的第四侧面之间的距离为0.4微米至0.6微米。

在示例性实施例中，所述第一柔性基底层和所述第二柔性基底层的材料相同，所述第一柔性基底层或所述第二柔性基底层的材料包括：聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚及聚芳酯中的一种或多种的组合。

在示例性实施例中，在平行于所述显示基板的方向，所述第一过孔的形状包括以下任意一种或多种：圆形、方形、菱形、平行四边形、五边形、六边形。

在示例性实施例中，在垂直于所述显示基板的方向，所述第一过孔的宽度为5至20微米。

在示例性实施例中，在垂直于所述显示基板的方向，所述第一凹槽21的高度为1微米至2微米。

在示例性实施例中，所述显示基板还包括第二连接层和第三柔性基底层，所述第二连接层包括至少一个第二过孔，所述第二柔性基底层包括至少一个第二凹槽，所述第二过孔与所述第二凹槽相互贯通，所述第二凹槽在所述第一柔性基底层上的正投影，包含所述第二过孔在所述第一柔性基底层上的正投影；所述第二凹槽在所述第一柔性基底层上的正投影与所述第一凹槽在所述第一柔性基底层上的正投影不重叠。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一项所述的显示基板。

本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在刚性衬底基板上依次形成第一柔性基底层和第一连接层，所述第一连接层上设置有第一过孔；对所述第一柔性基底层进行处理，以形成与所述第一过孔对应的第一凹槽，所述第一过孔与所述第一凹槽相互贯通，且所述第一凹槽在所述第一柔性基底层上的正投影，包含所述第一过孔在所述第一柔性基底层上的正投影；在所述第一连接层远离所述第一柔性基底层的一侧形成第二柔性基底层；依次形成第二阻挡层、驱动结构层、发光元件和封装层；剥离所述刚性衬底基板，得到所述显示基板。

在示例性实施例中，所述第一凹槽靠近所述第一过孔一侧的表面在所述第一柔性基底层上的正投影小于或等于所述第一凹槽远离所述第一过孔一侧的表面在所述第一柔性基底层上的正投影。

在示例性实施例中，采用气体刻蚀工艺对所述第一柔性基底层进行处理，刻蚀气体包括以下任意一种：氧气、四氟化碳和氧气的组合气体、六氟化硫和氧气的组合气体。

在示例性实施例中，所述第一柔性基底层和所述第二柔性基底层的材料相同，所述第一柔性基底层或所述第二柔性基底层的材料包括：聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚及聚芳酯中的一种或多种的组合。

本公开的显示基板及其制备方法、显示装置，通过在第一连接层上设置至少一个第一过孔，并在第一过孔下方的第一柔性基底层上设置第一凹槽，在第一柔性基底层与第一连接层之间形成底切(Undercut)结构，改善了第二柔性基底层和第一连接层之间的粘结力，从而解决了柔性产品在卷曲过程中常出现的第二柔性基底层和第一连接层之间的剥落问题，提高了产品的良率。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本公开实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图2为本公开实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图；

图3为本公开实施例提供的另一种显示基板的剖面结构示意图；

图4为图3中A区域的放大结构示意图；

图5为本公开实施例提供的又一种显示基板的剖面结构示意图；

图6为本公开实施例形成第一柔性基底层之后的显示基板结构示意图；

图7为本公开实施例形成第一连接层之后的显示基板结构示意图；

图8为本公开实施例对第一柔性基底层进行处理之后的显示基板结构示意图；

图9为本公开实施例形成第二柔性基底层之后的显示基板结构示意图；

图10为本公开实施例形成阻挡层之后的显示基板结构示意图；

图11为本公开实施例形成封装层之后的显示基板结构示意图；

图12为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。

附图标记说明：

10—刚性衬底基板； 20—第一柔性基底层；

30—第一连接层； 31—第一过孔；

40—第二柔性基底层； 50—第二阻挡层；

60—驱动结构层； 70—发光元件；

80—封装层； 90—第二连接层；

100—第三柔性基底层； 21—第一凹槽；

P—像素单元； 41—第一凸起；

42—第二凸起； 43—第二凹槽；

91—第二过孔； 311—第一表面；

312—第二表面； 313—第一侧面；

314—第二侧面； 211—第三表面；

212—第四表面； 213—第三侧面；

214—第四侧面； P1～P3—第一发光单元～第三发光单元。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

生产柔性显示面板时，由于需要在柔性基底上溅射上电极或薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)材料，因此，柔性基底的基材一般为耐高温的聚合物。柔性基底通常采用第一柔性基底层、连接层、第二柔性基底层的三层式结构，但是，当柔性基底发生卷曲时，常会因粘结力薄弱而导致第二柔性基底层和连接层之间产生剥落(peeling)，对柔性产品的性能造成较为恶劣的影响。

