存储器装置的块族的基于时间的组合

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来，涉及用于存储器装置的块族的基于时间的组合。

背景技术

存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据以及从存储器装置中检索数据。

发明内容

本公开的一方面涉及一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置用于执行包括以下各项的操作：确定所述存储器装置的多个块族中的第一块族和所述多个块族中的第二块族符合接近度条件；确定所述第一块族和所述第二块族是否满足与所述接近度条件相对应的基于时间的组合准则；以及响应于确定所述第一块族和所述第二块族满足所述基于时间的组合准则，合并所述第一块族和所述第二块族。

本公开的另一方面涉及一种方法，其包括：确定存储器装置的多个块族中的第一块族和所述多个块族中的第二块族符合接近度条件；确定所述第一块族和所述第二块族是否满足基于时间的组合准则；响应于确定所述第一块族和所述第二块族满足所述基于时间的组合准则，确定所述第一块族和所述第二块族是否满足基于电压的组合准则；以及响应于确定所述第一块族和所述第二块族满足所述基于电压的组合准则，合并所述第一块族和所述第二块族。

本公开的又一方面涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置进行以下操作：确定所述存储器装置的多个块族中的第一块族和所述多个块族中的第二块族符合接近度条件；确定所述第一块族和所述第二块族是否满足与所述接近度条件相对应的基于时间的组合准则；以及响应于确定所述第一块族和所述第二块族满足所述基于时间的组合准则，合并所述第一块族和所述第二块族。

附图说明

根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的一些实施例的附图将更加充分地理解本公开。

图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2示意性地示出根据本公开的一些实施例的因三层级存储器单元所展现的缓慢电荷损失而导致的时间电压移位。

图3描绘示出根据本公开的一些实施例的阈值电压偏移量对编程后时间(即，从块已编程开始经过的时间段)的相依性的实例曲线图。

图4示意性地示出根据本公开的实施例的一组预定义阈值电压偏移量区间。

图5示意性地示出由根据本公开的实施例操作的存储器子系统控制器的块族管理器组件实施的块族管理操作。

图6示意性地示出根据本公开的实施例的为校准选择块族。

图7示意性地示出根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持来将块和/或分区与块族关联的实例元数据。

图8描绘示出根据本公开的一或多个方面用于在符合基于时间的组合准则时组合两个块族的实例方法800的事件流的序列图。

图9是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则和基于电压的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。

图10是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。

图11是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则或基于电压的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。

图12是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的实施例涉及存储器装置的块族的块族组合管理。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如，存储数据的存储器装置。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统中检索数据。

存储器子系统可以利用一或多个存储器装置(包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合)来存储由主机系统提供的数据。在一些实施例中，非易失性存储器装置可以由与非(NAND)类型快闪存储器装置提供。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每个裸片可由一或多个平面组成。平面可分组成逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每个平面由一组物理区间成。每个块由一组页组成。每个页由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。

数据操作可由存储器子系统执行。数据操作可以是主机发起的操作。例如，主机系统可以在存储器子系统上发起数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可将存取请求(例如，写入命令、读取命令)发送到存储器子系统，以便将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，且从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定，待读取或写入的数据在下文中被称作“主机数据”。主机请求可包含用于主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(LBA)、名字空间)，其是主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，LBA、名字空间)可以是主机数据的元数据的部分。元数据还可以包含误差处理数据(例如，ECC码字、奇偶检验码)、数据版本(例如，用于区分所写入数据的期限)、有效位图(其LBA或逻辑传输单元含有有效数据)等。

存储器装置包含多个存储器单元，其中的每一者可取决于存储器单元类型存储一或多个信息位。可通过将某一电压施加到存储器单元来编程存储器单元(向其写入)，这导致电荷由存储器单元保持，从而允许调制存储器单元所产生的电压分布。此外，精确地控制存储器单元所存储的电荷的量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，从而有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：以2

由于被称为缓慢电荷损失的现象，存储器单元的阈值电压随着单元的电荷降级而及时改变，其被称作“时间电压移位”(因为使电荷降级导致电压分布沿电压轴朝较低电压电平移位)。阈值电压首先快速改变(紧接在存储器单元被编程之后)，且接着相对于从单元编程事件开始经过的时间以大致对数线性方式减慢。因此，未能减轻缓慢电荷损失所导致的时间电压移位可导致读取操作中增加的位误差率。

