阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及阵列基板的制备方法、包括该阵列基板的显示面板及显示面板的制备方法、包括该显示面板的显示装置。

近年来，用户对显示画质的要求越来越高，使得现有显示产品的显示画质无法满足用户的要求。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

公开内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置。

根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

依次形成第一电极材料层、导电增强材料层和保护材料层，所述保护材料层的抗氧化性强于所述导电增强材料层的抗氧化性；

在所述保护材料层的远离所述第一电极材料层的一侧形成掩模图案，所述掩模图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；

对所述掩模图案进行灰化，以去除所述第二部分使所述第二部分覆盖的所述保护材料层裸露；

对所述第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极；

对所述保护材料层以及所述导电增强材料层进行图案化处理对应形成保护层和导电增强层。

在本公开的一种示例性实施例中，在对所述掩模图案进行灰化之前，所述制备方法还包括：

对所述保护材料层以及所述导电增强材料层进行图案化处理，使部分所述第一电极材料层裸露。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述保护材料层的远离所述第一电极材料层的一侧形成掩模图案，包括：

在所述保护材料层的远离所述第一电极材料层的一侧形成掩模层，并对所述掩模层进行半掩模工艺形成所述掩模图案。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一电极材料层之前，所述制备方法还包括：

形成有机绝缘材料层，并对所述有机绝缘材料层进行图案化处理形成有机绝缘层和第二过孔。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一电极材料层之前，所述制备方法还包括：

在衬底基板的一侧形成多个栅线和多个阵列排布的薄膜晶体管，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，形成保护层和导电增强层之后，所述制备方法还包括：

在所述保护层的远离所述第一电极的一侧形成第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图案化处理形成第四过孔；

在所述第二绝缘层的远离所述第一电极的一侧形成第二电极，所述第二电极与所述薄膜晶体管的数据线电连接。

根据本公开的另一个方面，提供了一种显示面板的制备方法，其中，包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板通过上述任意一项所述的制备方法制备；

提供一彩膜基板，将所述彩膜基板与所述阵列基板对合，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内，所述保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。

根据本公开的另一个方面，提供了一种阵列基板，包括：

第一电极；

导电增强层，设于所述第一电极的一侧；

保护层，设于所述导电增强层的远离所述第一电极的一侧，所述保护层的抗氧化性强于所述导电增强层的抗氧化性。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电增强层在所述第一电极上的正投影与所述保护层在所述第一电极上的正投影重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

衬底基板；

多个薄膜晶体管和多个栅线，所述多个薄膜晶体管阵列排布于所述衬底基板的一侧，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影有交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电增强层的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述保护层的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述保护层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

第一隔垫物，设于所述第一电极的远离衬底基板的一侧，且位于相邻两个薄膜晶体管之间；

所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影设置为曲线，所述导电增强层在与所述第一隔垫物相邻的位置向远离所述第一隔垫物一侧凹陷折弯，所述保护层在所述衬底基板上的正投影设置为曲线，所述保护层在与所述第一隔垫物相邻的位置向远离所述第一隔垫物一侧凹陷折弯。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电增强层包括第一直线部和第一弯曲部，所述第一直线部在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述第一弯曲部在所述衬底基板上的正投影至少部分与所述栅线在所述衬底基板上的正投影不交叠；所述保护层包括第二直线部和第二弯曲部，所述第二直线部在所述衬底基板上 的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述第二弯曲部在所述衬底基板上的正投影至少部分与所述栅线在所述衬底基板上的正投影不交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电增强层设置为多条，且延伸方向相同；所述保护层设置为多条，且延伸方向相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管和数据线，所述导电增强层的延伸方向与所述数据线的延伸方向一致，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内，所述保护层的延伸方向与所述数据线的延伸方向一致，所述保护层在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管和栅线，所述导电增强层的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述导电增强层位于所述薄膜晶体管的远离所述栅线的一侧，所述保护层的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述保护层位于所述薄膜晶体管的远离所述栅线的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

有机绝缘层，设于所述多个薄膜晶体管与所述第一电极之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

第二绝缘层，设于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧；

第二电极，设于所述第二绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二电极与所述薄膜晶体管的数据线电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层的材质是钛合金，厚度大于等于300A且小于等于500A。

