显示设备及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年1月28日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0012651号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式的各方面涉及显示设备及其制造方法。

背景技术

显示设备之中的有机发光显示设备由于其相对宽的视角、相对高的对比度和相对快的响应时间而被称为下一代显示设备。

通常，在有机发光显示设备中，薄膜晶体管和有机发光器件形成在衬底上，并且有机发光器件可自身发光(例如，无需使用背光)。这种有机发光显示设备可用作用于诸如移动电话的小型产品或电子装置的显示器，或者可用作用于诸如电视机的大型产品或电子装置的显示器。

在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，本背景技术部分中讨论的信息并不一定构成现有技术。

发明内容

一个或多个实施方式的各方面涉及显示设备及其制造方法，并且例如，涉及具有相对最小化或减少的外部光的反射和相对改善的光效率的显示设备及制造显示设备的方法。

然而，显示设备及其制造方法可能存在的问题在于：当应用了用于阻挡外部光的反射的结构时，光效率可能减少，或者制造工艺可能由于掩模数量的增加而变得复杂。

一个或多个实施方式包括具有相对最小化或减少的外部光的反射和相对改善的光效率的显示设备以及制造显示设备的方法。然而，实施方式是实例，并且不限制根据本公开的实施方式的范围。

额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的实施方式而习得。

根据一个或多个实施方式，显示设备包括位于衬底上的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；分别位于第一发光器件和第二发光器件上的第一颜色转换层和第二颜色转换层；位于第三发光器件上的透射层；以及位于第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上并且包括反射金属层和光吸收层的光学功能层，光吸收层位于反射金属层上，其中，光学功能层包括与第一发光器件的第一发射区域、第二发光器件的第二发射区域和第三发光器件的第三发射区域分别对应的多个开口。

根据一些实施方式，多个开口可形成为多个狭缝。

根据一些实施方式，反射金属层的反射率可等于或大于85％。

根据一些实施方式，反射金属层可包括超级铝(s-Al)金属。

根据一些实施方式，光吸收层可包括具有吸收系数的金属。

根据一些实施方式，光吸收层可包括钼(Mo)、钽(Ta)、锰(Mn)和镁(Mg)中的至少一种。

根据一些实施方式，光吸收层可包括钼钽氧化物(MoTaO

根据一些实施方式，光吸收层可包括有机黑矩阵。

根据一些实施方式，反射金属层可具有在从约

根据一些实施方式，光吸收层可具有在从约

根据一些实施方式，光学功能层还可包括位于反射金属层上的相位辅助层。

根据一些实施方式，相位辅助层可位于反射金属层与光吸收层之间，或位于光吸收层上。

根据一些实施方式，相位辅助层可包括透光金属。

根据一些实施方式，相位辅助层可具有在从约

根据一些实施方式，多个开口可包括位于第一发射区域中的多个第一开口、位于第二发射区域中的多个第二开口和位于第三发射区域中的多个第三开口，其中，多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口具有不同的开口率。

根据一些实施方式，第一开口的宽度、第二开口的宽度和第三开口的宽度可彼此不同。

根据一些实施方式，第一颜色转换层可包括第一量子点，并且第二颜色转换层可包括第二量子点。

根据一些实施方式，显示设备还可包括位于光学功能层上的以对应于第一颜色转换层和第二颜色转换层的滤色器层。

根据一些实施方式，滤色器层可包括黄色有机材料。

根据一些实施方式，第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件中的每一个可为发射蓝色光的有机发光二极管。

根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在衬底上形成第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，分别在第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件上形成第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层，在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上形成反射金属材料层，在反射金属材料层上形成光吸收材料层，通过将光吸收材料层图案化以具有与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件分别对应的多个开口来形成光吸收层，以及通过使用光吸收层作为掩模图案将反射金属材料层图案化来形成反射金属层。

根据一些实施方式，光吸收层可包括有机黑矩阵。

根据一些实施方式，与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件分别对应的多个开口的开口率可彼此不同。

