磁体组件、线圈组件、平面马达、定位装置和光刻设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月20日递交的欧洲申请20175785.3的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种包括多个超导线圈的磁体组件、用于这种磁体组件的超导线圈组件、应用这种磁体组件的平面马达、包括这种平面马达的定位装置、以及包括这种定位装置的光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。

随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时，每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“摩尔定律(Moore’slaw)”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比，使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm的范围内的波长，例如6.7mn或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

为了同步地通过所述辐射束扫描所述图案和通过被图案化的图像扫描所述衬底，所述图案形成装置和所述衬底被安装在使用定位装置定位的载物台上。典型地，这种定位装置包括电磁致动器和马达的组合。在典型的布置中，这种定位装置可以包括短行程模块，所述短行程模块用于在相对较小的距离上以6个自由度准确地定位所述图案形成装置或衬底，包括所述图案形成装置或衬底的短行程模块可以通过长行程模块(例如，包括一个或更多个平面马达)在相对较大的距离上移动。这种长行程模块的设计必须满足各种约束，诸如力要求、关于可用覆盖区或占用面积的约束、关于可允许的耗散的约束。

发明内容

本发明的目的是提供一种可以应用于光刻设备中的改善的长行程定位装置。

根据本发明的第一方面，提供一种用于平面电磁马达的磁体组件，所述磁体组件包括：

-多个第一超导(SC)线圈，所述多个第一SC线圈位于外周边内并被布置成诸如矩形图案之类的平面图案；

-多个第二SC线圈，所述多个第二SC线圈沿所述平面图案的外边界布置，

所述多个第一SC线圈中的线圈具有第一平面内形状并且所述多个第二SC线圈中的线圈具有不同于所述第一平面内形状的第二平面内形状，其中，所述多个第二SC线圈至少部分地被布置在所述外周边内。

根据本发明的第二方面，提供一种用于平面电磁马达的磁体组件的超导(SC)线圈组件，所述SC线圈组件包括多个SC线圈。

根据本发明的第三方面，提供一种平面电磁马达，所述平面电磁马达包括根据本发明的磁体组件和线圈组件，所述线圈组件被配置成与所述磁体组件配合，从而在使用期间产生电磁力，以使所述线圈组件相对于所述磁体组件移位。

根据本发明的第四方面，提供一种包括根据本发明的平面电磁马达的光刻设备。

附图说明

现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，在附图中：

-图1描绘了光刻设备的示意性概略图；

-图2描绘图1的光刻设备的一部分的详细视图；

-图3示意性地描绘了位置控制系统；

-图4示意性地描绘了本领域中已知的平面电磁马达的俯视图。

-图5示意性地示出了具有超导线圈的磁体组件。

-图6a至图6c示意性地示出了根据本发明的磁体组件。

-图7和图8示意性地示出了根据本发明的线圈和线圈组件，所述线圈和线圈组件可以被应用于根据本发明的磁体组件中。

-图9示意性地示出了根据本发明的实施例的磁体组件的一部分。

-图10示意性地示出了根据本发明的SC线圈组件的截面图。

具体实施方式

在本文中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和EUV辐射(极紫外辐射，例如具有在约5nm至100nm的范围内的波长)。

如本发明中采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为是指可以被用于向入射辐射束赋予被图案化的横截面的通用图案形成装置，所述被图案化的横截面对应于将要在衬底的目标部分中产生的图案。在这种情境下，也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射型或反射型、二元、相移、混合型等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：照射系统(也被称为照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，被连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底支撑件的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯的部分)上。

在操作中，照射系统IL例如通过束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束。所述照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件，或其任何组合。所述照射器IL可以被用于调节所述辐射束B以在其横截面中在图案形成装置MA的平面处具有期望的空间性强度分布和角强度分布。

本发明中使用的术语“投影系统”PS应被广泛地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射和/或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学系统或其任何组合。本文中使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”PS是同义的。

光刻设备LA可以属于如下类型：衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间——这也被称为浸没式光刻术。以引用方式并入本发明中的US 6952253中给出关于浸没技术的更多信息。

光刻设备LA也可以属于具有两个或更多个衬底支撑件WT(也称为“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以在对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W上进行准备衬底W的后续曝光的步骤的同时将另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于曝光在另一衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT以外，光刻设备LA也可以包括测量平台。所述测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。所述传感器可以被布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。所述测量平台可以保持多个传感器。所述清洁装置可以被布置成清洁光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或系统的提供浸没液体的一部分。所述测量平台可以在所述衬底支撑件WT远离所述投影系统PS时在所述投影系统PS下方移动。

在操作中，所述辐射束B入射到保持在所述掩模支撑件MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置MA上呈现的图案(设计布局)来图案化。在已横穿所述图案形成装置MA的情况下，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位器PW和位置测量系统IF，可以准确地移动所述衬底支撑件WT，例如以便在聚焦且对准的位置处在所述辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，所述第一定位器PM和可能地另一位置传感器(在图1中未明确地描绘)可以被用于相对于所述辐射束B的路径来准确地定位所述图案形成装置MA。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然如所图示的所述衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但所述标记P1、P2可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于所述目标部分C之间时，这些衬底对准标记P1、P2被称为划线对准标记。

为了阐述本发明，使用笛卡儿坐标系。所述笛卡儿坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。所述三个轴中的每个轴与其它两个轴是正交的。围绕x轴的转动被称为Rx转动。围绕y轴的转动被称为Ry转动。围绕z轴的转动被称为Rz转动。x轴和y轴限定水平面，而z轴沿竖直方向。所述笛卡儿坐标系不限于本发明且仅用于阐述。作为替代，可以使用另一坐标系(诸如，柱面坐标系)来阐述本发明。所述笛卡儿坐标系的方向可以是不同的，例如，使得z轴具有沿水平面的分量。

