一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构

技术领域

本申请实施例涉及薄膜晶体管传感器技术，尤指一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构。

背景技术

为满足薄膜晶体管传感器对目标溶液中目标生物分子(核酸、蛋白、活性神经递质分子等)的高灵敏高通量的检测，一种有效的技术路径为构建传感阵列芯片，发挥薄膜晶体管的开关作用和信号转化作用。常用的离子敏感场效应晶体管和延展栅型场效应晶体管传感器采用单栅结构，通过参比电极和溶液对晶体管的栅极进行电偏置从而让传感器进行工作。为实现高灵敏检测，需要将晶体管的工作区域调控到亚阈值区而实现高转换效率。

但受制于有机薄膜晶体管器件的工艺制程，器件的阈值电压如果很高，则需要施加很高的参比电极电压以实现亚阈值检测。较高的参比电极偏置电压一方面将导致溶液中形成较高的电压，使得敏感电极的表面发生被控的电化学作用，损坏传感功能，另一方面，受制于有机薄膜晶体管的载流子类型，参比电极偏置电压所引起的电场限制了目标分子在溶液中向工作电极表面的移动，从而降低灵敏性。同时，有机薄膜晶体管传感器在亚阈值工作模式下工作电流很低，因此对于传感阵列中的开关晶体管的驱动能力提出了一定的挑战。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构，能够使得溶液中电压维持在较低水平，并能极大地提高对分子检测的灵敏度，保证像素传感信号被可靠读取。

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管传感像素电路，可以包括：开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极；

所述开关晶体管为双栅结构，所述开关晶体管包括：第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极；所述第一栅电极和所述第二栅电极相连；

所述传感晶体管为双栅结构，所述传感晶体管包括：第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极；所述第三栅电极作为阈值电压调控电极，所述第四栅电极与所述工作电极相连；

所述第一源漏极设置为输出传感信号，所述第二源漏极与所述第三源漏极相连，所述第四源漏极与所述参比电极相连；

所述参比电极设置为提供偏置电压。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管传感像素阵列，可以包含多个所述的薄膜晶体管传感像素电路。

在本申请的示例性实施例中，所述薄膜晶体管传感像素阵列还可以包括：行选电路、行选信号线、传感信号读出电路和列读信号线；

所述行选电路通过所述行选信号线与每行薄膜晶体管传感像素电路中的每个所述第一栅电极相连，为每个所述薄膜晶体管传感像素电路提供开关信号；

所述传感信号读出电路通过所述列读信号线与每列薄膜晶体管传感像素电路中的每个所述第一源漏极相连，用于读取每列薄膜晶体管传感像素电路中被选中的薄膜晶体管传感像素电路输出的传感信号。

在本申请的示例性实施例中，所述的薄膜晶体管传感像素阵列还可以包括：第一电源信号线、第二电源信号线和第三电源信号线；

所述第一电源信号线设置为与所述第三栅电极相连；

所述第二电源信号线设置为与所述第四源漏极相连；

所述第三电源信号线设置为将所述第二电源信号线与所述参比电极相连。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管传感像素电路的结构，基于所述的薄膜晶体管传感像素电路；该结构可以包括：

衬底；

开关晶体管和传感晶体管，生成于所述衬底上；

工作电极，生成于所述传感晶体管上方；

参比电极，生成于所述工作电极的一侧。

在本申请的示例性实施例中，所述开关晶体管和所述传感晶体管生成于所述衬底上，可以包括：

所述开关晶体管和所述传感晶体管在所述衬底上并排设置。

在本申请的示例性实施例中，所述开关晶体管和所述传感晶体管在所述衬底上并排设置，可以包括：

所述开关晶体管的第一栅电极和所述传感晶体管的第三栅电极生成于所述衬底上；

在所述衬底、所述第一栅电极和所述第三栅电极上覆盖有第一栅介质；

在所述第一栅介质上设置有所述开关晶体管的第一源漏极、所述传感晶体管的第四源漏极以及所述开关晶体管和所述传感晶体管的公共源漏极，作为所述开关晶体管的第二源漏极以及所述传感晶体管的第三源漏极；

在所述第一源漏极的第二端和所述公共源漏极的第一端的上方，以及所述第一源漏极和所述公共源漏极之间的所述第一栅介质的上方，生成有第一半导体；所述第一半导体的上方从下向上依次生成有第二栅介质和所述开关晶体管的第二栅电极；