本公开的一些实施方式的其它特征和特性将根据附图、权利要求书和详细描述而变得更加明确。

这些一般和特定实施方式可通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。

附图说明

通过结合附图而作出的以下描述，某些实施方式的以上和其它方面、特征和特性将更加显而易见，在附图中：

图1A和图1B是示出根据一些实施方式的显示设备的实例的平面图；

图2A和图2B是示出根据一些实施方式的可包括在显示设备中的像素的等效电路图；

图3是示出根据一些实施方式的显示设备的剖视图；

图4是示出根据一些实施方式的像素的光路的视图；

图5和图6是示出根据一些实施方式的显示设备的剖视图；

图7至图10是示出根据一些实施方式的显示设备的光学功能层的各种实例的剖视图；

图11是示出根据一些实施方式的可包括在显示设备中的像素的平面图；

图12是示出根据一些实施方式的显示设备的光学功能层的内反射率与透射率之间的关系的曲线图；

图13是示出根据一些实施方式的显示设备的光再循环效率与内反射率之间的关系的曲线图；

图14是示出根据图12的比较例的显示设备的视图；以及

图15A至图15E是示出根据一些实施方式的制造显示设备的方法的剖视图。

具体实施方式

现在将更详细地参照在附图中示出的一些实施方式的各方面，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅对实施方式进行描述以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。

由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此将在附图中示出并且在详细描述中描述某些实施方式。本公开的效果和特征以及用于实现本公开的效果和特征的方法将参照下面参考附图详细描述的实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于下面的实施方式，并且可以各种形式实现。

在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施方式的各方面，在附图中，相同或对应的元件始终由相同的附图标记表示，并且省略其重复描述。

虽然术语“第一”、“第二”等可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。

除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。

应理解，术语“包括(including)”、“具有(having)”和“包括(comprising)”旨在指示说明书中描述的特征或元件的存在，而不旨在排除可能存在或可能添加一个或多个其它特征或元件的可能性。

还应理解，当层、区或部件被称为在另一层、区或部件“上”时，其可直接在另一层、区或部件上，或者可在居间层、区或部件介于其间的情况下间接地在另一层、区或部件上。

应理解，当层、区域或元件被称为“连接”到另一层、区域或元件时，其可“直接连接”到另一层、区域或元件，和/或可在其它层、区域或元件介于其间的情况下“间接连接”到另一层、区域或元件。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”时，其可直接电连接，或者可在居间层、区域或元件介于其间的情况下间接地电连接。

“A和/或B”在本文中用于仅选择A、仅选择B、或选择A和B两者。“A和B中的至少一个”用于仅选择A、仅选择B、或选择A和B两者。

在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。

当特定实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可实质上同时进行或者以与描述的顺序相反的顺序进行。

为了描述的便利，附图中的元件的尺寸可被放大或缩小。例如，由于为了描述的便利而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。

在下文中，尽管将有机发光显示设备描述为根据一些实施方式的显示设备，但是本公开的显示设备不限于此。根据一些实施方式，显示设备可为无机发光显示设备、无机电致发光(EL)显示设备或量子点发光显示设备。例如，包括在显示设备中的显示元件(即，发光器件)的发射层可包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或无机材料和量子点。

图1A和图1B是示出根据一些实施方式的显示设备的实例的平面图。

参照图1A，显示设备包括显示区域DA和位于显示区域DA周围(例如，在显示区域DA的覆盖区外部)的外围区域PA。显示设备可通过使用由位于显示区域DA中的多个像素P发射的光来显示图像(为了说明的便利，示出了单个像素P，但是本领域普通技术人员将理解，显示区域DA可包括多个像素P)。本文中使用的术语“像素P”可实质上是指包括一个有机发光二极管的子像素。

显示区域DA包括连接到在x方向上延伸的扫描线SL和在与x方向相交的y方向上延伸的数据线DL的像素P。像素P中的每一个还连接到在y方向上延伸的驱动电压线PL。

像素P中的每一个可包括诸如有机发光二极管OLED(参见图2A和图2B)的发光器件。每个像素P可通过有机发光二极管OLED发射光，例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。