图2示出图1的光刻设备LA的一部分的更详细的视图。光刻设备LA可以被设置有基部框架BF、平衡块体BM、量测框架MF和振动隔离系统IS。所述量测框架MF支撑投影系统PS。另外，所述量测框架MF可以支撑所述位置测量系统PMS的一部分。所述量测框架MF由所述基部框架BF经由所述振动隔离系统IS来支撑。所述振动隔离系统IS被布置成防止或减少从所述基部框架BF传播至所述量测框架MF的振动。

第二定位器PW被布置成通过提供所述衬底支撑件WT与所述平衡块体BM之间的驱动力来加速所述衬底支撑件WT。所述驱动力沿期望的方向来加速所述衬底支撑件WT。由于动量守恒，所述驱动力也以相等的量值但与所述期望的方向相反的方向施加至所述平衡块体BM。典型地，所述平衡块体BM的质量显著地大于所述第二定位器PW和所述衬底支撑件WT的运动部件的质量。

在实施例中，所述第二定位器PW由所述平衡块体BM支撑。例如，其中，所述第二定位器PW包括平面马达，以用于使所述衬底支撑件WT悬浮在所述平衡块体BM上方。在另一实施例中，所述第二定位器PW由所述基部框架BF支撑。例如，其中，所述第二定位器PW包括直线电动机并且其中所述第二定位器PW包括轴承(如气体轴承)，以用于使所述衬底支撑件WT悬浮在所述基部框架BF上方。

所述位置测量系统PMS可以包括适于确定所述衬底支撑件WT的位置的任何类型的传感器。所述位置测量系统PMS可以包括适于确定所述掩模支撑件MT的位置的任何类型的传感器。所述传感器可以是光学传感器，诸如干涉仪或编码器。所述位置测量系统PMS可以包括干涉仪和编码器的联合系统。所述传感器可以是另一类型的传感器，诸如磁性传感器、电容传感器或感应传感器。所述位置测量系统PMS可以确定相对于参考物(例如，所述量测框架MF或投影系统PS)的位置。所述位置测量系统PMS可以通过测量所述位置或通过测量所述位置的时间导数(诸如，速度或加速度)来确定衬底台WT和/或所述掩模支撑件MT的位置。

所述位置测量系统PMS可以包括编码器系统。编码器系统根据例如从2006年9月7日递交的美国专利申请US2007/0058173A1而已知，所述美国专利申请由此通过引用并入。所述编码器系统包括编码器头、光栅和传感器。所述编码器系统可以接收初级辐射束和次级辐射束。所述初级辐射束以及所述次级辐射束两者都起源于同一辐射束，即原始辐射束。所述初级辐射束和所述次级辐射束中的至少一个辐射束通过用所述光栅来衍射所述原始辐射束而产生。如果所述初级辐射束和所述次级辐射束两者都通过用所述光栅衍射所述原始辐射束而产生，则所述初级辐射束需要具有与所述次级辐射束不同的衍射阶。不同的衍射阶例如是+1阶、-1阶、+2阶和-2阶。所述编码器系统将所述初级辐射束和所述次级辐射束光学地组合成组合辐射束。所述编码器头中的传感器确定所述组合辐射束的相位或相位差。所述传感器基于所述相位或相位差来产生信号。所述信号表示所述编码器头相对于所述光栅的位置。所述编码器头和所述光栅中的一个可以被布置在所述衬底结构WT上。所述编码器头和所述光栅中的另一个可以被布置在所述量测框架MF或所述基部框架上。例如，多个编码器头被布置在所述量测框架MF上，而光栅被布置在所述衬底支撑件WT的顶表面上。在另一示例中，光栅被布置在所述衬底支撑件WT的底表面上，并且编码器头被布置在所述衬底支撑件WT下方。

所述位置测量系统PMS可以包括干涉仪系统。编码器系统根据例如从1998年7月13日递交的美国专利申请US6,020,964已知，所述美国专利申请由此通过引用并入。所述干涉仪系统可以包括分束器、反射镜、参考反射镜和传感器。辐射束由所述分束器拆分成参考束和测量束。所述测量束传播至所述反射镜并由所述反射镜反射回到所述分束器。所述参考束传播至所述参考反射镜并由所述参考反射镜反射回到所述分束器。在所述分束器处，所述测量束和所述参考束被组合成组合辐射束。组合辐射束入射到传感器上。传感器确定组合辐射束的相位或频率。所述传感器基于所述相位或所述频率来产生信号。所述信号表示所述反射镜的位移。在实施例中，所述反射镜被连接至所述衬底支撑件WT。所述参考反射镜可以被连接至所述量测框架MF。在实施例中，所述测量束和所述参考束通过额外的光学部件而不是所述分束器而被组合成组合辐射束。

所述第一定位器PM可以包括长行程模块和短行程模块。所述短行程模块被布置成以较高准确度在较小范围的移动上相对于所述长行程模块移动所述掩模支撑件MT。所述长行程模块被布置成以相对较低的准确度在较大范围的移动上相对于所述投影系统PS移动所述短行程模块。使用所述长行程模块和所述短行程模块的组合，所述第一定位器PM能够以较高准确度在较大范围的移动上相对于所述投影系统PS移动所述掩模支撑件MT。类似地，所述第二定位器PW可以包括长行程模块和短行程模块。所述短行程模块被布置成以较高准确度在较小范围的移动上相对于所述长行程模块移动所述衬底支撑件WT。所述长行程模块被布置成以相对较低的准确度在较大范围的移动上相对于所述投影系统PS移动所述短行程模块。使用所述长行程模块和所述短行程模块的组合，所述第二定位器PW能够以较高准确度在较大范围的移动上相对于所述投影系统PS移动所述衬底支撑件WT。