在所述公共源漏极的第二端和所述第四源漏极的第一端的上方，以及所述公共源漏极和所述第四源漏极之间的所述第一栅介质的上方，生成有第二半导体；所述第二半导体的上方从下向上依次生成有第三栅介质和所述传感晶体管的第四栅电极；

在所述第一栅介质上表面至所述第二栅电极和所述第四栅电极上方预设高度的区域之间覆盖有层间介质；

在所述第一栅电极上表面与所述层间介质的上表面之间设置有所述第一栅电极的第一通孔；在所述第二栅电极的上表面与所述层间介质的上表面之间设置有所述第二栅电极的第二通孔；在所述第四栅电极的上表面与所述层间介质的上表面之间设置有所述第四栅电极的第三通孔；

在所述第一通孔内生成有第一栅极接触电极，在所述第二通孔内生成有第二栅极接触电极，所述第一栅极接触电极和所述第二栅极接触电极相连接；在所述第三通孔内生成有第三栅极接触电极；所述第一栅极接触电极、所述第二栅极接触电极以及所述第三栅极接触电极均延伸至所述层间介质的上表面。

在本申请的示例性实施例中，所述第三栅极接触电极在所述层间介质的上表面的延伸部分作为所述工作电极的接触电极。

在本申请的示例性实施例中，所工作电极生成于所述传感晶体管上方，可以包括：

在所述工作电极的接触电极上方生成有封装层；

在位于所述工作电极的接触电极上方的封装层上设置有第四通孔；

在所述第四通孔内生成有所述工作电极的探针，所述探针与所述工作电极的接触电极连接。

在本申请的示例性实施例中，所述参比电极生成于所述工作电极的一侧，可以包括：

在所述层间介质的上表面以及所述工作电极的接触电极的一侧生成有参比电极的接触电极；

在所述参比电极的接触电极上方生成有封装层；

在位于所述参比电极的接触电极上方的封装层上设置有第五通孔；

在所述第五通孔内生成有所述参比电极的参比功能膜；所述参比功能膜与所述参比电极的接触电极相连。

与相关技术相比，本申请实施例的薄膜晶体管传感像素电路可以包括：开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极；所述开关晶体管为双栅结构，所述开关晶体管包括：第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极；所述第一栅电极和所述第二栅电极相连；所述传感晶体管为双栅结构，所述传感晶体管包括：第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极；所述第三栅电极作为阈值电压调控电极，所述第四栅电极与所述工作电极相连；所述第一源漏极设置为输出传感信号，所述第二源漏极与所述第三源漏极相连，所述第四源漏极与所述参比电极相连；所述参比电极设置为提供偏置电压。通过该实施例方案，不仅使得溶液中电压维持在较低水平，而且能极大地提高了对分子检测的灵敏度，同时保证了像素传感信号被可靠读取。

本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本申请实施例的薄膜晶体管传感像素电路示意图；

图2为本申请实施例的薄膜晶体管传感像素阵列示意图；

图3为本申请实施例的薄膜晶体管传感像素电路的结构示意图；

图4为本申请实施例的薄膜晶体管传感像素电路的结构制作工艺方法流程图。

具体实施方式

本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管传感像素电路，如图1所示，可以包括：开关晶体管10、传感晶体管20、工作电极30和参比电极40；

所述开关晶体管10为双栅结构，所述开关晶体管10可以包括：第一栅电极110、第二栅电极114、第一源漏极111和第二源漏极122-1；所述第一栅电极110和所述第二栅电极114相连；

所述传感晶体管20为双栅结构，所述传感晶体管20包括：第三栅电极210、第四栅电极214、第三源漏极122-2和第四源漏极211；所述第三栅电极210作为阈值电压调控电极，所述第四栅电极211与所述工作电极30相连；

所述第一源漏极111设置为输出传感信号，所述第二源漏极122-1与所述第三源漏极122-2相连，构成公共源漏极122，所述第四源漏极211与所述参比电极40相连；

