像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

显示面板中，像素电路内晶体管的阈值电压的漂移以及分布不均匀会对像素电路的驱动电流产生较大的影响，进而造成发光元件的发光亮度的均匀性和稳定性性较差。

发明内容

本公开提供一种像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置。

本公开采用如下技术方案：一种像素电路，包括：

第一晶体管，用于向发光元件提供驱动电流；

复位电路，用于向所述第一晶体管的控制极提供复位电压；

阈值补偿电路，用于将所述第一晶体管的阈值电压补偿至所述第一晶体管的控制极；

第一发光控制电路，用于控制所述第一晶体管的第一极与电源端之间的通断；

第二发光控制电路，用于控制所述第一晶体管的第二极与所述发光元件之间的通断；

数据写入电路，用于根据数据电压在所述第一晶体管的控制极电压上叠加电压变化量。

在一些实施例中，所述数据写入电路包括第二晶体管、第三晶体管、第九晶体管、第一电容、第二电容和第三电容；

所述第二晶体管的控制极接收第四控制信号，所述第二晶体管的第一极接收所述数据电压，所述第二晶体管的第二极连接所述第一电容的第一端；

所述第三晶体管的控制极接收第五控制信号，所述第三晶体管的第一极连接所述电源端，所述第三晶体管的第二极连接所述第一电容的第一端；

所述第九晶体管的控制极接收第六控制信号，所述第九晶体管的第一极连接所述第一电容的第二端以及所述第一晶体管的第一极，所述第九晶体管的第二极连接所述第二电容的第一端；

所述第二电容的第二端连接所述第一晶体管的控制极以及所述第三电容的第一端；

所述第三电容的第二端接收固定电压。

在一些实施例中，所述第三电容的第二端连接所述电源端以接收固定电压。

在一些实施例中，所述第二发光控制电路包括第六晶体管，所述第六晶体管的控制极接收第二发光控制信号，所述第六晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第六晶体管的第二极连接所述发光元件。

在一些实施例中，所述第一发光控制电路包括第五晶体管，所述第五晶体管的控制极接收第一发光控制信号，所述第五晶体管的第一极连接所述电源端，所述第五晶体管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；

所述阈值补偿电路包括第七晶体管，所述第七晶体管的控制极接收第三控制信号，所述第七晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第七晶体管的第二极连接所述第一晶体管的控制极。

在一些实施例中，所述数据写入电路包括第二电容、第二晶体管和第三晶体管；

所述第二电容的第一端连接所述第一晶体管的控制极，所述第二电容的第二端连接所述第二晶体管的第一极和所述第三晶体管的第一极；

所述第二晶体管的控制极接收第一控制信号，所述第二晶体管的第二极接收所述数据电压；

所述第三晶体管的控制极接收所述第三控制信号，所述第三晶体管的第二极连接所述电源端。

在一些实施例中，所述第一发光控制电路包括第五晶体管，所述第五晶体管的控制极接收第一发光控制信号，所述第五晶体管的第一极连接所述电源端，所述第五晶体管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；

所述阈值补偿电路包括第七晶体管，所述第七晶体管的控制极接收第三控制信号，所述第七晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第七晶体管的第二极连接所述第一晶体管的控制极；

所述第二发光控制电路包括第六晶体管，所述第六晶体管的控制极接收第二发光控制信号，所述第六晶体管的第二极连接所述发光元件。

在一些实施例中，所述数据写入电路还包括第一电容；所述第一电容的第一端接收固定电压，所述第一电容的第二端连接所述第一晶体管的控制极。

在一些实施例中，所述复位电路包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制极接收第二控制信号，所述第四晶体管的第一极接收所述复位电压，所述第四晶体管的第二极连接所述第一晶体管的控制极。

