参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，具体地，涉及一种参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

目前针对DDR4(Double Data Rate4，第四代双倍速率同步动态随机)存储器参考电压的训练方法是参照DFI(DDR PHY Interface)4.0协议中Write DQ Training(数据写入训练)规定的接口信号和步骤，使用DDR控制器和PHY(物理层)一起实现的。

在数据读写中，一般是将读数据选通信号(DQS信号)作为时钟信号对读写数据(DQ信号)进行采集，以达到读写的目的。数据写入训练是指通过扫描物理层内置的数据写入延时链的延时以获取可以正常读写数据的延时窗口，例如图1中的左边界(最小延时)与右边界(最大延时)之间的区域即为当前参考电压下数据写入的数据写入延时窗口，其中，左右边界中点即为最佳延时，最佳延时对应的参考电压即为最佳参考电压，一般将该最佳参考电压作为实际参考电压使用。但是通过该种方式确定的最佳参考电压一般很容易偏移至一方，例如靠近左边界或者右边界，在实际工作中一旦实际参考电压发生抖动，则很容易跳出该延时窗口，从而导致数据写入出错。

因此，目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差。

发明内容

本申请实施例中提供了一种参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质。

本申请实施例的第一个方面，提供了一种参考电压确定方法，应用于随机存储器，该方法包括：

根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口；

确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压；

根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压。

在本申请一个可选实施例中，确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压，包括：

将多个数据写入延时窗口中第一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为起始参考电压；

将多个数据写入延时窗口中最后一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为终止参考电压；

将多个数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压。

在本申请一个可选实施例中，将多个数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压，包括：

判断当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口；

若当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口大于历史最大数据写入延时窗口，则将最佳参考电压更新为当前初始参考电压。

在本申请一个可选实施例中，判断当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口，包括：

获取随机存储器中物理层发送的，针对当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口的跳变信息；其中，跳变信息用于指示数据写入延时窗口的大小是否发生改变；

根据跳变信息确定当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口。

在本申请一个可选实施例中，在确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压之前，该方法还包括：

获取随机存储器中物理层发送的，在当前初始参考电压下针对延时链延时的扫描结果信息；其中，扫描结果信息用于指示当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小；

根据扫描结果信息确定当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小。

在本申请一个可选实施例中，根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压，包括：

根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定起始参考电压与终止参考对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数；

根据起始参考电压、终止参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

在本申请一个可选实施例中，根据起始参考电压、终止参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压，包括：

根据起始参考电压与终止参考电压确定中值参考电压；

根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定中值参考电压对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数；

根据中值参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

本申请实施例的第二个方面，提供了一种参考电压确定装置，应用于随机存储器，该参考电压确定装置包括：

训练模块，用于根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口；

第一确定模块，用于确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压；

第二确定模块，用于根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压。

本申请实施例的第三个方面，提供了一种计算机设备，包括：包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上任一项方法的步骤。

本申请实施例的第四个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，计算机程序被处理器执行时实现如上任一项的方法的步骤。

上述参考电压确定方法先根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口，然后确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压，最后再根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压综合确定可以用于实际使用的目标参考电压，该目标参考电压对应的数据写入延时窗口较大，且对应参考电压向上抖动范围与向下抖动阈值范围均比较大，在实际应用中实际参考电压不容易跳出该数据写入延时窗口，实际数据读写更为稳定，解决了传统技术中目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差的技术问题，达到了提高DDR4存储器参考电压的可靠性的技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法中读书延时窗口示意图；

图2为本申请一个实施例提供的在参考电压训练过程中初始参考电压与延时之间的对应关系图一；

图3为本申请一个实施例提供的在参考电压训练过程中初始参考电压与延时之间的对应关系图二；

图4为本申请一个实施例提供的在参考电压训练过程中初始参考电压与延时之间的对应关系图三；

图5为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图6为本申请一个实施例提供的在参考电压训练过程中初始参考电压与延时之间的对应关系图四；

