存储器测试方法及装置、介质及设备

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由于具有结构简单，密度高，功耗低，价格低廉等优点，在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。

对于DRAM而言，通常是利用DQS signal(数据选取脉冲信号)的上升沿和下降沿进行数据锁存。其中，DQS的维持时间和DQS到数据信号DQ的相对时延是重要的指标。

现有测试维持时间和相对时延的过程中，经常会引入信号抖动Jitter的影响，进而导致测试结果偏小。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，以减小维持时间和相对时延测试过程中的信号抖动。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种存储器测试方法，所述方法包括：执行第一数据读写操作，只在一次读取所述第一数据时获取第一测量值；执行第二数据读写操作，只在一次读取所述第二数据时获取第二测量值；根据所述第一测量值和所述第二测量值确定目标测量值，所述目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第一数据，反复多次读取所述第一数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第二数据，反复多次读取所述第二数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述相对时延包括：tDQSQ，所述维持时间包括：tQSH和tQSL。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：多次执行所述第一数据读写操作，从多个所述第一测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值；其中，所述第一测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：多次执行所述第二数据读写操作，从多个所述第二测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值；其中，所述第二测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：读取所述第一数据时，先读取所述第一数据的偶数位数据，再读取所述第一数据的奇数位数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：读取所述第二数据时，先读取所述第二数据的奇数位数据，再读取所述第二数据的偶数位数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，确定tQSH值，包括：测量DQS波形的上升沿到下一个下降沿的脉宽。

在本公开的一种示例性实施方式中，确定tQSL值，包括：测量DQS 波形的下降沿到下一个上升沿的脉宽。

在本公开的一种示例性实施方式中，确定tDQSQ值，包括：测量DQS波形的上升沿到DQ波形的上升沿的脉宽。

根据本公开的第二方面，提供一种存储器测试装置，所述装置包括：第一测量值确定模块，用于执行第一数据读写操作，只在一次读取所述第一数据时获取第一测量值；第二测量值确定模块，用于执行第二数据读写操作，只在一次读取所述第二数据时获取第二测量值；目标测量值确定模块，用于根据所述第一测量值和所述第二测量值确定目标测量值，所述目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器测试方法。

根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的存储器测试方法。

本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开示例性实施方式中，通过在执行第一数据读写操作时，只在一次读取第一数据时获取第一测量值，可以确保信号之间相对位置的确定，减小信号抖动的影响；同样的，在执行第二数据读写操作时，只在一次读取第二数据时获取第二测量值，可以确保信号之间相对位置的确定，减小信号抖动的影响，进而可以确保根据第一测量值和第二测量值所确定目标测量值的准确性。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种DQS波形示意图；

图2示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储器测试方法的流程图；

图3示意性示出了根据本公开的示例性实施例提供的数据读写操作中测试的过程示意图；

图4示意性示出了根据本公开的示例性实施例的存储器测试装置的方框图；

图5示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种电子设备的模块示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

半导体存储器用于计算机、服务器、诸如移动电话等手持设备、打印机和许多其他电子设备和应用。半导体存储器在存储阵列中包括多个存储单元，每个存储单元存储信息的至少一位。DRAM为这种半导体存储器的实例。本方案优选地用于DRAM中。因此，接下来的实施例描述是参考作为非限制性示例的DRAM进行的。

在DRAM集成电路设备中，存储单元阵列典型地以行和列布置，使得特定的存储单元可以通过指定其阵列的行和列来寻址。相应的，存储器可以通过行解码器与列解码器来选取存储阵列中的存储单元，以对所选取的存储单元进行读取操作、验证操作或是编程操作。此外，在进行读取操作、验证操作或是编程操作的期间，存储器中的控制逻辑电路会连续地累加存储单元的行地址，以针对存储阵列中的预设区块进行对应的操作。

在DRAM测试中，需要对DRAM中所传输的重要信号进行测试。例如，DQS的差分输出高电平时间，即高电平的维持时间tQSH、DQS的差分输出低电平时间，即低电平的维持时间tQSL、以及数据信号DQ和数据控制信号DQS之间的相对时延tDQSQ等进行测试。其中，数据信号DQ受到数据控制信号DQS的控制，存储单元根据数据控制信号DQS的电平对数据信号DQ进行读取或写入。

