电路基板

技术领域

本发明涉及一种电路基板。

背景技术

能够使得智能手机急剧普及的无线通信系统由RF前端模块(RFFM：RadioFrequency Front end Module)的高功能化支撑。RFFM由滤波器功率放大器(PA：PowerAmplifier)、低噪声放大器(LNA：Low Noise Amplifier)、RF开关构成，随着部件的整合化的发展，电路变得复杂且部件件数也呈现出增加趋势。

特别是随着RFFM的小型、薄型、多功能化等，搭载于RFFM的部件件数增加，与此相对应地RFFM的封装的多层配线基板的低高度化的要求增加。作为容易地实现这种半导体封装的低高度化的方法之一，已知使用薄型多层配线基板的方法。

例如，通过减薄薄型多层配线基板的绝缘树脂层而致力于使得整个RFFM实现低高度化。

另一方面，对于用于安装半导体芯片等电子元件的配线基板，提出了各种形状、构造的方案。例如，专利文献1中公开了具有如下构造的配线基板，即，在配线基板的内层配线层的上下两侧形成有绝缘树脂层，在形成于绝缘树脂层的通路孔的内部具有的导体与内层配线层的焊盘连接。

该技术能够提供如下多层配线基板，即，能够确保内层配线层与焊盘的连接可靠性，并且能够以最小限度的焊盘面积提高内层配线层的配线密度。然而，并未考虑多层配线基板的低高度化。

因此，期望如下技术，即，能够确保内层配线层与焊盘的连接可靠性且以最小限度的焊盘面积提高内层配线层的配线密度，并且还能够实现低高度化。

专利文献1：日本特开2011-134957号公报

发明内容

本发明就是鉴于这种情形而提出的，其目的在于提供一种电路基板，能够应对电子仪器的紧凑化及低高度化，并且层间的连接可靠性优异。

根据本发明的一个方面，提供一种电路基板，其是利用具有贯通孔的玻璃芯而内置有LC电路的电路基板，

具有：基本电路基板，其形成有LC电路；以及堆叠层，其形成于基本电路基板的正反面，

基本电路基板具有：

配线图案，其形成于玻璃芯的正反面；

导体层，其形成于玻璃芯的贯通孔的内部，将玻璃芯的正反面的配线图案连接；以及

LC电路，其由电容器和电感器构成，该电容器将玻璃芯的正反面的至少任一方的配线图案设为一个电极，由该电极、形成于其上方的电介质层以及形成于该电介质层上的另一个电极构成，该电感器包含利用在贯通孔的内部形成的导体层按顺序将在玻璃芯的一个面形成的配线图案、和在另一个面形成的配线图案串联连接而成的螺线管线圈，

导体层与在玻璃芯的一个面形成的配线图案连接，且配备为从玻璃芯的另一个面凸出，并且该凸出的导体层与在该玻璃芯的面形成的配线图案连接，

在包含配线图案、导体层以及LC电路在内的基板的正反面形成有绝缘树脂层，在上述绝缘树脂层的上方形成的配线图案经由形成于绝缘树脂层的贯通孔而与在电容器的电极以及玻璃芯上形成的配线图案连接。

根据本发明的另一方面，提供上述方面所涉及的电路基板，所述导体层是相对于基底的贴合力较强的晶种层和金属层的层叠体。

根据本发明的另一方面，提供上述方面所涉及的电路基板，所述晶种层是由选自Ti、Cr、Ni、Al中的任一种的薄膜和铜的薄膜构成的层叠体。

根据本发明的另一方面，提供一种电路基板，具有：

玻璃芯，其具有第1及第2主面，设置有分别从所述第1主面延伸至所述第2主面的大于或等于1个的贯通孔；

导体层，其包含分别将所述大于或等于1个的贯通孔的侧壁覆盖的大于或等于1个的第1部分、以及在所述大于或等于1个的贯通孔的位置从所述第2主面分别凸出的大于或等于1个的第2部分；