图7为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图8为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图9为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图10为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图11为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图12为本申请一个实施例提供的参考电压确定方法的流程示意图；

图13为本申请一个实施例提供的参考电压确定装置结构示意图；

图14为本申请一个实施例提供的计算机设备结构示意图。

具体实施方式

在实现本申请的过程中，发明人发现，目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差。

针对上述问题，本申请实施例中提供了一种参考电压的确定方法，先根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口，然后确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压，最后再根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压综合确定可以用于实际使用的目标参考电压，该目标参考电压对应的数据写入延时窗口较大，且对应参考电压向上抖动范围与向下抖动阈值范围均比较大，在实际应用中实际参考电压不容易跳出该数据写入延时窗口，实际数据读写更为稳定，解决了传统技术中目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差的技术问题，达到了提高DDR4存储器参考电压的可靠性的技术效果。

本申请实施例中的方案可以采用各种计算机语言实现，例如，面向对象的程序设计语言Java和直译式脚本语言JavaScript等。

为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

以下对本申请实施例提供的参考电压确定方法的应用环境作简要说明：

本申请实施例提供的参考电压确定方法应用于随机存储器，该随机存储器可以为DDR4、DDR5系列中的任意一种，本申请实施例不作具体限定。以下以DDR4存储器为例进行说明，DDR4存储器一般包含有物理层、控制器和内存颗粒。

其中，物理层用于通过控制器的训练结果来确定在训练过程中延时窗口的改变。由于在DFI协议规定的信号中，没有信号能表示延时窗口的具体大小，因此物理层一般通过dfi_wdqlvl_result(数据写入延时窗口变化的接口信号)来判断数据写入延时窗口相对于上一个数据写入延时窗口是否变化，并进行记录，并将记录结果反馈至控制器。例如在延时窗口增大的情况下，将dfi_wdqlvl_result接口信号拉高(置为字符“1”)，在延时窗口减小的情况下，将dfi_wdqlvl_result接口信号拉低(置为字符“0”)等。

控制器在检测到dfi_wdqllv_result接口信号拉高(为“1”)时，将目标参考电压更新为当前数据写入延时窗口对应的参考电压；否则不更新。例如上述图2中，vref4的数据写入延时窗口大于vref3的数据写入延时窗口，则将目标参考电压更新为vref4，以此类推，直至各参考电压训练结束。

其中，控制器用于产生数据读取命令、数据写入命令、基于各参考电压进行数据写入训练(Write DQ training)。例如图2为控制器基于各参考电压(vref0，vref1，…，vref8)依次进行数据写入训练结果，横坐标为延时，纵坐标为各参考电压，由图2中我们可以清楚的看到，vref0与vref8的最小延时与最大延时相等，对应的延时窗口为0，vref4最小延时与最大延时差值最大，对应的延时窗口最大，因此，我们一般会将vref4确定为实际参考电压使用，在退出训练模式并进入工作模式后，如果实际使用的参考电压在vref1～vref7范围内波动，数据都能正常写入DDR4存储器。

但是参考电压在实际使用过程中可能会出现如下情况：

请参见图3，图3中vref6对应的数据写入延时窗口最大，将vref6确定为目标参考电压，但是，一旦实际电路中的参考电压向上抖动两个单元，抖动至vref8以上，那么该数据写入延时窗口完全失效，导致DDR4存储器数据写入失败；同理，请参见图4，图4中vref2对应的数据写入延时窗口最大，将vref2确定为目标参考电压，但是，一旦实际电路中的参考电压向下抖动两个单元，抖动至vref0以下，那么该数据写入延时窗口完全失效，导致DDR4存储器数据写入失败。

下面以上述控制器为执行主体，将该参考电压确定方法应用于上述DDR4存储器中的控制器为例，对参考电压进行训练以得到目标参考电压为例进行说明。请参见图5，本申请实施例提供的参考电压确定方法包括如下步骤501-步骤503：