在本公开的一种示例性实施例中，所述钛合金包括至少三种金属材料。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电增强层的材质是铜，厚度大于等于1000A且小于等于1500A。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极是公共电极，材质是ITO。

根据本公开的另一个方面，提供了一种显示面板，包括：

阵列基板，是上述任意一项所述的阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述导电增强层在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内，所述保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。

根据本公开的另一个方面，提供了一种显示装置，包括：上述所述的显示面板。

本公开的阵列基板的制备方法，在导电增强材料层的远离第一电极材料层的一侧形成有保护材料层，保护材料层的抗氧化性强于导电增强材料层的抗氧化性，在保护材料层的远离第一电极材料层形成掩模图案，掩模图案包括第一部分和第二部分，第一部分的厚度大于第二部分的厚度；对掩模图案进行灰化，以去除第二部分使第二部分覆盖的保护材料层裸露；对第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极；对保护材料层以及导电增强材料层进行图案化处理形成保护层和导电增强层。一方面，通过一次掩模即可完成对第一电极材料层的图案化处理和对导电增强材料层以及保护材料层的图案化处理，降低生产成本、提高产线产能；另一方面，在对掩模图案进行灰化时，有保护材料层对导电增强材料层进行保护，避免灰化工艺时对导电增强材料层的氧化腐蚀，从而避免在对第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极时，对第一电极进行刻蚀，导致第一电极的断开的不良；再一方面，导电增强材料层可以有效降低第一电极的电阻，提高第一电极的均匀性，从而有效改善显示的色偏不良。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人 员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开阵列基板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。

图2-图14为本公开阵列基板的制备方法中各个步骤的结构示意图。

图15为本公开阵列基板一示例实施方式的结构示意图。

图16为图15所示的阵列基板的俯视结构示意图。

图17为本公开显示面板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。

图18为本公开显示面板一示例实施方式的结构示意图。

附图标记说明：

1、衬底基板；2、缓冲层；3、栅线；31、栅极；4、栅绝缘层；5、数据线；51、源极；

61、第一绝缘层；62、第一过孔；

71、有机绝缘层；72、第二过孔；

81、第一电极材料层；811、第一电极；812、第三过孔；82、导电增强材料层；821、导电增强层；83、保护材料层；831、保护层；8311、第二直线部；8312、第二弯曲部；

91、掩模层；92、掩模图案；921、第一部分；922、第二部分；

10、掩模板；101、透光部；102、遮光部；103、半透光部；

111、第二绝缘层；112、第四过孔；

12、第二电极；

13、彩膜基板；131、基底层；132、黑矩阵；133、滤光部；

141、第一隔垫物；142、第二隔垫物；

15、阵列基板；16、有源层。

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似 的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本公开示例实施方式提供了一种阵列基板的制备方法，参照图1所示，该阵列基板的制备方法可以包括以下步骤：

步骤S10，依次形成第一电极材料层、导电增强材料层和保护材料层，所述保护材料层的抗氧化性强于所述导电增强材料层的抗氧化性。

步骤S20，在所述保护材料层的远离所述第一电极材料层的一侧形成掩模图案，所述掩模图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

步骤S30，对所述掩模图案进行灰化，以去除所述第二部分使所述第二部分覆盖的所述保护材料层裸露。

步骤S40，对所述第一电极材料层进行图案化处理形成第一电极。

步骤S50，对所述保护材料层以及所述导电增强材料层进行图案化处理形成保护层和导电增强层。

本公开的阵列基板的制备方法，一方面，通过一次掩模即可完成对第一电极材料层81的图案化处理和对导电增强材料层82以及保护材料层的图案化处理，降低生产成本、提高产线产能；另一方面，在对掩模图案92进行灰化时，有保护材料层83对导电增强材料层82进行保护， 避免灰化工艺时对导电增强材料层82的氧化腐蚀，从而避免在对第一电极材料层81进行图案化处理形成第一电极811时，对第一电极811进行刻蚀，导致第一电极811的断开的不良；再一方面，导电增强材料层82可以有效降低第一电极811的电阻，提高第一电极811的均匀性，从而有效改善显示的色偏不良。