第1配线图案，其设置于所述第1主面上，与所述导体层电连接；以及

第2配线图案，其设置于所述第2主面上，将所述大于或等于1个的第2部分覆盖。

根据本发明的另一方面，提供上述侧面所涉及的电路基板，所述大于或等于1个的第2部分具有前端缩细形状。

根据本发明的另一方面，提供上述任一方面所涉及的电路基板，所述玻璃芯的厚度处于50至1000μm的范围内。

根据本发明的另一方面，提供上述任一方面所涉及的电路基板，所述大于或等于1个的第2部分以相对于所述第2主面的1至10μm的范围内的高度从所述第2主面凸出。

根据本发明的另一方面，提供上述任一方面所涉及的电路基板，所述导体层包含含有选自由Ti、Cr、Ni及Al构成的组的大于或等于1种的元素的第1层、以及设置于所述第1层上且含有铜的第2层。

根据本发明的另一方面，提供上述任一方面所涉及的电路基板，还具有：

电介质层，其设置于所述第1配线图案上；以及

电极，其设置于所述电介质层上，

所述电极、所述电介质层、以及所述第1配线图案中的将所述电介质层夹在中间而与所述电极相对的部分构成电容器。

根据本发明的另一方面，所述第1配线图案的至少一部分、所述导体层的至少一部分、以及所述第2配线图案的至少一部分构成在与所述玻璃芯的厚度方向相交叉的方向上具有螺旋轴的螺线管线圈。

根据本发明的另一方面，，提供上述任一方面所涉及的电路基板，还具有：

大于或等于1个的第1堆叠层，其将所述第1配线图案夹在中间且设置于所述第1主面上，分别包含第1绝缘树脂层、以及设置于所述第1绝缘树脂层上的第3配线图案；以及

大于或等于1个的第2堆叠层，其将所述第2配线图案夹在中间且设置于所述第2主面上，分别包含第2绝缘树脂层、以及设置于所述第2绝缘树脂层上的第3配线图案。

根据本发明的另一方面，提供一种封装化部件，具有：

上述任一方面所涉及的电路基板；以及

大于或等于1个的部件，其安装于所述电路基板。

根据本发明的另一方面，提供上述任一方面所涉及的封装化部件，所述大于或等于1个的部件包含高频部件。

根据本发明的电路基板，在具有贯通孔的玻璃芯的贯通孔形成的导体层与在玻璃芯的一个面形成的配线图案连接，形成为从此处通过贯通孔的内部、且超过玻璃芯的厚度地向另一个面凸出。在该凸出的部分与形成于另一个面的配线图案连接，因此贯通孔以及从贯通孔延伸形成的导体层的长度增大，贯通孔和导体层接触的面积增大。因此，随着电子仪器的低高度化，即使电路基板减薄，也能够抑制层间连接可靠线降低。

附图说明

图1是示意性地说明本发明的能够提高电路基板的层间连接可靠性的构造的剖面图。

图2是举例示出本发明的实施方式中包含的电容器的剖面图的图。

图3是举例示出本发明的实施方式中包含的电感器的斜视图的图。

图4是举例示出本发明的实施方式中包含的带通滤波器的电路图的图。

图5A是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图5B是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图5C是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图5D是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图6E是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图6F是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图6G是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图7H是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图7I是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图7J是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图8K是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图8L是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图9M是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图9N是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图10O是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图10P是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图11Q是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图11R是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图12S是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图12T是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图12U是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图13V是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图13W是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图13X是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图14Y是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图14Z是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图15AA是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图16BB是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

图17CC是举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板的制造工序的图。

具体实施方式

＜电路基板＞

下面，参照附图对本发明的电路基板的实施方式进行说明。此外，在本说明书中，“上”是指远离玻璃基板的方向，“下”是指接近玻璃基板的方向。

另外，“电路元件”是指电阻器、电容器、电感器、反应器等无源元件，并且是指成为LC电路的构成要素的元件。上述电路元件用作构成以多频带通信中的、至少大于或等于2GHz的频带进行的时分双工发送接收通信中使用的带通滤波器的LC滤波器的部件。该LC滤波器可以构成为低通滤波器、高通滤波器、双工器等解复用滤波器、将特定频带的噪声去除的陷波滤波器。