根据一些实施方式，每个像素P的颜色可通过位于有机发光二极管OLED上面的第一颜色转换层QD1或第二颜色转换层QD2(参见图3)与由包括在每个像素P中的有机发光二极管OLED发射的光的颜色分离地展现。

每个像素P可电连接到位于外围区域PA中的内部电路。在外围区域PA中可定位有第一电源布线10、第二电源布线20和焊盘单元30。

第一电源布线10可定位成对应于显示区域DA的一侧。第一电源布线10可连接到供驱动电压ELVDD(参见图2A和图2B)发送到像素P的多个驱动电压线PL。

第二电源布线20具有带有开口侧的环状形状并且可部分地围绕显示区域DA。第二电源布线20可将公共电压ELVSS(参见图2A和图2B)供给到像素P的相对电极。第二电源布线20可称为公共电压供给布线。

焊盘单元30可包括多个焊盘31，并且可位于衬底100的一侧或边缘上。焊盘31中的每一个可连接到与第一电源布线10连接的第一连接布线41、可连接到与第二电源布线20连接的第二连接布线42或可连接到延伸到显示区域DA的连接布线CW。焊盘单元30的焊盘31可被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子部PCB-P可电连接到焊盘单元30。

印刷电路板PCB将控制器的信号或电力发送到焊盘单元30。控制器可通过第一连接布线41和第二连接布线42分别将驱动电压ELVDD和公共电压ELVSS(参见图2A和图2B)供给到第一电源布线10和第二电源布线20。

数据驱动电路60电连接到数据线DL。数据驱动电路60的数据信号可通过连接到焊盘单元30的连接布线CW和连接到连接布线CW的数据线DL施加到每个像素P。尽管在图1A中数据驱动电路60位于印刷电路板PCB上，但是根据一些实施方式，数据驱动电路60可位于衬底100上。例如，数据驱动电路60可位于焊盘单元30与第一电源布线10之间。

坝部70可位于外围区域PA中。当形成薄膜封装层300(参见图5)的有机封装层320(参见图5)时，坝部70可防止或减少有机材料朝向衬底100的边缘流动的情况，从而防止或减少形成有机封装层320的边缘尾部的情况。坝部70可位于外围区域PA中，以围绕显示区域DA的至少一部分。坝部70可包括多个坝，并且当提供有多个坝时，坝可彼此间隔开。坝部70可在外围区域PA中定位成比密封构件CS更靠近显示区域DA。在外围区域PA中还可提供用于施加每个像素P的扫描信号的内部驱动电路。在一些实施方式中，内部驱动电路和坝部70可彼此重叠。

显示设备可通过使用密封构件CS将衬底100和上衬底100'彼此接合来形成。密封构件CS可沿衬底100的外围区域PA形成以围绕显示区域DA，以将衬底100和上衬底100'彼此接合。根据一些实施方式，当显示设备是柔性的时，可省略上衬底100'和密封构件CS。

尽管在图1A中一个印刷电路板PCB附接到焊盘单元30，但是如图1B中所示，多个印刷电路板PCB可附接到焊盘单元30。

此外，焊盘单元30可沿衬底100的两侧定位。焊盘单元30可包括多个子焊盘单元30S，并且一个印刷电路板PCB可附接到一个子焊盘单元30S。

图2A和图2B是示出根据一些实施方式的可包括在显示设备中的像素的等效电路图。

参照图2A，每个像素P可包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm发送到驱动薄膜晶体管T1。

存储电容器Cst可连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储电容器Cst中存储的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可由于驱动电流而发射具有特定亮度的光。

尽管在图2A中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施方式不限于此。例如，像素电路PC可包括附加晶体管或其它电气部件，或更少的电气部件，而不背离根据本公开的实施方式的精神和范围。

参照图2B，像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。

扫描线SL可连接到开关薄膜晶体管T2的栅电极G2，数据线DL可连接到源电极S2，并且存储电容器Cst的第一电极CE1可连接到漏电极D2。

因此，开关薄膜晶体管T2可响应于来自每个像素P的扫描线SL的扫描信号Sn，将数据线DL的数据电压(或数据信号)Dm供给到第一节点N。

驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可连接到第一节点N，源电极S1可连接到用于发送驱动电压ELVDD的驱动电压线PL，并且漏电极D1可连接到有机发光二极管OLED的阳极。