在一些实施例中，所述复位电路包括第四晶体管和第八晶体管；

所述第四晶体管的控制极接收第二控制信号，所述第四晶体管的第一极接收复位电压，所述第四晶体管的第二极连接所述第一晶体管的控制极；

所述第八晶体管的控制极接收第二控制信号，所述第八晶体管的第一极接收所述复位电压，所述第八晶体管的第二极连接所述第六晶体管的第二极。

在一些实施例中，所述第一电容的第一端接收的固定电压为所述复位电压，或者所述第一电容的第一端连接一电源端以接收固定电压。

在一些实施例中，所述数据写入电路具体用于以电容耦合的方式在所述第一晶体管的控制极电压上叠加电压变化量。

本公开采用如下技术方案：一种显示基板，包括前述的像素电路。

本公开采用如下技术方案：一种显示装置，包括前述的显示基板。

本公开采用如下技术方案：一种如前述的像素电路的驱动方法，包括：

在复位阶段，将所述第一晶体管的控制极电压设置为复位电压；

在阈值补偿阶段，所述第一发光控制电路和所述阈值补偿电路将所述第一晶体管的控制极电压设置为所述电源端的电源电压与所述第一晶体管的阈值电压之和，得到所述第一晶体管的阈值补偿栅电压；

在数据写入阶段，所述数据写入电路在所述第一晶体管的阈值补偿栅电压上叠加所述电压变化量，得到所述第一晶体管的发光控制电压；

在发光阶段，所述第一发光控制电路和所述第二发光控制电路控制所述第一晶体管的第一极与所述电源端导通，所述第一晶体管的第二极与所述发光元件导通，以使所述第一晶体管驱动所述发光元件发光。

附图说明

图1是本公开实施例的像素电路的框图。

图2是本公开一些实施例的像素电路的电路图。

图3是图2所示像素电路的驱动时序图。

图4a是图2所示像素电路在复位阶段的状态图。

图4b是图2所示像素电路在阈值补偿阶段的状态图。

图4c是图2所示像素电路在数据写入阶段的状态图。

图4d是图2所示像素电路在发光阶段的状态图。

图5是本公开另一些实施例的像素电路的电路图。

图6是图5所示像素电路的驱动时序图。

图7a是图5所示像素电路在复位阶段的状态图。

图7b是图5所示像素电路在阈值补偿阶段的状态图。

图7c是图5所示像素电路在数据写入阶段的状态图。

图7d是图5所示像素电路在发光阶段的状态图。

图8是本公开另一些实施例的像素电路的电路图。

图9是本公开另一些实施例的像素电路的电路图。

其中附图标记为：1、阈值补偿电路；2、第一发光控制电路；3、第二发光控制电路；4、数据写入电路；5、复位电路；M1、第一晶体管；M2、第二晶体管；M3、第三晶体管；M4、第四晶体管；M5、第五晶体管；M6、第六晶体管；M7、第七晶体管；C1、第一电容；C2、第二电容；C3第三电容；VDD、电源端；VSS、电源端；Vini、复位电压；Vdata、数据电压；N1、第一节点；N2、第二节点；N3、第三节点；En1、第一发光控制信号；En2、第二发光控制信号；S1n、第一控制信号；S2n、第二控制信号；S3n、第三控制信号；S4n、第四控制信号；S5n、第五控制信号；S6n、第六控制信号。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本公开作进一步说明。

图1是本公开实施例的像素电路的框图。参考图1，本公开的实施例提供一种像素电路，包括：第一晶体管M1，用于向发光元件D提供驱动电流；

复位电路5，用于向所述第一晶体管M1的控制极提供复位电压；

阈值补偿电路1，用于将所述第一晶体管M1的阈值电压补偿至所述第一晶体管M1的控制极；

第一发光控制电路2，用于控制所述第一晶体管M1的第一极与电源端VDD之间的通断；

第二发光控制电路3，用于控制所述第一晶体管M1的第二极与所述发光元件D之间的通断；

数据写入电路4，用于根据数据电压Vdata在所述第一晶体管M1的控制极电压上叠加电压变化量。

复位电路5将第一晶体管M1的控制极电压设置为有效的复位电压，这使得第一晶体管M1导通。

阈值补偿电路1具体用于将第一晶体管M1的控制极电压设置为一个固定的电压值与该第一晶体管M1的阈值电压V

数据写入电路4进而根据数据电压Vdata在第一晶体管M1的控制极电压(即阈值补偿电压)上叠加电压变化量。此时，第一晶体管M1的控制极电压中既包含了其阈值电压的信息，又包含了数据电压Vdata的信息，两个信息彼此独立。