步骤501、控制器根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口。

例如初始参考电压包括vref0，vref1，…，vref8，控制器在对DDR4存储器进行数据写入训练，分别得到各初始参考电压下对应的各数据写入延时窗口分别为T0，T1，…，T8。具体的数据写入训练方法可以为：以各初始参考电压驱动内存颗粒工作，先将延时链配置成零延时，对预先配置的数据写入预先配置的目标地址，在数据写入后再从相同地址读数据，若读数据和写入的数据完全相同，则说明当前延时可以正常写入数据。然后逐步加大延时链的延时，重复上述的写入和读出，直到延时链扫描完成，以得到当前初始参考电压下可以正常写入数据的最小延时与最大延时，通过计算该最小延时与最大延时之间的差值便可得到对应的数据写入延时窗口。当然，确定该数据写入延时窗口的方式包括但不限于如此，在此不再穷举。

步骤502、控制器确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压。

请参见图6，例如上述初始参考电压vref0，vref1，…，vref8分别对应不同的延时窗口，若预设数据写入延时窗口为t1-t2，由图6中可以看到，vref0、vref1与vref8的数据写入延时窗口均小于该预设延时窗口，则剩余的为vref2、vref3、vref4、vref5、vref6与vref7对应的数据写入延时窗口。第一种情况，若按照由vref0到vref8的顺序进行训练，那么在该6个数据写入延时窗口中的起始数据写入延时窗口为vref2对应的数据写入延时窗口，即起始参考电压为vref2；终止数据写入延时窗口为vref7对应的数据写入延时窗口，即终止参考电压为vref7；最大数据写入延时窗口为vref2对应的数据写入延时窗口，即最佳参考电压为vref2。第一种情况，若按照由vref8到vref0的顺序进行训练，那么在该6个数据写入延时窗口中的起始数据写入延时窗口为vref7对应的数据写入延时窗口，即起始参考电压为vref7；终止数据写入延时窗口为vref2对应的数据写入延时窗口，即终止参考电压为vref2；最大数据写入延时窗口为vref2对应的数据写入延时窗口，即最佳参考电压为vref2。需要解释的是，该预设数据写入延时窗口是可以根据实际情况设定，本实施例不作具体限定，当该预设数据写入延时窗口为0时，也就等同于不对各数据写入延时窗口进行选择，直接基于所有的数据写入延时窗口进行大小比对与参考电压的确定。

步骤503、控制器根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压。

控制器基于上述得到的起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压综合考虑确定得到可实际使用的目标参考电压。可以通过求取均值，或者配置不同的权重系数等任意可以考虑到这三个参考电压的方式来确定目标参考电压，本实施例不作具体限定。

本申请实施例参考电压确定方法先根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口，然后确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压，最后再根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压综合确定可以用于实际使用的目标参考电压，该目标参考电压对应的数据写入延时窗口较大，且对应参考电压向上抖动范围与向下抖动阈值范围均比较大，在实际应用中实际参考电压不容易跳出该数据写入延时窗口，实际数据读写更为稳定，解决了传统技术中目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差的技术问题，达到了提高DDR4存储器参考电压的可靠性的技术效果。

请参见图7，在本申请一个可选实施例中，上述步骤502、控制器确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压，包括如下步骤701-步骤703：

步骤701、控制器将多个数据写入延时窗口中第一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为起始参考电压。

步骤702、控制器将多个数据写入延时窗口中最后一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为终止参考电压。

步骤703、控制器将多个数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压。

其中，初始参考电压是指在训练过程中第一个数据写入延时窗口大于预设数据写入延时窗口对应的参考电压，例如图6中的vref2；终止参考电压是指在训练过程中第一个数据写入延时窗口大于预设数据写入延时窗口对应的参考电压，例如图6中的vref7；最佳参考电压是指在训练过程中大于预设数据写入延时窗口，且大于其他所有数据写入延时窗口对应的参考电压，例如图6中的vref2。

