显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及纹路识别技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光显示设备具有功耗低、响应速度快、宽视角、高分辨率等优点，不仅应用领域多样化，而且显示设备逐渐向多功能化发展，例如显示设备具有指纹识别功能。具有指纹识别的显示设备的显示面板的AA显示区会设置指纹识别电路，以用于识别指纹，并且还会相应在AA显示区的外围区域设置对应的GOA电路。该GOA电路的设置，使得显示面板的外围区域的宽度受到了影响。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区；所述显示区具有显示驱动电路及指纹识别电路，所述非显示区位于所述显示区相对的两侧设有GOA走线区，所述GOA走线区具有与所述显示驱动电路连接的像素GOA电路，以及与所述指纹识别电路连接的指纹识别GOA电路；其中，所述像素GOA电路与所述指纹识别GOA电路在所述显示面板的厚度方向上层叠设置。

在一些实施例中，所述像素GOA电路包括第一薄膜晶体管，所述指纹识别GOA电路包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述第一薄膜晶体管的上方膜层，且所述第一薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影，与所述第二薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影存在交叠。

在一些实施例中，所述显示面板具有衬底，所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的第一有源层，所述第一有源层的材料为低温多晶硅材料；

所述第二薄膜晶体管包括位于所述第一薄膜晶体管上方的第二有源层，所述第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。

在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第三薄膜晶体管，所述指纹识别电路包括第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影，与所述第四薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影存在交叠。

在一些实施例中，所述第三薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置，所述第四薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管同层设置；

所述显示面板包括位于所述第四薄膜晶体管上方的阳极层，所述第四薄膜晶体管具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，所述指纹识别电路包括位于所述第四薄膜晶体管的一个源漏极之上的指纹识别传感器，以及位于所述指纹识别传感器的上方的金属电极层，所述金属电极层与所述阳极层连接。

在一些实施例中，所述第三薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管同层设置，所述第四薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置；

所述显示面板包括位于所述第三薄膜晶体管上方的阳极层；所述第四薄膜晶体管具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，所述指纹识别电路包括位于所述第四薄膜晶体管的一个源漏极之上的指纹识别传感器，以及位于所述指纹识别传感器的上方的金属电极层，所述金属电极层与所述阳极层连接。

在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第五薄膜晶体管及与所述第五薄膜晶体管相连的第六薄膜晶体管；所述第六薄膜晶体管位于所述第五薄膜晶体管的上方膜层，且所述第五薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影，与所述第六薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向上的正投影存在交叠。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置，所述第六薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管同层设置。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管包括第五有源层及位于所述第五有源层上方的两个源漏极，所述第六薄膜晶体管包括位于所述第五薄膜晶体管的源漏极上方的第六有源层，所述第六有源层与所述第五薄膜晶体管的一个源漏极相连。

在一些实施例中，所述显示面板包括位于所述第六薄膜晶体管上方的阳极层，所述第五薄膜晶体管中另一个源漏极与所述阳极层连接。

在一些实施例中，所述指纹识别GOA电路被配置为在所述像素GOA电路的扫描充电间隔内执行扫描充电操作。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面板。

本申请实施例所达到的主要技术效果是：

本申请实施例提供的显示面板，通过将所述像素GOA电路与所述指纹识别GOA电路在所述显示面板的厚度方向上层叠设置，从而有利于控制显示面板的边框宽度尺寸，更有利于实现显示面板的窄边框设计。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的显示装置；

图2是本申请一示例性实施例提供的显示面板的非显示区的局部解剖视图；

图3是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的局部解剖视图；

图4是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的另一局部解剖视图；

图5是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的另一局部解剖视图；

图6是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的又一局部解剖视图；

图7是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的又一局部解剖视图；

图8是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的又一局部解剖视图；

图9是本申请一示例性实施例提供的显示面板的显示区的又一局部解剖视图；

图10是本申请一示例性实施例提供的显示面板的制备方法；

图11是本申请一示例性实施例提供的显示面板的部分制备工艺版图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置。下面结合附图1至图11，对本申请实施例中的显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