在具有这种功能的电路基板中，能够由LC滤波器构成以上述多频带通信中的至少大于或等于2GHz的频带进行的时分双工发送接收通信(TDD：Time Division Duplex)中使用的带通滤波器。这种LC滤波器的电抗元件因在电路基板内至少具有该构造的一部分而能够有助于电路基板的低高度化。另外，通过将除了LC滤波器以外的RF(Radio Frequency，高频)部件安装于电路基板而能够实现更紧凑的电路基板。

在本发明的实施方式中，将电路元件内置于电路基板而能够将电路基板表面的位于内置的电路元件的上方的区域用于其他部件的安装，由此能够实现高功能且紧凑的电路基板。

接下来，以将玻璃板设为芯材、且在其两面的每一侧分别形成配线层及绝缘树脂层的基板为例，分别对作为构成LC电路的电路元件的电容器和电感器的例子进行说明。

关于电容器，设为在两个电极之间夹持有电介质的构造。

如图2所示，作为电容器的例子，在未图示的玻璃基板正上方、或者形成于玻璃基板上的绝缘树脂层11的上方，形成由导体图案构成的电极12，使得电介质层13层叠于该电极12的上方，并且使得由导体图案构成的电极14层叠于其上方。电极12和电极14可以是由作为相对于基底的贴合层的晶种层、以及形成于其上方的具有较低的电阻的导电层构成的多层构造。

关于电感器，可以将与螺旋状的线圈相同的性能内置于具有贯通孔的基板。

图3以透明的方式示出了具有排列成2列的贯通孔23的平行平板状的玻璃板。在玻璃板的正反面，相对于沿平行地延伸的2根线以等间隔形成的贯通孔23的开口部，在处于相对的位置的开口部彼此以形成螺旋状的线圈的方式形成配线21、22。并且，在将玻璃板的正反面连通的贯通孔23的内壁形成导体层而形成TGV(Through Glass Vias)，由此能够形成由螺旋状的线圈构成的电感器。

接下来，对基于在基板内部形成的LC电路的带通滤波器(BPF)进行说明。图4中示出了BPF的基本电路图。适当地设定电路图中的电容器的电容量(下面称为电容)和电感器的感应系数(下面称为电感)，由此能够体现出仅使期望频带的频率导通、且使除此以外的频率截止的带通效果。

如图14Y举例所示，电容器CP埋设于玻璃芯41的上表面上的绝缘树脂层43，在与电路基板外部的电极连接的情况下，能够在绝缘树脂层43形成通路孔(via hole)并经由在其内部形成或填充的导体而连接。

另外，电感器ID能够通过将玻璃芯41内的TGV和玻璃芯41的正反面的配线(参照图3)连结来制作螺线管线圈而形成。关于电感器ID的主体，与电容器CP相同地，能够经由绝缘树脂层43内的通路孔而进行玻璃芯41的内部与埋设于其正反面的绝缘树脂层43的电路基板最外层的电极之间的导通。

关于电容器CP，上述构造例如可以采用电容器C1、C2及C3的大于或等于1个。另外，关于电感器ID，上述构造例如可以采用电感器L1、L2及L3的大于或等于1个。此外，电感器L2(参照图4)是带通滤波器之间的干涉抑制调整电路用的电抗元件。

接下来，对本发明的实施方式所涉及的电路基板进行具体说明。

图15AA是示意性地举例示出本发明的实施方式所涉及的电路基板200的剖面图。

电路基板200是利用具有贯通孔44的玻璃芯41而内置有LC电路的电路基板。

电路基板200具有：基本电路基板100(参照图14Z)，其形成有LC电路；以及堆叠层70，其形成于基本电路基板100的正反面。图15AA举例示出了堆叠层70为1层(1组绝缘树脂层和配线图案)的情况，但也可以是大于或等于2层的堆叠层。

如图14Z举例所示，基本电路基板100具有：配线图案50、51，其形成于玻璃芯41的正反面；导体层10，其形成于玻璃芯41的贯通孔44的内部，将玻璃芯41的正反面的配线图案50、51连接；以及LC电路，其由电容器和电感器构成，该电容器将玻璃芯41的正反面的至少任一配线图案50或51设为一个电极，并由该电极、形成于该电极上的电介质层13以及形成于该电介质层13上的另一个电极构成，该电感器包含螺线管线圈，该螺线管线圈利用在贯通孔44的内部形成的导体层10按顺序将形成于玻璃芯41的一个面的配线图案50、和形成于另一个面的配线图案51串联连接而成。这样，电感器是利用贯通孔44的导体层10将玻璃芯41的正反面的配线图案50、51串联连接的线圈、或者由配线图案50、51的一部分形成，由此与使用由单独元件构成的电感器的情况相比能够更显著地减薄。