所述第一定位器PM和所述第二定位器PW各自被设置有分别用于移动所述掩模支撑件MT和所述衬底支撑件WT的致动器。所述致动器可以是用于提供沿单个轴线(例如，y轴)的驱动力的线性致动器。多个线性致动器可以应用于提供沿多个轴线的驱动力。所述致动器可以是用于提供沿多个轴线的驱动力的平面致动器。例如，所述平面致动器可以被布置成以6个自由度移动所述衬底支撑件WT。所述致动器可以是包括至少一个线圈和至少一个磁体的电磁致动器。所述致动器被布置成通过向所述至少一个线圈施加电流来相对于所述至少一个磁体移动所述至少一个线圈。所述致动器可以是动磁型致动器，所述动磁型致动器具有分别联接至所述衬底支撑件WT和所述掩模支撑件MT的所述至少一个磁体。所述致动器可以是动圈型致动器，所述动圈型致动器具有分别联接至所述衬底支撑件WT和所述掩模支撑件MT的所述至少一个线圈。所述致动器可以是音圈致动器、磁阻致动器、洛伦兹致动器或压电致动器，或任何其它适合的致动器。

所述光刻设备LA包括位置控制系统PCS，如图3中示意性地描绘的。所述位置控制系统PCS包括设置点产生器SP、前馈控制器FF和反馈控制器FB。所述位置控制系统PCS向所述致动器ACT提供驱动信号。所述致动器ACT可以是所述第一定位器PM或所述第二定位器PW的致动器。所述致动器ACT驱动设施P，所述设施P可以包括所述衬底支撑件WT或所述掩模支撑件MT。所述设施P的输出是位置量，诸如位置或速度或加速度。所述位置量用所述位置测量系统PMS来测量。所述位置测量系统PMS产生作为表示所述设施P的位置量的位置信号的信号。所述设置点产生器SP产生作为表示所述设施P的期望的位置量的参考信号的信号。例如，所述参考信号表示所述衬底支撑件WT的期望的轨迹。所述参考信号与所述位置信号之间的差形成所述反馈控制器FB的输入。基于所述输入，所述反馈控制器FB为所述致动器ACT提供所述驱动信号的至少一部分。所述参考信号可以形成所述前馈控制器FF的输入。基于所述输入，所述前馈控制器FF为所述致动器ACT提供所述驱动信号的至少一部分。所述前馈FF可以利用与所述设施P的动力学特性有关的信息，诸如质量、刚度、谐振模式和本征频率。

在本发明中，描述了一种改善的电磁马达，特别是平面电磁马达。典型地，平面电磁马达包括磁体组件和线圈组件。在图4中，示意性地示出了本领域中已知的平面马达的俯视图。平面马达100包括磁体组件200，所述磁体组件包括多个永磁体210，所述多个永磁体被配置成在两个方向(X方向和Y方向)上产生空间交变磁场。注意，空间交变磁场将具有沿X方向、Y方向以及Z方向(垂直于X方向和Y方向)的分量。与由白色正方形指示的磁体相比，由灰色正方形指示的磁体具有相反的磁极化。如由灰色正方形所指示的磁体可以例如产生垂直于附图的平面且向内的磁场，而如由白色正方形所指示的磁体可以例如产生垂直于附图的平面且向外的磁场。

所述平面马达100还包括线圈组件220，所述线圈组件被配置成通过向线圈组件220的线圈或线圈组220.1、220.2、220.3和220.4提供适当的电流来产生沿X方向和Y方向的力。在所示的实施例中，每个线圈组包括三个一组的线圈。通过线圈组的适当供电，可以由通过线圈组件220的线圈的电流和磁体组件200的磁场的相互作用产生力。箭头250示意性地表示当被供电时可以由不同的线圈组产生的力。如本领域技术人员将理解的，通过不同的线圈组的适当供电，线圈组件以及安装到其上的任何物体可以被移位并被定位在所指示的XY平面中，并且可以围绕垂直于XY平面的轴线旋转。还可以指出，通过线圈组的适当供电，也可以产生平面外的力，即不平行于XY平面的力。通过这样做，可以补偿线圈组件220的重量，并且可以通过所产生的电磁力使线圈组件(例如，与安装到其上的载物台一起)悬浮。通常，线圈组件220因此可以相对于磁体组件200以六个自由度(即三个平移自由度和三个旋转自由度)来定位。

作为使用诸如永磁体210之类的永磁体来产生操作诸如平面马达100之类的平面电磁马达所需的磁场分布的替代方案，已经提出使用超导(SC)线圈。在这样的实施例中，当线圈被供应电流时，圆形或筒形线圈可以用于沿线圈的轴向方向产生磁场。通过线圈和电源电流的适当布置，可以获得磁体组件，所述磁体组件在使用时产生二维空间交变磁场，类似于由图4中所示的磁体组件200产生的磁场。图5示意性地示出了超导(SC)线圈310的磁体组件300的俯视图，所述磁体组件当被供电时可以产生二维空间交变磁场。在所述SC线圈310中的箭头320指示在SC线圈310中流动的电流的方向。