因此，驱动薄膜晶体管T1可根据其源-栅电压，即，在驱动电压ELVDD与第一节点N之间施加的电压，调整流过有机发光二极管OLED的电流量。

感测控制线SSL可连接到感测薄膜晶体管T3的栅电极G3，源电极S3可连接到第二节点S，并且漏电极D3可连接到基准电压线RL。根据一些实施方式，感测薄膜晶体管T3可由扫描线SL而不是感测控制线SSL控制。

感测薄膜晶体管T3可感测有机发光二极管OLED的像素电极(例如，阳极)的电位。感测薄膜晶体管T3可响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn，将来自基准电压线RL的预充电电压供给到第二节点S，或者可在感测周期期间将有机发光二极管OLED的像素电极(例如，阳极)的电压供给到基准电压线RL。

存储电容器Cst可包括连接到第一节点N的第一电极CE1和连接到第二节点S的第二电极CE2。存储电容器Cst可被充电有供给到第一节点N的电压和供给到第二节点S的电压之间的差电压，并且可将差电压供给作为驱动薄膜晶体管T1的驱动电压。例如，存储电容器Cst可被充电有分别供给到第一节点N和第二节点S的数据电压Dm和预充电电压之间的差电压。

偏置电极BSM可形成为对应于驱动薄膜晶体管T1，并且可连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3。因为偏置电极BSM接收与感测薄膜晶体管T3的源电极S3的电位相关的电压，所以可使驱动薄膜晶体管T1稳定。根据一些实施方式，偏置电极BSM可不连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3，并且可连接到单独的偏置布线。

有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流并且可发光。

尽管在图2B中每个像素P包括信号线SL、SSL和DL、基准电压线RL和驱动电压线PL，但是本公开不限于此。例如，信号线SL、SSL和DL中的至少一个、和/或基准电压线RL或驱动电压线PL可由相邻像素共享。

像素电路PC不限于参照图2A和图2B描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计，并且可以各种方式来修改数量和电路设计。

图3是示出根据一些实施方式的显示设备的剖视图。图4是示出根据一些实施方式的像素的光路的视图。

参照图3，第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可分别包括第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3。第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可彼此间隔开。第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可通过自身发光而用作光源。例如，第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可为有机发光二极管OLED。然而，根据本公开的实施方式不限于此，只要第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可用作光源即可。根据一些实施方式，第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可为无机发光器件或量子点发光器件。

根据一些实施方式，第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光，并且可发射相同波长的光或者可发射不同波长的光。例如，第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3中的全部可发射蓝色光。

波长调整层400可位于第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3上面。波长调整层400可包括对应于第一发光器件ED1的第一颜色转换层QD1、对应于第二发光器件ED2的第二颜色转换层QD2以及对应于第三发光器件ED3的透射层TL。

第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2中的每一个可包括量子点。穿过第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2的光的波长可由量子点改变。透射层TL可不包括量子点，并且因此穿过透射层TL的光可在不改变波长的情况下发射到外部。

分隔壁410可位于第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL之间。在必要时，分隔壁410可包括阻光材料。

光学功能层500可位于波长调整层400上面。光学功能层500可包括反射金属层510和位于反射金属层510上的光吸收层520。

光学功能层500可具有分别与第一发光器件ED1的第一发射区域Pr-EA、第二发光器件ED2的第二发射区域Pg-EA和第三发光器件ED3的第三发射区域Pb-EA对应的多个开口OP。根据一些实施方式，多个开口OP可包括对应于第一发射区域Pr-EA的多个第一开口OP1、对应于第二发射区域Pg-EA的多个第二开口OP2和对应于第三发射区域Pb-EA的多个第三开口OP3。多个第一开口OP1、多个第二开口OP2和多个第三开口OP3对于每个像素可分别具有预设开口率。