请参照图1并在必要时结合图2至图9所示，显示面板100具有显示区S1以及位于所述显示区S1外围的非显示区S2。显示面板100具有长度方向L及宽带方向W。所述显示区S1具有显示驱动电路及指纹识别电路，所述非显示区S2位于所述显示区S1相对的两侧设有GOA走线区，所述GOA走线区具有与所述显示驱动电路连接的像素GOA电路，以及与所述指纹识别电路连接的指纹识别GOA电路。其中，所述像素GOA电路与所述指纹识别GOA电路在所述显示面板100的厚度方向T上层叠设置。

这里所述非显示区S2位于所述显示区S1相对的两侧设有GOA走线区，可以理解为非显示区S1在显示面板100宽度方向上的相对两侧，即区域S21和S22。

这里所说的所述像素GOA电路与所述指纹识别GOA电路在所述显示面板100的厚度方向T上层叠设置，可以理解为二者在显示面板厚度方向上的正投影至少部分重叠。优选地，比如，在一些实施例中，所述指纹识别GOA电路在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影可以设置为位于所述像素GOA电路在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影范围内，如此可以更好地控制非显示区的宽度尺寸(即宽度方向W上的尺寸)。

请结合图2和图6所示，在一些实施例中，所述像素GOA电路包括第一薄膜晶体管101，所述指纹识别GOA电路包括第二薄膜晶体管102，所述第二薄膜晶体管102位于所述第一薄膜晶体管101的上方膜层，且所述第一薄膜晶体管101在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影，与所述第二薄膜晶体管102在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影存在交叠。

请结合图2所示，在一些实施例中，所述显示面板100具有衬底11，所述第一薄膜晶体管101包括位于所述衬底11之上的第一有源层1011，所述第一有源层1011的材料为低温多晶硅材料((Poly-silicon))。该第一薄膜晶体管101及其所在膜层可采用Oxide工艺形成。

该第一薄膜晶体管101还包括两个源漏极1012、1013及第一栅极1014。

在一些实施例中，该第一薄膜晶体管101为双栅晶体管，还具有位于第一有源层1011下方的底栅1015。

此外，该第一薄膜晶体管101中还可设有第一电极板1016以及与该第一电极板1016连接的导电线1017。

所述第二薄膜晶体管102包括位于所述第一薄膜晶体管101上方的第二有源层1021，所述第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。该第二薄膜晶体管102及其所在的膜层可采用低温多晶硅(Low Temperature Polysilicon，LTPS)的制备工艺形成。

该第二薄膜晶体管102还包括两个源漏极1022、1023及第二栅极1024。

请结合图2所示，在一些实施例中，该第二薄膜晶体管102为双栅晶体管，还具有位于第二有源层1021下方的底栅1025，以及与该底栅连接的导电线1026。

请结合图2所示，该显示面板100还包括依序设在衬底11之上的底栅1015、缓冲层12、绝缘层14、绝缘层15、层间介质层16、绝缘层17；以及依序设在绝缘层17上的绝缘层18、绝缘层19、绝缘层20、绝缘层21、绝缘层22、绝缘层23及绝缘层24。

其中，缓冲层12包覆底栅1015，绝缘层14位于第一有源层1011之上，绝缘层15包覆第一栅极1014，层间介质层16包覆第一电极板1016。第一薄膜晶体管101的源漏极1012和源漏极1013的部分及导电线1017层间介质层16之上，第一薄膜晶体管101的源漏极1012和源漏极1013的另一部分通过穿设于绝缘层14、绝缘层15及层间介质层16中的连接线连接于第一有源层1011上。绝缘层17包覆源漏极1012和源漏极1013。底栅1025位于绝缘层17上，绝缘层18包覆底栅1025。第二有源层1021位于绝缘层18上，并被绝缘层19包覆。第二栅极1024位于绝缘层19上，并被绝缘层20包覆。第二薄膜晶体管102的源漏极1022和1023，及导电线1026的部分位于绝缘层22上，并被绝缘层23包覆，另一部分穿设于绝缘层19、绝缘层20、绝缘层21、绝缘层22及绝缘层23。第二薄膜晶体管102的源漏极1022和1023与第二有源层1021连接。导电线1026还穿设于绝缘层18，以与底栅1025连接。