图1为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图。如图1所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一发光单元P1、出射第二颜色光线的第二发光单元P2和出射第三颜色光线的第三发光单元P3，第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3均包括像素驱动电路和发光元件。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光元件输出相应的电流。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的发光元件分别与所在发光单元的像素驱动电路连接，发光元件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)发光单元、绿色(G)发光单元和蓝色(B)发光单元，或者可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和白色发光单元，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中发光单元的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个发光单元时，三个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个发光单元时，四个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。

图2为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图，图3为本公开示例性实施例另一种显示基板的剖面结构示意图。如图2和图3所示，该显示基板包括柔性基底、设置在柔性基底上的驱动结构层60、设置在驱动结构层60上的发光元件70、设置在发光元件70上的封装层80。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

其中，柔性基底从下至上依次包括：第一柔性基底层20、第一连接层30和第二柔性基底层40，第一连接层30上设置有至少一个第一过孔31，第一柔性基底层20上设置有至少一个与第一过孔31对应的第一凹槽21，第一过孔31与第一凹槽21相互贯通。

第一过孔31暴露出第一凹槽21的部分区域，即，第一凹槽21在第一柔性基底层20上的正投影，包含第一过孔31在第一柔性基底层20上的正投影。

本公开实施例提供的显示基板，通过在第一连接层30上设置至少一个第一过孔31，并在第一过孔31下方的第一柔性基底层20上设置第一凹槽21，在第一柔性基底层20与第一连接层30之间形成底切(Undercut)结构，改善了第二柔性基底层40和第一连接层30之间的粘结力，从而解决了柔性产品在卷曲过程中常出现的第二柔性基底层40和第一连接层30之间的剥落问题，提高了产品的良率。

在示例性实施例中，如图3和图4所示，第一凹槽21靠近第一过孔31一侧的表面在第一柔性基底层20上的正投影小于或等于第一凹槽21远离第一过孔31一侧的表面在第一柔性基底层20上的正投影。

在示例性实施例中，如图4所示，在垂直于显示基板的方向，第一过孔31包括远离第一凹槽21一侧的第一表面311、靠近第一凹槽21一侧且与第一表面311相对的第二表面312以及设置在第一表面311和第二表面312之间的第一侧面313和第二侧面314。

第一凹槽21包括与第二表面312部分重合的第三表面211、与第三表面211相对的第四表面212以及设置在第三表面211和第四表面212之间的第三侧面213和第四侧面214，第一侧面313和第三侧面213分别位于第一过孔31和第一凹槽21的一侧，第二侧面314和第四侧面214分别位于第一过孔31和第一凹槽21的另一侧。

第一过孔31的第一侧面313和与该第一过孔31对应的第一凹槽21的第三侧面213之间的距离a1为0.4微米至0.6微米；

第一过孔31的第二侧面314和与该第一过孔31对应的第一凹槽21的第四侧面214之间的距离a2为0.4微米至0.6微米。

示例性的，第一过孔31的第一侧面313和与该第一过孔31对应的第一凹槽21的第三侧面213之间的距离a1为0.5微米；第一过孔31的第二侧面314和与该第一过孔31对应的第一凹槽21的第四侧面214之间的距离a2为0.5微米。

在示例性实施例中，在平行于显示基板的方向，第一过孔31的形状包括以下任意一种或多种：圆形、方形、菱形、平行四边形、五边形、六边形。

在示例性实施例中，如图4所示，在垂直于显示基板的方向，第一过孔31的宽度b为5至20微米，由于第一过孔31贯穿第一连接层30，因此，第一过孔31的高度h1与第一连接层30的厚度相同。

在示例性实施例中，如图4所示，第一凹槽21的高度h2为1微米至2微米。

在示例性实施例中，如图4所示，第二柔性基底层40朝向第一柔性基底层20一侧的表面包括多个凸起，每个凸起包括用于填充第一连接层30上的第一过孔31的第一凸起部41和用于填充第一柔性基底层20上的第一凹槽21的第二凸起部42，第二柔性基底层40与第一凸起部41、第一凸起部41与第二凸起部42均为相互连接的一体结构。

在示例性实施例中，如图5所示，显示基板在第二柔性基底层40之上还可以包括第二连接层90和第三柔性基底层100，第二连接层90可以包括多个第二过孔91，第二柔性基底层40包括多个第二凹槽43，第二过孔91暴露出第二凹槽43的部分区域，即第二凹槽43在第一柔性基底层20上的正投影，包含第二过孔91在第一柔性基底层20上的正投影；第二凹槽43在第一柔性基底层20上的正投影与第一凹槽21在第一柔性基底层20上的正投影不重叠。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

