一种真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及自动化技术领域，尤其涉及一种真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

目前，半导体、材料和航天等高新技术领域的许多研究需要在超高真空环境下进行实验操作，因此需要制造支持超高真空环境的真空腔体，以满足实验操作的环境要求。其中，真空烘烤是真空腔体壁去气的主要技术，通过将真空腔壁加热到150℃以上，使吸附在腔壁上的残余气体(油脂和水蒸气等)析出后抽出，可大大降低器壁后续使用中的出气率，在腔体降温后可获得超高真空。

在现有技术中，通常是由真空技术人员基于调压器，调节真空腔体加热器的输入电压，从而控制真空腔体的加热功率，进而实现腔体烘烤的温度控制。

但是，由于真空腔体烘烤一般需数十小时，监测过程中参考指标较多，且现有技术对烘烤过程中的温度控制主要依赖真空技术人员的主观判断，导致现有技术无法保证真空腔体的烘烤效率。

发明内容

本申请提供一种真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质，以解决现有技术无法保证真空腔体的烘烤效率等缺陷。

本申请第一个方面提供一种真空腔体烘烤方法，应用于真空腔体烘烤系统，所述真空腔体烘烤系统包括加热片和卤素灯，所述加热片贴在真空腔体外壁，所述卤素灯设置于真空腔体内部，所述方法包括：

在真空腔体烘烤过程中，监控所述真空腔体的当前真空度；

根据所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定所述真空腔体的目标烘烤状态；

根据所述真空腔体的目标烘烤状态，调节所述加热片和卤素灯的发热功率，以调节所述真空腔体的烘烤温度，使所述真空腔体进入所述目标烘烤状态。

可选的，所述根据所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定所述真空腔体的目标烘烤状态，包括：

当所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征所述当前真空度低于所述预设真空度阈值时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

当所述真空腔体处于保温状态的时长达到预设等待时长时，若所述真空腔体的当前真空度依然低于所述预设真空度阈值，则确定所述真空腔体的目标烘烤状态为降温状态。

可选的，还包括：

当所述真空腔体在降温状态下的当前真空度高于所述预设真空度阈值，且所述当前真空度与所述预设真空度阈值之间的差值达到预设升温标准时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为升温状态。

可选的，还包括：

当所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征所述当前真空度高于所述预设真空度阈值时，但所述真空腔体的当前烘烤温度达到预设的最高烘烤温度时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

在确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态时，根据所述当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差程度，修正所述预设等待时长。

可选的，所述根据所述真空腔体的目标烘烤状态，调节所述加热片和卤素灯的发热功率，包括：

根据所述真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和所述真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，确定所述加热片和卤素灯的发热功率调节值；

按照所述加热片和卤素灯的发热功率调节值，调节所述加热片的通电时间占空比，调节所述卤素灯的供电电压，以调节所述加热片和卤素灯的发热功率。

可选的，所述根据所述真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和所述真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，确定所述加热片和卤素灯的发热功率调节值，包括：

根据所述目标烘烤温度和所述当前烘烤温度之间的差值以及当前室温对烘烤温度的影响程度，确定所述加热片和卤素灯的发热功率调节值。

可选的，还包括：

在真空腔体烘烤过程中，监控所述真空腔体的当前烘烤温度；

当所述当前烘烤温度超出预设的温度报警阈值时，报出温度报警信息，并开始报警处理计时；

当所述报警处理计时结果达到预设计时阈值时，若所述真空腔体的当前烘烤温度依然超出预设的温度报警阈值，则对加热片和卤素灯进行断电处理，以停止烘烤所述真空腔体。

本申请第二个方面提供一种真空腔体烘烤装置，应用于真空腔体烘烤系统，所述真空腔体烘烤系统包括加热片和卤素灯，所述加热片贴在真空腔体外壁，所述卤素灯设置于真空腔体内部，所述装置包括：

监控模块，用于在真空腔体烘烤过程中，监控所述真空腔体的当前真空度；

确定模块，用于根据所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定所述真空腔体的目标烘烤状态；

烘烤模块，用于根据所述真空腔体的目标烘烤状态，调节所述加热片和卤素灯的发热功率，以调节所述真空腔体的烘烤温度，使所述真空腔体进入所述目标烘烤状态。

可选的，所述确定模块，具体用于：

当所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征所述当前真空度低于所述预设真空度阈值时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