各绝缘层的材料可以为氮化硅、氧化硅及树脂材料中的至少一种。缓冲层可以为树脂材料。

请结合图6所示，在另一些实施例中，该第二薄膜晶体管102为单栅晶体管。相对于上述图2所述的第二薄膜晶体管102少了底栅1025及对应的导电线1026。

当然，在其它一些实施例中，第一薄膜晶体管101也可是单栅晶体管，相应地，第一有源层1011下方不设置底栅1015。

在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第三薄膜晶体管，所述指纹识别电路包括第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向T上的正投影，与所述第四薄膜晶体管在所述显示面板的厚度方向T上的正投影存在交叠。

请结合图3和图7所示，在一些实施例中，所述第三薄膜晶体管103与所述第一薄膜晶体管101同层设置，二者结构也类似。所述第四薄膜晶体管104与所述第二薄膜晶体管102同层设置，二者结构也类似。这里同层设置可以理解为两薄膜晶体管同位于上层或同位于下层。相应地，两薄膜晶体管相似或者相同的结构可同步形成，也即在同一工艺流程中形成，比如两薄膜晶体管的栅极可在同一工艺流程中形成，源漏极可在同一工艺流程中形成等。

第三薄膜晶体管103具有第三有源层1031，源漏极1032、1033，及栅极1034。第三薄膜晶体管103为双栅的，第三有源层1031下方还设有底栅1035。

第四薄膜晶体管104具有第四有源层1041，源漏极1042、1043，及栅极1044。第四薄膜晶体管104为双栅的，第四有源层1041下方还设有底栅1045。

所述显示面板100包括位于所述第四薄膜晶体管104上方的阳极层109，所述第四薄膜晶体管104具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，所述指纹识别电路包括位于所述第四薄膜晶体管104的一个源漏极之上的指纹识别传感器107，以及位于所述指纹识别传感器107的上方的金属电极层108，所述金属电极层108与所述阳极层109连接。

第三薄膜晶体管103可以控制指纹识别传感器107下端的电信号的通断，以控制纹识别传感器107的工作或者断开工作。

可以理解的是，图3所示的第四薄膜晶体管104为双栅晶体管，图7所示的第四薄膜晶体管为单栅晶体管。

可以理解的是显示区同样包括绝缘层、缓冲层及层间介质层等膜层。与非显示区相同的膜层这里采用同样的标号，可参照上述相关描述。这里仅针对不同之处进行说明，这里指纹识别传感器107和金属电极层108依序位于源漏极1042之上，并被绝缘层23包覆。阳极层109位于绝缘层24之上，通过贯穿绝缘层24和部分绝缘层23的引线与金属电极层108连接。

请结合图4和图8所示，在另一些实施例中，所述第三薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管同层设置，所述第四薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置。

所述显示面板100包括位于所述第三薄膜晶体管上方的阳极层109；所述第四薄膜晶体管104具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，所述指纹识别电路包括位于所述第四薄膜晶体管的一个源漏极之上的指纹识别传感器107，以及位于所述指纹识别传感器107的上方的金属电极层108，所述金属电极层108与所述阳极层109连接。

相对于图3和图7所示的实施例，这里指纹识别传感器107和金属电极层108调整了位置，通过位于下层的薄膜晶体管并设置于与该薄膜晶体管的一个源漏极连接的第一金属连接线110与阳极层109之间。该第一金属连接线110可与位于上层的第三薄膜晶体同层。