虽然与类似的永磁体阵列210相比，超导线圈310的这种磁体组件能够产生大得多的磁场，但是已经观察到由这样的阵列产生的磁场是次优的。

因此，本发明的目的是进一步改善用于装备有超导线圈的平面马达的磁体组件，并改善可以应用于这种磁体组件中的超导线圈。

当设计诸如平面马达之类的电磁马达时，有利的是确保马达的线圈组件(例如，图4所示的线圈组件220)能够在由磁体组件(例如，图4所示的磁体组件200)覆盖的整个区域上操作。然而，在磁体组件的边缘或边界处或附近，所产生的磁场可能不具有对于所述马达实现其要求来说相同的期望或所需的特性。在磁体组件300或磁体组件200的边缘处或附近，磁场将逐渐遭受边缘效应，从而导致和与其配合的线圈组件的相互作用减少或变差。因此，相对于磁体组件，线圈组件可以操作的面积将通常将小于由磁体或SC线圈所覆盖的面积，而不会对马达性能产生不利影响。仅作为说明，图5中所示的虚线340示意性地表示平面马达的线圈组件的操作区域，所述平面马达使用磁体组件300来产生二维空间交变磁场。因此，虚线340内的区域是用于操作马达的实际有用区域，而如虚线350所示，磁体组件的外周边内的区域与由马达覆盖的实际覆盖区相关。因此，在磁体组件300的边缘处或附近产生的磁场的变化或减小导致由磁体组件300覆盖的区域的一部分是低效的或无效的。

当考虑磁体(永磁体210或超导线圈310)的分布时，如分别在图4和图5中示出的，可以观察到沿磁体组件的边缘的磁体图案稍微具有锯齿状或齿状，即沿磁体的2D图案没有平滑的边缘。换句话说，可以沿磁体组件的边缘观察到存在未被SC线圈310覆盖的较小间隙或开放区域360。发明人已经观察到，所产生的磁场的不均匀性或变化可以通过在沿磁体组件的边缘的开放区域360中应用额外的SC线圈来至少部分地补偿。当这样做时，可以因此扩大用于操作马达的有用区域340。通过在沿磁体组件300的边缘或边界的开放区域360中应用额外的SC线圈，可以减轻在磁体组件的边缘附近产生的磁场的不均匀性或变化。

还可以指出，与用于产生二维空间交变磁场的SC线圈310相比，所应用的额外的SC线圈需要具有不同的形状或尺寸。特别地，为了装配到诸如区域360之类的开放区域中，额外的SC线圈的平面内形状优选地不同，以最有效地填充所述开放区域。作为示例，所述额外的SC线圈可以例如是楔形或三角形的。在这方面，平面内是指磁体组件的平面，SC线圈310的阵列沿所述平面延伸。因此，可以将线圈的平面内形状视为可以从俯视图看到的形状。

因此，根据本发明的一个方面，提供一种用于平面电磁马达的磁体组件，其中所述磁体组件包括第一组SC线圈和第二组SC线圈，所述第一组SC线圈例如用于产生二维空间交变磁场，所述第二组SC线圈也可以被称为额外的或辅助的SC线圈，以用于改善在磁体组件的边缘处或附近的磁场的均匀性。

这样的磁体组件因此可以被描述为包括：

-多个第一超导(SC)线圈，所述多个第一SC线圈被布置成平面图案，以及

-多个第二SC线圈，所述多个第二SC线圈沿所述平面图案的外边界布置，所述多个第一SC线圈中的线圈具有第一平面内形状，并且所述多个第二SC线圈中的线圈具有不同于所述第一平面内形状的第二平面内形状。

在本发明的实施例中，被应用在根据本发明的磁体组件中的多个第二SC线圈被配置成在使用时至少部分地补偿由所述第一组SC线圈在使用时产生的磁场的不均匀性，所述不均匀性发生在所述平面图案的外边界处或附近。如上文所解释的，通过用额外的SC线圈至少部分地填充沿磁体组件的边缘的间隙或开放空间，可以减轻磁体组件的边界或边缘附近的不均匀性，从而增大平面马达的有用或有效的操作区域或面积。

特别地，在这样的实施例中，所述多个第二SC线圈被配置成在使用时至少部分地补偿由所述第一组线圈在使用时产生的磁场的不均匀性，所述不均匀性发生在所述平面图案的外边界处或附近。

参考图5，沿磁体组件300的边缘应用额外的SC线圈因此可以导致使用磁体组件300产生二维空间交变磁场的平面马达的扩大的有用区域340。

在本发明的实施例中，第二组SC线圈的尺寸和大小被设计成使得它们不延伸超出磁体组件300的外周边，特别是由第一组SC线圈描述的磁体组件的外周边350。参考图5，第一组SC线圈310所描述的磁体组件300的外周边350可以例如被定义为包围所有SC线圈310的最小矩形。通过确保第二组SC线圈不延伸超过磁体组件300的外周边，磁体组件300的覆盖区基本上不受添加第二组SC线圈的影响。

根据本发明的另一方面，提供一种用于平面马达的磁体组件，所述磁体组件具有例如用于产生二维空间交变磁场的多个SC线圈，所述SC线圈具有大致多边形形状。特别地，在本发明的实施例中，所应用的多个SC线圈被成形为使得线圈的平面内形状的外边界具有大致多边形形状。参考上述实施例，所述实施例具有呈第一平面内形状的多个第一SC线圈和呈第二平面内形状的多个第二SC线圈，因此，本发明的实施例可以包括磁体组件，由此第一平面内形状或第二平面内形状、或者第一平面内形状和第二平面内形状两者都具有呈大致多边形形状的外边界。

应提出，通过使用具有大致多边形形状的SC线圈，可以更好地利用磁体组件的可用覆盖区。参考图5，可以指出的是，在磁体组件300的圆形SC线圈310之间存在间隙或开放区域370，这些间隙或开放区域不有助于磁场的产生。话句话说，用于产生磁场的SC线圈310的填充因子是次优的。

发明人已经观察到，通过使用不同形状的SC线圈，特别是当使用多边形时，可以实现改善的磁场产生。在本发明的实施例中，第一平面内形状的外边界具有大致三角形形状、大致矩形形状、大致八边形形状或大致六边形形状。

图6a示意性地示出了根据本发明的磁体组件的第一示例，其中应用了多边形形状。图6a示意性地示出了根据本发明的实施例的磁体组件400的一部分，磁体组件400包括多个第一SC线圈410，所述SC线圈410具有大致多边形外边界，特别是矩形或正方形外边界410.1。