导体层10与在玻璃芯41的一个面形成的配线图案51连接，且配备为从玻璃芯41的另一个面凸出，并且该导体层的凸出部15与该玻璃芯41的在导体层的凸出部15侧的面形成的配线图案50连接。导体层10配备为从玻璃芯41的另一个面凸出，因此导体层10与玻璃芯41的内壁面接触的面积增大。因此，为了低高度化而减薄玻璃芯41，由此能够使得导体层10与玻璃芯41的内壁面的接触面积减小，能够抑制由此导致连接可靠性降低。

利用图1进行更详细的说明。

导体层10形成于贯通孔44的内壁面，与在玻璃芯41的一个面形成的配线图案51连接。这里，导体层10由与第一贴合层42以及形成于其上方的配线层45(参照图6F)相同的电解镀铜层构成。

另一方面，在玻璃芯41的另一个面，在图1中示出了第一贴合层42形成为从玻璃芯41的下侧的面凸出，在其内侧形成有导体层10的情况，实际上，第一贴合层42的厚度为0.3～0.6μm左右，导体层10例如可以设为5μm。

因此，可以考虑如下情况，即，导体层10具有第一贴合层42的10倍左右的厚度，凸出形成的部分大致由导体层10形成。因此，形成为导体层10以凸出的长度延长的状态，与此相应地，玻璃芯41与内壁面的接触面积增大。其结果，抵抗要使其变形的应力的力增强，由此使得层间的连接可靠性提高。

如图14Z所示，其特征在于，在包含配线图案50、51、导体层10以及LC电路的基板的正反面形成有绝缘树脂层43，在上述绝缘树脂层43的上方形成的配线图案50′、51′经由在绝缘树脂层43形成的贯通孔56而与在电容器的上电极以及玻璃芯41上形成的配线图案50、51连接。此外，贯通孔56的内部由电解镀铜49填充。

由此，能够获得在玻璃芯41内置有由电感器和电容器构成的LC电路的基本的电路基板100。

并且，在基本的电路基板100的正反面形成大于或等于1层的堆叠层而能够获得电路基板200(参照图15AA)。

并且，如图16BB举例所示，在将高频部件57安装于电路基板200之后，从其上方利用模塑树脂58进行模塑而能够获得组件基板300(参照图17CC)。

另外，优选地，导体层10是相对于基底的贴合力较强的晶种层、以及导电性较高的金属层的层叠体。

另外，优选地，作为晶种层，层叠体由相对于作为基底的玻璃、绝缘树脂的贴合力较强的金属材料、例如选自Ti、Cr、Ni、Al中的任一种的薄膜、和导电性较高的金属材料、例如铜的溅射薄膜、非电解镀铜薄膜构成。作为金属层，优选为能够在较短时间内形成大于或等于几μm的膜厚的电解镀铜覆膜。

＜电路基板制作工艺＞

接下来，利用图5及其之后的附图示出利用玻璃基板的电路基板制作工艺的一个例子。

(电路设计)

首先，为了进行电路设计，根据导通或截止的频带并利用模拟软件计算出所需的电容和电感。例如关于大于或等于3400MHz、小于或等于3600MHz的频带，在图4所示的电路结构中，表1、表2中示出了用于实现期望的特性的元件的规格。这里，关于电感器L1和L3，电感非常小，因此无需形成为线圈的形状(螺线管型电感器)，一根配线的自电感就足够，因此表中示出了该配线的尺寸。

[表1]

[表2]

关于大于或等于2499MHz、小于或等于2690MHz的频带用的BPF，也通过同样的次序而计算电容、电感，进行所需电路的设计(省略数值)。

基于以上电路设计而制作具有所需电路元件的电路基板。

首先，如图5A所示，准备低膨胀率的玻璃芯41(厚度为300μm、CTE(Coefficient ofThermal Expansion、热膨胀率)：3.5ppm/K)。