然而，各种常见实施方案无法充分解决时间电压移位，或使用导致高位误差率和/或展现其它缺点的低效策略。本公开的实施例通过实施使用基于块族的误差避免策略的存储器子系统来解决上述和其它不足，从而显著改进存储器子系统所展现的位误差率。根据本公开的实施例，针对按块族分组的经编程块选择性地跟踪时间电压移位，且将基于具有某一块族的块隶属的适当的电压偏移量施加到基础读取电平，以便执行读取操作。本文中的“块族”应指已经在指定时间窗和指定温度窗内编程的一组块。由于编程之后经过的时间和温度是影响时间电压移位的主要因素，所以推测单个块族内的所有块和/或分区在存储器单元中展现类似的阈值电压分布，且因此将要求将相同的电压偏移量施加到基础读取电平以用于读取操作。“基础读取电平”在本文中将指存储器单元在紧接在编程之后所展现的初始阈值电压电平。在一些实施方案中，基础读取电平可存储在存储器装置的元数据中。

可相对于块编程事件异步创建块族。在说明性实例中，每当从最后一个块族的创建开始已经过指定时间段(例如预定数目的分钟)或存储器单元的参考温度已改变了超过指定阈值，就可创建新的块族。存储器子系统控制器可维持作用中块族的识别符，其在一或多个块正在编程时与所述块相关联。

存储器子系统控制器可周期性地执行校准过程，以便使每个块族的每一裸片与预定义阈值电压偏移量区间中的一者相关联，所述预定义阈值电压偏移量区间又与将为读取操作施加的电压偏移量相关联。块与块族以及块族和裸片与阈值电压偏移量区间的关联可存储在存储器子系统控制器所维持的相应元数据表中。

更具体地，本公开解决了根据基于时间的组合准则来组合块族的能力，方法是当从两个相邻块族中的较旧块族的开始起经过了预定义时间段时组合这两个块族，以便有效地管理存储器子系统内的块族数目同时避免扫描过程的开销。

根据本公开的实施例，可以记录存储器子系统内的每个块族的开始时间和结束时间以确定任何两个块族是否在时间上相邻。开始时间是指一个块族被创建并分配为系统中当前块族的时间，结束时间是指所述块族不再是系统中当前块族的时间。在实施方案中，当一个块族的结束时间与另一块族的开始时间之间的差等于或小于预定时间段时，可以将两个块族标记为时间上相邻的块族。当确定两个块族在时间上相邻时，可以在从两个相邻块族中的较旧块族开放起经过一定时间段(例如，用于确定黑色族是否在时间上相邻的预定时间段的倍数)后组合两个时间上相邻的块族。将两个块族组合可以指将第一块族的块合并到第二块族中，然后删除第一块族。

在一些实施例中，存储器子系统可以具有多个阈值电压偏移量区间，用于基于每个块族的阈值电压偏移量对块族进行分类。阈值电压偏移量区间定义了一组阈值电压偏移量，所述阈值电压偏移量将被施加到基础电压读取电平以便对与所述区间相关联的块族中的块执行读取操作。存储器子系统内的每个阈值电压偏移量区间可以具有单独的时间倍数，用于确定何时合并每个阈值电压偏移量区间内的块族，使得可以基于与区间相关联的阈值电压偏移量来调整每个区间内的时间倍数。在一个实施例中，当符合基于时间的准则(例如，从第一块族的开始起已经过去了预定时间段的时间倍数)时，可以组合两个相邻块族，而不进行进一步的扫描或验证。在另一实施例中，在符合基于时间的准则之后，可以在组合两个相邻块族之前确定基于电压的准则。基于电压的准则可以是确定一个块族的数据状态度量是否在另一块族的数据状态度量的预定方差内。块族的数据状态度量可以指示与所述块族相关联的块的时间电压移位(TVS)。如果两个相邻块族符合基于电压的准则，则可以组合这两个相邻块族。

在又一个实施例中，可以根据基于时间的组合准则来组合分配给新阈值电压偏移量区间的块族。另一方面，可以根据基于电压的组合准则来组合分配给旧阈值电压偏移量区间的块族。另外，存储器子系统110内的一或多个时间倍数可基于存储器子系统的存储器装置的温度进行调整，以在较高温度下适应不同速率阈值电压收敛，如下文中更详细地解释。

因此，根据本公开的一些实施例实施的系统和方法的优点包含但不限于通过维护假定展现类似电压分布的块(块族)的元数据跟踪群组来改善读取操作中的误码率。另外，本公开使得能够基于块族开始和另一块族结束的时间上的接近度将块族合并在一起，而不执行昂贵的扫描操作，从而最小化存储器子系统上的任何额外开销，如下文更详细地描述。

图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。

存储器子系统110可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器、安全数字(SD)卡和硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。

计算系统100可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(IoT)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网市售装置中的计算机)，或这类包含存储器和处理装置(例如，处理器)的计算装置。