可以看出，使用大致方形的SC线圈410，而不是图5所示的大致圆形SC线圈310，导致更有效地使用磁体组件的覆盖区，因为在相邻的SC线圈410之间的间隙470大致小于在图5中所示的相邻的圆形SC线圈310之间的间隙370。在所述SC线圈410中的箭头420指示在使用期间流动通过SC线圈410的电流的方向。可以看出，所施加的电流方向导致顺时针和逆时针流动的电流在空间上交变的模式，从而产生空间上交变的磁场，这通常被描述为北极和南极的二维阵列，由此每个极可以与磁体组件400的SC线圈410相关联。

在如图6a所示的实施例中，磁体组件400还包括沿磁体组件400的边缘布置的第二组或多个SC线圈430，所述第二组SC线圈中的线圈430具有大致三角形形状。特别地，多个第二线圈430中的线圈的平面内形状的外边界430.1具有大致三角形形状。可以示出，第二组SC线圈的使用减轻了由第一组线圈410产生的磁场的不均匀性，从而增大了磁体组件在用于平面马达中时的有效操作区域或有用区域。

虽然图6a中所示的示例使用矩形和三角形线圈，但是本领域技术人员将理解，如上所述，也可以应用其它平面内形状或不同平面内形状的特定组合。使用这样的其它多边形形状的线圈还可以提供可用覆盖区的改善的填充因子和/或在磁体组件的边缘或边界处或附近的磁场的改善的均匀性。

关于沿磁体组件400的边缘布置的第二组或多个SC线圈430的使用，可以指出，可以应用替代的线圈或绕组，从而导致对边缘处或附近的磁场的均匀性的类似影响。图6b示意性地示出了这种布置。

图6b示意性地示出了包括第一组SC线圈510的磁体组件500，所述第一组SC线圈可以与SC线圈410相似或相同。箭头520指示在使用时在SC线圈510中流动的电流的方向。磁体组件500还包括遵循直线路径或轨迹(诸如SC线圈530.1和530.2)或者遵循曲折或之字形路径或轨迹(SC线圈530.3和530.4)的第二组SC线圈或绕组530，而不是使用诸如图6a中所示的线圈430的三角形线圈。箭头530.5、530.6、530.7和530.8指示各个SC线圈530.1、530.2、530.3和530.4中的电流方向。如本领域技术人员将理解的，由图6b中示意性示出的第二组SC线圈530产生的磁场可以类似于由图6a中所示的SC线圈430产生的磁场。与SC线圈430相比，如图6b中示意性示出的SC线圈530不具有或不需要相对尖锐的边缘或拐角。因此，可以更容易地实现SC线圈530的所需的弯曲半径。

图6c示意性地示出了可以应用于本发明的实施例中的另一替代线圈或绕组布置。图6c示意性地示出了包括第一组SC线圈610的磁体组件600，所述第一组SC线圈可以与SC线圈410相似或相同。箭头620指示在使用时在SC线圈610中流动的电流的方向。磁体组件600还包括第二组SC线圈630，而不是使用诸如图6a中所示的线圈430的三角形线圈。第二组SC线圈包括具有大致矩形的平面内形状的第一SC线圈630.1和沿SC线圈610的周边遵循曲折或之字形路径或轨迹的第二SC线圈630.2。在所示的实施例中，线圈630.1和630.2都围绕第一组SC线圈610。箭头630.3和630.4表示在使用期间在各个SC线圈630.1和630.2中流动的电流的方向。如本领域技术人员将理解的，由图6c中示意性示出的第二组SC线圈630产生的磁场可以类似于由图6a中所示的SC线圈430产生的磁场。与SC线圈430相比，如图6c中示意性示出的SC线圈630不具有或不需要相对尖锐的边缘或拐角。因此，可以更容易地实现SC线圈630的所需的弯曲半径。

还可以指出，使用多边形线圈能够实现SC线圈的紧密或较紧密的封装，这能够实现从线圈到线圈的改善的力传递，并且便于线圈的机械安装，使得能够适应线圈之间的相互作用力。在这方面，可以指出，特别是对于在磁体组件的边缘处或附近的SC线圈来说，在使用过程中，较大的平面内力作用于SC线圈。

根据本发明的又一方面，对SC线圈提出了各种改善，所述SC线圈可用于磁体组件，例如根据本发明的磁体组件。

作为第一示例，公开了一种SC线圈，由此所述线圈的外宽度沿大致垂直于平面图案的平面的轴向方向变化。

这种SC线圈在图7中示意性地示出。图7(a)和图(b)示意性地示出了两个SC线圈700、750的截面图。在图7(a)和图7(b)中，虚线AD表示SC线圈700、750的轴向方向。它可以例如表示线圈绕其缠绕的轴线。轴向方向AD也可以称为线圈700、750的纵向轴线。然而注意，线圈不必是圆形或筒形线圈，SC线圈700或线圈750的平面内形状(即在大致垂直于轴向方向AD的方向上的形状)可以例如是多边形形状，如上所述。

如图7中示意性地示出的，SC线圈700、750的外宽度Wo沿轴向方向AD变化。SC线圈700具有线圈的外宽度(Wo)沿轴向方向逐渐变化的部分。这样的部分也可以称为锥形部分。因此，如图7(a)中示意性示出的SC线圈700可以被描述为具有包括锥形形状的横截面的线圈。SC线圈750在沿轴向方向AD的外宽度Wo上具有更陡峭的变化。

在如图7(a)和图(b)所示的实施例中，线圈的内宽度(Wi)沿轴向方向(AD)是大致恒定的。

关于这种线圈700、750的制造，可以指出，SC线圈通常使用带或条带状超导体缠绕。这种带或条带状超导体可以被绝缘层包裹或包围。可选地，所述超导带或条带可以由非绝缘层或导电层(诸如金属层)包围。