本公开实施例基于预设数据写入延时窗口分别确定起始参考电压，可以在训练初期便筛检掉大量无用数据，提高后续数据处理的效率，进而提高本申请参考电压确定的效率。

本申请实施例可以先对各初始参考电压依次进行训练结束后，再基于得到的训练结果进行分析确定得到起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压，也可以在每次基于一个初始参考电压训练完成后便对最佳参考电压进行实时确定，例如：

请参见图8，在本公开一个可选实施例中，上述步骤703、控制器将多个数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压，包括如下步骤801-步骤802：

步骤801、控制器判断当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口。

其中，历史最佳参考电压是指在当前所有训练结束的初始参考电压中，数据写入延时窗口最大的参考电压。假设vref0与vref1对应的数据写入延时窗口均大于预设数据写入延时窗口，在对vref2进行训练时，vref0与vref1对应的数据写入延时窗口最大的为vref1，那么控制器则判断vref2对应的当前数据写入延时窗口与历史最佳参考电压vref1对应的历史最大数据写入延时窗口之间的相对大小。

步骤802、若当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口大于历史最大数据写入延时窗口，控制器则将最佳参考电压更新为当前初始参考电压。

例如上述图6中，vref2对应的当前数据写入延时窗口大于历史最佳参考电压vref1对应的历史最大数据写入延时窗口，那么则将最佳参考电压更新为当前初始参考电压vref2。以此类推，在训练过程中不断对最佳参考电压进行更新。在训练结束后，如图6，起始参考电压为vref2，终止参考电压为vref7，最佳参考电压为vref2，vref2-vref7构成了本申请实施例的参考电压窗口。

第一方面，本申请实施例在基于各初始参考电压训练过程中实时确定最佳参考电压，可以大大提高参考电压确定的时效性，进而提高目标参考电压的时效性；同时可以防止因程序故障、数据紊乱等原因导致的训练中断的情况下，还可以基于当前训练进度得到一个较优的可以用于确定目标参考电压的最佳参考电压，以及起始参考电压与终止参考电压，进一步提高本申请实施例提供的参考电压确定的稳定性与可靠性；第三方面，本申请实施例在实时确定参考电压的同时通过设定该预设数据写入延时窗口，可以在初期便筛检掉大量无用数据，提高后续数据处理的效率，进而提高本申请参考电压确定的效率；第三方面，

在本申请一个具体实施例中，将上述步骤中对于起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压的训练过程进行进一步阐述：

表(1)

请继续参见图6，若预设数据写入延时窗口为t1-t2，针对各参考电压训练结果如上表(1)，在首次进行训练时，无论第一个初始参考电压Vref0对应的数据写入延时窗口是否大于预设数据写入延时窗口，大小以及是否大于预设读数延时，可以先将第一次训练的初始参考电压确定为起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压，然后基于训练过程不断对起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压进行实时更新。例如第一个大于预设数据写入延时窗口的起始参考电压为Vref2；在每次训练中的终止参考电压均为当前正在训练的当前初始参考电压；在每次训练过程中将当前参考电压的数据写入延时窗口与上一个参考电压的数据写入延时窗口进行大小比对，若大于，则将最佳参考电压更新为当前参考电压，否则，保持原来的最佳参考电压不变。

请参见图9，在本申请一个可选实施例中，上述步骤801、控制器判断当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口，包括如下步骤901-步骤902：

步骤901、控制器获取随机存储器中物理层发送的，针对当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口的跳变信息。

其中，跳变信息用于指示数据写入延时窗口的大小是否发生改变。基于如上应用环境中阐述，物理层基于dfi_wdqlvl_result(数据写入延时窗口变化的接口信号)对当前延时窗口的大小进行判断记录，即将该dfi_wdqlvl_result(数据写入延时窗口变化的接口信号)作为该跳变信息发送至控制器。

步骤902、控制器根据跳变信息确定当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口。

控制器基于得到的跳变信息确定当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口，若该dfi_wdqlvl_result(数据写入延时窗口变化的接口信号)为“1”，则代表当前数据写入延时窗口大于该历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口，也就是说，当前的数据写入延时窗口增大了；相反，若该dfi_wdqlvl_result(数据写入延时窗口变化的接口信号)为“0”，则代表当前数据写入延时窗口小于该历史最大数据写入延时窗口对应的历史最大数据写入延时窗口，也就是说，当前的数据写入延时窗口减小了。