参照图1所示，同一个读取状态(read)下，测量tQSH值主要包括：测量DQS波形的上升沿到下一个下降沿的脉宽。测量tQSL值主要包括：测量DQS波形的下降沿到下一个上升沿的脉宽。对于信号间相对时延的测试往往需要确定信号间的相对位置，也就是测量tDQSQ值时，需要测量DQS波形的上升沿到DQ波形的上升沿的脉宽。如图1所示，同一个读取状态下，DQ引脚(pin)连接信号输出了较多波形，信号的翻转点密集分布，从而无法确定DQ和DQS的相对位置，也就无法准确测试出tDQSQ。

基于此，本公开示例性实施方式提供了一种存储器测试方法，参照图2，该存储器测试方法包括：

步骤S210，执行第一数据读写操作，只在一次读取第一数据时获取第一测量值；

步骤S220，执行第二数据读写操作，只在一次读取第二数据时获取第二测量值；

步骤S230，根据第一测量值和第二测量值确定目标测量值，目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

本公开示例性实施方式提供的存储器测试方法中，通过在执行第一数据读写操作时，只在一次读取第一数据时获取第一测量值，可以确保信号之间相对位置的确定，减小信号抖动的影响；同样的，在执行第二数据读写操作时，只在一次读取第二数据时获取第二测量值，可以确保信号之间相对位置的确定，减小信号抖动的影响，进而可以确保根据第一测量值和第二测量值所确定目标测量值的准确性。

下面将结合实施例对本公开示例性实施方式提供的存储器测试方法进行详细说明：

在步骤S210中，执行第一数据读写操作，只在一次读取第一数据时获取第一测量值。

本公开示例性实施方式中，第一数据读写操作可以包括：在存储器的存储阵列的各存储单元中写入第一数据，并且在写入第一数据后，反复多次读取第一数据。其中，反复多次读取第一数据是为了在测试时随机选择一次读取结果进行测试，或者是根据某一规则选择读取结果进行测试，例如，按照读取的顺序进行测试等。

由于第一数据在写入到存储单元后进行了多次的读取操作，而本公开示例性实施方式只在一次读取第一数据时获取第一测量值，具体的，可以是在第一次读取第一数据时获取第一测量值，也可以是在第二次读取第一数据时获取第一测量值，还可以是在第N次读取第一数据时获取第一测量值，其中，N为正整数。在实际应用中，可以在多次执行第一数据读写操作时，获取到多个第一测量值。本公开示例性实施方式对于具体哪一次读取第一数据时获取第一测量值不作特殊限定。

本公开示例性实施方式中，第一测量值可以包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。其中，DQS属于数据选取脉冲，跟时钟信号一样，主要用来在一个时钟周期内准确地区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗DRAM芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由主控芯片发来的DQS信号，读取时，则由DRAM 芯片生成DQS向主控发送。可以说，它就是数据的同步信号。在数据读取时，DQS与数据信号DQ同时生成。tQSH值是DQS的差分输出高电平时间值，tQSL值是DQS的差分输出低电平时间值，tDQSQ值则是最近数据选通脉冲到数据有效的时间值。

本公开示例性实施方式中，由于只在一次读取第一数据时获取第一测量值，从而避免了信号的翻转点密集分布的情况发生，从而有利于清楚地确定DQ和DQS的相对位置，也就可以准确测试出tDQSQ值。

在实际应用中，第一数据可以根据实际情况设定。本公开示例性实施方式中，第一数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反,可以确保在每个DQ上都有一个0到1或者1到0的翻转，并且所覆盖的数据种类丰富。如表1所示，提供了多种不同的第一数据，例如，READ1-READ10，表中的数据为向存储器中写入的十六进制数据类型。

表1

在本公开示例性实施方式中，在待测存储器的存储单元中写入第一数据时，可以采用Y-Page写入的方式。

其中，该Y-Page写入方式包括：

在待测存储器的存储单元中写入第一数据时，先开启其中一条字线，将上述其中一个第一数据全部写入这条字线上对应的所有存储单元后，关闭这条字线，然后再开启下一条字线，将上述第一数据再全部写入该条字线上对应的所有存储单元后，关闭该条字线……，以此类推，直至将第一数据写入待测存储器的各个字线连接的存储单元中。需要说明的是，上述的写入不同字线的第一数据可以是表1中READ1-READ10的任意一种或多种，本公开示例性实施方式对此不作特殊限定。