在实施例中，具有变化的外宽度Wo的SC线圈700、750可以由具有沿其长度L变化的高度H的带状超导体制造。这种导体725在图7(c)中示意性地示出。图7(c)示意性地示出了具有长度L和初始高度H1的带状导体725，所述初始高度H1对应于在SC线圈内侧的SC线圈700的高度，所述高度逐渐改变为高度H2，SC线圈700的高度位于SC线圈的外侧。在将离散的或更陡峭的高度变化施加至带状超导体725的情况下，可以获得如图7(b)所示的SC线圈。

作为替代方案，还可以通过以下方式获得沿轴向方向或纵向轴线具有变化的宽度的SC线圈：

-使用沿其长度具有大致恒定高度的带状超导体缠绕SC线圈，并且

-在缠绕SC线圈之后，去除任何多余的材料以实现期望的横截面形状。

图7(d)示意性地图示出根据图7(a)的线圈700的该过程。在图7(d)中，通过在第一步骤中沿其整个长度缠绕具有高度H1的SC带以实现具有矩形横截面的线圈(如由虚线710所指示的)，然后通过第二步去除任何多余的材料以实现期望的横截面，来获得SC线圈700。多余材料的去除例如可以通过适当的切割操作来实现。

对于具有变化的外宽度Wo的SC线圈(诸如，线圈700或750)，可以提到以下优点。

首先，可以指出，具有变化的外宽度Wo的SC线圈以更有利的电流分布来操作。如本领域技术人员将理解的，如上所述的线圈700和750在内部绕组中将具有与外部绕组相比不同的电流分布。由于外部绕组具有较小的高度，因此在线圈的外部或在线圈的外部绕组中的电流密度将高于在内部绕组中的电流密度。已经观察到，这种电流分布能够使用较小的SC线圈体积来产生类似的磁场。在这方面，可以指出，线圈的内部绕组中的电流密度的上限可以小于外部绕组中的电流密度的上限。如本领域技术人员将理解的，施加在SC线圈中的电流密度具有使超导体保持在超导状态的上限，其中所述上限尤其依赖于在超导体的位置处的局部磁场。因此，已经观察到，适用的电流密度的所述上限在SC线圈的整个横截面上不是恒定的。特别地，已经观察到，在线圈的外部绕组中允许与内部绕组相比更高的电流密度。因此，如图7中示意性示出的线圈可以被认为具有优化的横截面形状，从而导致改善的电流和电流密度分布。SC线圈700和750因此可以以与具有沿其长度具有相同的高度的超导体的线圈相同的安培匝数(Ampere-tums)来操作，但需要较小的体积。

在评述SC线圈700和750的横截面时，可以将这些横截面视为与仅使用具有恒定高度的带状导体缠绕线圈时将获得的矩形横截面相比减小的横截面。换句话说，具有变化的外宽度Wo的SC线圈的结构已经空出了一体积，否则该体积将被SC线圈占据。在图7(a)中，所示空出的体积由虚线三角形730指示，在图7(b)中，所述空出的体积由虚线矩形740指示。

在本发明的实施例中，所述空出的体积730或740被用于改善SC线圈700或SC线圈750的热调节。特别地，在实施例中，空出的容积730、740可以被用于容纳诸如冷却翅片之类的冷却结构或容纳可以设置有冷却剂的冷却通道。

替代地，空出的体积730或740可以被另外的SC线圈占据。或者，空出的体积可以保持为空。在这种情况下，可以减小其中使用SC线圈的磁体组件的质量。

可以指出，如图7中示意性示出的SC线圈700或SC线圈750可以被应用于诸如根据本发明的磁体组件之类的磁体组件中，其中SC线圈700被用于多个第一SC线圈或多个第二线圈中或这两者中。

作为具有改善的特性并且可以有利地被应用于根据本发明的磁体组件中的SC线圈的第二示例，所述第二示例是包括多个线圈的SC线圈。在这样的实施例中，当应用于根据本发明的磁体组件中时，磁场的磁极不是由单个线圈(例如，图6中所示的SC线圈410中的一个SC线圈)产生的，而是由多个线圈的组合产生的。在本发明的含义内，配置成在用于产生磁极的磁体组件中使用的多个SC线圈的这种组合被称为超导(SC)线圈组件。

在实施例中，这种SC线圈组件的多个线圈可以例如具有相同的轴向方向或纵向轴线。

以下附图示意性地示出了根据本发明的SC线圈组件的各个实施例。

图8(a)示意性地示出了根据本发明的SC线圈组件800的截面图，SC线圈组件800包括内侧线圈810和外侧线圈820。在所示的实施例中，内侧线圈810具有高度Hi，而外侧线圈820具有高度Ho。在如图所示的实施例中，Hi>Ho。

可以指出，如图8(a)中示意性示出的SC线圈组件800可以提供与参考图7所述的SC线圈700和750大致相同或相似的优点，并且提供额外的设计自由度以进一步优化SC线圈组件的性能。特别地，如本领域技术人员将理解的，在实施例中，SC线圈810和820可以由单独的电源供电，使得能够独立地选择各线圈中的电流和电流密度。这样，可以选择成使得外侧线圈820中的电流密度稍微高于内线圈中的电流密度。可选地，线圈810和820可以被串联连接并由相同的电源供电。假设内侧线圈810中的绕组的横截面较大，则内侧线圈810中的电流密度将小于外侧线圈820中的电流密度。然而应注意，当应用多个线圈时，所述多个线圈不需要由相同类型的超导体制造。在根据本发明的SC线圈组件中使用多个线圈提供额外的设计自由度，因为每个线圈可以关于所使用的尺寸或材料被独立地设计。还可以指出，不同的线圈也可以具有不同的绕组配置。绕组配置可以例如涉及线圈的绕组的数量，但是也可以涉及并联的两个或更多个超导体的绕组。作为示例，例如可以使用并联的两个超导体带缠绕内侧线圈810，而外侧线圈820仅使用一个超导体带缠绕。通过这样做，可以建立SC线圈组件中的不同的线圈中的电流密度的进一步差异。