请结合图5和图9所示，在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第五薄膜晶体管105及与所述第五薄膜晶体管105相连的第六薄膜晶体管106；所述第六薄膜晶体管106位于所述第五薄膜晶体管105的上方膜层，且所述第五薄膜晶体管105在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影，与所述第六薄膜晶体管106在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影存在交叠。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管105与所述第一薄膜晶体管101同层设置，结构也大致相似。所述第六薄膜晶体管106与所述第二薄膜晶体管102同层设置，结构也大致相似。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管105包括第五有源层1051及位于所述第五有源层1051上方的两个源漏极1052、1053，所述第六薄膜晶体管106包括位于所述第五薄膜晶体管105的源漏极1052上方的第六有源层1061，所述第六有源层1061与所述第五薄膜晶体管105的源漏极1052相连。

在一些实施例中，所述显示面板100包括位于所述第六薄膜晶体管106上方的阳极层109，所述第五薄膜晶体管105中另一个源漏极1053与所述阳极层109连接。

在一些实施例中，所述指纹识别GOA电路被配置为在所述像素GOA电路的扫描充电间隔内执行扫描充电操作。即可以在像素GOA电路扫描的间隔时间执行指纹识别GOA电路的扫描充电操作，以使得像素GOA电路和指纹识别GOA电路在工作中互不干扰。

比如，在一些实施例中，在同一帧的时长中，可以将像素GOA电路设置为在该帧的前半段时长内进行扫描充电，指纹识别GOA电路可以控制在该帧的后半段时长内进行扫描充电。

请参照图10所示，并在必要时结合图11以及图2至图9所示，根据本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，可应用于上述显示面板100及类似的显示面板的制作。所述制造方法包括步骤S101和步骤S103：

在步骤S101中，提供衬底11；

在步骤S103中，在衬底11上形成显示驱动电路及指纹识别电路，以及像素GOA电路和指纹识别GOA电路；其中，所述像素GOA电路与所述指纹识别GOA电路在所述显示面板100的厚度方向T上层叠设置。

在一些实施例中，所述像素GOA电路包括第一薄膜晶体管101，所述指纹识别GOA电路包括第二薄膜晶体管102，所述形成像素GOA电路和指纹识别GOA电路包括：

形成位于所述衬底11之上的第一薄膜晶体管101，所述第一薄膜晶体管101具有第一有源层，所述第一有源层的材料为低温多晶硅材料；

形成位于所述第一薄膜晶体管101上方的第二薄膜晶体管102，所述第二薄膜晶体管102包括第二有源层，所述第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。

请结合图11及上述图2所示，在步骤S101之后，依序在衬底11形成底栅1015、缓冲层12、第一有源层1011、绝缘层14、第一栅极1014、绝缘层15、第一电极板1016、层间介质层16、导电线1017及源漏极1012、1013及绝缘层17，至此形成第一薄膜晶体管101。进而依序在绝缘层17上形成底栅1025、绝缘层18、第二有源层1021、绝缘层19、第二栅极1024、绝缘层20、绝缘层21、绝缘层22、打孔形成源漏极1022、1023及导电线1026，至此形成第二薄膜晶体管。进而可在源漏极1022、1023及导电线1026上形成绝缘层23及绝缘层24。

这里需要说明的是，图11中Poly、Gate1、SD1、IGZO、Gate3、PLN、PVX、SD2；可以理解为分别对应形成第一有源层1011，第一栅极1014、源漏极1012及1013、第二有源层1021、第二栅极1024、绝缘层21、绝缘层22及源漏极1022(1023)对应的工艺。CNT-L可以理解为形成源漏极1012及1013前的打孔工艺，以形成设置源漏极1012及1013的穿设孔。通过如图1所示的版图中可以看出，本申请所形成的第一薄膜晶体管101和第二薄膜晶体管102至少部分重叠。