计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1示出耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文所使用，“耦合到”或“与...耦合”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁连接等的连接。

主机系统120可包含处理器芯片组和由所述处理器芯片组执行的软件堆叠。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)，以及存储协议控制器(例如，PCIe控制器、SATA控制器)。主机系统120使用存储器子系统110，例如，将数据写入存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。

主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行附接SCSI(SAS)、双数据速率(DDR)存储器总线、小型计算机系统接口(SCSI)、双列直插式存储器模块(DIMM)接口(例如，支持双数据速率(DDR)的DIMM套接接口)、开放NAND快闪接口(ONFI)、双数据速率(DDR)、低功率双数据速率(LPDDR)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可以提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。图1示出作为实例的存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。

存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。

非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)类型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其是非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来进行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。NAND类型快闪存储器包含例如二维NAND(2D NAND)和三维NAND(3D NAND)。

存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(SLC)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如SLC、MLC、TLC、QLC或此类存储器单元阵列的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的SLC部分，和MLC部分、TLC部分或QLC部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页，所述页可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，NAND)，页可进行分组以形成块。

虽然描述了非易失性存储器装置，例如3D交叉点非易失性存储器单元阵列和NAND型快闪存储器(例如，2D NAND、3D NAND)，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、或非(NOR)快闪存储器，以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。

存储器子系统控制器115(为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以进行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或其它合适的处理器。

存储器子系统控制器115可包含配置成执行存储于本地存储器119中的指令的处理器117(例如，处理装置)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作的各种过程、操作、逻辑流和例程，包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信。

在一些实施例中，本地存储器119可以包含存储器寄存器，其存储存储器指针、获取的数据等。本地存储器119还可以包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已示为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110可不包含控制器115，而是可以依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供的外部控制)。

通常，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令来实现对存储器装置130的所要存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、误差检测及误差校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作，及与存储器装置130相关联的逻辑地址(如，逻辑块地址(LBA)、名称空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。

在一些实施方案中，存储器子系统110可使用剥离方案，根据此方案，每个数据有效负载(例如用户数据)利用存储器装置130(例如NAND型快闪存储器装置的多个裸片)，使得有效负载分布在整个裸片子集，而剩余的一或多个裸片用以存储误差校正信息(例如奇偶校验位)。因此，本文将跨使用剥离方案的存储器装置的一组裸片分布的一组块称为“超级块”。

存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可以包含高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，其可从控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器装置130。

在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其与存储器子系统控制器115结合操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

根据本公开的实施例，存储器子系统110包含块族组合组件113，其可用于实施用于主要根据基于时间的准则来组合存储器子系统110内的块族的技术。在一些实施例中，块族组合组件113可以记录存储器子系统110内每个块族的开始时间和结束时间。开始时间可以是一个块族被创建并分配为系统中当前块族的时间，结束时间是所述块族不再是系统中当前块族的时间。在实施中，当块族组合组件113确定一个块族的结束时间与另一块族的开始时间之间的差等于或小于预定时间段(例如，1小时)时，块族组合组件113可以确定两个块族是相邻的。在某些实施方案中，为了确定两个块族是相邻的，块族组合组件113进一步确定两个块族被分配给相同的阈值电压偏移量区间。阈值电压偏移量区间定义了一组阈值电压偏移量，所述阈值电压偏移量将被施加到基础电压读取电平以便对相应块族的块执行读取操作。

在确定两个块族相邻之后，块族组合组件113可以在作为时间段的特定个时间倍数的第二时间段已经过去时确定可以组合两个相邻块族。作为实例，当两个相邻块族中的较旧块族的开放已经过去24小时(例如，时间倍数是24)时，块族组合组件113可以确定两个相邻块族可以被组合。将两个块族组合可以指将第一块族的块合并到第二块族中，然后删除第一块族。

在某些实施方案中，存储器子系统内的每个阈值电压偏移量区间可以具有单独的时间倍数，用于确定何时组合分配给相应阈值电压偏移量区间的块族，使得可以基于与区间相关联的阈值电压偏移量来调整每个区间的时间倍数，如下文更详细地解释。在这种情况下，可以基于与第一阈值电压偏移量区间相关联的时间倍数来组合分配给第一阈值电压偏移量区间的两个块族(例如，A和B)，而分配给第二阈值电压偏移量区间的两个块族(例如，C和D)可以基于与第二阈值电压偏移量区间相关联的时间倍数来组合。