接下来，如图5B所示，在上述玻璃芯41形成开口直径为80μm～100μm的贯通孔44。在形成时，作为第一阶段，向期望形成贯通孔44的位置对UV激光进行脉冲照射，由此在被照射的玻璃形成脆弱部，作为第二阶段，对整个玻璃板进行基于氢氟酸水溶液(氢氟酸)的蚀刻。由此选择性地对脆弱部进行蚀刻而迅速地形成贯通孔44。与利用玻璃环氧基板的情况相比，能够形成具有更高精度的内径且具有无凹凸的内壁面的贯通孔44。

接下来，如图5C所示，将带粘接剂层46的支撑体47粘贴于玻璃芯41。支撑体47是例如由具有使光透过的性质(透明性)的材料构成的基板。从支撑体47透过的光的波长范围例如可以大于或等于300nm小于或等于2000nm，也可以大于或等于300nm小于或等于1100nm。支撑体47例如可以具有使得激光之类的特定波长的光透过的性质。

对于支撑体47例如使用玻璃基板。作为玻璃，例如使用石英玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃、钠玻璃或蓝宝石玻璃等。支撑体47的主面47a(与粘接剂层46接触的一侧的面)的表面粗糙度Rz(也称为最大高度。)大于或等于0.01μm，能够抑制准备支撑体47的成本的增加。另外，支撑体47的主面47a的表面粗糙度Rz小于或等于5μm，由此能够抑制因主面47a的凹凸引起的配线层45(参照图6F)的断线及短路等。

粘接剂层46是包含剥离层46a及保护层46b且用于使得支撑体47和玻璃芯41彼此粘接的层。

剥离层46a设置于支撑体47的主面47a上，含有能够通过光的照射而分解的树脂。例如作为光而使用激光，作为剥离层46a中含有的树脂而使用能够通过照射激光而加热分解的树脂。作为剥离层46a中含有的树脂，例如使用环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、聚酯树脂、氧杂环丁烷树脂以及马来酰亚胺树脂中的1种，或上述树脂的大于或等于2种混合而成的树脂等。

保护层46b形成于剥离层46a上，保护层46b起到防止在基于激光的玻璃剥离时产生的热对基板造成的损害的作用。关于材质，使用环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、聚酯树脂、氧杂环丁烷树脂以及马来酰亚胺树脂中1的1种或上述树脂的大于或等于2种混合而成的树脂等，且是含有利用光而固化的成分的层。

优选地，粘接剂层46的厚度例如大于或等于20μm而小于或等于100μm。

接下来，如图5D所示，对在贯通孔23的底部露出的粘接剂层46进行蚀刻。例如，在通过RIE(Reactive Ion Etching)进行蚀刻的情况下，利用CF

接下来，如图6E所示，作为配线层45(参照图6F)的下方以及玻璃芯41的贯通孔44的内壁面的第一贴合层42，在玻璃芯41的整个表面例如按顺序通过溅射法制作2层的Ti膜和Cu膜，进行玻璃表面和贯通孔44的底部的粘接剂层46表面的导电。只要通过进行玻璃表面等的导电而设定为能够进行电解镀覆的膜厚即可，例如只要将Ti膜设定为50nm、将Cu膜设定为300nm即可。

接下来，如图6F所示，通过电解镀铜而形成配线层45。镀铜的厚度无需特别限定，例如可以设为几μm～几十μm。

接下来，如图6G所示，在配线层45的上方形成用于形成配线图案51的干膜抗蚀剂层53。

接下来，如图7H所示，利用铜的蚀刻液对由电解镀铜构成的配线层45的未被干膜抗蚀剂层53覆盖的部分进行蚀刻而将其去除。

在该阶段，如图7H所示，玻璃芯41的正反面中混合存在玻璃面露出的部分、以及在第一贴合层42的上方层叠有电解镀铜的配线图案51的部分。在图7H的工序中，在配线图案51的规定位置形成电容器的下电极(省略图示)。

接下来，如图7I所示，首先，在玻璃芯41的形成电容器的一侧的整个面，通过CVD(Chemical Vapour Deposition)制膜法例如以200nm至400nm的厚度形成SiN膜而形成电容器的电介质层13。