具体地，数据写入电路4以电容耦合的方式根据数据电压Vdata在第一晶体管M1的控制极电压上叠加电压变化量。

第一晶体管M1的第一极为其源极，例如接收电源端VDD提供的电源电压。晶体管在饱和区的电流为：I＝k(V

具体地，发光元件D包括：有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)、微发光二极管(Micro-LED)等。

图2是本公开一些实施例的像素电路的电路图。图3是图2所示像素电路的驱动时序图。图4a是图2所示像素电路在复位阶段的状态图。图4b是图2所示像素电路在阈值补偿阶段的状态图。图4c是图2所示像素电路在数据写入阶段的状态图。图4d是图2所示像素电路在发光阶段的状态图。

在一些实施例中，参考图2，所述数据写入电路4包括第二晶体管M2、第三晶体管M3、第九晶体管M9、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3；

所述第二晶体管M2的控制极接收第四控制信号S4n，所述第二晶体管M2的第一极接收所述数据电压Vdata，所述第二晶体管M 2的第二极连接所述第一电容C1的第一端；

所述第三晶体管M3的控制极接收第五控制信号S5n，所述第三晶体管M3的第一极连接所述电源端VDD，所述第三晶体管M3的第二极连接所述第一电容C1的第一端；

所述第九晶体管M9的控制极接收第六控制信号S6n，所述第九晶体管M9的第一极连接所述第一电容C1的第二端以及所述第一晶体管M1的第一极，所述第九晶体管M9的第二极连接所述第二电容C2的第一端；

所述第二电容C2的第二端连接所述第一晶体管M1的控制极以及所述第三电容C3的第一端；

所述第三电容C3的第二端接收固定电压。

当第九晶体管M9导通时，第三节点N3(第三晶体管M3、第二晶体管M2和第一电容C1的连接节点)上电压的波动会耦合至第一节点N1(连接第一晶体管M1的控制极)。

具体地，当第三晶体管M3导通，第二晶体管M2关断时，第三节点N3的电压为电源端VDD的电压。当第三晶体管M3关断，第二晶体管M2导通时，第三节点N3的电压为数据电压Vdata。第三节点N3的电压的变化量包含了数据电压Vdata的信息，从而第一节点N1的电压的变化量包含了数据电压Vdata的信息。

在一些实施例中，参考图2，所述第三电容C3的第二端连接所述电源端VDD以接收固定电压。

在另一些实施例中，结合图2，第三电容C3的第二端连接电源端VSS。电源端VSS例如是接地端。

第三电容C3的第二端接收固定电压，其作用是保持第一节点N1电压的稳定。如果去除第三电容C3，在一些时段内第二电容C2的第一端是浮空设置的，这容易造成第一节点N1电压的波动。

在一些实施例中，参考图2，所述第二发光控制电路3包括第六晶体管M6，所述第六晶体管M6的控制极接收第二发光控制信号En2，所述第六晶体管M6的第一极连接所述第一晶体管M1的第二极，所述第六晶体管M2的第二极连接所述发光元件D。

在一些实施例中，参考图2，所述像素电路还包括复位电路5，用于将所述第一晶体管M1的控制极电压设置为复位电压Vini，并将发光元件D与第二发光控制电路3的连接节点的电压设置为复位电压Vini。

具体地，复位电路5包括：第四晶体管M4和第八晶体管M8；

所述第四晶体管M4的控制极接收第二控制信号S2n，所述第四晶体管M4的第一极接收复位电压Vini，所述第四晶体管M4的第二极连接所述第一晶体管M1的控制极(即连接第一节点N1)；

所述第八晶体管M8的控制极接收第二控制信号S2n，所述第八晶体管M8的第一极接收所述复位电压Vini，所述第八晶体管M8的第二极连接所述第六晶体管M6的第二极(即连接发光元件D)。

第四晶体管M4导通时，能够将第一节点N1的电压复位至复位电压Vini。第八晶体管M8导通时，能够将发光元件D的一端电压复位至复位电压Vini。

图2所示实施例中，复位电压Vini为低电平电压，以使得发光元件D不发光，并使得第一晶体管M1的控制极电压为有效电压。

在一些实施例中，参考图2，所述第一发光控制电路2包括第五晶体管M5，所述第五晶体管M5的控制极接收第一发光控制信号En1，所述第五晶体管M5的第一极连接所述电源端VDD，所述第五晶体管M5的第二极连接所述第一晶体管M1的第一极；