当所述真空腔体处于保温状态的时长达到预设等待时长时，若所述真空腔体的当前真空度依然低于所述预设真空度阈值，则确定所述真空腔体的目标烘烤状态为降温状态。

可选的，所述确定模块，还用于：

当所述真空腔体在降温状态下的当前真空度高于所述预设真空度阈值，且所述当前真空度与所述预设真空度阈值之间的差值达到预设升温标准时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为升温状态。

可选的，所述确定模块，还用于：

当所述当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征所述当前真空度高于所述预设真空度阈值时，但所述真空腔体的当前烘烤温度达到预设的最高烘烤温度时，确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

在确定所述真空腔体的目标烘烤状态为保温状态时，根据所述当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差程度，修正所述预设等待时长。

可选的，所述烘烤模块，具体用于：

根据所述真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和所述真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，确定所述加热片和卤素灯的发热功率调节值；

按照所述加热片和卤素灯的发热功率调节值，调节所述加热片的通电时间占空比，调节所述卤素灯的供电电压，以调节所述加热片和卤素灯的发热功率。

可选的，所述烘烤模块，具体用于：

根据所述目标烘烤温度和所述当前烘烤温度之间的差值以及当前室温对烘烤温度的影响程度，确定所述加热片和卤素灯的发热功率调节值。

可选的，所述装置还包括：

报警模块，用于在真空腔体烘烤过程中，监控所述真空腔体的当前烘烤温度；当所述当前烘烤温度超出预设的温度报警阈值时，报出温度报警信息，并开始报警处理计时；当所述报警处理计时结果达到预设计时阈值时，若所述真空腔体的当前烘烤温度依然超出预设的温度报警阈值，则对加热片和卤素灯进行断电处理，以停止烘烤所述真空腔体。

本申请第三个方面提供一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；

所述存储器存储计算机执行指令；

所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如上第一个方面以及第一个方面各种可能的设计所述的方法。

本申请第四个方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如上第一个方面以及第一个方面各种可能的设计所述的方法。

本申请技术方案，具有如下优点：

本申请提供的一种真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前真空度；根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态；根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，以调节真空腔体的烘烤温度，使真空腔体进入目标烘烤状态。上述方案提供的方法。通过实时监控真空腔体在烘烤过程中的真空度，并根据真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，自动调节真空腔体的烘烤温度，而无需依赖人工操作，提高了真空腔体的烘烤效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例基于的真空腔体烘烤系统的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的真空腔体烘烤方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的一种示例性的真空腔体烘烤系统的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种示例性的真空腔体烘烤系统的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的真空腔体烘烤装置的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在以下各实施例的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。

在真空技术中，超高真空环境的获得和维持是一个重要的分支。超高真空腔体维持真空的常用的方法是采用三级真空梯度方式，即机械泵预抽，分子泵为第二级，高真空离子泵维持作为第三级的方式。在超高真空环境获得操作的早期阶段，需首先对真空腔壁进行除气，以减少在真空维持阶段的缓慢放气。其中真空烘烤是超高真空系统器壁去气的主要技术，通过将真空腔壁加热到150℃以上，使吸附在腔壁上的残余气体(油脂，水蒸气)析出后抽出，可大大降低器壁后续使用中的出气率，在腔体降温后可获得超高真空。传统的超高真空腔体烘烤通过人工方式，烘烤过程中需要有经验的真空技术人员根据腔体温度和真空状态判断烘烤的状态，实施对烘烤流程的控制。对于多段真空腔体，还需分段分别对烘烤进行监控，通常所需时间需数十小时，监测过程中参考指标较多，需要操作人员具备较高的专业知识，严重降低了实验、生产的效率。

在现有技术中，通常是由真空技术人员基于调压器，调节真空腔体加热片的输入电压，从而控制真空腔体的加热功率，进而实现腔体烘烤的温度控制。需要人工综合考虑控制升温速率，加热功率，和保温时间等参数，对操作人员的经验水平要求较高。单次超高真空腔体的烘烤时间通常需几十个小时，对于较大腔体还需要分段同时控温，操作人员监控参数较多，显著降低了工作效率。