(1)如图6所示，在刚性衬底基板10上形成第一柔性基底层20。

在本步骤中，刚性衬底基板10可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的基板；第一柔性基底层20可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)及聚芳酯(PAR)中的一种或多种的组合。

在一些实施例中，在刚性衬底基板10上形成第一柔性基底层20，可以包括：在刚性衬底基板10上涂覆一层PI溶液，并对PI溶液进行干燥处理以去除该PI溶液的溶剂，使该PI溶液的溶质保留形成第一柔性基底层20。其中，干燥处理工艺例如可以是低压干燥处理工艺、高压干燥处理工艺或风冷干燥处理工艺等，本公开实施例对此不做限定。

(2)如图7所示，在第一柔性基底层20远离刚性衬底基板10的一侧形成第一连接层30，第一连接层30上设置有第一过孔31。

在本步骤中，第一连接层30可以包括设置在第一柔性基底层20上的第一阻挡(Barrier1)层和设置在第一阻挡层上的半导体层，第一阻挡层的材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)或氮氧化硅(SiOxNx)等无机材料，用于提高基底的抗水氧能力。半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。

在一些实施例中，通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)等方法在第一柔性基底层20远离刚性衬底基板10的一侧形成第一连接层30，并通过构图工艺形成第一过孔31。该构图工艺可以包括光刻胶涂覆、曝光处理、显影处理、刻蚀处理和光刻胶剥离等。

在另一些实施例中，第一连接层30及第一连接层30上的第一过孔31可以采用开放式掩膜版(Open Mask)沉积形成。

在示例性实施例中，第一过孔31设置在显示基板的有效显示区域(Active Area，AA)。

(3)如图8所示，对第一柔性基底层20进行处理，以形成与第一过孔31对应的第一凹槽21，第一过孔31与第一凹槽21相互贯通，第一过孔31暴露出第一凹槽21的部分区域，第一凹槽21在第一柔性基底层20上的正投影，包含第一过孔31在第一柔性基底层20上的正投影。

在一些实施例中，通过刻蚀等方法对第一柔性基底层20进行处理，以形成与第一过孔31对应的第一凹槽21。

在示例性实施例中，采用气体刻蚀工艺对第一柔性基底层20进行处理，刻蚀气体可以为氧气(O2)，也可以为氧气与其他气体的组合气体，例如，刻蚀气体可以为四氟化碳和氧气的组合气体(CF4+O2)，或者，刻蚀气体可以为六氟化硫和氧气的组合气体(SF6+O2)。由于第一连接层30通常为无机层，，因此用氧气(O2)刻蚀第一柔性基底层20时对第一连接层30的影响很小。此外，在刻蚀过程中第一连接层30可以起到虚拟掩膜版(Mask)的作用，能帮助第一柔性基底层20更好地形成嵌入式结构所需的底切(Undercut)结构。

在一些实施例中，第一凹槽21与第一柔性基底层20的连接面为坡面，第一凹槽21朝向刚性衬底基板10一侧的表面在刚性衬底基板10上的正投影大于第一凹槽21远离刚性衬底基板10一侧的表面在刚性衬底基板10上的正投影。

(4)如图9所示，在形成前述图案的刚性衬底基板10上，形成第二柔性基底层40。

在示例性实施例中，第二柔性基底层40的材料可以与第一柔性基底层20的材料相同，因为聚合物主要由共价键构成，分子间存在极性，根据相似相溶原理，第二柔性基底层40与第一柔性基底层20采用相同的材料，更有利于增加膜层之间的粘结性。

示例性的，形成第二柔性基底层40，可以包括：在形成前述图案的刚性衬底基板10上，涂覆一层PI溶液，并对PI溶液进行干燥处理以去除该PI溶液的溶剂，使该PI溶液的溶质保留形成第二柔性基底层40，完成柔性基底的制备。

(5)如图10所示，在第二柔性基底层40上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性基底层40的第二阻挡(Barrier2)层50。

(6)如图11所示，在第二阻挡层50上依次形成驱动结构层60、发光元件70和封装层80的图案。

在一种示例性实施方式中，驱动结构层60包括：设置在第二阻挡层50上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，设置在第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖第二栅金属层的第四绝缘层，设置在第四绝缘层上的源漏金属层。有源层至少包括第一有源层，第一栅金属层至少包括第一栅电极和第一电容电极，第二栅金属层至少包括第二电容电极，源漏金属层至少包括第一源电极、第一漏电极，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容。在一示例性实施方式中，第一晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