在如图8(a)所示的实施例中，还可以看出，由于选择Hi>Ho，并且通过布置SC线圈810和820，使得它们的顶表面TSi和Tso被齐平地布置，因此可以用于以类似于参考图7所论述的体积730和740的方式改善SC线圈组件的热调节的体积830是能够获得的。

在实施例中，应用在根据本发明的SC线圈组件中的不同SC线圈可以具有相同或大致相同的平面内形状，或者可以具有不同的平面内形状。参考图8(a)，SC线圈810和820因此可以具有例如具有共用对称轴线AD的筒形线圈。替代地，SC线圈810和820都可以具有大致相同的多边形形状，例如，三角形平面内形状、矩形平面内形状、六边形平面内形状或八边形平面内形状。

可选地，如图8(b)中图示的，在根据本发明的SC线圈组件中应用的不同的SC线圈可以具有不同的平面内形状。图8(a)示意性地描绘了根据本发明的SC线圈组件850的平面内视图，所述SC线圈组件包括内线圈852和外线圈854。在所示的实施例中，内线圈852具有大致圆形或筒形形状，而外线圈854具有大致矩形或正方形形状。可以指出，多边形SC线圈和筒形SC线圈的这种组合提供额外的设计自由度。通过使用多边形外SC线圈854，当SC线圈组件被用于根据本发明的磁体组件中时，可以获得有利的填充因子。如已经指出的，线圈的这种紧密的封装进一步导致从线圈到线圈的更有利的力传递。参考图8(b)，可以指出，例如可以通过选择线圈854的内宽度Wi来获得有利的填充因子，以大致对应于内线圈852的外直径Do。在实施例中，内SC线圈852与外SC线圈854之间的一个或更多个空间860优选地填充有支撑结构，所述支撑结构可以例如包括合适的成形楔或楔形插入件，以确保SC线圈852与854之间的良好限定的相对位置。还可以指出，冷却功能也可以被结合到支撑结构中或被支撑结构并入。而且，类似于SC线圈810和820，SC线圈852和854可以具有不同的横截面尺寸，可以具有不同的绕组配置，可以由不同的材料或不同的超导体制成。SC线圈852和854可以由单个超导体串联地缠绕，或者可以被分别地或单独地缠绕。

当应用于根据本发明的磁体组件中时，诸如SC线圈组件850之类的多个SC线圈组件可以被用于产生二维空间交变磁场。图9示意性地示出了这种磁体组件900的一部分，其中4个SC线圈组件910被紧密地封装，每个SC线圈组件910包括筒形内SC线圈912和多边形外SC线圈914，特别是方形外SC线圈。SC线圈中的箭头指示线圈中的电流方向。

在根据本发明的SC线圈组件的又一实施例中，SC线圈组件包括沿轴向方向布置的多个线圈。同样，所述多个线圈可以具有不同的特性，诸如不同的绕组配置、尺寸和/或所使用的材料。

图10示意性地示出了根据本发明的SC线圈组件的截面图，其中使用多个线圈，包括沿轴向方向布置的多个线圈。特别地，图10示意性地示出了包括4个线圈1010、1020、1030、1040的SC线圈组件1000的截面图。

在所示的实施例中，SC线圈1010可以被称为底部线圈，SC线圈1040可以被称为顶部线圈，SC线圈1020和1030可以被称为沿轴向方向AD布置在底部线圈1010与顶部线圈1040之间的中间线圈。在该对中间线圈1020、1030中，线圈1020可以被称为内中间线圈，而线圈1030可以被称为外中间线圈。以如上所述的类似方式，SC线圈组件1000的不同线圈可以具有不同的特性，诸如不同的绕组特性、不同的尺寸和/或不同的材料特性。关于后者，可以指出，将具有不同晶粒定向的超导体应用于不同的线圈可能是有利的。在这方面，可以指出，超导体的载流能力在很大程度上依赖于超导体的位置处的磁场定向。特别地，超导体的载流能力可以例如在局部磁场(也称为B场)大致平行于带状超导体的表面的位置处是4倍。因此，当设计用于磁体组件的SC线圈组件时，考虑所产生的磁场的局部定向可能是有利的。在图10中，示意性地示出了一些磁场线1050。当已知SC线圈组件的预期磁场分布时，例如在选择不同线圈中的可允许电流密度时，可以将其考虑在内。如在图10中可以看到的，中间线圈1020、1030可能经历大致平行于用于缠绕线圈的带或条带状超导体的表面的磁场。然而，SC线圈1010和1040也经历具有径向分量的磁场。鉴于这种磁场分布，例如可以在SC线圈1020和1030中施加与线圈1010和1040相比更大的电流密度。可选地，对于SC线圈组件的不同线圈，可以应用具有不同晶粒定向的超导体。通过这样做，可以增加线圈中的可允许的电流密度。特别地，当为线圈1010或1040的超导体的晶粒定向选择合适的晶粒定向时，可以增大这些线圈的电流承载能力，即载流能力。因此，在本发明的实施例中，提供SC线圈组件，由此应用具有不同晶粒定向的线圈，从而提高了SC线圈组件的线圈的载流能力。在实施例中，施加在SC线圈组件的顶部线圈中的超导体因此可以具有与施加在底部线圈中的超导体或施加在SC线圈组件中的中间线圈中的超导体不同的晶粒定向。