在一些实施例中，在待测存储器的存储单元中写入第一数据时，可以遍历待测存储器的各条字线，对遍历到的每一条目标字线分别执行以下操作：

步骤一、开启目标字线，将第一数据按照比特依次写入与目标字线连接的所有存储单元；其中，与目标字线连接的每个存储单元写入第一数据中的一个比特，第一数据的比特数与字线连接的存储单元的个数相同。

步骤二、关闭上述目标字线。

在本公开示例性实施方式中，可以预先根据每条字线上连接的存储单元的个数，配置第一数据，例如，当每条字线上连接的存储单元为16个时，上述第一数据可以由8位的第一数据突发长度数据与8位的第二数据突发长度数据共16位组成；当每条字线上连接的存储单元为32个时，上述第一数据可以由16位的第一数据突发长度数据与16位的第二数据突发长度数据共32位组成。

在本公开另一种可行的实施方式中，在待测存储器的存储单元中写入第一数据时，还可以采用Y-Fast写入方式。该Y-Fast写入方式包括：

将每条字线上连接多个存储单元划分为多个分组，每个分组中包括相同数量的多个存储单元；遍历每条字线，对遍历到的每一条目标字线，遍历该目标字线上连接的各分组存储单元，对遍历到的每一个目标分组中的存储单元，分别执行以下操作：

步骤一、开启目标字线，将上述第一数据的第一数据突发长度数据按照比特依次写入上述目标分组中的前一半存储单元，将上述第一数据的第二数据突发长度数据按照比特依次写入上述目标分组中的后一半存储单元。

步骤二、关闭所述目标字线。

在本公开实施例中，可以在每一次执行写操作之前，开启一条字线，顺序写完这条字线上一个数据突发长度的存储单元后，关闭这条字线；然后再次开启这条字线顺序写完一个数据突发长度的存储单元。如此反复开启、关闭该条字线，直到把这条字线上对应的所有存储单元全部写完后，再开启下一条字线执行以上同样的操作。

示例性的，假设每条字线上连接的存储单元为32个时，上述第一数据由16位的第一数据突发长度数据与16位的第二数据突发长度数据组成；则每条字线上连接的存储单元可以划分为两个分组。

在待测存储器的存储单元中写入第一数据时，先开启其中第一条字线，将上述第一数据突发长度数据顺序写入这条字线上对应的存储单元后，关闭这条字线；然后第二次开启这条字线，将上述第二数据突发长度数据顺序写入这条字线上对应的存储单元后，关闭这条字线。

对上述第一条字线执行完上述写操作后，开启第二条字线，按照与第一条字线相同的写入方式，在第二条字线连接的各存储单元中写入数据。

本公开示例性实施方式中，在写入第一数据后，就可以对所写入的第一数据进行读取。

在实际应用中，读取第一数据的方式也可以有多种，例如，按照写入第一数据的方式读取所写入的方式，假如写入第一数据的方式是Y-Page写入方式，那么读取第一数据的方式可以是Y-Page读取方式；假如写入第一数据的方式是Y-Fast写入方式，那么读取第一数据的方式可以是Y-Fast读取方式。其中，Y-Page读取方式与Y-Page写入方式类似，Y-Fast读取方式与Y-Fast写入方式类似，此处不再赘述。

本公开示例性实施方式中，在读取第一数据的过程中，除过上述的方式外，还可以先读取第一数据的偶数位数据，再读取第一数据的奇数位数据。通过将数据交错读取有利于制造数据翻转的条件，以提供更严格地数据读取条件，便于测试结果的准确性。

在步骤S220中，执行第二数据读写操作，只在一次读取第二数据时获取第二测量值。

本公开示例性实施方式中，第二数据读写操作可以包括：在待测存储器的存储阵列的各存储单元中写入第二数据，并且在写入第二数据后，反复多次读取第二数据。其中，反复多次读取第二数据是为了在测试时随机选择一次读取结果进行测试，或者是根据某一规则选择读取结果进行测试，例如，按照读取的顺序进行测试等。

由于第二数据在写入到存储单元后进行了多次的读取操作，而本公开示例性实施方式只在一次读取第二数据时获取第二测量值，具体的，可以是在第一次读取第一数据时获取第一测量值，也可以是在第二次读取第一数据时获取第一测量值，还可以是在第N次读取第一数据时获取第一测量值，其中，N为正整数。本公开示例性实施方式对于具体哪一次读取第一数据时获取第一测量值不作特殊限定。

