一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。

背景技术

随着科学技术的快速发展，AMOLED(Active-matrix organic light-emittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)已成为未来显示技术的主流。手机等小尺寸AMOLED面板良率已逼近a-Si LCD产品，但大尺寸AMOLED良率，尤其是TV类AMOLED一直是业界大规模量产的瓶颈。水平Mura(指显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)是AMOLED常见的顽固性不良，其发生率超过90％，在特定画面下，肉眼均可见，只是严重程度不同。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，解决了现有的显示面板显示出水平Mura现象的问题。

本发明一实施例提供的一种显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述显示面板还包括：

至少两个集成芯片，位于所述显示区至少一侧的所述周边区，且沿所述显示区的边界方向排列；

至少一个流速调节结构，位于所述至少两个集成芯片之间，且位于所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧，所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。

在一种实施方式中，所述集成芯片的数量为4-8个，两个相邻的所述集成芯片之间设置有一个所述流速调节结构。

在一种实施方式中，所述流速调节结构包括：至少一个第一挡墙和至少一个第二挡墙，其中，每个所述第一挡墙和一个所述第二挡墙在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交。

在一种实施方式中，所述第一挡墙的数量为多个，所述第二挡墙的数量为多个，所述多个第一挡墙沿第一方向平行排列，所述多个第二挡墙沿第二方向平行排列。

在一种实施方式中，所述流速调节结构包括至少一个第三挡墙和至少一个第四挡墙，其中，至少一个所述第三挡墙和至少一个所述第四挡墙相交呈第一网格状结构分布，所述第一网格状结构的网格密度均匀分布。

在一种实施方式中，所述流速调节结构包括至少一个第五挡墙和至少一个第六挡墙，至少一个所述第五挡墙和至少一个所述第六挡墙相交呈第二网格状结构分布，所述第二网格状结构的网格密度不均匀分布。

在一种实施方式中，所述流速调节结构包括：至少一个第七挡墙和至少一个第八挡墙，其中，每个所述第七挡墙和一个所述第八挡墙在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交；

所述流速调节结构还包括第九挡墙，至少一个所述第九挡墙与至少一个所述第七挡墙相交呈第三网格状结构分布；至少一个所述第九挡墙与和至少一个所述第八挡墙相交呈第三网格状结构分布；所述第三网格状结构的网格密度不均匀分布。

在一种实施方式中，所述网格密度在靠近所述流速调节结构中间位置的方向上逐渐减小。

在一种实施方式中，所述显示面板包括栅极层，所述流速调节结构设置在所述栅极层。

一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述显示面板的制备方法包括：

在所述显示区至少一侧的周边区制备至少两个集成芯片，所述至少两个集成芯片沿所述显示区的边界方向排列；

制备至少一个流速调节结构，所述流速调节结构位于所述至少两个集成芯片之间，且位于所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧，所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。

一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。

本发明实施例提供的一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周边区；至少两个集成芯片，位于所述显示区至少一侧的所述周边区，且沿所述显示区的边界方向排列；至少一个流速调节结构，位于两个相邻的所述集成芯片之间，且位于所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧，所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。本发明通过在显示面板两个相邻的集成芯片之间设置至少一个流速调节结构，用于调节刻蚀液等工艺液体的流动，尤其是加快IC信号线交界处工艺液体的流速，使IC信号线交界处液体的流速与其他区域工艺液体的流速相等，从而能够提高工艺指标的均一性，防止出现水平Mura的现象。

附图说明

图1所示为现有技术中一种水平Mura现象示意图。

图2所示为本发明一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

图3所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

图4所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

图5所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明一实施例中，本申请发明人通过对现有技术经过不良解析，发现水平Mura(如图1所示)发生的位置刚好位于两颗IC信号线的交界处，且水平Mura经常发生在栅极刻蚀后，因此经过本申请发明人的研究，对此不良机理推断为：由于现有的两颗IC信号线交界处的设计存在明显的分界线，该分界线的分割作用影响了刻蚀液的流动，分界线处刻蚀液流动速度明显小于其他区域，导致分界线上下两侧刻蚀液浓度不均，造成线宽等工艺指标的轻微波动，宏观表现即为在分界线处显示出现水平Mura的现象。针对上述问题，现有技术中通过刻蚀液寿命管控、传送速度变更等多种工艺调整均无明显改善，且在刻蚀液寿命末期，甚至存在恶化的现象。本发明为解决上述问题对IC信号线交界处的图形化进行了优化设计，既能改善工艺液体的流动，大大减少Mura现象的产生，还避免了对AA显示区的大幅修改，具体方案如下所述。