针对上述问题，本申请实施例提供的真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质，通过在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前真空度；根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态；根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，以调节真空腔体的烘烤温度，使真空腔体进入目标烘烤状态。上述方案提供的方法。通过实时监控真空腔体在烘烤过程中的真空度，并根据真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，自动调节真空腔体的烘烤温度，而无需依赖人工操作，提高了真空腔体的烘烤效率。

下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本发明实施例进行描述。

首先，对本申请所基于的真空腔体烘烤系统的结构进行说明：

本申请实施例提供的真空腔体烘烤方法、装置、电子设备及存储介质，适用于控制真空腔体的烘烤温度。如图1所示，为本申请实施例基于的真空腔体烘烤系统的结构示意图，主要包括真空腔体烘烤装置、加热片和卤素灯，其中，加热片用于对真空腔体的外壁进行加热，卤素灯用于进行腔内加热。具体地，该真空腔体烘烤装置通过控制加热片和卤素灯的发热功率，实现对真空腔体烘烤温度的控制。

本申请实施例提供了一种真空腔体烘烤方法，应用于真空腔体烘烤系统，真空腔体烘烤系统包括加热片和卤素灯，加热片贴在真空腔体外壁，卤素灯设置于真空腔体内部，本申请实施例提供的方法用于控制真空腔体的烘烤温度。本申请实施例的执行主体为电子设备，比如服务器、台式电脑、笔记本电脑、平板电脑及其他可用于对真空腔体烘烤系统进行控制的电子设备。

如图2所示，为本申请实施例提供的真空腔体烘烤方法的流程示意图，该方法包括：

步骤201，在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前真空度。

其中，真空腔体的真空值是小于1的，如2*10

需要说明的是，目前有些真空腔体为多段真空腔体，即有连接的多个真空腔体需要烘烤，为了进一步提高真空腔体的烘烤效率，真空腔体烘烤系统可以包括多个加热片和卤素灯，并基于本申请实施例提供的方法实现对多段真空腔体进行多路控温。

其中，如图3所示，为本申请实施例提供的一种示例性的真空腔体烘烤系统的结构示意图，该多段真空腔体包括真空腔体1和真空腔体3，真空腔体1配备有真空规管2、加热片12、卤素灯13、为卤素灯珠供电的真空穿透组件14、真空腔体离子泵11和紧贴在真空腔体离子泵11外壁的发热片10，真空腔体3配备有真空规管4、加热片9、真空腔体离子泵8和紧贴在真空腔体离子泵8外壁的发热片7，其中，真空腔体3也配备有卤素灯和为卤素灯珠供电的真空穿透组件(图中未示出)，真空腔体烘烤系统还包括分子泵5、机械泵6和接前级机械泵和涡轮分子泵的气阀15。其中，加热片可以采用耐高温胶粘贴或捆绑方式紧贴在腔壁外表面，卤素灯珠的供电通过真空密封穿透件结构从腔体外部导入。针对真空腔体的外壁加热，可以将加热片替换为线圈，对金属腔壁的烘烤采用交流通电线圈，线圈在金属腔壁产生涡流，从而实现不锈钢腔壁的加热；真空腔壁的烘烤也可采用其他材质的加热片，如陶瓷基体发热片或云母基体的发热片。

具体地，在对真空腔体进行超高真空处理时，首先启动机械泵，用于抽空真空腔体内的气体，当真空腔体的当前真空度达到该机械泵可以实现的真空度额定值时，启动分子泵，以对真空腔体进行进一步的超高真空处理，当真空腔体的当前真空度达到该分子泵可以实现的真空度额定值时，启动离子泵，以对真空腔体进行更进一步的超高真空处理，直至真空腔体的当前真空度达到该离子泵可以达到的真空度额定值，启动真空腔体烘烤流程，即启动加热片和卤素灯，以对真空腔体进行烘烤。其中，机械泵、分子泵和离子泵启动过程中，可以根据真空腔体的实际真空状态，控制各真空阀门的状态。