下面对阵列基板的制备方法的各个步骤进行详细说明。

步骤S10，依次形成第一电极材料层81、导电增强材料层82和保护材料层83，所述保护材料层83的抗氧化性强于所述导电增强材料层82的抗氧化性。

在本示例实施方式中，提供一衬底基板1，衬底基板1可以是刚性基板，例如，可以是玻璃基板。

在本示例实施方式中，参照图2和图16所示，在衬底基板1的一侧可以形成缓冲层2。在缓冲层2的远离衬底基板1的一侧通过溅射金属镀膜形成栅极材料层，对栅极材料层进行光刻形成栅极图案，栅极图案可以包括栅极31以及栅线3，栅极31与栅线3连接。

参照图3和图16所示，在栅极图案以及裸露的缓冲层2的远离衬底基板1的一侧可以通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)沉积形成栅绝缘层4。

在栅绝缘层4的远离衬底基板1的一侧可以通过PECVD沉积形成有源材料层。对有源材料层进行光刻形成有源层16。

参照图4所示，在有源层16以及裸露的栅绝缘层4的远离衬底基板1的一侧可以通过溅射金属镀膜沉积形成源漏极材料层，并对源漏极材料层进行光刻形成源漏极图案，源漏极图案可以包括数据线5、源极和漏极(图中未示出)，源极和漏极均连接于有源层16，数据线5与源极或漏极连接。在使用极性相反的薄膜晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。

至此完成薄膜晶体管的制备。

需要说明的是，上述说明的薄膜晶体管是底栅型的薄膜晶体管，在本公开的其他示例实施方式中，薄膜晶体管还可以是顶栅型的薄膜晶体 管或双栅型的薄膜晶体管，此处对其制备方法不做详细说明。

参照图5所示，在源漏极图案的远离衬底基板1的一侧可以通过PECVD沉积形成第一绝缘层61，并对第一绝缘层61进行光刻在第一绝缘层61上形成第一过孔62，第一过孔62连通至数据线5，即第一过孔62处的数据线5裸露。

参照图6所示，在第一绝缘层61的远离衬底基板1的一侧可以通过PECVD沉积形成有机绝缘层71，并对有机绝缘层71进行光刻在有机绝缘层71上形成第二过孔72，第二过孔72连通至第一过孔62，即第二过孔72处的数据线5裸露。有机绝缘层71的材质可以为PAC(Photo active compound，光活性化合物)。有机绝缘层71的厚度大于等于2微米且小于等于3微米，例如，有机绝缘层71的厚度可以是2.4微米。

有机绝缘层71能够起到平坦化的作用，为后续形成的第一电极811提供较为平整的基底，便于第一电极811的成型，进而提高第一电极811的均匀性；另外，有机绝缘层71使得第一电极811与数据线5之间在厚度方向的距离增大、相互影响减弱，寄生电容也会减小很多，更利于驱动芯片的驱动；第一电极811与数据线5之间在厚度方向的距离增大后，第一电极811与数据线5之间在其他方向(例如在与衬底基板1平行的方向)上的距离距离可以缩短，从而彩膜基板13的黑矩阵132的宽度也可以制作得更小，进而提高产品的开口率。

参照图7所示，在有机绝缘层71的远离衬底基板1的一侧可以通过溅射金属镀膜形成第一电极材料层81，第一电极材料层81的材质可以是ITO，第一电极材料层81的厚度大于或等于400A且小于或等于700A，例如，第一电极材料层81的厚度可以为550A。当然，第一电极材料层81的材质还可以是为他导电材质。

在第一电极材料层81的远离衬底基板1的一侧可以通过溅射金属镀膜形成导电增强材料层82，导电增强材料层82的材质可以是铜，导电增强材料层82的厚度大于等于1000A且小于等于1500A，例如，导电增强材料层82的厚度可以为1200A。当然，在本公开的其他示例实施方式中，导电增强材料层82的材质还可以是铝、银等其他金属材质。

在导电增强材料层82的远离衬底基板1的一侧可以通过溅射金属镀 膜形成保护材料层83，保护材料层83的材质可以是MoNbTi，保护材料层83的厚度大于等于300A且小于等于500A，例如，保护材料层83的厚度可以是400A。当然，在本公开的其他示例实施方式中，保护材料层83的材质还可以是其他钛合金，只要保护材料层83的抗氧化性强于导电增强材料层82的抗氧化性即可。抗氧化性是指金属材料在高温时抵抗氧化性气氛腐蚀作用的能力。抗氧化性弱的材料(例如MoNb)与灰化气体反应影响等离子平衡导致Arcing(电弧)报警，因此，采用抗氧化性较强的材料。