数据训练

本申请实施例基于物理层发送的，针对当前初始参考电压对应的数据写入延时窗口的跳变信息来判断当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口，无需确定具体的延时数值，大大节省了计算资源，提高了参考电压确定的效率；同时，无需进行大量计算，对于控制器与物理层的性能要求也相应减低，使用普通控制器即可完全实现，大大降低了硬件成本。

请参见图10，在本申请一个可选实施例中，上述步骤502、控制器在确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压之前，方法还包括如下步骤1001与步骤1002：

步骤1001、控制器获取随机存储器中物理层发送的，在当前初始参考电压下针对延时链延时的扫描结果信息。

其中，扫描结果信息用于指示当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小。该扫描结果信息是指对延时链进行扫描仪确定的延时数值，例如可以实时扫描读数，也可以基于dfi_wdqlvl_resp(延时响应信号)即为写数据训练响应，的标识字符作为扫描结果信息来进行表征，本实施例不作具体限定。

步骤1002、控制器根据扫描结果信息确定当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小。

基于如上两种方式，若实时扫描读数，即可通过读数结果直接确定两者相对大小。若基于dfi_wdqlvl_resp(延时响应信号)的标识字符作为扫描结果信息来进行表征，那么该标识字符为2’b10，则意味着当前的延时相对于上一个延时增大，若该标识字符为2’b01，则意味着当前的延时相对于上一个延时减小。

本申请实施例基于物理层发送的在当前初始参考电压下针对延时链延时的扫描结果信息来判断当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小，判断方法简单快捷，无需确定具体的延时数值，大大节省了计算资源，提高了参考电压确定的效率；同时，无需进行大量计算，对于控制器与物理层的性能要求也相应减低，使用普通控制器即可完全实现，大大降低了硬件成本。

请参见图11，在本申请一个可选实施例中，上述步骤503、控制器根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压，包括如下步骤1101与步骤1102：

步骤1101、控制器根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定起始参考电压与终止参考对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数。

其中，该电源稳定参数是指用于表征内存颗粒电源稳定性的参数，例如电源的质量系数、相位等，本实施例不作具体限定，可根据实际情况具体选择。第一权重系数用于表征起始参考电压与终止参考电压所占比重，对应的，第二权重系数用于表征最佳参考电压所占比重。一般情况下，内存颗粒的电源稳定性与数据写入延时窗口最大的最佳参考电压呈正相关，即电源越稳定，波动范围越小，则对应的最佳参考电压的第二权重系数越大；相反，电源越不稳定，波动范围越大，则对应的第二权重系数越小。控制器可以根据内存颗粒实际电源的稳定性配置该第一权重系数与第二权重系数，本实施例对于其具体数值不作任何限定。

步骤1102、控制器根据起始参考电压、终止参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

控制器基于第一权重系数与第二权重系数对起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压进行加权求和，即可得到对应的目标参考系数，需要指明的是，该第一权重系数与第二权重系数之和不大于1，以避免计算得到的目标参考电压超出其初始参考电压的范围，从而保障参考电压确定的可靠性。

本申请实施例根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定起始参考电压与终止参考电压对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数，然后根据起始参考电压、终止参考电压、最佳参考电压、第一权重系数与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压，而第一权重系数与第二权重系数是根据内存颗粒的稳定性确定的，从而使得得到的目标参考电压更适用于实际工作，目标参考电压向上抖动范围与向下抖动阈值范围均比较大，在实际应用中实际参考电压不容易跳出该数据写入延时窗口，实际数据读写更为稳定。

请参见图12，在本申请一个可选实施例中，上述步骤1102、控制器根据起始参考电压、第一权重系数、终止参考电压、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压，包括如下步骤1201-步骤1203：