所述参比电极40设置为提供偏置电压。

在本申请的示例性实施例中，为了解决有机薄膜晶体管传感器高敏工作模式难以调节和微弱信号难以读取的问题，本申请实施例方案提出了一种薄膜晶体管传感像素电路，该电路提供双栅型有机薄膜晶体管结构，包含两个晶体管，其中一个晶体管作为传感晶体管20，该传感晶体管为双栅结构，包括第三栅电极210和第四栅电极214，其中，第四栅电极214采用延展栅结构，作为分子信号的识别电极，第三栅电极210设置为调控亚阈值电压，使得在施加较低参比电极电压偏置的基础上，传感晶体管20仍能工作在亚阈值区；而另外一个晶体管作为开关晶体管10，该传感晶体管为双栅结构，包括第一栅电极110和第二栅电极114，其中，将第一栅电极110和第二栅电极114相连接加强电流驱动能力，由此构成的传感像素阵列具有有源寻址功能，不仅使得溶液中电压维持在较低水平，而且能极大提高对分子检测的灵敏度，同时保证了像素传感信号被可靠读取。

在本申请的示例性实施例中，可以将参比电极40的偏置电压设置于1V以内，使得溶液中的电压维持在较低水平，从而实现有机薄膜晶体管传感器的工作电流长时间工作仍能保持稳定。

在本申请的示例性实施例中，通过背栅电极(第三栅电极210)调控传感晶体管20的阈值电压，使得传感晶体管20的亚阈值区在零电压附近，传感晶体管20具有较高的跨导效率，从而提高转换能力，实现对目标分子的高灵敏检测。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管传感像素阵列，如图2所示，可以包含多个所述的薄膜晶体管传感像素电路50。

在本申请的示例性实施例中，所述薄膜晶体管传感像素阵列还可以包括：行选电路401、行选信号线610、传感信号读出电路402和列读信号线520；

所述行选电路401通过所述行选信号线610与每行薄膜晶体管传感像素电路50中的每个所述第一栅电极110相连，为每个所述薄膜晶体管传感像素电路50提供开关信号；

所述传感信号读出电路402通过所述列读信号线520与每列薄膜晶体管传感像素电路50中的每个所述第一源漏极111相连，用于读取每列薄膜晶体管传感像素电路50中被选中的薄膜晶体管传感像素电路50输出的传感信号。

在本申请的示例性实施例中，由多个薄膜晶体管传感像素电路50组成包含一定数量行和一定数量列的薄膜晶体管传感像素阵列。

在本申请的示例性实施例中，每一组行选信号线610连接一行薄膜晶体管传感像素电路中每个开关晶体管10的第一栅电极110，从而为每行薄膜晶体管传感像素电路50提供开关信号。

在本申请的示例性实施例中，每一组列读信号线520连接一列薄膜晶体管传感像素电路中开关晶体管10的第一源漏极111，从而读取每列薄膜晶体管传感像素电路中被选中电路输出的传感信号。

在本申请的示例性实施例中，所述的薄膜晶体管传感像素阵列还可以包括：第一电源信号线510、第二电源信号线511和第三电源信号线512；

所述设置为与所述第三栅电极210相连；

所述第二电源信号线511设置为与所述第四源漏极211相连；

所述第三电源信号线512设置为将所述第二电源信号线511与所述参比电极40相连。

在本申请的示例性实施例中，由第一电源信号线510连接所有传感晶体管20的第三栅电极210，由第二电源信号线511连接所有传感晶体管20的第四源漏极211，由第三电源信号线512连接参比电极40，从而为薄膜晶体管传感像素阵列提供统一的电偏置。

在本申请的示例性实施例中，由行选电路401为行选信号线610提供开关信号；由传感信号读出电路402读取列读信号线520的传感信号，并提供第一电源信号线510、第二电源信号线511和第三电源信号线512。

在本申请的示例性实施例中，薄膜晶体管传感像素电路50中的工作电极30修饰不同类型特异性的探针320，从而实现对不同分子的识别或者同一分子的多点识别。

在本申请的示例性实施例中，薄膜晶体管传感像素阵列具有有源寻址功能，开关晶体管10的高电流驱动能力，在开启状态下其电阻低于与之连接的所读取传感晶体管20的电阻100倍以上，实现薄膜晶体管传感像素阵列对多种目标分子的检测或者同一分子的多位点检测。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管传感像素电路的结构，基于所述的薄膜晶体管传感像素电路；如图3所示，该结构可以包括：