上述第一电极材料层81的厚度、导电增强材料层82的厚度以及保护材料层83的厚度均是发明人通过无数次试验得到的数据，成膜的均匀性较好，而且导电效果较好，效率较高。因为，厚度太厚不利于显示面板的轻薄化，而且成膜时间较长、效率低；厚度太薄，均匀性不好，容易产生断开的不良。

步骤S20，在所述保护材料层83的远离所述第一电极材料层81的一侧形成掩模图案92，所述掩模图案92包括第一部分921和第二部分922，所述第一部分921的厚度大于所述第二部分922的厚度。

在本示例实施方式中，参照图8所示，图中箭头表示照射光线，箭头越密表示透过的光线越多，反之，箭头越疏表示透过的光线越少；在保护材料层83的远离衬底基板1的一侧可以通过PECVD沉积形成掩模层91，并对掩模层91进行半掩模工艺形成掩模图案92，掩模图案92可以包括第一部分921和第二部分922，第一部分921的厚度大于第二部分922的厚度。

具体为：在掩模层91的远离衬底基板1的一侧放置掩模板10，掩模板10可以包括透光部101、遮光部102以及半透光部103；半透光部103与第二部分922相对设置，即半透光部103在衬底基板1上的正投影与第二部分922在衬底基板1上的正投影重合；遮光部102与第一部分921相对设置，即遮光部102在衬底基板1上的正投影与第一部分921在衬底基板1上的正投影重合。透光部101与掩模层91的其他部分相对设置。

然后，参照图9所示，对掩模层91进行曝光显影，去除与透光部 101相对设置的掩模层91，使得部分保护材料层83裸露；与半透光部103相对设置的掩模层91去除一定厚度，形成第二部分922；与遮光部102相对设置的掩模层91完全保留，形成第一部分921，使得第一部分921的厚度大于第二部分922的厚度。

最后，参照图10所示，对裸露的保护材料层83和与这部分保护材料层83相对设置的导电增强材料层82进行第一次刻蚀，保留被掩模图案92覆盖的保护材料层83和导电增强材料层82。

步骤S30，对所述掩模图案92进行灰化，以去除所述第二部分922使所述第二部分922覆盖的所述保护材料层83裸露。

在本示例实施方式中，参照图11所示，对掩模图案92进行灰化工艺，灰化工艺采用的气体可以包括SF6和O2。灰化工艺采用的气体具有较强的氧化性，由于保护材料层83的抗氧化性强于导电增强材料层82的抗氧化性，而且保护材料层83覆盖在导电增强材料层82之上，因此，保护材料层83能够对导电增强材料层82进行保护，避免在对掩模图案92进行灰化工艺的时候，氧化性气体对导电增强材料层82氧化腐蚀，从而避免在导电增强材料层82上产生断开。

通过灰化工艺去除第二部分922，使得第二部分922覆盖的保护材料层83裸露，而且第一部分921的厚度也有减薄。

步骤S40，对所述第一电极材料层81进行图案化处理形成第一电极811。

在本示例实施方式中，参照图12所示，以第一部分921、保护材料层83以及导电增强材料层82为掩模对第一电极材料层81进行刻蚀形成第一电极811，且在第一电极811上形成第三过孔812，第三过孔812与第二过孔72连通，即第三过孔812处的数据线5裸露。由于在导电增强材料层82上没有产生断开，因此，在对第一电极材料层81进行刻蚀的过程中，不会对保护材料层83以及导电增强材料层82覆盖的第一电极材料层81进行刻蚀，从而避免在第一电极811上产生断开的不良。