并且，如图7J所示，作为形成电容器的上电极时的晶种层52，通过溅射制膜法例如分别以50nm、300nm按顺序在整个电介质层13上制作Ti膜和Cu膜。

接下来，如图8K所示，为了形成电容器的上电极，通过光刻而形成为仅使形成上电极的部分从干膜抗蚀剂层53露出的状态。

接下来，如图8L所示，通过电解镀铜以9～10μm的厚度形成上电极54。

然后，如图9M所示，将干膜抗蚀剂层53去除。在该时刻，在电容器以外也使得SiN层等层叠。

接下来，如图9N所示，为了将剩余的第一贴合层42、镀覆晶种层等去除，首先通过光刻利用干膜抗蚀剂55仅对上述电容器的上电极54上进行保护。

接下来，如图10O所示，在制作电容器的上电极54时的溅射铜层中，为了将剩余的部分去除，通过湿蚀刻法对基板进行处理，为了将剩余部分的Ti层、SiN层去除，通过干蚀刻法对基板进行处理。

具体而言，首先，对于剩余部分利用蚀刻液将处于最上方的溅射Cu层去除。接下来，通过干蚀刻将其下方的溅射Ti层和通过CVD制作的SiN层去除。

然后，如图10P所示，将保护电容器的上电极54的干膜抗蚀剂55剥离去除。

接下来，如图11Q所示，在玻璃芯41的上表面粘贴例如“味の素ファインテクノ株式会社”制的绝缘树脂(商品名称“ABF GX-T31R”)而形成绝缘树脂层43。利用真空层压装置进行加工，不在玻璃芯41的贯通孔44的内部形成真空地对绝缘树脂进行层压。绝缘树脂层43的厚度例如设为35μm左右，可靠地埋设至电容器的上电极54。

接下来，如图11R所示，使支撑体47从玻璃芯41剥离。在剥离时，通过支撑体47对粘接剂层46照射激光。可以遍及整个支撑体47而照射激光，也可以对支撑体47的期望位置照射激光。

在该工序中，根据可靠地将粘接剂层46内的树脂分解并使其剥离的观点，一边使其直线往返一边对整个支撑体47照射激光。激光例如可以具有大于或等于300nm而小于或等于2000nm的波长，也可以具有大于或等于300nm而小于或等于1500nm的波长，还可以具有大于或等于300nm而小于或等于1100nm的波长。作为将激光射出的装置的一个例子，可以使用将1064nm的波长的光射出的YAG激光装置、532nm的波长的2倍高调谐YAG激光装置、或者将大于或等于780nm而小于或等于1300nm的波长的光射出的半导体激光装置等。支撑体47具有透明性而使得激光透过。因而，从支撑体47透过的激光的能量由粘接剂层46吸收。吸收的激光的能量在粘接剂层46内转换为热能。利用该热能使得粘接剂层46的树脂达到热分解温度而进行热分解。由此，粘接剂层46使得支撑体47和玻璃芯41粘接的力减弱而能够剥离。

图12S示出了支撑体47和粘接剂层46剥离的基板。

接下来，如图12T所示，在玻璃芯41的下表面以及贯通孔44的凸部，作为第二贴合层48，在玻璃芯41的整个下表面按顺序通过溅射法制作2层的Ti膜和Cu膜并进行玻璃下表面的导电。关于膜的厚度，例如将Ti膜设定为50nm、将Cu膜设定为300nm即可。

接下来，如图12U所示，通过电解镀铜而在第二贴合层48的上方形成配线层45′。

接下来，如图13V所示，在配线层45′的上方形成抗蚀剂图案31。

接下来，如图13W所示，将抗蚀剂图案31作为蚀刻掩模而将配线层45′蚀刻去除。配线层45′是电解镀铜层，因此使用铜的蚀刻液进行蚀刻，分别通过基于铜的蚀刻液的湿式蚀刻和干蚀刻进一步将处于其基底的第二贴合层(溅射铜层和溅射Ti层)48蚀刻去除而形成配线图案50。