具体地，为了确保真空腔体烘烤系统的可靠性，在启动真空腔体烘烤流程之前，可以检查真空腔体烘烤系统中各组件的工作状态，并返回错误信息。若有错误，则提示响应错误信息，并等待重新自检。

步骤202，根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态。

需要说明的是，真空腔体烘烤是升温、保温和降温更替进行的，真空腔体的烘烤状态分为升温状态、保温状态和降温状态。在烘烤过程中，是基于离子泵抽除真空腔体因烘烤产生的气体，但是随着真空腔体温度的升高，可能出现其当前真空度低于离子泵正常的应用范围的情况，即此时离子泵无法长时间在该状态下运行，因此需要对真空腔体的烘烤状态进行切换。

具体地，预设真空度阈值可以根据采用的离子泵的额定真空度来设定。

步骤203，根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，以调节真空腔体的烘烤温度，使真空腔体进入目标烘烤状态。

具体地，可以根据真空腔体的目标烘烤状态，确定对应的目标烘烤温度，进而以将真空腔体的烘烤温度调节至目标烘烤温度为目标，调节加热片和卤素灯的发热功率。

在上述实施例的基础上，作为一种可实施的方式，在一实施例中，根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态，包括：

步骤2021，当当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征当前真空度低于预设真空度阈值时，确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

步骤2022，当真空腔体处于保温状态的时长达到预设等待时长时，若真空腔体的当前真空度依然低于预设真空度阈值，则确定真空腔体的目标烘烤状态为降温状态。

进一步地，在一实施例中，当真空腔体在降温状态下的当前真空度高于预设真空度阈值，且当前真空度与预设真空度阈值之间的差值达到预设升温标准时，确定真空腔体的目标烘烤状态为升温状态。

具体地，真空腔体的真空度在烘烤的过程中不断降低，在当前真空度降低至预设真空度阈值，或超出预设真空度阈值时，停止升温，将烘烤状态转换为保温状态，以对真空腔体进行保温。在真空腔体的保温时长达到预设等待时长时，若真空腔体的当前真空度依然低于预设真空度阈值，则将烘烤状态转换为降温状态，以对真空腔体进行降温处理。进一步地，通过对真空腔体进行降温处理，真空腔体的真空度将逐渐升高，当真空腔体的真空度远高于预设真空度阈值时，则重新对真空腔体进行升温烘烤，即将真空腔体的烘烤状态转换为升温状态。

具体地，在一实施例中，还可以当当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征当前真空度高于预设真空度阈值时，但真空腔体的当前烘烤温度达到预设的最高烘烤温度时，确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；为了进一步提高真空腔体的烘烤效率，可以在确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态时，根据当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差程度，修正预设等待时长。

需要说明的是，修正预设等待时长也就是修正烘烤升温速度，具体可以以腔体真空度不显著降低为判断标准。如真空度超过预设真空度阈值，延长升温台阶的保温时间，并等待真空泵将腔体抽至真空度高于预设真空度阈值。

具体地，可以在当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差程度较小时，如当前真空度等于预设真空度阈值，或当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差值小于预设偏差阈值时，缩短预设等待时长，以减短烘烤状态为保温状态的时长。

在上述实施例的基础上，作为一种可实施的方式，在一实施例中，根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，包括：

步骤2031，根据真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，确定加热片和卤素灯的发热功率调节值；

步骤2032，按照加热片和卤素灯的发热功率调节值，调节加热片的通电时间占空比，调节卤素灯的供电电压，以调节加热片和卤素灯的发热功率。

需要说明的是，针对加热片的发热功率调节，现有技术通常是基于调压器加热片的输入电压，但是调压器体积大，增加了真空腔体烘烤系统的占用空间需求。为了解决这一问题，本申请实施例通过基于控制器调节加热片的通电时间占空比，实现加热片的发热功率调节，而无需增设大型的辅助设备。其中，通电时间占空比指电路被接通的时间占整个电路工作周期的百分比。

具体地，可以按照加热片和卤素灯的发热特性和硬件属性信息，根据真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，分别确定加热片和卤素灯的发热功率调节值，以使加热片和卤素灯按照发热功率调节值调节发热功率后可以使当前烘烤温度达到目标烘烤温度。