第一电极811可以是公共电极。

步骤S50，对所述保护材料层83以及所述导电增强材料层82进行图案化处理形成保护层831和导电增强层821。

在本示例实施方式中，参照图13所示，以第一部分921为掩模对保护材料层83以及导电增强材料层82进行刻蚀形成保护层831和导电增强层821。导电增强层821在衬底基板1上的正投影与保护层831在衬底基板1上的正投影基本重合。导电增强层821在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影有交叠，具体为，导电增强层821在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，即保护层831和导电增强层821的延伸方向与栅线3的延伸方向一致，且保护层831和导电增强层821的宽度稍小于栅线3的宽度。导电增强层821的宽度大约为3.5微米，保护层831的宽度也大约为3.5微米，栅线3的宽度大约为4.5微米。由于保护层831和导电增强层821均是金属材质，是不透光的而且具有反光性，因此，为了避免其反光而影响显示效果，需要通过黑矩阵132对其进行遮挡，栅线3也通过黑矩阵132对其进行遮挡，导电增强层821在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，可以避免增加黑矩阵132的宽度，从而避免减小开口率。

当然，在本公开的其他示例实施方式中，可以将保护层831和导电增强层821向靠近数据线5的一侧设置，但是由于数据线5需要通过过孔与像素电极连接，因此，导电增强层821在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影还是需要有交叠的。

导电增强层821设置在第一电极811的远离衬底基板1的一侧，且与第一电极811连接，导电增强层821可以减小第一电极811的电阻，从而增加第一电极811的导电效果，而且导电增强层821可以提高第一电极811的均匀性，有效改善显示色偏的不良；保护层831的材料也是金属，是导电材料，因此，保护层831可以进一步地减小第一电极811的电阻，从而进一步地增加第一电极811的导电效果，同样能够提高第一电极811的均匀性，有效改善显示色偏的不良。

最后，去除剩余的掩模图案92。

需要说明的是，虽然有机绝缘膜层与导电增强层821相结合的结构具有上述很多有益效果，但是如果有机绝缘膜层和导电增强层821的形成采用两次掩模工艺，会导致成本增加、产能降低；为了减少掩模工艺 次数，需要通过一次掩模工艺实现有机绝缘膜层和导电增强层821的制备；但是，由于灰化工艺对有机绝缘层71有刻蚀的作用，因此，需要先进行灰化工艺然后再进行第一电极材料层81的图案化处理，在对掩模图案92进行灰化工艺时，第一电极材料层81对有机绝缘层71有保护的作用，避免灰化工艺对有机绝缘层71的刻蚀。但是，灰化工艺对导电增强材料层82也有氧化腐蚀作用，本公开通过抗氧化性较强的保护材料层83对导电增强材料层82进行保护，避免在灰化工艺时对导电增强材料层82产生氧化腐蚀，从而避免导电增强材料层82覆盖的第一电极811层产生断开的不良。

在本示例实施方式中，参照图14所示，首先，在保护层831和第一电极811的远离衬底基板1的一侧形成第二绝缘层111，在第二绝缘层111的远离衬底基板1的一侧形成光刻胶，对光刻胶进行曝光显影形成光刻胶图案；然后，以光刻胶图案为掩模对第二绝缘层111进行刻蚀，使得在第二绝缘层111上形成第四过孔112，第四过孔112与第三过孔812连通，即第四过孔112处的数据线5裸露；最后，去除光刻胶图案。

在本示例实施方式中，参照图15所示，在第二绝缘层111的远离衬底基板1的一侧形成第二电极材料层，第二电极材料层的材质可以是ITO。然后，对第二电极材料层进行光刻形成第二电极12。第二电极12通过第四过孔112、第三过孔812、第二过孔72以及第一过孔62与数据线5连接，第二电极12也可以与源极或漏级连接。第二电极12可以是像素电极。

另外，在本公开的其他示例实施方式中，可以在形成有机绝缘层71以后，在有机绝缘层71的远离衬底基板1的一侧形成第二电极12，第二电极12可以是像素电极，第二电极12通过第一绝缘层61上的第一过孔62和有机绝缘层71上的第二过孔72与数据线5连接；在第二电极12的远离衬底基板1的一侧形成第二绝缘层111；在第二绝缘层111的远离衬底基板1的一侧依次层叠形成第一电极材料层81、导电增强材料层82和保护材料层83；然后，按照上述对第一电极材料层81、导电增强材料层82和保护材料层83的刻蚀方法进行刻蚀，具体的刻蚀方法上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