接下来，如图13X所示，使抗蚀剂图案31剥离。由此，在玻璃芯41的上方形成第二贴合层48以及作为配线层45′的层叠图案的配线图案50。

接下来，如图14Y所示，在形成有玻璃芯41的配线图案50的下表面例如粘贴“味の素ファインテクノ株式会社”制的绝缘树脂(商品名称“ABF GX-T31R”)而形成绝缘树脂层(树脂堆叠层)43。利用真空层压装置进行加工，不在配线图案50形成空隙(voids)地对绝缘树脂进行层压。绝缘树脂层43的厚度例如设为35μm左右，可靠地埋设至配线图案50。

接下来，如图14Z所示，通过激光加工在要实现绝缘树脂层43的导通的位置形成到达玻璃芯的配线图案50、51的贯通孔56。贯通孔56的直径优选为60μm左右。

虽未图示，但利用碱类的表面粗化液对玻璃芯41的正反面的绝缘树脂层43进行处理，将算术表面粗糙度Ra例如调整为60nm。这是为了通过接下来的工序而提高晶种层的贴合力。

接下来，虽未图示，但对正反面的绝缘树脂层43实施非电解镀铜而形成导电晶种层。该厚度例如只要设为0.6μm即可。通过该处理，不仅在正反面，还在先通过激光加工形成的贯通孔56的内壁面形成导电晶种层。

接下来，虽未图示，但在基板两面粘贴干膜抗蚀剂，通过光刻法而在要设置配线图案51′的部分设置开口部。接下来，对基板实施电解镀铜，例如以15μm的厚度形成配线图案51′。另外，在该电解镀铜处理中，利用电解镀铜49填满绝缘树脂层43内的贯通孔56的内部，还能够实现与玻璃芯41表面的配线图案50、51的导通。

然后，通过蚀刻将不需要的导电晶种层去除，制成图14Z所示的包含LC电路用的内置元件在内的基本的电路基板100。

关于基本的电路基板100，还能够在玻璃芯41或绝缘树脂层43的表面形成平面状(例如涡旋状)的电抗元件(线圈)。另外，在电抗元件之间配置电中性的通孔，还能够减弱基于互感应的损失，并能够将电容器设置于通孔内。

另外，在使得绝缘树脂层43和铜的配线图案50、51层叠于玻璃芯41的情况下，为了防止因应力平衡的破坏产生玻璃芯41的翘曲、破裂，例如可以在玻璃芯41的正上方形成氮化硅层等。该氮化硅层具有消除铜的配线图案50、51的残留应力的功能，构成通过该组合进行了应力调整的堆叠配线层。但是，氮化硅层是一个例子，并不局限于此。

如图15AA所示，在基本的电路基板100的正反面分别形成大于或等于1层的堆叠层70，由此能够获得电路基板200。图15AA示出了形成有1层堆叠层70的例子。

另外，如图17CC所示，将高频部件57安装于图16BB所示的电路基板200上，从其上方利用模塑树脂58进行模塑，由此能够形成组件基板300。这种组件基板300能够使安装有高频部件57的面的相反侧的面的导电性部件与母基板(未图示)连接。由此，能够使从高频部件57等产生的热向母基板流动，能够获得更大的散热面积。

标号的说明

10…(贯通孔内的)导体层、11…绝缘树脂层、12…(电容器的)下电极、13…(电容器的)电介质层、14…(电容器的)上电极、15…(导体层的)凸出部、21…配线、22…配线、23…贯通孔、30…配线图案、31…抗蚀剂图案、41…玻璃芯、42…第一贴合层(Ti/Cu溅射层)、42a…Ni镀覆层、43…绝缘树脂层、44…贯通孔、45…配线层、45′…配线层、46…粘接剂层、46a…剥离层、46b…保护层、47…支撑体、47a…支撑体表面、48…第二贴合层(Ti/Cu溅射层)、49…电解镀铜、50…配线图案、50′…配线图案、51…配线图案、51′…配线图案、52…晶种层、53…干膜抗蚀剂层、54…(电容器的)上电极、55…(电容器保护用的)干膜抗蚀剂层、56…贯通孔、57…高频部件、58…模塑树脂、65…配线、70…堆叠层、100…基本的电路基板、200…电路基板、300…组件基板、CP…电容器、ID…电感器。