具体地，可以采用PID控制机制，基于预设的发热片控温算法，根据加热片的通电时间占空比和发热功率之间的对应关系和加热片的发热功率调节值，调节加热片的通电时间占空比。类似地，可以采用PID控制机制，基于预设的卤素灯控温算法，根据卤素灯的供电电压和发热功率之间的对应关系和卤素灯的发热功率调节值，调节卤素灯的供电电压。

具体地，在一实施例中，为了提高加热片和卤素灯发热功率调节的可靠性，可以根据目标烘烤温度和当前烘烤温度之间的差值以及当前室温对烘烤温度的影响程度，确定加热片和卤素灯的发热功率调节值。

需要说明的是，室温对真空腔体的烘烤温度有一定的影响，因此在调节加热片和卤素灯的发热功率调节值，通过考虑当前室温对烘烤温度的影响程度，可以实现加热片和卤素灯的精准控制。

示例性的，以目标烘烤状态为保温状态为例，若当前室温较高，则可以将加热片和卤素灯的发热功率设定的相对较小，加热片和卤素灯的发热功率调节值相对较大。相较当前室温较低的情况下，此时即便加热片和卤素灯少发热，也可达到相同的保温状态。

其中，由于加热片类型和固定方式的不同，本申请实施例采用的温度控制单元与不同类型的发热片电连接后，温度控制单元将根据加热装置环境状态，自动调整温度控制算法的参数，实现抑制温度控制超调和控制过程中温度连续抖动的效果。

具体地，在一实施例中，为了保证真空腔体烘烤系统的安全性，可以在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前烘烤温度；当当前烘烤温度超出预设的温度报警阈值时，报出温度报警信息，并开始报警处理计时；当报警处理计时结果达到预设计时阈值时，若真空腔体的当前烘烤温度依然超出预设的温度报警阈值，则对加热片和卤素灯进行断电处理，以停止烘烤真空腔体。

其中，真空腔体外壁上可以设置温度传感器，如热电偶，热敏电阻，热红外等温度传感器，用于检测真空腔体的当前烘烤温度。预设的温度报警阈值大于预设的最高烘烤温度。

需要说明的是，真空腔体烘烤系统可能是因为系统故障或人为误操作发生温度报警，如果是因人为误操作而发生的温度报警，误操作人员一般可以及时消除误操作造成的影响，或及时进行手动断电。如果是因系统故障而发生的温度报警，由于本申请实施例提供的真空腔体烘烤系统是无人值守的，所以可能出现没人能及时消除故障的情况，因此可以在报警处理计时结果达到预设计时阈值时，启动自保护功能，即对加热片和卤素灯进行断电处理，以停止烘烤真空腔体，也可以对整个真空烘烤系统进行断电处理。

示例性的，如图4所示，为本申请实施例提供的另一种示例性的真空腔体烘烤系统的结构示意图，上位机在控制烘烤过程向烘烤控制单元发送多段真空腔体的目标控制温度、卤素灯的目标控制电流功率等参数。烘烤过程中任意腔段出现高于温度上限的温度报警，系统将在等待一段时间无人操作后，自动对系统实施断电保护。任意腔段的真空度低于预设真空度阈值，且超过指定时间，系统结束烘烤流程并降温。在烘烤系统到达指定的烘烤保温时间后，上位机按照设定降温速度梯度向温度控制单元发送目标烘烤状态对应的目标烘烤温度和电流参数(供电电压)，直至将目标烘烤温度降为室温，卤素灯发热功率降为0，系统烘烤结束。真空腔体在烘烤加热前的真空量级为10

本申请实施例提供的真空腔体烘烤方法，通过在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前真空度；根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态；根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，以调节真空腔体的烘烤温度，使真空腔体进入目标烘烤状态。上述方案提供的方法。通过实时监控真空腔体在烘烤过程中的真空度，并根据真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，自动调节真空腔体的烘烤温度，而无需依赖人工操作，提高了真空腔体的烘烤效率。并且，具备多路温度控制功能，可实现多段真空腔体的同时升温烘烤，大大提高了生产效率。而且具有的温度报警和自动断电处理功能，保证了无人值守状态下系统的安全性。并且可根据真空状态实时调整腔体烘烤温度和升温速率，降低了对操作人员的专业要求。该方法采用的烘烤温度控制方式，相比于传统使用调压器调节发热片功率的方式，大大缩小了真空烘烤系统的空间占用需求。