所述阈值补偿电路1包括第七晶体管M7，所述第七晶体管M7的控制极接收第三控制信号S3n，所述第七晶体管M7的第一极连接所述第一晶体管M1的第二极，所述第七晶体管M7的第二极连接所述第一晶体管M1的控制极。

阈值补偿电路1和第一发光控制电路2配合，以对第一晶体管M1的控制极电压进行阈值补偿。

以下结合图3和图4a至图4b介绍该像素电路的驱动方法。由于像素电路中各个晶体管均为P型场效应晶体管，其控制极(也称控制极)电压低电平有效。

参考图3和图4a，在复位阶段t1，复位模块5将第一晶体管M1的控制极电压以及发光元件D与第二发光控制电路3的连接节点电压设置为复位电压Vini。

具体地，第一控制信号S1n有效，第四晶体管M4导通。第二控制信号S2n有效，第八晶体管M8导通。其余控制信号无效，第二晶体管M2、第三晶体管M3、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7和第九晶体管M9关断。第一节点N1的电压被设置为复位电压Vini，发光元件D的阳极电压被设置为复位电压Vini。

该实施例中，复位电压Vini为低电平电压，使得第一晶体管M1(具体可也为一个P型的薄膜晶体管)的控制极电压有效，并使得发光元件D处于不发光的状态。

在阈值补偿阶段t2，所述第一发光控制电路2和所述阈值补偿电路1将所述第一晶体管M1控制极的控制极电压设置为所述电源端VDD的电源电压与所述第一晶体管M1的阈值电压之和，得到所述第一晶体管M1控制极的阈值补偿栅电压。

参考图3和图4b，在阈值补偿阶段t2，第二控制信号S2n有效，第八晶体管M8导通，发光元件D的阳极电压继续维持为复位电压Vini。发光元件D维持为不发光的状态。第三控制信号S3n有效，第七晶体管M7导通。第五控制信号S5n有效，第五晶体管M5导通。在阈值补偿阶段的初始时刻，第一节点N1的电压为复位电压Vini，第一晶体管M1导通，电源端VDD依次经过第五晶体管M5、第一晶体管M1和第七晶体管M7对第一节点N1的电压进行充电。当第一节点N1的电压升高至电源端VDD的电源电压与其阈值电压V

在数据写入阶段t3，所述数据写入电路4在所述第一晶体管M1控制极的阈值补偿栅电压上叠加所述电压变化量，得到所述第一晶体管M1控制极的发光控制电压。

参考图3和图4c，在数据写入阶段t3，第二控制信号S2n有效，第八晶体管M8导通，发光元件D的阳极电压维持为复位电压Vini。第四控制信号S4n有效，第二晶体管M2导通。第六控制信号S5n有效，第九晶体管M9导通。第一控制信号S1n无效，第四晶体管关断。第三控制信号S3n无效，第七晶体管关断。第五控制信号S5n无效，第三晶体管M3关断。第一发光控制信号En1无效，第五晶体管M5关断。第二发光控制信号En2无效，第六晶体管M6关断。

在阈值补偿阶段t2，第三节点N3的电压为电源端VDD的电源电压。在数据写入阶段t3，第三节点N3的电压跳变为数据电压Vdata。第三节点N3电压跳变量为Vdata-VDD，该电压跳变量通过第一电容C1和第二电容C2耦合至第一节点N1。即在第一晶体管M1控制极的阈值补偿电压上叠加电压变化量。该电压变化量中包含了数据电压Vdata的信息。该阶段第一晶体管M1控制极电压VN1为发光控制电压，其计算式为：

VN1＝VDD+V

在发光阶段t4，所述第一发光控制电路2和所述第二发光控制电路3控制所述第一晶体管M1的第一极与所述电源端VDD导通，所述第一晶体管M1的第二极与所述发光元件D导通，以使所述第一晶体管M1驱动所述发光元件D发光。