上述具体说明了各个膜层可以通过溅射金属镀膜或PECVD沉积形成，这些说明只是举例说明，并不构成对本公开的限定，在本公开的其他示例实施方式中，各个膜层根据需要还可以通过涂覆、打印以及其他化学气相沉积等等方法形成，均属于本公开保护的范围。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中阵列基板的制备方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

基于相同的发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种阵列基板，参照图15所示，该阵列基板可以通过上述任意一项所述的阵列基板的制备方法制备；该阵列基板可以包括第一电极811、导电增强层821以及保护层831；导电增强层821设于第一电极811的一侧；保护层831设于导电增强层821的远离第一电极811的一侧，保护层831的抗氧化性强于导电增强层821的抗氧化性。

在本示例实施方式中，阵列基板还可以包括衬底基板1，衬底基板1可以是刚性基板，例如，可以是玻璃基板。

在衬底基板1的一侧设置有缓冲层2。

在缓冲层2的远离衬底基板1的一侧设置有栅极图案，栅极图案可以包括栅极31以及栅线3。

在栅极图案的远离衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层4。在栅绝缘层4的远离衬底基板1的一侧设置有有源层16，在有源层16的远离衬底基板1的一侧设置有源漏极图案，源漏极图案可以包括数据线5、源极和漏极，源极和漏极均连接于有源层16，数据线5与源极或漏极连接。

需要说明的是，栅极31、有源层16、源极和漏极形成一个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管阵列排布于衬底基板1的一侧。上述说明的薄膜晶体管是底栅型的薄膜晶体管，在本公开的其他示例实施方式中，薄膜晶体管还可以是顶栅型的薄膜晶体管或双栅型的薄膜晶体管，此处不详细说明。

在源漏极图案的远离衬底基板1的一侧设置有第一绝缘层61，在第 一绝缘层61上设置有第一过孔62，第一过孔62连通至数据线5。

在第一绝缘层61的远离衬底基板1的一侧设置有有机绝缘层71，在有机绝缘层71上设置有第二过孔72，第二过孔72与第一过孔62连通，即第二过孔72也连通至数据线5。

在有机绝缘层71的远离衬底基板1的一侧设置有第一电极811，在第一电极811上设置有第三过孔812，第三过孔812与第二过孔72连通，即第三过孔812也连通至数据线5。第一电极811可以是公共电极。

在第一电极811的远离衬底基板1的一侧设置有导电增强层821，导电增强层821在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影有交叠。

在导电增强层821的远离衬底基板1的一侧设置有保护层831，保护层831在衬底基板1上的正投影与导电增强层821在衬底基板1上的正投影基本重合，使得保护层831在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影也有交叠。由于工艺的原因，保护层831在衬底基板1上的正投影位于导电增强层821在衬底基板1上的正投影内，即保护层831稍小于导电增强层821。

第一电极811的材质可以是ITO，第一电极811的厚度大于或等于400A且小于或等于700A，例如，第一电极811的厚度可以为550A。当然，第一电极811的材质还可以是为他导电材质。

导电增强层821的材质可以是铜，导电增强层821的厚度大于等于1000A且小于等于1500A，例如，导电增强层821的厚度可以为1200A。当然，在本公开的其他示例实施方式中，导电增强层821的材质还可以是铝、银等其他金属材质。

保护层831的材质可以是MoNbTi，保护层831的厚度大于等于300A且小于等于500A，例如，保护层831的厚度可以是400A。当然，在本公开的其他示例实施方式中，保护层831的材质还可以是其他钛合金，例如，可以是包括三种金属材料的钛合金，还可以是包括四种金属材料的钛合金，其抗氧化较强，只要保护层831的抗氧化性强于导电增强层821的抗氧化性即可。

在本示例实施方式中，导电增强层821设置为多条，且多条导电增 强层821相互平行设置；导电增强层821与栅线3可以是一一对应的，即在一个栅线3的远离衬底基板1的一侧设置有一个导电增强层821。保护层831也设置为多条，且多条保护层831也相互平行设置，当然，这种情况下，保护层831与栅线3也是一一对应的，即在一个栅线3的远离衬底基板1的一侧设置有一个保护层831。

多个栅线3基本均匀地设置在阵列基板上，多个导电增强层821和多个保护层831与多个栅线3一一对应，使得多个导电增强层821和多个保护层831也均匀地设置在阵列基板上，从而使得第一电极811的电阻更为均匀，有效改善显示色偏。