在一个实施方案中，块族组合组件113可以在第二时间段已经过去时组合两个相邻块族，而不进行进一步的扫描或验证。在另一实施方案中，当块族组合组件113确定第二时间段已经过去时，块族组合组件113可以在组合两个块族之前做出额外的确定以找出两个相邻块族是否符合基于电压的准则。作为实例，基于电压的准则可以是确定一个块族的数据状态度量是否在另一块族的数据状态度量的预定方差内。块族的数据状态度量可以指示与所述块族相关联的块的时间电压移位(TVS)。在这种情况下，如果两个相邻块族符合基于电压的准则，则块族组合组件113可以组合这两个相邻块族。

在又一个实施方案中，块族组合组件113可以针对新的阈值电压偏移量区间(即，与对应于短于阈值的编程后时间的阈值电压偏移量相关联的区间)使用基于时间的组合准则，且针对旧的阈值电压偏移量区间(即，与对应于长于阈值的编程后时间的阈值电压偏移量相关联的区间)使用基于电压的组合准则。当给定块族的编程后时间较短时，与所述块族相关联的阈值电压偏移量的变化频率可能较高，因此测量数据状态以确定基于电压的准则可能不准确和/或执行起来较昂贵。另一方面，当块族的编程后时间较长时，与所述块族相关联的阈值电压偏移量的变化频率可能较低，因此测量数据状态以确定此块族的基于电压的准则可能比前一种情况更准确和/或更便宜。因此，为了组合两个块族，块族组合组件113可以针对新的阈值电压偏移量区间利用基于时间的组合准则(例如，过去与两个块族中的一个的开始时间和另一块族的结束时间相关联的特定时间段)。类似地，块族组合组件113可以针对旧的阈值电压偏移量区间使用基于电压的组合准则(例如，通过测量和比较每个块族的数据状态度量)，如下文更详细地解释的。

在一些实施方案中，块族组合组件113可以基于存储器装置130-140的温度来调整存储器子系统110内的一或多个时间倍数。作为实例，当存储器装置130保持在高温时，与读取存储器装置130的块相关联的阈值电压的收敛可能比在正常/较低温度下更快的速率发生。因此，块族组合组件113检测到存储器装置130的高温，块族组合组件113可缩短与存储器装置130相关联的一或多个时间倍数以反映阈值电压的较快收敛。

图2示出根据本公开的实施例的至少部分地因三层级存储器单元所展现的缓慢电荷损失而导致的时间电压移位。虽然图2的说明性实例利用三层级单元，但可进行相同观察，且因此，相同的补救措施可适用于单层级单元和具有多个层级的任何存储器单元。

可通过将某一电压(例如，编程电压)施加到存储器单元来编程存储器单元(对其进行写入)，从而产生存储器单元所存储的电荷。精确控制存储器单元所存储的电荷的量允许存储器单元具有对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，因此有效地允许单个存储器单元存储多个信息位。以2

图表210和230中的每一个示出通过相应写入电平(其可被假设处于编程分布的中点处)编程以编码对应的逻辑电平的存储器单元的编程电压分布220A-420N(在本文中也被称作“编程分布”或“电压分布”或“分布”或“电平”)。编程分布220A到220N可说明用于以相应写入电平(例如，编程电压)编程的存储器单元的阈值电压的范围(例如，阈值电压的正态分布)。为了区分邻近编程分布(对应于两个不同逻辑电平)，定义读取阈值电压电平(由竖直虚线所展示)，使得低于读取阈值电平的任何所测量的电压与所述一对邻近编程分布中的一个编程分布相关联，而大于或等于读取阈值电平的任何所测量的电压与所述一对相邻分布中的另一编程分布相关联。

在图表210中，在对应的编程分布下方展示存储器单元的八个状态(除了经标记为ER的状态以外，其是经擦除状态，不展示所述状态的分布)。每个状态对应于某一逻辑电平。读取阈值电压电平标记为Va-Vh。如所展示，低于Va的任何所测量的电压与ER状态相关联。标记为P1、P2、P3、P4、P5、P6和P7的状态分别对应于分布22A-220N。

编程后时间(TAP)在本文中将指从单元已经写入且是时间电压移位(TVS)的主要驱动器的时间。TVS捕获SCL以及其它电荷损失机制。可估计(例如，根据数据状态度量推断)或(例如，根据控制器时钟)直接测量TAP。单元、块、页、块族等在其具有(相对)小的TAP的情况下是新的(或相对较新)，且在其具有(相对)大的TAP的情况下是旧的(或相对较旧)。时间片是两个TAP点之间的持续时间，在此持续时间期间，可进行测量(例如在编程之后的X到Y分钟或小时执行参考校准)。时间片可通过其中心点来引用。