参照图4，示出了一个像素P的光路。像素P可为图3的第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb中的一个。

发光器件ED将第一颜色光L1提供到像素P。从发光器件ED发射的第一颜色光L1的部分可透射通过波长调整层400。此外，从发光器件ED发射的第一颜色光L1的部分可通过波长调整层400转换为另一颜色光，例如，第二颜色光L2。透射通过波长调整层400的第二颜色光L2的部分可穿过光学功能层500。光学功能层500可具有多个开口OP，并且透射通过波长调整层400的第二颜色光L2的部分可通过多个开口OP穿过光学功能层500。

从发光器件ED发射的第一颜色光L1'的部分可在不改变波长的情况下照原样穿过波长调整层400。穿过波长调整层400的第一颜色光L1'的部分可被光学功能层500反射。因为光学功能层500在其底表面上包括反射金属层510，所以由反射金属层510反射的第一颜色光L1'的部分可重新进入波长调整层400和/或发光器件ED。重新进入波长调整层400和/或发光器件ED的光可被重新反射并且可穿过光学功能层500。可通过使用这种内反射的光再循环来改善显示设备的光效率。

透射通过波长调整层400的第二颜色光L2的部分可被反射金属层510反射，而不穿过光学功能层500。由反射金属层510反射的第二颜色光L2的部分可重新进入波长调整层400和/或发光器件ED。在这种情况下，也可发生使用内反射的光再循环。

图5和图6是示出根据一些实施方式的显示设备的剖视图。

参照图5，第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb位于衬底100上。第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可分别包括第一发光器件和像素电路PC、第二发光器件和像素电路PC以及第三发光器件和像素电路PC，并且第一发光器件至第三发光器件可电连接到像素电路PC以控制光发射。根据一些实施方式，第一发光器件至第三发光器件可分别为第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。由于包括在第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb中的像素电路PC具有相同的结构，因此下面将聚焦于一个像素的堆叠结构。

首先，衬底100可包括玻璃材料或聚合物树脂。根据一些实施方式，衬底100可包括多个子层。多个子层可具有交替地堆叠有机层和无机层的结构。当衬底100包括聚合物树脂时，衬底100可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。

包括发光器件的显示层200和覆盖显示层200的薄膜封装层300可位于衬底100上。在下文中，将更详细地描述显示层200的进一步细节。

在衬底100上可形成有缓冲层201，以防止或减少杂质渗入薄膜晶体管TFT的半导体层Act的情况。缓冲层201可包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可具有包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。

像素电路PC可位于缓冲层201上。像素电路PC可定位成对应于每个像素P。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。

根据一些实施方式，像素电路PC的数据线DL电连接到包括在像素电路PC中的开关薄膜晶体管。尽管薄膜晶体管TFT被示出为栅电极GE隔着栅极绝缘层203位于半导体层Act上的顶栅型晶体管，但是实施方式不限于此，并且根据一些实施方式，薄膜晶体管TFT可为底栅型晶体管。

半导体层Act可包括多晶硅。替代性地，半导体层Act可包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。

栅电极GE可包括低电阻金属材料。栅电极GE可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可具有包括以上材料的单层或多层结构。

位于半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。栅极绝缘层203可具有包括以上材料的单层或多层结构。

源电极SE和漏电极DE可位于与数据线DL相同的层，并且可包括相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE中的每一个可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可形成为具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。

存储电容器Cst可包括隔着第一层间绝缘层205彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。在这方面，在图5中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的第一电极CE1。根据一些实施方式，存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的第二电极CE2可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可具有包括以上材料的单层或多层结构。

第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每一个可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每一个可具有包括以上材料的单层或多层结构。

包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可被第一平坦化绝缘层208覆盖。第一平坦化绝缘层208可包括实质上平坦的顶表面。

根据一些实施方式，第三层间绝缘层可进一步位于第一平坦化绝缘层208下。第三层间绝缘层可包括无机绝缘层，诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