在实际应用中，可以在多次执行第二数据读写操作时，获取到多个第二测量值。

本公开示例性实施方式中，第二测量值可以包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。其中，DQS属于数据选取脉冲，跟时钟信号一样，主要用来在一个时钟周期内准确地区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗DRAM芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由主控芯片发来的DQS信号，读取时，则由DRAM芯片生成DQS向主控发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。在数据读取时，DQS与数据信号DQ同时生成。tQSH值是DQS的差分输出高电平时间值，tQSL值是DQS的差分输出低电平时间值，tDQSQ值则是最近数据选通脉冲到数据有效的时间值。

本公开示例性实施方式中，由于在执行第二数据读写操作时，只在一次读取第二数据时获取第二测量值，从而避免了信号的翻转点密集分布的情况发生，从而有利于清楚地确定DQ和DQS的相对位置，也就可以准确测试出tDQSQ值。

在实际应用中，第二数据可以根据实际情况设定。本公开示例性实施方式中，第二数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。可以确保在每个DQ上都有一个0到1或者1到0的翻转，并且所覆盖的数据种类丰富。

在实际应用中，第二数据可以与第一数据相同，也可以不同。第二数据可以是表1中所示的数据。本公开示例性实施方式对于第二数据不作特殊限定。

本公开示例性实施方式中，第二数据的写入方式也可以参考第一数据的写入方式，例如，第二数据的写入方式可以包括Y-Page写入方式，也可以包括Y-Fast写入方式，在实际应用中可以根据实际情况设定写入第二数据的方式，本公开示例性实施方式对此不作特殊限定。

在实际应用中，读取第二数据的方式也可以有多种，例如，按照写入第二数据的方式读取所写入的方式，假如写入第二数据的方式是Y-Page写入方式，那么读取第二数据的方式可以是Y-Page读取方式；假如写入第二数据的方式是Y-Fast写入方式，那么读取第二数据的方式可以是Y-Fast读取方式。其中，Y-Page读取方式与Y-Page写入方式类似，Y-Fast读取方式与Y-Fast写入方式类似，此处不再赘述。

本公开示例性实施方式中，在读取第二数据的过程中，除过上述的方式外，还可以先读取第二数据的奇数位数据，再读取第二数据的偶数位数据。通过将数据交错读取有利于制造数据翻转的条件，以提供更严格地数据读取条件，便于测试结果的准确性。

本公开示例性实施方式中，第二数据的读取顺序与第一数据的读取顺序相反，如果是先读取第一数据的偶数位数据，再读取第一数据的奇数位数据，那么，可以先读取第二数据的奇数位数据，再读取第二数据的偶数位数据；或者，如果是先读取第一数据的奇数位数据，再读取第一数据的偶数位数据，那么，可以先读取第二数据的偶数位数据，再读取第二数据的奇数位数据。将第一数据和第二数据交错读取，在最终测试结果确定过程中，有利于所测试结果的均衡性和准确性。

需要说明的是，本公开示例性实施方式中，第一数据读写操作和第二数据读写操作只是一种示例性说明，在实际应用中，还可以有第三数据读写操作……第N数据读写操作。但无论是执行第三数据读写操作，还是执行第N数据读写操作，均是只在一次读取数据时获取测量值tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在步骤S230中，根据第一测量值和第二测量值确定目标测量值，目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

参照图3，示出了本公开实施例提供的数据读写操作中测试的过程示意图。图3中，在第一数据读写操作中(标记为Pattern 1)，在第一次读取第一数据时获取第一测量值R1(其他读取不测量Unmeasure)；在第二数据读写操作中(标记为Pattern 2)，在第二次读取第二数据时获取第二测量值R2(其他读取不测量Unmeasure)；以此类推，在第N数据读写操作中(标记为Pattern n)，在第n次读取第N数据时获取第N测量值Rn(其他读取不测量Unmeasure)。

通过上述的数据读写操作，以及在数据读取过程中对测量值R1、R2……Rn的获取，即可得到确定目标测量值所需要的第一测量值和第二测量值。需要说明的是，无论是第一测量值，还是第二测量值，都包括维持时间tQSH值和tQSL值，以及相对时延tDQSQ值。

在获取到多个tQSH值、tQSL值和tDQSQ值之后，可以从这些多个tQSH值、tQSL值和tDQSQ值中确定出tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值，作为目标测量值。