图2所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，其中显示区用于实现显示功能，显示区的周边区不具有显示功能。显示面板还包括至少两个集成芯片，位于所述显示区的周边区，且沿所述显示区的边界方向排列。至少一个流速调节结构，位于所述至少两个集成芯片之间，且位于所述集成芯片远离所述显示区的一侧，所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。所述显示区的周边区包括流速调节结构，流速调节结构可以根据实际需要选择设置一个或多个。流速调节结构的作用为调节工艺液体的流速，可以加快IC信号线交界处工艺液体的流速。

本发明一实施例中，集成芯片的数量范围可以在4～8个之间，可选地，集成芯片的数量可以为4个、6个或者8个等，本发明对集成芯片的数量不做限定。在相邻的两个集成芯片之间均设置有一个流速调节结构。

本发明一实施例中，流速调节结构可以包括至少一个第一挡墙01和至少一个第二挡墙02。如图2所示，至少一个第一挡墙01为直线状并向靠近集成芯片的方向倾斜；至少一个第二挡墙02为直线状并向远离集成芯片的方向倾斜；其中，每个所述第一挡墙01和一个所述第二挡墙02在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交。具有该结构设计的流速调节结构可弱化IC信号线交界处的分界线的分割作用，促进刻蚀液等工艺液体的流动，确保工艺指标的均一性，采用具有第一挡墙01和第二挡墙02设计的流速调节结构的设计改善水平Mura效果十分显著，经试验证明水平Mura的发生率由大于90％降到了小于5％。

本发明一实施例中，所述显示面板包括多个第一挡墙01和多个第二挡墙02，多个第一挡墙01沿第一方向平行排列，多个第二挡墙02沿第二方向平行排列。如图2所示，第一方向为竖直向下且靠近显示区的方向；第二方向为竖直向下且远离显示区的方向。其中，每个所述第一挡墙01和一个所述第二挡墙02在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交。

图3所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

本发明一实施例中，流速调节结构包括至少一个第三挡墙03和至少一个第四挡墙04。第三挡墙03为直线状且沿水平方向分布；第四挡墙04为直线状且沿垂直与水平方向分布；如图3所示，至少一个所述第三挡墙03和至少一个所述第四挡墙04相交呈第一网格状结构分布，所述第一网格状结构的网格密度均匀分布。采用具有本实施例中所述结构的流速调节结构，能够均匀工艺液体的流速，确保工艺指标的均一性，改善水平Mura效果十分显著。

图4所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

本发明一实施例中，流速调节结构包括至少一个第五挡墙05和至少一个第六挡墙06。第五挡墙05为直线状且沿水平方向分布；第六挡墙06为直线状且沿垂直与水平方向分布；如图4所示，至少一个所述第五挡墙05和至少一个所述第六挡墙06相交呈第二网格状结构分布，所述第二网格状结构的网格密度不均匀分布，第二网格状可以设置为网格密度渐变，可选地，第二网格状密度在靠近流速调节结构中间位置的方向上逐渐减小。采用本实施例中所述的具有第二网格状结构的流速调节结构可以定量调节分界线处的液体流速，因此更能促进均一化指标的实现。

图5所示为本发明另一实施例提供的一种流速调节结构的示意图。

本发明一实施例中，流速调节结构可以包括至少一个第七挡墙07和至少一个第八挡墙08。至少一个第七挡墙07为直线状并向靠近集成芯片的方向倾斜；至少一个第八挡墙08为直线状并向远离集成芯片的方向倾斜；其中，每个所述第七挡墙07和一个所述第八挡墙08在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交。可选地，所述显示面板包括多个第七挡墙07和多个第八挡墙08，多个第七挡墙07沿第一方向平行排列，多个第八挡墙08沿第二方向平行排列。如图2所示，第一方向为竖直向下且靠近显示区的方向；第二方向为竖直向下且远离显示区的方向。