像素电路PC可电连接到像素电极210。例如，如图5中所示，接触金属层CM可位于薄膜晶体管TFT与像素电极210之间。接触金属层CM可通过在第一平坦化绝缘层208中形成的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，并且像素电极210可通过在接触金属层CM上的在第二平坦化绝缘层209中形成的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可具有包括以上材料的单层或多层结构。例如，接触金属层CM可具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。

第一平坦化绝缘层208和第二平坦化绝缘层209中的每一个可包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟化聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。根据一些实施方式，第一平坦化绝缘层208和第二平坦化绝缘层209中的每一个可包括聚酰亚胺。

第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可位于第二平坦化绝缘层209上。根据一些实施方式，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每一个可包括像素电极210、第一公共层221、发射层222、第二公共层223和相对电极230。在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每一个中，像素电极210和发射层222可针对每个像素而被图案化，并且第一公共层221、第二公共层223和相对电极230可一体地设置在显示区域中。根据一些实施方式，当第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射相同颜色的光(例如，蓝色光)时，发射层222也可一体地设置在显示区域中。

像素电极210可包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

在像素电极210上可形成有像素限定膜215。像素限定膜215可具有供像素电极210的顶表面暴露的开口，并且可覆盖像素电极210的边缘。像素限定膜215可包括有机绝缘材料或诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。替代性地，像素限定膜215可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

中间层220包括发射层222。发射层222可包括第一发射层和第二发射层。第一发射层和第二发射层中的每一个可包括用于发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。

此外，中间层220可包括位于第一发射层与像素电极210之间的第一公共层221和/或位于第二发射层与相对电极230之间的第二公共层223。

第一公共层221可具有单层或多层结构。例如，当第一公共层221由高分子量材料形成时，第一公共层221可包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可由聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一公共层221由低分子量材料形成时，第一公共层221可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。

并非总是提供第二公共层223。例如，根据一些实施方式，当第一公共层221、第一发射层和第二发射层中的每一个由高分子量材料形成时，形成有第二公共层223。第二公共层223可具有单层或多层结构。第二公共层223可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。

相对电极230可由具有低功函数的导电材料形成。例如，相对电极230可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。替代性地，相对电极230还可包括在包括以上材料的(半)透明层上由ITO、IZO、ZnO或In

覆盖层240可位于相对电极230上。例如，覆盖层240可具有包括选自有机材料、无机材料及其混合物中的材料的单层或多层结构。根据一些可选实施方式，LiF层可位于覆盖层240上。

由于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可能容易被外部湿气或氧气损坏，因此第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可由薄膜封装层300覆盖和保护。薄膜封装层300可覆盖显示区域DA并且可延伸到显示区域DA外部的非显示区域。薄膜封装层300包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层300可包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

第一无机封装层310可覆盖相对电极230，并且可包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。

因为第一无机封装层310沿下部结构形成，所以第一无机封装层310的顶表面是不平坦的。有机封装层320可覆盖第一无机封装层310，以使第一无机封装层310实质上平坦化。有机封装层320可包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷和丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)构成的组中的至少一种材料。

第二无机封装层330可覆盖有机封装层320，并且可包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。

即使当在薄膜封装层300中出现裂纹时，由于多层结构，裂纹也不能在第一无机封装层310与有机封装层320之间或在有机封装层320与第二无机封装层330之间连接。因此，可防止、减少或最小化供外部湿气或氧气渗入显示区域中的路径的形成。

波长调整层400可位于薄膜封装层300上。波长调整层400可包括第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2、透射层TL和分隔壁410。

第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2中的每一个可包括量子点。量子点可根据材料和尺寸表现出独特的激发和发射特性，并且因此可将入射光转换为特定颜色的光。各种材料可用作量子点。

根据一些实施方式，量子点可具有核-壳结构，核-壳结构包括包含有纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的核可选自II-VI族化合物、III-V族化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。

II-VI族化合物可选自：从由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及它们的混合物所构成的组中选择的二元化合物；从由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及它们的混合物所构成的组中选择的三元化合物；以及从由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及它们的混合物所构成的组中选择的四元化合物。