参考图3和图4d，该阶段第一发光控制信号En1有效，第五晶体管M5导通。第二发光控制信号En2有效，第六晶体管M6导通。第一控制信号S1n无效，第四晶体管M4关断。第二控制信号S2无效，第八晶体管M8关断。第三控制信号S3n无效，第七晶体管M7关断。第四控制信号S4n无效，第二晶体管M2关断。第五控制信号S5n无效，第三晶体管M3关断。第六控制信号S6n无效，第九晶体管M9关断。

第一晶体管M1的源极电压为电源端VDD的电源电压，栅源电压差Vgs的计算式如下：

Vgs＝VN1-VN2＝VDD+V

(Vdata-VDD)(C1C2/(C1C2+C1C3+C2C3))+V

其中，VN1为第一节点N1的电压，VN2为第二节点N2的电压，VDD为电源端VDD的电源电压，C1为第一电容C1的电容值，C2为第二电容C2的电容值，C3为第三电容C3的电容值，V

第一晶体管M1的源漏极电流I

其中，μ为沟道反型层载流子迁移率，C

流经发光元件D电路与数据电压Vdata相关，与第一晶体管M1的阈值电压V

图5是本公开另一些实施例的像素电路的电路图。图6是图5所示像素电路的驱动时序图。图7a是图5所示像素电路在复位阶段的状态图。图7b是图5所示像素电路在阈值补偿阶段的状态图。图7c是图5所示像素电路在数据写入阶段的状态图。图7d是图5所示像素电路在发光阶段的状态图。

在一些实施例中，参考图5，所述数据写入电路4包括第一电容C1、第二电容C2、第二晶体管M2和第三晶体管M3；

所述第一电容C1的第一端接收固定电压，所述第一电容C1的第二端连接所述第一晶体管M1的控制极；

所述第二电容C2的第一端连接所述第一晶体管M1的控制极，所述第二电容C2的第二端连接所述第二晶体管M2的第一极和所述第三晶体管M3的第一极；

所述第二晶体管M2的控制极接收第一控制信号，所述第二晶体管M2的第二极接收所述数据电压Vdata；

所述第三晶体管M3的控制极接收所述第三控制信号S3n，所述第三晶体管M3的第二极连接所述电源端VDD。

当第三晶体管M3导通，第二晶体管M2关断时，第二节点N2(第二电容C2与第二晶体管M2、第三晶体管M3的连接节点)的电压为电源端VDD的电源电压。当第三晶体管M3关断，第二晶体管M2导通时，第二节点N2的电压跳变为数据电压Vdata(忽略第二晶体管M2的源漏极电压差)。第二节点N2电压的跳变会引起第一节点N1(连接第一晶体管M1的控制极)电压的跳变，跳变量与数据电压Vdata相关。这使得第一节点N1的电压值包含了数据电压Vdata的信息。

第一电容C1的作用是维持第一节点N1电压的稳定，并避免第一节点在一些时段是浮空设置的。

在一些实施例中，参考图5，所述第一发光控制电路2包括第五晶体管M5，所述第五晶体管M5的控制极接收第一发光控制信号En1，所述第五晶体管M5的第一极连接所述电源端VDD，所述第五晶体管M5的第二极连接所述第一晶体管M1的第一极；

所述阈值补偿电路1包括第七晶体管M7，所述第七晶体管M7的控制极接收第三控制信号S3n，所述第七晶体管M7的第一极连接所述第一晶体管M1的第二极，所述第七晶体管M7的第二极连接所述第一晶体管M1的控制极；

所述第二发光控制电路3包括第六晶体管M6，所述第六晶体管M6的控制极接收第二发光控制信号En2，所述第六晶体管M6的第二极连接所述发光元件D。

在一些实施例中，所述像素电路还包括复位电路5，用于将所述第一晶体管M1的电压设为复位电压Vini。

具体地，第四晶体管M4的控制极接收第二控制信号S2n，所述第四晶体管M4的第一极接收所述复位电压Vini，所述第四晶体管M4的第二极连接所述第一晶体管M1的控制极。

需要说明的是，图2和图5中的复位电路5是可以互换的。

在一些实施例中，参考图5，所述第一电容C1的第一端接收的固定电压为所述复位电压。在另一些实施例中，参考图8，第一电容C1的第一端连接电源端VDD。在另一些实施例中，第一电容C1的第一端连接电源端VSS。在另一些实施例中，第一电容C1的第一端接收其他固定电压。