参照图16所示的阵列基板的俯视结构示意图，导电增强层821的延伸方向与栅线3的延伸方向一致，导电增强层821在衬底基板1上的正投影至少部分位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，保护层831的延伸方向与栅线3的延伸方向一致，保护层831在衬底基板1上的正投影至少部分位于栅线3在衬底基板1上的正投影内。

阵列基板还可以包括第一隔垫物141，第一隔垫物141设于第一电极811的远离衬底基板1的一侧，具体地，第一隔垫物141设于第二电极12的远离衬底基板1的一侧。

第一隔垫物141可以设置为四棱台的结构，即第一隔垫物141的与衬底基板1平行的截面为长方形，且靠近衬底基板1的底面的面积大于远离衬底基板1的顶面的面积；第一隔垫物141的底面的长度大于等于19.6微米且小于等于21.6微米，例如，第一隔垫物141的底面的长度可以为20.6微米；第一隔垫物141的底面的宽度大于等于16微米且小于等于18微米，例如，第一隔垫物141的底面的宽度可以为17微米；第一隔垫物141的高度大于等于19.6微米且小于等于21.6微米，例如，第一隔垫物141的高度可以为20.6微米。

一般在相邻两个薄膜晶体管之间具有较为平整的平面可以设置第一隔垫物141，因此，第一隔垫物141位于相邻两个薄膜晶体管之间；第一隔垫物141的长度方向与数据线5的延伸方向一致，第一隔垫物141在衬底基板1上的正投影与数据线5在衬底基板1上的正投影有交叠，即第一隔垫物141与数据线5相对设置。

导电增强层821在衬底基板1上的正投影设置为曲线，导电增强层821在与第一隔垫物141相邻的位置向远离第一隔垫物141一侧凹陷折弯，凹陷折弯深度H大于等于2微米且小于等于3微米，例如，凹陷折弯深度H可以为2.5微米；保护层831在衬底基板1上的正投影设置为曲线，保护层831在与第一隔垫物141相邻的位置向远离第一隔垫物141一侧凹陷折弯，凹陷折弯深度H大于等于2微米且小于等于3微米，例如，凹陷折弯深度H可以为2.5微米。而且，导电增强层821和保护层831凹陷折弯的位置一般是与数据线5相交的位置。

具体地，导电增强层821可以包括第一直线部和第一弯曲部(由于被第二直线部8311和第二弯曲部8312遮挡，在图中未示出)，第一直线部在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，第一弯曲部在衬底基板1上的正投影至少部分与栅线3在衬底基板1上的正投影不交叠，即第一弯曲部与第一直线部连接的两端部在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，但是，第一弯曲部的中间部分在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影不交叠。保护层831可以包括第二直线部8311和第二弯曲部8312，第二直线部8311在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，第二弯曲部8312在衬底基板1上的正投影至少部分与栅线3在衬底基板1上的正投影不交叠，即第二弯曲部8312与第二直线部8311连接的两端部在衬底基板1上的正投影位于栅线3在衬底基板1上的正投影内，但是，第二弯曲部8312的中间部分在衬底基板1上的正投影与栅线3在衬底基板1上的正投影不交叠。

导电增强层821和保护层831凹陷折弯折弯后为第一隔垫物141预留空间，因为，第一隔垫物141用于支撑彩膜基板13，需要设置较为平整的支撑平面，那么，就需要为第一隔垫物141提供较为平整的基础平面，导电增强层821和保护层831会导致设置第一隔垫物141的基础平面不平整，将导电增强层821和保护层831凹陷折弯后，第一隔垫物141不需要设置在导电增强层821和保护层831的远离衬底基板1的一侧，为第一隔垫物141提供较为平整的基础平面。

需要说明的是，上述曲线并不一定全部是由弧形构成的，也可以是 由多个直线形成的折线形的，还可以是由直线和弧形混合构成的。

曲线的导电增强层821和曲线的保护层831有足够的延伸余量，可以有效避免导电增强层821和保护层831的断裂。

在保护层831的远离衬底基板1的一侧设置有第二绝缘层111，在第二绝缘层111上设置有第四过孔112，第四过孔112与第三过孔812连通，即第四过孔112也连通至数据线5。