在本发明的实施例中，应用在根据本发明的磁体组件或根据本发明的SC线圈组件中的SC线圈利用非绝缘式超导体或金属绝缘式超导体。发明人已经观察到，将这种超导体应用在用于平面电磁马达的磁体组件中可以提供额外的优点。例如可以指出，省略超导带或条带周围的绝缘层允许施加更高的电流密度并导致更高的机械强度。另外的优点包括改善的机械和热性质、对于超导层中的局部缺陷的增强的鲁棒性、以及自保护能力。特别地，可以指出，超导体的冷却得到改善和促进。当施加绝缘层以制造SC线圈时，线圈的每一匝都与相邻的匝完全电绝缘，并且因此也与相邻的匝完全热绝缘。在超导层中出现缺陷的情况下，电流只能流过所述匝的稳定层，从而导致较大的局部欧姆损耗。因为绝缘层还阻挡了可能的热流，所以可能会发生局部热点或热斑，从而导致超导体中的淬火，即从超导状态到正常欧姆特性的不可控制的转变。

还可以指出，绝缘层(例如，包括聚酰亚胺)的不同机械性能，关于其它层，诸如作为载体的Hastelloy(哈斯特洛合金)或任何钢变体和作为稳定层的铜，可能会导致超导体具有较强的各向异性。

这对线性或平面马达所需的典型阵列或网格布置中的超导磁体的机械设计提出了重大挑战。作为示例，两个相邻的SC线圈之间的相互作用力可以使得可能发生超导线圈的分层。另外，在诸如用于光刻设备中的定位装置之类的精密驱动器中的应用中，SC线圈的公差和定位精度将保持在严格的边界内，以限制所产生的力的不准确性。则使用相当软的材料(例如，聚酰亚胺)可能会成为障碍。此外，可以提到，在诸如光刻设备的定位装置之类的精密驱动器中，机械的本征频率和本征模式确定驱动器的控制系统的可实现的带宽。同样，应用相对“软”的绝缘层将限制可实现的机械本征频率，从而限制用于控制定位装置的可实现的带宽。

因此，在本发明的实施例中，使用不具有绝缘层的SC线圈。

还可以指出，绝缘层的省略导致对围绕超导体的导电层中的涡流的产生的控制较差。在这方面，可以指出，当根据本发明的磁体组件应用于根据本发明的平面马达时，平面马达的磁体组件与平面马达的线圈组件(诸如图4中所示的线圈组件220)之间的电磁相互作用可能引起这种涡流的产生。为了减轻该影响，在本发明的实施例中，建议在磁体组件中使用的SC线圈或SC线圈组件的顶表面的顶部上布置导电的层、箔或板。通过这样做，任何涡流将主要在导电的层、箔或板中产生，而不是在SC线圈或SC线圈组件中产生。通过这样做，更容易去除发生的损耗并将磁体组件的SC线圈或SC线圈组件的温度保持在期望值，例如在大致恒定的值或在特定的边界内。

在涡流是由平面马达的磁体组件和这种平面马达的线圈组件之间的电磁相互作用引起的情况下，这种导电层的设计可以例如考虑线圈组件相对于磁体组件的操作区域或操作范围。

在实施例中，根据本发明的磁体组件可以被用于平面电磁马达中。这种平面马达还可以包括线圈组件，所述线圈组件被配置成与磁体组件配合，从而在使用期间产生电磁力，以使线圈组件相对于磁体组件移位。作为示例，图4中所示的线圈组件220或类似的线圈组件可以应用于根据本发明的平面马达中。由于使用了根据本发明的磁体组件，这种平面马达将具有改善的特性。与使用基于永磁体的磁体组件的平面马达相比，根据本发明的平面马达可以例如由于由SC磁体组件产生的增加的磁场强度而更高效，和/或根据本发明的平面马达可以具有增大的操作区域。

根据本发明的平面马达可以有利地应用于根据本发明的定位装置中。这种定位装置可以例如包括用于保持物体(例如，光刻设备中的衬底)的载物台。

根据本发明的定位装置还可以包括用于向磁体组件的SC线圈供应电流的电源。根据本发明的定位装置还可以包括位置测量系统，所述位置测量系统被配置成确定所述载物台的位置。这种位置测量系统例如可以是诸如上文描述的位置测量系统PMS之类的系统。根据本发明的定位装置还可以包括控制系统，所述控制系统被配置成基于来自所述位置测量系统的反馈信号来控制所述电磁马达的电磁力，所述反馈信号表示所述载物台的位置。这种控制系统可以例如对应于图3所示的位置控制系统PCS。

本发明还提供一种光刻设备，包括根据本发明的定位装置，所述定位装置例如用于定位衬底。

虽然在本文中可以对光刻设备在IC制造中的使用进行具体参考，但是应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

虽然在本文中在光刻设备的情境下对本发明的实施例进行具体的参考，但是本发明的实施例可以用于其它设备。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然上文已经在光学光刻术的情境下对使用本发明的实施例进行了具体的参考，但是将理解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻术并且可以在例如压印光刻术的其它应用中使用。

在情境允许的情况下，可以在硬件、固件、软件或其任何组合中实施本发明的实施例。本发明的实施例也可以被实施为存储在机器可读介质上的可以由一个或更多个处理器读取和执行的指令。机器可读介质可以包括用于以能够由机器(例如，计算装置)读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪速存储装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等等。另外，本文中，可以将固件、软件、例程、指令描述为执行某些动作。然而，应理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这些动作实际上是由计算装置，处理器，控制器，或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置产生的，并且这样做可以使致动器或其它装置与物理世界相互作用。

虽然本发明的具体实施例已经在上文中描述过，但是应当理解，本发明可以用并非所描述的方式实践。上文的描述旨在是示例性的而非限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，在不脱离下文阐述的权利要求的范围的情况下，可以对如所描述的本发明进行修改。