以下结合图6和图7a至图7b介绍图5所示像素电路的驱动过程。

在复位阶段t1，复位电路5将第一晶体管M1的控制极电压设置为复位电压Vini。在图5所示实施例中，复位电压Vini为低电平电压。

结合图6和图7a，第二控制信号S2n有效，第四晶体管M4导通，第一电容C1两端以及第一晶体管M1的控制极电压均被设置为复位电压Vini。第一控制信号S1n无效，第二晶体管M2关断。第三控制信号S3n无效，第三晶体管M3、第七晶体管M7均关断。第一发光控制信号En1无效，第五晶体管M5关断。第二发光控制信号En2无效，第六晶体管关断。

在阈值补偿阶段t2，所述第一发光控制电路2和所述阈值补偿电路1将所述第一晶体管M1的控制极电压设置为所述电源端VDD的电源电压与所述第一晶体管的阈值电压之和，得到所述第一晶体管M1的阈值补偿栅电压。

结合图6和图7b，第三控制信号S3n有效，第三晶体管M3导通，第七晶体管M7导通，第二节点N2的电压被设置为电源端VDD的电源电压。第一发光控制信号En1有效，第五晶体管M5导通。电源端VDD通过第五晶体管M5和第七晶体管M7对第一晶体管M1的控制极进行充电。充电停止时第一晶体管M1的控制极电压VN1记为第一晶体管M1的阈值补偿电压，满足：VN1＝VDD+V

在数据写入阶段t3，所述数据写入电路4在所述第一晶体管M1的阈值补偿栅电压上叠加所述电压变化量，得到所述第一晶体管M1的发光控制电压。

结合图6和图7c，第一控制信号S1n有效，第二晶体管M2导通，将第二节点N2电压由电源端VDD的电源电压改变为数据电压Vdata。第二控制信号S2n无效，第四晶体管M4关断。第三控制信号S3n无效，第三晶体管M3和第七晶体管M7无效。第一发光控制信号En1无效，第五晶体管M5关断。第二发光控制信号En2无效，第六晶体管M6关断。

第二节点N2的电压跳变量耦合至第一节点N1。此时第一节点N1的电压VN1为其发光控制电压，计算式为：

VN1＝VDD+V

在发光阶段t4，所述第一发光控制电路2和所述第二发光控制电路3控制所述第一晶体管M1的第一极与所述电源端VDD导通，所述第一晶体管M1的第二极与所述发光元件D导通，以使所述第一晶体管M1驱动所述发光元件D发光。

在发光阶段t4，第一晶体管M1的第一极具体为其源极，源极电压为电压电压VDD。第一晶体管M1的栅源电压差V

Vgs＝VN1-VN3＝V

其中，VN1为第一节点N1的电压，VN3为点节点N3的电压，Vdata为数据电压，VDD为电源电压，C1为第一电容C1的电容值，C2为第二电容C2的电容值。

第一晶体管M1的电流I

其中，μ为载流子迁移率，C

电流I

在发光阶段t4，流经发光元件D的电流与第一晶体管M1的阈值电压无关，与数据电压相关。

继续参考图6并结合图5，在复位阶段t1至阈值补偿阶段t2的过渡时段，第二控制信号S2n首先跳变为无效电压，第四晶体管M4首先关断。随后第一发光控制信号En1跳变为有效电压，第五晶体管M5导通。随后第三控制信号S3n跳变为有效电压，第七晶体管M7和第三晶体管M3导通。

在阈值补偿阶段t2到数据写入阶段t3的过渡时段，第三控制信号S3n首先跳变为无效电压，第七晶体管M7和第三晶体管M3关断。随后第一发光控制信号En1跳变为无效电压，第五晶体管M5关断。随后第一控制信号S1n跳变为有效电压第二晶体管M2导通。

在数据写入阶段t3到发光阶段t4的过渡时段，第一控制信号S1n首先跳变为无效电压，第二晶体管M2关断。随后第一发光控制信号En1和第二发光控制信号En2同步地跳变为有效电压，第五晶体管M5和第六晶体管M6导通。