在第二绝缘层111的远离衬底基板1的一侧设置有第二电极12，第二电极12通过第四过孔112、第三过孔812、第二过孔72以及第一过孔62连接至数据线5。第二电极12可以是像素电极。

另外，在本公开的其他示例实施方式中，可以在有机绝缘层71的远离衬底基板1的一侧设置第二电极12，第二电极12可以是像素电极，第二电极12通过第一绝缘层61上的第一过孔62和有机绝缘层71上的第二过孔72与数据线5连接；在第二电极12的远离衬底基板1的一侧设置第二绝缘层111；在第二绝缘层111的远离衬底基板1的一侧依次层叠设置第一电极811、导电增强层821和保护层831；第一电极811、导电增强层821和保护层831的结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

在本公开的另一些示例实施方式中，导电增强层821的延伸方向可以与数据线5的延伸方向一致，导电增强层82在衬底基板1上的正投影至少部分位于数据线5在衬底基板1上的正投影内，保护层831的延伸方向也可以与数据线5的延伸方向一致，保护层831在衬底基板1上的正投影至少部分位于数据线5在衬底基板1上的正投影内。例如，可以在数据线5的未设置第一隔垫物141的部分设置导电增强层821和数据线5，导电增强层821和数据线5可以断开设置为多段。

在本公开的再一些示例实施方式中，导电增强层821的延伸方向可以与栅线3的延伸方向一致，导电增强层821可以位于薄膜晶体管的远离栅线3的一侧，即导电增强层821和栅线3位于薄膜晶体管的相对两侧；保护层831的延伸方向也可以与栅线3的延伸方向一致，保护层831可以位于薄膜晶体管的远离栅线3的一侧，即保护层831和栅线3位于薄膜晶体管的相对两侧。

基于相同的发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种显示面板的制备方法，参照图17所示，该显示面板的制备方法可以包括以下步骤：

步骤S110，提供一阵列基板15，所述阵列基板15通过上述任意一项所述的制备方法制备。

步骤S210，提供一彩膜基板13，将所述彩膜基板13与所述阵列基板15对合，所述彩膜基板13包括黑矩阵132，所述导电增强层821在所述衬底基板1上的正投影位于所述黑矩阵132在所述衬底基板1上的正投影内，所述保护层831在所述衬底基板1上的正投影位于所述黑矩阵132在所述衬底基板1上的正投影内。

本公开的显示面板的制备方法，由于保护层831和导电增强层821均是金属材质，是不透光的而且具有反光性，通过黑矩阵132对其进行遮挡，可以避免其反光而影响显示效果。

在本示例实施方式中，将阵列基板15上的对位标识与彩膜基板13上的对位标识对准后，将阵列基板15与彩膜基板13对盒，使得导电增强层821在衬底基板1上的正投影位于黑矩阵132在衬底基板1上的正投影内，保护层831在衬底基板1上的正投影位于黑矩阵132在衬底基板1上的正投影内；并在阵列基板15与彩膜基板13之间的间隙内添加液晶材料形成显示面板。

基于相同的发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种显示面板，参照图18所示，该显示面板可以包括阵列基板15和彩膜基板13；阵列基板15是上述任意一项所述的阵列基板15；阵列基板15的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。彩膜基板13与阵列基板15相对设置，彩膜基板13可以包括黑矩阵132，导电增强层821在衬底基板1上的正投影位于黑矩阵132在衬底基板1上的正投影内。

在本示例实施方式中，彩膜基板13还可以包括基底层131，设于基底层131一侧的多个滤光部133和黑矩阵132，多个滤光部133阵列排布于基底层131的一侧；多个滤光部133可以包括红色滤光部、蓝色滤光部、绿色滤光部。

在彩膜基板13的靠近阵列基板15的一侧设置有第二隔垫物142，第二隔垫物142也可以设置为长条形，对盒后第二隔垫物142与第一隔 垫物141接触且形成十字交叉的结构，第二隔垫物142与第一隔垫物141一起支撑彩膜基板13，为液晶提供容纳空间。

基于相同的发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述所述的显示面板。显示面板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

与现有技术相比，本公开示例实施方式提供的显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的阵列基板15的有益效果相同，在此不做赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。