所述流速调节结构还包括第九挡墙09，第九挡墙09为直线状且沿水平方向分布；至少一个第九挡墙09与至少一个第七挡墙07相交呈第三网格状结构分布；至少一个第九挡墙09与和至少一个第八挡墙08相交呈第三网格状结构分布；其中，第三网格状结构的网格密度不均匀分布，第三网格状可以设置为网格密度渐变，可选地，第三网格状密度在靠近流速调节结构中间位置的方向上逐渐减小。采用本实施例中所述的具有第三网格状结构的流速调节结构可以定量调节分界线处的液体流速，因此更能促进均一化指标的实现。

采用具有第三网格状结构的流速调节结构，不仅可以弱化IC信号线交界处分界线的分割作用，促进刻蚀液等工艺液体的流动，确保工艺指标的均一性，还可以定量调节分界线处的液体流速，因此更能促进均一化指标的实现，精确改善只单纯使用第一挡墙和第二挡墙流速调节结构时的剩余不良现象。

本发明一实施例中，第二网格状或第三网格的密度可以是沿着靠近流速调节结构中间位置的方向上逐渐减小。其中，参考图4或图5，a、b、c分别为相邻的第五挡墙的间距或相邻的第七挡墙的间距，设定a、b、c间距为不同值，可以参照流体力学伯努利方程：

p+1/2ρv2+ρgh＝C：

式中，p为流体中某点的压强,v为流体该点的流速,ρ为流体密度,g为重力加速度,h为该点所在高度,C是一个常量。

定量调节分界线处的液体流速(包括但不限于a

本发明上述实施例所述流速调节结构设置在显示面板中的栅极层或多晶硅层。由于现有技术中的水平Mura经常发生在栅极刻蚀后，所以将流速调节结构设置在栅极或者多晶硅层，能够在形成栅极层和多晶硅层的工艺过程中，直接加快分界线处刻蚀液流动速度，提高栅极层和多晶硅层的工艺指标的均一性，减少出现水平Mura的现象。

在一实施例中，提供一种显示面板的制备方法，其中所述显示面板包括显示区和和围绕所述显示区的周边区，在所述显示区的周边区制备至少两个集成芯片，所述至少两个集成芯片沿所述显示区的边界方向排列；制备至少一个流速调节结构，所述流速调节结构位于两个相邻的所述集成芯片之间，且位于所述集成芯片远离所述显示区的一侧，所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。至少一个流速调节结构可以调节刻蚀液等工艺液体的流动，尤其是加快IC信号线交界处工艺液体的流速，使IC信号线交界处液体的流速与其他区域工艺液体的流速相等，从而能够提高工艺指标的均一性，防止出现水平Mura的现象。

在一实施例中，显示面板的制备方法还可以包括以下步骤：

提供衬底基板，衬底基板包括：衬底层以及设置在衬底层一侧的无机层；

在所述无机层上依次形成多晶硅层、第一栅极绝缘层、栅极金属层；

在所述栅极金属层上进行镀膜，使用具有相应图像的掩膜版对所述栅极金属层进行曝光和刻蚀等工艺，以在所述栅极金属层的显示区的周边区形成至少一个流速调节结构；

在所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧依次形成其它功能膜层，以完成显示面板的制备，可选地，功能膜层可以包括第二栅极绝缘层、电容金属层、绝缘层、第三金属层和平坦化层等，功能膜层的具体类型是可以根据实际的产品需求进行设定的，本发明对具体的功能膜层不做限定。

通过在显示面板的显示区的周边区的栅极层和多晶硅层设置至少一个流速调节结构，不仅可以弱化IC信号线交界处分界线的分割作用，促进刻蚀液等工艺液体的流动，确保工艺指标的均一性，还可以定量调节分界线处的液体流速，因此更能促进均一化指标的实现。

本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中任一所述的显示面板，其中该显示面板包括显示区和围绕显示区的周边区，所述围绕显示区的周边区包括至少两个集成芯片，本发明通过在至少两个集成芯片之间设置流速调节结构，作用为调节工艺液体的流速，通过调节刻蚀液等工艺液体的流动，尤其是加快IC信号线交界处工艺液体的流速，使IC信号线交界处液体的流速与其他区域工艺液体的流速相等，从而能够提高工艺指标的均一性，防止出现水平Mura的现象。本实施例不仅解决了水平Mura类不良现象的产生，还丰富了AMOLED非显示区设计的解决方案。

可以理解，显示装置可以为电视、电脑等电子设备，本发明对显示装置的具体类型不做限定。

以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。

本申请中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。

还需要指出的是，在本申请的装置、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。

提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本申请的范围。因此，本申请不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、顶、底……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

另外，在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。