如根据比较分别地反映编程后时间(TAP)0(紧接在编程之后)和T小时TAP(其中T为小时数)的实例图表210和230而看出，编程分布主要由于缓慢电荷损失而随时间推移改变。为了降低读取位误差率，调节对应的读取阈值电压以补偿编程分布的移位，其由竖直虚线展示。在本公开的各种实施例中，基于在裸片群组的一或多个代表性裸片处执行的测量针对裸片群组选择性地跟踪时间电压移位。基于在裸片群组的代表性裸片上进行的特性化裸片群组的裸片的时间电压移位和操作温度的测量，用于读取裸片群组的裸片的存储器单元的读取阈值电压偏移量经更新且施加到基础读取阈值电平以执行读取操作。

图3描绘示出阈值电压偏移量310对编程后时间320(即，从块已被编程开始经过的时间段)的相依性的实例曲线图300。如由图3示意性地示出，将存储器装置的块分组成块族330A-330N，使得每个块族包含已在指定时间和指定温度窗内编程的一或多个块。如本文在上文所述，由于编程之后经过的时间和温度是影响时间电压移位的主要因素，所以推测单个块族310内的所有块和/或分区在存储器单元中展现类似的阈值电压分布，且因此将需要相同的电压偏移量来进行读取操作。

可相对于块编程事件异步创建块族。在说明性实例中，每当从最后一个块族的创建开始已经过指定时间段(例如，预定数目的分钟)，或每当从当前块族的创建开始，存储器单元的参考温度(其以指定时间间隔更新)已改变了超过指定阈值，则图1的存储器子系统控制器115可创建新的块族。

新创建的块族可与区间0相关联。接着，存储器子系统控制器可周期性地执行校准过程，以便使每个块族的每一裸片与预定义阈值电压偏移量区间(在图3的说明性实例中，区间0到7)中的一者关联，所述区间由与将对读取操作施加的电压偏移量相关联。块与块族以及块族和裸片与阈值电压偏移量区间的关联可存储在存储器子系统控制器所维持的相应元数据表中。

图4示意性地示出根据本公开的实施例的一组预定义阈值电压偏移量区间(区间0到区间9)。如图4示意性地示出，可将阈值电压偏移量曲线图细分为多个阈值电压偏移量区间，使得每个区间对应于阈值电压偏移量的预定范围。虽然图4的说明性实例定义了十个区间，但在其它实施方案中，可使用各种其它数目的区间(例如，64个区间)。基于周期性地执行的校准过程，存储器子系统控制器使每个块族的每一裸片与某一阈值电压偏移量区间关联，所述阈值电压偏移量区间定义将施加到基础电压读取电平以便执行读取操作的一组阈值电压偏移量，如本文在下文更详细描述。

图5示意性地示出由根据本公开的实施例操作的存储器子系统控制器的块族管理器组件实施的块族管理操作。如图5示意性地示出，块族管理器510可在存储器变量中维持作用中块族的识别符520，其与光标530A-530K被编程时所述光标的一或多个块相关联。本文中的“光标”应广泛地指存储器装置上的数据被写入到的位置。

存储器子系统控制器可利用通电分钟(POM)时钟来跟踪块族的创建时间。在一些实施方案中，除POM时钟之外，可利用当控制器处于各种低电力状态时继续运行的较不准确的时钟，使得在控制器从低电力状态唤醒后，即刻基于较不准确的时钟来更新POM时钟。

因此，在初始化每个块族后，当前时间540作为块族开始时间550存储在存储器变量中。当编程所述块时，将当前时间540与块族开始时间550进行比较。响应于检测到当前时间540与块族开始时间550的差大于或等于指定时间段(例如，预定数目的分钟)，更新存储作用中块族识别符520的存储器变量，以存储下一块族编号(例如，下一循序整数数目)，且更新存储块族开始时间550的存储器变量以存储当前时间540。

块族管理器510还可维持两个存储器变量，以用于存储每一存储器装置的选定裸片的高和低参考温度。在初始化每一块族之后，高温560和低温570变量存储存储器装置的选定裸片的当前温度的值。在操作中，在作用中块族识别符520保持相同的同时周期性地获得温度测量值，并将其与相应地更新的所存储高温560和低温570值，进行比较：如果发现温度测量值高于或等于高温变量560所存储的值，则更新后者以存储温度测量值；相反，如果发现温度测量值降到低于低温变量570所存储的值，则更新后者以存储温度测量值。

块族管理器510可进一步周期性地计算高温560与低温570之间的差。响应于确定高温560与低温570之间的差高于或等于指定温度阈值，块族管理器510可创建新的作用中块族：存储作用中块族识别符520的存储器变量经更新以存储下一块族编号(例如，下一循序整数数目)，存储块族开始时间550的存储器变量经更新以存储当前时间540，且高温560和低温570变量经更新以存储存储器装置的选定裸片的当前温度的值。