继续参考图9，与图5所示的实施例相比，省去了第一电容C1。图9所示像素电路与图5所示像素电路的驱动时序可以是相同的。以下结合图9和图6介绍该像素电路的驱动时序。

在复位阶段t1，复位电路5将第一晶体管M1的控制极电压设置为复位电压Vini。在图9所示实施例中，复位电压Vini为低电平电压。

结合图6和图9，第二控制信号S2n有效，第四晶体管M4导通，第一电容C1两端以及第一晶体管M1的控制极电压均被设置为复位电压Vini。第一控制信号S1n无效，第二晶体管M2关断。第三控制信号S3n无效，第三晶体管M3、第七晶体管M7均关断。第一发光控制信号En1无效，第五晶体管M5关断。第二发光控制信号En2无效，第六晶体管关断。

在阈值补偿阶段t2，所述第一发光控制电路2和所述阈值补偿电路1将所述第一晶体管M1的控制极电压设置为所述电源端VDD的电源电压与所述第一晶体管的阈值电压之和，得到所述第一晶体管M1的阈值补偿栅电压。

结合图6和图9，第三控制信号S3n有效，第三晶体管M3导通，第七晶体管M7导通，第二节点N2的电压被设置为电源端VDD的电源电压。第一发光控制信号En1有效，第五晶体管M5导通。电源端VDD通过第五晶体管M5和第七晶体管M7对第一晶体管M1的控制极进行充电。充电停止时第一晶体管M1的控制极电压VN1记为第一晶体管M1的阈值补偿电压，满足：VN1＝VDD+V

在数据写入阶段t3，所述数据写入电路4在所述第一晶体管M1的阈值补偿栅电压上叠加所述电压变化量，得到所述第一晶体管M1的发光控制电压。

结合图6和图9，第一控制信号S1n有效，第二晶体管M2导通，将第二节点N2电压由电源端VDD的电源电压改变为数据电压Vdata。第二控制信号S2n无效，第四晶体管M4关断。第三控制信号S3n无效，第三晶体管M3和第七晶体管M7无效。第一发光控制信号En1无效，第五晶体管M5关断。第二发光控制信号En2无效，第六晶体管M6关断。

第二节点N2的电压跳变量耦合至第一节点N1。此时第一节点N1的电压VN1为其发光控制电压，计算式为：

VN1＝VDD+V

在发光阶段t4，所述第一发光控制电路2和所述第二发光控制电路3控制所述第一晶体管M1的第一极与所述电源端VDD导通，所述第一晶体管M1的第二极与所述发光元件D导通，以使所述第一晶体管M1驱动所述发光元件D发光。

在发光阶段t4，第一晶体管M1的第一极具体为其源极，源极电压为电压电压VDD。第一晶体管M1的栅源电压差V

Vgs＝VN1-VN3＝V

其中，VN1为第一节点N1的电压，VN3为点节点N3的电压，Vdata为数据电压，VDD为电源电压。

第一晶体管M1的电流I

其中，μ为载流子迁移率，C

电流I

在发光阶段t4，流经发光元件D的电流与第一晶体管M1的阈值电压无关，与数据电压相关。

对比图5与图9所示的实施例，第一电容C1的电容值越小(极限情况为0)，则数据电压Vdata的波动对第一晶体管M1在发光阶段的电流值影响越大。第一电容C1的电容值越大，则数据电压Vdata的波动对第一晶体管M1在发光阶段的电流值影响越小，但第一节点N1电压的稳定性更强。

基于相同的发明构思，本公开的实施例还提供一种显示基板，包括前述的像素电路。

基于相同的发明构思，本公开的实施例还提供一种显示装置，包括前述的显示基板。

显示装置例如包括：显示面板、显示模组、手机、平板电脑、导航仪、车载交互终端、广告牌、电视机、显示器等任意具有显示功能的产品或部件。

显示装置的显示类型例如包括：有机发光二极管(OLED)显示、量子点发光二极管(QLED)显示、微发光二极管(Micro-LED)显示等。

本公开中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。

本公开的保护范围不限于上述的实施例，显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变形而不脱离本公开的范围和精神。倘若这些改动和变形属于本公开权利要求及其等同技术的范围，则本公开的意图也包含这些改动和变形在内。