衬底100；

开关晶体管10和传感晶体管20，生成于所述衬底100上；

工作电极30，生成于所述传感晶体管20上方；

参比电极40，生成于所述工作电极30的一侧。

在本申请的示例性实施例中，所述开关晶体管10和所述传感晶体管20生成于所述衬底上，可以包括：

所述开关晶体管10和所述传感晶体管20在所述衬底上并排设置。

在本申请的示例性实施例中，在所述衬底100，可以并列设置所述开关晶体管10和所述传感晶体管20。

在本申请的示例性实施例中，所述开关晶体管10和所述传感晶体管20在所述衬底上并排设置，可以包括：

所述开关晶体管10的第一栅电极110和所述传感晶体管20的第三栅电极210生成于所述衬底100上；

在所述衬底100、所述第一栅电极110和所述第三栅电极210上覆盖有第一栅介质101；

在所述第一栅介质101上设置有所述开关晶体管10的第一源漏极111、所述传感晶体管20的第四源漏极211以及所述开关晶体管10和所述传感晶体管20的公共源漏极122，作为所述开关晶体管10的第二源漏极122-1以及所述传感晶体管20的第三源漏极122-2；

在所述第一源漏极111的第二端和所述公共源漏极122的第一端的上方，以及所述第一源漏极111和所述公共源漏极122之间的所述第一栅介质101的上方，生成有第一半导体112(可以为有机半导体)；所述第一半导体112的上方从下向上依次生成有第二栅介质113和所述开关晶体管10的第二栅电极114；

在所述公共源漏极122的第二端和所述第四源漏极211的第一端的上方，以及所述公共源漏极122和所述第四源漏极211之间的所述第一栅介质101的上方，生成有第二半导体212(可以为有机半导体)；所述第二半导体212的上方从下向上依次生成有第三栅介质213和所述传感晶体管20的第四栅电极214；

在所述第一栅介质101上表面至所述第二栅电极114和所述第四栅电极214上方预设高度的区域之间覆盖有层间介质102；

在所述第一栅电极110上表面与所述层间介质102的上表面之间设置有所述第一栅电极110的第一通孔115；在所述第二栅电极114的上表面与所述层间介质102的上表面之间设置有所述第二栅电极114的第二通孔116；在所述第四栅电极214的上表面与所述层间介质102的上表面之间设置有所述第四栅电极214的第三通孔215；

在所述第一通孔115内生成有第一栅极接触电极117，在所述第二通孔116内生成有第二栅极接触电极118，所述第一栅极接触电极117和所述第二栅极接触电极118相连接，构成公共接触电极119；在所述第三通孔215内生成有第三栅极接触电极216；所述第一栅极接触电极116、所述第二栅极接触电极118以及所述第三栅极接触电极216均延伸至所述层间介质102的上表面。

在本申请的示例性实施例中，所述第三栅极接触电极216在所述层间介质102的上表面的延伸部分作为工作电极30的接触电极303。

在本申请的示例性实施例中，所工作电极30生成于所述传感晶体管20上方，可以包括：

在所述工作电极30的接触电极303上方生成有封装层103；

在位于所述工作电极30的接触电极303上方的封装层103上设置有第四通孔301；

在所述第四通孔301内生成有所述工作电极30的探针320，所述探针320与所述工作电极30的接触电极303连接。

在本申请的示例性实施例中，所述参比电极40生成于所述工作电极30的一侧，可以包括：

在所述层间介质102的上表面以及所述工作电极30的接触电极303的一侧生成有参比电极40的接触电极316；

在所述参比电极40的接触电极316上方生成有封装层103；

在位于所述参比电极40的接触电极316上方的封装层103上设置有第五通孔302；

在所述第五通孔302内生成有所述参比电极40的参比功能膜310；所述参比功能膜310与所述参比电极40的接触电极316相连。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管传感像素电路结构的制作工艺方法，基于所述的薄膜晶体管传感像素电路的结构；如图4所示，该方法可以包括步骤S101-S103：