在编程块时，存储器子系统控制器使块与当前作用中的块族相关联。每个块与对应块族的关联性是由块族元数据580反映，如下文参考图7较详细地描述。

如本文在上文中所述，基于周期性地执行的校准过程，存储器子系统控制器使每个块族的每一裸片与某一阈值电压偏移量区间关联，所述阈值电压偏移量区间定义将施加到基础电压读取电平以便执行读取操作的一组阈值电压偏移量。校准过程涉及相对于正校准的块族内指定数目的随机选定块，利用不同阈值电压偏移量执行读取操作，以及挑选使读取操作的误差率最小化的阈值电压偏移量。

图6示意性地示出根据本公开的实施例的为校准选择块族。如图6示意性地示出，存储器子系统控制器可将校准操作限制到每个区间中的最旧块族(例如，区间0中的块族610和区间1中的块族620)，由于其为最旧块族，归因于缓慢电荷损失，在当前区间的任何其它块族之前偏移到下一区间。

图7示意性地示出根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持来将块和/或分区与块族关联的实例元数据。如图7示意性地示出，存储器子系统控制器可维护超级块表710、族表720和偏移量表730。

超级块表710的每个记录指定与指定超级块和分区组合相关联的块族。在一些实施方案中，超级块表记录可进一步包含与指定超级块和分区组合相关联的时间和温度值。

族表720由块族编号编索引，使得族表720的每个记录为所述记录的索引所参考的块族指定与块族的相应裸片相关联的一组阈值电压偏移量区间。换句话说，族表720的每个记录包含向量，其每个元素指定与所述向量元素的索引所参考的裸片相关联的阈值电压偏移量区间。将与块族裸片相关联的阈值电压偏移量区间可由校准过程确定，如本文在上文更详细描述。

最后，偏移量表730由区间编号索引。偏移量表730的每个记录指定与阈值电压偏移量区间相关联的一组阈值电压偏移量(例如针对TLC、MLC和/或SLC)。

当例如通过将第一块族的块合并到第二块族中接着删除第一块族来组合两个块族时，元数据表710-730可由于组合两个块族而更新。例如，所述超级块表710可经更新以反映第一块族的超级块和分区组合应与第二块族相关联。类似地，族表720可经更新以删除与来自族表720的第一块族相关联的记录。

元数据表710-730可存储在图1的一或多个存储器装置130上。在一些实施方案中，元数据表的至少一部分可高速缓存在图1的存储器子系统控制器115的本地存储器119中。

在操作中，在接收到读取命令后，存储器子系统控制器确定对应于读取命令所指定的逻辑块地址(LBA)的物理地址。利用例如物理块编号和裸片识别符等物理地址分量来执行元数据表遍历：首先，使用超级块表710以识别对应于物理块编号的块族识别符；接着，将块族识别符用作族表720的索引以便确定与块族和裸片相关联的阈值电压偏移量区间；最终，将所识别的阈值电压偏移量区间用作偏移量表730的索引以便确定对应于区间的阈值电压偏移量。存储器子系统控制器可接着将所识别的阈值电压偏移量叠加地施加到基础电压读取层级，以便执行所请求的读取操作。

在图7的说明性实例中，超级块表710将超级块0的分区0映射到块族4，所述块族用作族表720的索引以便确定裸片0被映射到区间3。将后一值用作偏移量表的索引，以便确定区间3的阈值电压偏移量值。

图8描绘示出根据本公开的一或多个方面用于在符合基于时间的组合准则时组合两个块族的实例方法800的事件流的序列图。方法800可由处理逻辑执行，所述处理逻辑包含硬件(例如电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)或其一组合。在一些实施例中，方法800由图1的块族组合组件113执行。

方法800在操作810处开始。在操作810，处理逻辑在时间T0处开始新的块族BF 1，为BF 1分配在T0与结束BF 1的时间之间编程的块。处理逻辑可以进一步记录开始BF 1的时间T0，以便在计算用于将BF 1与另一块族组合的基于时间的组合准则时利用T0，如本文中更详细地解释。

在操作811，处理逻辑在时间T1处通过确定另一块族可以是存储器子系统中的当前作用中块族来结束BF 1。在实施方案中，BF 1可以在确定自从T0起已经过去当前作用中块族的预定持续时间时结束。在操作812，处理逻辑在时间T2处通过将BF 2分配为存储器子系统中的当前作用中块族来开始新的块族BF 2。在一个实例中，BF 2可以是紧跟BF 1作为当前作用中块族的块族。在另一实例中，BF 2可以是在BF 1结束之后的某个时间点开始但不一定紧接在BF 1之后作为当前作用中块族的块族。