本公开示例性实施方式中，不仅可以有多个数据读写操作，同一个数据读写操作也可以执行多次，例如，多次执行第一数据读写操作，从多个第一测量值中，确定出tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值作为目标测量值；也可以是多次执行第二数据读写操作，从多个第二测量值中，确定出tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值作为目标测量值。本公开示例性实施方式对于目标测量值的具体确定方式不作特殊限定。

在消除信号抖动Jitter的影响后，测试结果tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值会符合JEDEC标准的要求。如表2所示，对试样1和试样2在高温低压条件下的测试结果可以看出，tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值满足JEDEC标准的要求。

表2

其中的高温低压是指在高温条件下，通过读写操作(pattern)向存储单元施加读写高低压力。

综上所述，本公开示例性实施方式提供的存储器测试方法，通过在执行多次的数据读取过程中，只在一次读取数据时获取测量值，可以减小数据抖动的影响；并且通过将数据交错读取有利于制造数据翻转的条件，以提供更严格地数据读取条件，便于测试结果的准确性，更容易满足JEDEC标准的要求。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种存储器测试装置。参照图4，该存储器测试装置400可以包括：第一测量值确定模块410、第二测量值确定模块420和目标测量值确定模块430，其中：

第一测量值确定模块410，可以用于执行第一数据读写操作，只在一次读取第一数据时获取第一测量值；

第二测量值确定模块420，可以用于执行第二数据读写操作，只在一次读取第二数据时获取第二测量值；

目标测量值确定模块430，可以用于根据第一测量值和第二测量值确定目标测量值，目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第一数据，反复多次读取所述第一数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据读写操作包括：在存储阵列的各存储单元中写入所述第二数据，反复多次读取所述第二数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述相对时延包括：tDQSQ，所述维持时间包括：tQSH和tQSL。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二数据的第一数据突发长度数据与第二数据突发长度数据相反。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一测量值确定模块410，可以用于多次执行所述第一数据读写操作，从多个所述第一测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值。其中，所述第一测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值。

在本公开的一种示例性实施方式中，第二测量值确定模块420，可以用于多次执行所述第二数据读写操作，从多个所述第二测量值中，确定出所述tQSH最小值、tQSL最小值和tDQSQ最大值。其中，所述第二测量值包括：tQSH值、tQSL值和tDQSQ值

在本公开的一种示例性实施方式中，第一测量值确定模块410，可以用于读取所述第一数据时，先读取所述第一数据的偶数位数据，再读取所述第一数据的奇数位数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，第二测量值确定模块420，可以用于读取所述第二数据时，先读取所述第二数据的奇数位数据，再读取所述第二数据的偶数位数据。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一测量值确定模块410，可以用于测量DQS波形的上升沿到下一个下降沿的脉宽以确定tQSH值。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一测量值确定模块410，可以用于测量DQS波形的下降沿到下一个上升沿的脉宽以确定tQSL值。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一测量值确定模块410，可以用于测量DQS波形的上升沿到DQ波形的上升沿的脉宽以确定tDQSQ值。

上述中各存储器测试装置的虚拟模块的具体细节已经在对应的存储器测试方法中进行了详细的描述，因此，此处不再赘述。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了存储器测试装置的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。

所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。

下面参照图5来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备500。图5显示的电子设备500仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图5所示，电子设备500以通用计算设备的形式表现。电子设备500的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元510、上述至少一个存储单元520、连接不同系统组件(包括存储单元520和处理单元510)的总线530、显示单元540。

其中，所述存储单元520存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元510执行，使得所述处理单元510执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如，所述处理单元510可以执行如图2中所示的步骤S210，执行第一数据读写操作，只在一次读取第一数据时获取第一测量值；步骤S220，执行第二数据读写操作，只在一次读取第二数据时获取第二测量值；步骤S230，根据第一测量值和第二测量值确定目标测量值，目标测量值包括相对时延的最大值及维持时间的最小值。

存储单元520可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(RAM)5201和/或高速缓存存储单元5202，还可以进一步包括只读存储单元(ROM)5203。

存储单元520还可以包括具有一组(至少一个)程序模块5205的程序/实用工具5204，这样的程序模块5205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。

总线530可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。

电子设备500也可以与一个或多个外部设备570(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备500交互的设备通信，和/或与使得该电子设备500能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口550进行。并且，电子设备500还可以通过网络适配器560与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器560通过总线530与电子设备500的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备500使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。

在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。

根据本发明的实施方式的用于实现上述方法的程序产品，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。

所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。

计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。

可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。

可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(LAN)或广域网(WAN)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。

此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限定。