S101、设置衬底100。

S102、在所述衬底100上生成开关晶体管10和传感晶体管20。

在本申请的示例性实施例中，所述在所述衬底100上生成开关晶体管10和传感晶体管20，可以包括：

在所述衬底上并排设置所述开关晶体管10和所述传感晶体管20。

在本申请的示例性实施例中，所述在所述衬底上并排设置所述开关晶体管10和所述传感晶体管20，可以包括：

在所述衬底100上生成所述开关晶体管10的第一栅电极110和所述传感晶体管20的第三栅电极210；

在所述衬底100、所述第一栅电极110和所述第三栅电极210上覆盖第一栅介质101；

在所述第一栅介质101上生成所述开关晶体管10的第一源漏极111、所述传感晶体管20的第四源漏极211以及所述开关晶体管10和所述传感晶体管20的公共源漏极122；所述公共源漏极122作为所述开关晶体管10的第二源漏极122-1以及所述传感晶体管20的第三源漏极122-2；

在所述第一源漏极111的第二端和所述公共源漏极122的第一端的上方，以及所述第一源漏极111和所述公共源漏极122之间的所述第一栅介质101的上方，生成第一半导体112(可以为有机半导体)；在所述第一半导体112的上方从下向上依次生成第二栅介质113和所述开关晶体管10的第二栅电极114；

在所述公共源漏极122的第二端和所述第四源漏极211的第一端的上方，以及所述公共源漏极122和所述第四源漏极211之间的所述第一栅介质101的上方，生成第二半导体212(可以为有机半导体)；在所述第二半导体212的上方从下向上依次生成第三栅介质213和所述传感晶体管20的第四栅电极214；

在所述第一栅介质101上表面至所述第二栅电极114和所述第四栅电极214上方预设高度的区域之间覆盖层间介质102；

在所述第一栅电极110上表面与所述层间介质102的上表面之间设置所述第一栅电极110的第一通孔115；在所述第二栅电极114的上表面与所述层间介质102的上表面之间设置所述第二栅电极114的第二通孔116；在所述第四栅电极214的上表面与所述层间介质102的上表面之间设置所述第四栅电极214的第三通孔215；

在所述第一通孔115内生成第一栅极接触电极117，在所述第二通孔116内生成第二栅极接触电极118，所述第一栅极接触电极117和所述第二栅极接触电极118相连接，构成公共接触电极119；在所述第三通孔215内生成第三栅极接触电极216；所述第一栅极接触电极116、所述第二栅极接触电极118以及所述第三栅极接触电极216均延伸至所述层间介质102的上表面。

S103、在所述传感晶体管20上方生成工作电极30，并在所述工作电极30的一侧生成参比电极40。

在本申请的示例性实施例中，在所述传感晶体管20上方生成工作电极30，并在所述工作电极30的一侧生成参比电极40，可以包括：

在本申请的示例性实施例中，所述第三栅极接触电极216在所述层间介质102的上表面的延伸部分作为工作电极30的接触电极303；

在生成公共接触电极118和第三栅极接触电极216时，可以在所述层间介质102的上表面以及所述工作电极30的接触电极303的一侧生成有参比电极40的接触电极316；

在生成公共接触电极118、第三栅极接触电极216、所述工作电极30的接触电极303和参比电极40的接触电极316上方生成有封装层103；封装层103具有一定的高度，覆盖住生成公共接触电极118、第三栅极接触电极216、所述工作电极30的接触电极303和参比电极40的接触电极316；

在位于所述工作电极30的接触电极303上方的封装层103上设置有第四通孔301；在位于所述参比电极40的接触电极316上方的封装层103上设置有第五通孔302；

在所述第四通孔301内生成有所述工作电极30的探针320，所述探针320与所述工作电极30的接触电极303连接；在所述第五通孔302内生成有所述参比电极40的参比功能膜310；使得所述参比功能膜310与所述参比电极40的接触电极316相连。

在本申请的示例性实施例中，至少包括以下优势：

1、传感晶体管20的双栅设计降低了亚阈值区工作模式下溶液中的工作电压，减少了电化学反应过程，获得长时间工作的稳定性。

2、溶液中偏置电压的降低，抑制了非特异性吸附等副反应的产生，有利于提高对目标分子的检测选择性。

3、薄膜晶体管传感像素电路内双栅结构实现了对传感信号的前端放大，有利于提升信噪比，以获得更佳的检测限。

4、结构通用性强，不受有机薄膜晶体管工艺的限制，减少对材料和工艺的依赖性。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。