III-VI族半导体化合物的实例可包括诸如In

III-V族化合物可选自：从由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及它们的混合物所构成的组中选择的二元化合物；从由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InAlP、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及它们的混合物所构成的组中选择的三元化合物；以及从由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及它们的混合物所构成的组中选择的四元化合物。

III-V族半导体化合物还可包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的实例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP。

III-VI族半导体化合物的实例可包括诸如GaS、GaSe、Ga

I-III-VI族半导体化合物的实例可包括诸如AgInS、AgInS

IV-VI族化合物可选自：从由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及它们的混合物所构成的组中选择的二元化合物；从由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及它们的混合物所构成的组中选择的三元化合物；以及从由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及它们的混合物所构成的组中选择的四元化合物。IV族元素可选自由硅(Si)、锗(Ge)及其混合物所构成的组。IV族化合物可为选自由SiC、SiGe及其混合物构成的组中的二元化合物。

在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以均匀浓度存在于颗粒中，或者可存在于被划分成浓度分布部分地不同的两种状态的同一颗粒中。此外，量子点可具有一个量子点围绕另一个量子点的核-壳结构。核与壳之间的界面可具有壳中的元素的浓度朝向中心逐渐减小的浓度梯度。

量子点的壳可用作用于通过防止或减小核的化学改性来保持半导体特性的保护层，和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可具有单层或多层结构。

量子点的壳的实例可包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物及其组合。

金属或非金属的氧化物的实例可包括但不限于诸如SiO

半导体化合物的实例可包括如上所述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物以及IV-VI族半导体化合物及其任何组合。半导体化合物的实例可包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb。

量子点可具有约45nm或更小的发射波长频谱的半峰全宽(FWHM)，或根据一些实施方式，可具有约40nm或更小的发射波长频谱的半峰全宽，并且根据一些实施方式，可具有约30nm或更小的发射波长频谱的半峰全宽。在该范围内，可改善颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可改善光学视角。

此外，量子点具有在本领域中通常使用的形状并且不受具体限制。例如，量子点可具有球体形状、锥体形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状或纳米板颗粒形状。

从量子点发射的光的颜色可根据颗粒尺寸来控制，并且因此量子点可具有诸如蓝色、红色或绿色的各种发射颜色中的任一种。

量子点的核的直径可在从约2nm至约10nm的范围内，并且当量子点暴露于光时，量子点可根据颗粒尺寸和材料的类型发射特定频率的光。包括在第一颜色转换层QD1中的量子点的平均尺寸和包括在第二颜色转换层QD2中的量子点的平均尺寸可彼此不同。例如，更大的量子点可发射更长的波长。因此，可根据第一像素Pr和第二像素Pg的颜色选择量子点的尺寸。也就是说，根据像素的期望颜色，可选择或改变对应的量子点的尺寸以实现期望颜色。

除了量子点之外，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2中的每一个还可包括用于混合并适当分散量子点的各种材料。例如，第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2还可包括散射颗粒、溶剂、光引发剂、粘合剂聚合物、分散剂等。

透射层TL，而不是颜色转换层，可位于第三像素Pb的发射区域EA中。透射层TL可由用于在不改变从第三像素Pb的第三有机发光二极管OLED3发射的光的波长的情况下发光的有机材料形成。根据一些实施方式，用于均匀颜色扩散的散射颗粒可包括在透射层TL中。在这种情况下，散射颗粒可具有在从约200nm至约400nm的范围内的直径。

根据一些实施方式，第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可发射相同波长的光，并且可根据由第一颜色转换层QD1的量子点和第二颜色转换层QD2的量子点改变后的波长来确定第一像素Pr和第二像素Pg的颜色。

因为在第三像素Pb的发射区域EA中不提供颜色转换层，所以可通过第三有机发光二极管OLED3发射的光的颜色来确定第三像素Pb的颜色。例如，第一像素Pr的颜色可为红色，第二像素Pg的颜色可为绿色，并且第三像素Pb的颜色可为蓝色。

分隔壁410可位于第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL之间，以对应于非发射区域NEA。例如，分隔壁410可位于第一颜色转换层QD1与第二颜色转换层QD2之间以及第二颜色转换层QD2与透射层TL之间。