步骤1201、控制器根据起始参考电压与终止参考电压确定中值参考电压。

其中，中值参考电压即为起始参考电压与终止参考电压的平均值，也就是中点值。

步骤1202、控制器根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定中值参考电压对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数。

与上述实施例不同的是，本实施例中的第一权重系数是指初始参考电压与终止参考电压中值的权重系数，可根据内存颗粒电源的稳定性进行配置，该第一权重系数与该内存颗粒电源的稳定性呈负相关，即电源越稳定，波动范围越小，则对应的第一权重系数越大；相反，电源越不稳定，波动范围越大，则对应的第一权重系数越大。控制器可以根据内存颗粒实际电源的稳定性配置该第一权重系数与第二权重系数，本实施例对于其具体数值不作任何限定。

步骤1203、控制器根据中值参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

控制器可以基于如下公式(1)计算得到该目标参考电压：

vref_final＝vref_best*vref_best_weight+[(vref_min+vref_max)/2]*vref_win_weight(1)

公式(1)中，vref_final表示目标参考电压，vref_best表示最佳参考电压，vref_best_weight表示第二权重系数，vref_min表示起始参考电压，vref_max表示终止参考电压，(vref_min+vref_max)/2表示中值参考电压，vref_win_weight表示第一权重系数。

本申请实施例先根据起始参考电压与终止参考电压确定中值参考电压，然后根据中值参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压，综合考虑中值参考电压与最佳参考电压所占比重来确定得到目标参考电压，使得目标参考电压向上抖动范围与向下抖动阈值范围均比较大，在实际应用中实际参考电压不容易跳出该数据写入延时窗口，实际数据读写更为稳定。

应该理解的是，虽然流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

请参见图13，本申请一个实施例提供了一种参考电压确定装置1300，应用于随机存储器，该参考电压确定装置1300包括训练模块1310、第一确定模块1320与第二确定模块1330，其中：

该训练模块1310，用于根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口；

该第一确定模块1320，用于确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的，起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压，终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压，以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压；

该第二确定模块1330，用于根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压。

在本申请一个可选实施例中，该第一确定模块1320具体用于，将多个数据写入延时窗口中第一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为起始参考电压；将多个数据写入延时窗口中最后一个大于预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为终止参考电压；将多个数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压。

在本申请一个可选实施例中，该第一确定模块1320具体用于，判断当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口；若当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口大于历史最大数据写入延时窗口，则将最佳参考电压更新为当前初始参考电压。

在本申请一个可选实施例中，该第一确定模块1320具体用于，获取随机存储器中物理层发送的，针对当前初始参考电压对应的当前数据写入延时窗口的跳变信息；其中，跳变信息用于指示数据写入延时窗口的大小是否发生改变；根据跳变信息确定当前数据写入延时窗口是否大于历史最佳参考电压对应的历史最大数据写入延时窗口。

在本申请一个可选实施例中，该第一确定模块1320还用于，获取随机存储器中物理层发送的，在当前初始参考电压下针对延时链延时的扫描结果信息；其中，扫描结果信息用于指示当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小；根据扫描结果信息确定当前数据写入延时窗口与预设数据写入延时窗口的相对大小。

在本申请一个可选实施例中，该第二确定模块1330具体用于，根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定起始参考电压与终止参考对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数；根据起始参考电压、终止参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

在本申请一个可选实施例中，该第二确定模块1330具体用于，根据起始参考电压与终止参考电压确定中值参考电压；根据随机存储器中内存颗粒的电源稳定参数分别确定中值参考电压对应的第一权重系数与最佳参考电压对应的第二权重系数；根据中值参考电压、第一权重系数、最佳参考电压与第二权重系数确定随机存储器对应的目标参考电压。

关于上述参考电压确定装置的具体限定可以参见上文中对于参考电压确定方法的限定，在此不再赘述。上述参考电压确定装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备的内部结构图可以如图14所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现如上的一种参考电压确定方法。包括：包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上参考电压确定方法中的任一步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时可以实现如上参考电压确定方法中的任一步骤。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。