在操作814，处理逻辑在时间T3处通过确定第三块族可以是存储器子系统中的当前作用中块族来结束BF 2。处理逻辑可以进一步将时间T3记录为BF 2的结束时间，以便利用T3计算基于时间的组合准则以用于组合BF 1和BF 2。在实施方案中，处理逻辑可以确定两个记录时间：结束BF 2的T3与开始BF 1的T0之间的时间段。如果确定的时间段等于或小于预定的分钟数(例如，60分钟)，则处理逻辑可以确定BF 1和BF 2是相邻块族，并且可以在自从BF 2结束起已经过去特定基于时间的准则之后组合两个块族。在实例中，基于时间的准则可以是T3-T0的所确定时间段的时间倍数。在这种情况下，处理逻辑可以确定，由于BF1和BF 2是相邻块族，因此两个块族的阈值电压在经过特定时间段之后很可能会收敛到相似的值，所述特定时间段可以基于相邻块族的开始时间与停止时间之间的差计算得出。

在操作818，处理逻辑在时间T4处可以确定自从T3起已经过去的时间倍数，然后处理逻辑可以组合BF 1和BF 2。在实施方案中，处理逻辑可以通过将BF 1的块合并到BF 2中(例如，通过将BF 1的块分配给BF 2)然后从存储器子系统控制器的块族元数据表中删除BF1来组合两个块族。

图9是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则和基于电压的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。方法900可以由处理逻辑执行，所述处理逻辑可以包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法900由图1的块族组合组件113执行。虽然以特定序列或次序来示出，但是除非另外规定，否则可修改操作的次序。因此，应理解，所说明的实施例仅为实例，且所说明的操作可以不同次序执行，且一些操作可并行地执行。另外，在一些实施例中，可省略一或多个操作。因此，在每一实施例中并不要求所说明的全部操作，且其它处理流程是可能的。

在操作910，处理逻辑确定开始块族BF 1时的时间T1以及结束块族BF 2时的时间T2。在实施方案中，当BF 2的结束时间与BF 1的开始时间之间的差等于或小于预定时间段(例如，1小时)时，处理逻辑可以确定BF 1和BF 2相邻。

因此，在操作930，处理逻辑确定T2与T1之间的差是否符合接近度阈值(例如，1小时)以确定两个块族是否相邻。在操作940，处理逻辑确定BF 2和BF 1相邻，因为(T2-T1)符合接近度条件。然后，处理逻辑可以例如在存储器子系统的元数据表中将BF 1和BF 2标记为相邻块族。

在操作950，假设BF 1和BF 2相邻，处理逻辑可以确定自从T1(BF 1的开始)起是否已经过去了(T2-T1)的特定时间倍数。在实施方案中，当已经过去T2与T1之间的差的时间倍数(例如，24)时，处理逻辑可以确定BF 1和BF 2符合基于时间的组合准则，如上文更详细地解释的。

在操作955，通过确定已经过去基于时间的组合准则，处理逻辑可以进一步确定是否符合基于电压的组合准则。在一个实施方案中，可以通过确定BF 1的数据状态度量是否在BF 2的数据状态度量的预定方差内来实现符合基于电压的准则。块族的数据状态度量可以指示与所述块族相关联的块的时间电压移位(TVS)。例如，如果BF 1的平均阈值电压与BF2的平均阈值电压相差3个单位的数/模转换(DAC)，则BF 1和BF 2符合基于电压的组合准则。

在操作960，当处理逻辑确定BF 1和BF 2符合基于电压的组合准则时，处理逻辑可以例如通过将BF 1的块合并到BF 2中然后删除BF 1来组合BF 1和BF 2，如本文更详细地解释的。

图10是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。方法1000可以由处理逻辑执行，所述处理逻辑可以包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法1000由图1的块族组合组件113执行。虽然以特定序列或次序来示出，但是除非另外规定，否则可修改操作的次序。因此，应理解，所说明的实施例仅为实例，且所说明的操作可以不同次序执行，且一些操作可并行地执行。另外，在一些实施例中，可省略一或多个操作。因此，在每一实施例中并不要求所说明的全部操作，且其它处理流程是可能的。

在操作1010，处理逻辑确定存储器装置内的块族群组中的两个块族符合接近度条件。在实施方案中，接近度条件可以是确定一个块族的开始时间与另一块族的结束时间之间的差不超过预定时间段(例如，1小时)，如本文中更详细地解释的。

在操作1020，基于确定两个块族符合接近度条件，处理逻辑确定两个块族是相邻的，因此当满足基于时间的组合准则时可以进行组合。在实施方案中，当自从第一块族的开始已经过去了第二时间段时，处理逻辑可以确定可以组合这两个块族。例如，第二时间段可以是预定时间段(例如，24小时)的时间倍数。