对于第二薄膜晶体管102为单栅的，可省略底栅1025及绝缘层18的设置。

在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第三薄膜晶体管，所述指纹识别电路包括第四薄膜晶体管；所述第三薄膜晶体管在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影，与所述第四薄膜晶体管在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影存在交叠。

请结合图3和图7，在一些实施例中，所述第三薄膜晶体管103与所述第一薄膜晶体管101同层设置，所述第四薄膜晶体管104与所述第二薄膜晶体管102同层设置；所述第四薄膜晶体管104具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，在形成所述第四薄膜晶体管104之后，所述制备方法还包括：

形成位于所述第四薄膜晶体管104的一个源漏极之上的指纹识别传感器107，以及位于所述指纹识别传感器107的上方的金属电极层108；

形成阳极层109，所述阳极层109位于所述第四薄膜晶体管104的上方，所述阳极层109与所述金属电极层108连接。

图4和图8所示，在一些实施例中，所述第三薄膜晶体管103与所述第二薄膜晶体管102同层设置，所述第四薄膜晶体管104与所述第一薄膜晶体管101同层设置，所述第四薄膜晶体管104具有第四有源层及与所述第四有源层相连的两个源漏极，在形成所述第三薄膜晶体管103时，所述制备方法还包括：

形成位于所述第四薄膜晶体管104上方并与所述第四薄膜晶体管104的一个源漏极相连的第一金属连接线110；

在形成所述第三薄膜晶体管103之后，所述制备方法包括：

在所述第一金属连接线之上形成指纹识别传感器107，以及位于所述指纹识别传感器107的上方的金属电极层108；

形成阳极层109，所述阳极层109位于所述第三薄膜晶体管103的上方，所述阳极层109与所述金属电极层108连接。

请结合图5和图9所示，在一些实施例中，所述显示驱动电路包括第五薄膜晶体管105及与所述第五薄膜晶体管105相连的第六薄膜晶体管106；所述第六薄膜晶体管106位于所述第五薄膜晶体管105的上方膜层，且所述第五薄膜晶体管105在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影，与所述第六薄膜晶体管106在所述显示面板100的厚度方向T上的正投影存在交叠。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管105与所述第一薄膜晶体管101同层设置，所述第六薄膜晶体管106与所述第二薄膜晶体管102同层设置。

在一些实施例中，所述第五薄膜晶体管105包括第五有源层及位于所述第五有源层上方的两个源漏极，所述第六薄膜晶体管106包括位于所述第五薄膜晶体管105的源漏极上方的第六有源层，所述第六有源层与所述第五薄膜晶体管105的一个源漏极相连；在形成所述第五薄膜晶体管105之后，在形成第六薄膜晶体管106之前，所述方法包括：

形成第二金属连接线111；其中，所述第二金属连接线111连接所述第六有源层与所述第五薄膜晶体管105的一个源漏极。

在一些实施例中，所述第六薄膜晶体管106中另一个源漏极与所述阳极层109连接；在形成所述第六薄膜晶体管106时，所述制备方法包括：

形成位于所述第五薄膜晶体管105上方并与所述第五薄膜晶体管105的一个源漏极相连的第三金属连接线112；

在形成所述第六薄膜晶体管106之后，所述制备方法包括：

形成阳极层109，所述阳极层109与所述第三金属连接线112连接。

在一些实施例中，所述指纹识别GOA电路被配置为在所述像素GOA电路的扫描充电间隔内执行扫描充电操作。

这里显示面板的制备方法的各结构可参照上述图1至图9所示的显示面板的相关描述。

基于上述描述，对于第三薄膜晶体管103及第五薄膜晶体管105与第一薄膜晶体管101同层设置的，第四薄膜晶体管104及第六薄膜晶体管106与第二薄膜晶体管102同层设置的，均可参照上述第一薄膜晶体管101和第二薄膜晶体管102相关描述。

本申请实施例提供了本申请实施例还提了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施例所述的显示面板。

所述显示装置还可包括外壳，显示面板可嵌入在外壳中。

本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。