本申请实施例提供了一种真空腔体烘烤装置，应用于真空腔体烘烤系统，真空腔体烘烤系统包括加热片和卤素灯，加热片贴在真空腔体外壁，卤素灯设置于真空腔体内部，该装置用于执行上述实施例提供的真空腔体烘烤方法。

如图5所示，为本申请实施例提供的真空腔体烘烤装置的结构示意图。该真空腔体烘烤装置50包括：监控模块501、确定模块502和烘烤模块503。

其中，监控模块，用于在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前真空度；确定模块，用于根据当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系，确定真空腔体的目标烘烤状态；烘烤模块，用于根据真空腔体的目标烘烤状态，调节加热片和卤素灯的发热功率，以调节真空腔体的烘烤温度，使真空腔体进入目标烘烤状态。

具体地，在一实施例中，确定模块，具体用于：

当当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征当前真空度低于预设真空度阈值时，确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；

当真空腔体处于保温状态的时长达到预设等待时长时，若真空腔体的当前真空度依然低于预设真空度阈值，则确定真空腔体的目标烘烤状态为降温状态。

具体地，在一实施例中，确定模块，还用于：

当真空腔体在降温状态下的当前真空度高于预设真空度阈值，且当前真空度与预设真空度阈值之间的差值达到预设升温标准时，确定真空腔体的目标烘烤状态为升温状态。

具体地，在一实施例中，确定模块，还用于：

当当前真空度与预设真空度阈值之间的大小关系表征当前真空度高于预设真空度阈值时，但真空腔体的当前烘烤温度达到预设的最高烘烤温度时，确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态；在确定真空腔体的目标烘烤状态为保温状态时，根据当前真空度与预设真空度阈值之间的偏差程度，修正预设等待时长。

具体地，在一实施例中，烘烤模块，具体用于：

根据真空腔体的目标烘烤状态表征的目标烘烤温度和真空腔体的当前烘烤温度之间的差值，确定加热片和卤素灯的发热功率调节值；

按照加热片和卤素灯的发热功率调节值，调节加热片的通电时间占空比，调节卤素灯的供电电压，以调节加热片和卤素灯的发热功率。

具体地，在一实施例中，烘烤模块，具体用于：

根据目标烘烤温度和当前烘烤温度之间的差值以及当前室温对烘烤温度的影响程度，确定加热片和卤素灯的发热功率调节值。

具体地，在一实施例中，该装置还包括：

报警模块，用于在真空腔体烘烤过程中，监控真空腔体的当前烘烤温度；当当前烘烤温度超出预设的温度报警阈值时，报出温度报警信息，并开始报警处理计时；当报警处理计时结果达到预设计时阈值时，若真空腔体的当前烘烤温度依然超出预设的温度报警阈值，则对加热片和卤素灯进行断电处理，以停止烘烤真空腔体。

关于本实施例中的真空腔体烘烤装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

本申请实施例提供的真空腔体烘烤装置，用于执行上述实施例提供的真空腔体烘烤方法，其实现方式与原理相同，不再赘述。

本申请实施例提供了一种电子设备，用于执行上述实施例提供的真空腔体烘烤方法。

如图6所示，为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。该电子设备60包括：至少一个处理器61和存储器62。

存储器存储计算机执行指令；至少一个处理器执行存储器存储的计算机执行指令，使得至少一个处理器执行如上实施例提供的真空腔体烘烤方法。

本申请实施例提供的一种电子设备，用于执行上述实施例提供的真空腔体烘烤方法，其实现方式与原理相同，不再赘述。

本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行计算机执行指令时，实现如上任一实施例提供的真空腔体烘烤方法。

本申请实施例的包含计算机可执行指令的存储介质，可用于存储前述实施例中提供的真空腔体烘烤方法的计算机执行指令，其实现方式与原理相同，不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。