在操作1030，在确定已经满足基于时间的组合准则时(例如，自从第一块族开始起已经过去24小时)，处理逻辑可以确定可以组合两个块族。在实施方案中，处理逻辑可以通过将第一块族的块分配给第二块族然后删除第一块族来合并第一块族和第二块族，如上文更详细地解释的。

图11是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中根据基于时间的组合准则或基于电压的组合准则执行块族组合的实例方法的流程图。方法1100可以由处理逻辑执行，所述处理逻辑可以包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法1100由图1的块族组合组件113执行。虽然以特定序列或次序来示出，但是除非另外规定，否则可修改操作的次序。因此，应理解，所说明的实施例仅为实例，且所说明的操作可以不同次序执行，且一些操作可并行地执行。另外，在一些实施例中，可省略一或多个操作。因此，在每一实施例中并不要求所说明的全部操作，且其它处理流程是可能的。

在操作1110，处理逻辑确定存储器装置的阈值电压偏移量区间1(Bin 1)的两个块族BF 1和BF 2符合接近度条件。在实施方案中，接近度条件可以是确定BF 1的开始时间与BF 2的结束时间之间的差不超过预定时间段(例如，1小时)，如本文中更详细地解释的。

在操作1120，处理逻辑确定Bin 1是否符合期限准则。在某些实施方案中，基于与阈值电压偏移量区间相关联的编程后时间值来确定阈值电压偏移量区间的期限。因此，Bin1的期限准则可以是确定与Bin 1相关联的编程后时间是否超过阈值。当给定阈值电压偏移量区间的编程后时间较短时，与所述区间相关联的阈值电压偏移量的变化频率可能较高，因此测量数据状态以确定分配给所述区间的块族的基于电压的准则可能不准确和/或执行起来较昂贵。另一方面，当区间的编程后时间较长时，与所述区间相关联的阈值电压偏移量的变化频率可能较低，因此测量数据状态以确定分配给所述区间的块族的基于电压的准则可能比编程后时间较短时更准确和/或更便宜。因此，处理逻辑可以使用基于时间的组合准则来组合分配给新区间的块族，并使用基于电压的组合准则来组合分配给旧区间的块族。

因此，在操作1130，当处理逻辑确定区间1的期限低于阈值(即，新区间)时，处理可以确定BF 1和BF 2是否符合基于时间的组合准则，例如，经过与BF 1的开始时间和BF 2的结束时间相关联的特定时间段，以组合BF 1和BF 2。在操作1160，如果BF 1和BF 2符合基于时间的组合准则，则处理逻辑可以合并BF 1和BF 2，如上文更详细地解释的。

另一方面，在操作1140，当处理逻辑确定Bin 1的期限不低于阈值(即，旧区间)时，处理可以确定BF 1和BF 2是否符合基于电压的组合准则，例如，通过测量和比较BF 1和BF2的数据状态度量，以便组合BF 1和BF 2。在操作1160，如果BF 1和BF 2符合基于电压的组合准则，则处理逻辑可以合并BF 1和BF 2，如上文更详细地解释的。

图12示出计算机系统1200的实例机器，在所述实例机器中可以执行用于使所述机器执行本文讨论的任何一或多个方法的指令集。在一些实施例中，计算机系统1200对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用以执行控制器的操作(例如，以执行操作系统来进行对应于图1的块族组合组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。

机器可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但也可认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种。

实例计算机系统1200包含处理装置1202、主存储器1204(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器1206(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)以及数据存储系统1218，它们经由总线1230彼此通信。

处理装置1202表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更具体地，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置1202也可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置1202配置成执行指令1226以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统1200可以进一步包含网络接口装置1208，以通过网络1220进行通信。

数据存储系统1218可包含机器可读存储媒体1224(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令集1226或体现本文中所描述的方法或功能中的任一或多种的软件。指令1226还可在由计算机系统1200执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器1204内和/或处理装置1202内，主存储器1204和处理装置1202也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体1224、数据存储系统1218和/或主存储器1204可对应于图1的存储器子系统110。

在一个实施例中，指令1226包含用以实施对应于图1的块族组合组件113的功能性的指令)。虽然机器可读存储媒体1224在实例实施例中示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且致使机器执行本公开的方法中的任何一种或多种的任何媒体。术语“计算机可读存储媒体”因此应被认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。

已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等有时是便利的。

然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可涉及将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。

本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、CD-ROM以及磁性光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自连接到计算机系统总线。

本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文描述的本公开的教示内容。

本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以进行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。

在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书和图式。