在示例性实施方式中，发光元件70可以包括阳极、像素定义(PDL)层、隔垫柱(PS)、有机发光层、阴极等。阳极设置在第一平坦层上，通过第一平坦层上开设的过孔与驱动晶体管的第一漏电极连接；像素定义层设置在阳极和平坦层上，像素定义层上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极；有机发光层至少部分设置在像素开口内，有机发光层与阳极连接；阴极设置在有机发光层上，阴极与有机发光层连接；有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。

在示例性实施方式中，封装层80可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层采用无机材料，第二封装层采用有机材料。

(7)剥离刚性衬底基板10，得到显示基板。

在一些实施例中，通过激光剥离工艺剥离刚性衬底基板10。

在另一些示例性实施例中，在前述步骤中的形成第二柔性基底层40之后且在形成第二阻挡层50之前，所述制备过程还可以包括：形成第二连接层90以及设置在第二连接层90之上的第三柔性基底层100，第二连接层90上设置有至少一个第二过孔91，第二柔性基底层40上设置有至少一个第二凹槽43，第二过孔91暴露出第二凹槽43的部分区域，第二凹槽43在第一柔性基底层20上的正投影，包含第二过孔91在第一柔性基底层20上的正投影；

第二凹槽43在第一柔性基底层20上的正投影与第一凹槽21在第一柔性基底层20上的正投影不重叠。

通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过对第一连接层30进行开孔，并对开孔区域下方的第一柔性基底层20进行处理，在第一柔性基底层20与第一连接层30之间形成底切(Undercut)结构，改善了第二柔性基底层40和第一连接层30之间的粘结力，从而解决了柔性产品在卷曲过程中常出现的第二柔性基底层40和第一连接层30之间的剥落问题，提高了产品的良率。

本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。

如图12所示，本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S1：在刚性衬底基板上依次形成第一柔性基底层和第一连接层，第一连接层上设置有第一过孔；

步骤S2：对第一柔性基底层进行处理，以形成与第一过孔对应的第一凹槽，第一过孔与第一凹槽相互贯通，第一过孔暴露出第一凹槽的部分区域，即第一凹槽在第一柔性基底层上的正投影，包含第一过孔在第一柔性基底层上的正投影；

步骤S3：在第一连接层远离第一柔性基底层的一侧形成第二柔性基底层；

步骤S4：依次形成第二阻挡层、驱动结构层、发光元件和封装层，剥离刚性衬底基板，得到显示基板。

在示例性实施方式中，第一凹槽靠近第一过孔一侧的表面在第一柔性基底层上的正投影小于或等于第一凹槽远离第一过孔一侧的表面在第一柔性基底层上的正投影。

在示例性实施方式中，采用气体刻蚀工艺对第一柔性基底层进行处理，刻蚀气体包括以下任意一种：氧气、四氟化碳和氧气的组合气体、六氟化硫和氧气的组合气体。

在示例性实施例中，在垂直于显示基板的方向，第一过孔包括远离第一凹槽一侧的第一表面、靠近第一凹槽一侧且与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面和第二表面之间的第一侧面和第二侧面。

第一凹槽包括与第二表面部分重合的第三表面、与第三表面相对的第四表面以及设置在第三表面和第四表面之间的第三侧面和第四侧面，第一侧面和第三侧面分别位于第一过孔和第一凹槽的一侧，第二侧面和第四侧面分别位于第一过孔和第一凹槽的另一侧。

第一过孔的第一侧面和与该第一过孔对应的第一凹槽的第三侧面之间的距离为0.4微米至0.6微米；

第一过孔的第二侧面和与该第一过孔对应的第一凹槽的第四侧面之间的距离为0.4微米至0.6微米。

在示例性实施方式中，第一柔性基底层和第二柔性基底层的材料相同，第一柔性基底层或第二柔性基底层的材料包括：聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)及聚芳酯(PAR)中的一种或多种的组合。

在示例性实施例中，在平行于显示基板的方向，第一过孔的形状包括以下任意一种或多种：圆形、方形、菱形、平行四边形、五边形、六边形。

在示例性实施例中，在垂直于显示基板的方向，第一过孔的宽度为5至20微米，第一过孔的高度与第一连接层的厚度相同。

在示例性实施例中，在垂直于显示基板的方向，第一凹槽21的高度为1微米至2微米。

本公开示例性实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。本公开显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。在示例性实施方式中，显示装置可以为穿戴式显示装置，能通过某些方式佩戴在人体上，如智能手表、智能手环等。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。