根据一些实施方式，分隔壁410可包括有机材料，并且在必要时，分隔壁410可包括用于调整光学密度的材料，诸如Cr、CrO

在制造方法中，可首先在薄膜封装层300上形成分隔壁410，并且然后第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL可位于分隔壁410之间。

阻挡层420可位于第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL上，以平坦化并且防止或减少杂质的渗透。阻挡层420可由氮化硅、氮氧化硅或氧化硅形成，并且可具有单层或多层结构。

光学功能层500可位于波长调整层400上。光学功能层500可包括反射金属层510和位于反射金属层510上的光吸收层520。

反射金属层510可包括反射金属。例如，反射金属层510可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。根据一些实施方式，反射金属层510可包括具有高反射率的金属。反射金属层510可具有约85％或更高的反射率，并且例如，具有约90％或更高的反射率。反射率可为基于标准光源D65测量的值。例如，反射金属层510可包括超级铝(s-Al)。超级铝(s-Al)可为具有高纯度的铝合金，并且可具有约89％或更高的反射率。

这样，由于反射金属层510包括具有高反射率的反射金属，因此可通过使用内反射的光再循环来改善显示设备的光效率。

光吸收层520可位于反射金属层510上。光吸收层520可由具有吸收系数的金属形成。例如，光吸收层520可包括钼(Mo)、钽(Ta)、锰(Mn)和镁(Mg)中的至少一种。此外，光吸收层520可包括钼钽氧化物(MoTaO

尽管在图5中光学功能层500具有包括反射金属层510和光吸收层520的双层结构，但是根据本公开的实施方式不限于此。

图7至图10是示出根据一些实施方式的显示设备的光学功能层500的各种实例的剖视图。

根据一些实施方式，光学功能层500A、500B、500C以及500D各自还可包括相位辅助层530。相位辅助层530可包括透光金属。相位辅助层530可包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In

相位辅助层530可如图7中所示地位于光吸收层520上，或者如图8中所示地位于反射金属层510与光吸收层520之间，或者如图9中所示，可排列相位辅助层530，并且然后可在相位辅助层530上顺序地排列反射金属层510和光吸收层520。此外，如图10中所示，相位辅助层530可位于反射金属层510下，并且可位于反射金属层510与光吸收层520之间。当如图9和图10中所示在反射金属层510下提供相位辅助层530时，可为了粘合到位于相位辅助层530下的阻挡层420而提供相位辅助层530。

包括在图5和图7至图10的光学功能层500、500A、500B、500C和500D中的每一个中的反射金属层510、光吸收层520和相位辅助层530可形成特定厚度。在它们之中，反射金属层510可具有最大厚度，并且光吸收层520的厚度可小于反射金属层510的厚度。当提供相位辅助层530时，相位辅助层530可比反射金属层510和光吸收层520薄。根据一些实施方式，反射金属层510可形成为在从约

返回参照图5，光学功能层500也可位于发射区域EA之间的非发射区域NEA中。如上所述，因为光学功能层500包括光吸收层520，所以光学功能层500可通过光吸收层520而用作非发射区域NEA中的黑矩阵。因此，由于根据一些实施方式的显示设备没有形成单独的黑矩阵，因此可简化制造工艺并且可减少成本。

光学功能层500可具有与发射区域EA对应的多个开口OP。多个开口OP可穿过光学功能层500。也就是说，可通过穿过反射金属层510和光吸收层520来形成多个开口OP。根据一些实施方式，可提供多个开口OP以根据像素而具有不同的开口率。术语“开口率”区别于绝对发射面积或开口的面积，并且当由像素限定膜215的开口限定的发射区域EA为100时，开口率可是指多个开口OP相对于发射区域EA的面积的比率。

例如，多个开口OP相对于发射区域EA的开口率可等于或大于约40％、约45％或约50％。开口率可根据每个像素所需的条件而改变。

由第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射的光可通过多个开口OP最终发射到外部。在这种情况下，随着多个开口OP的开口率增加，可改善光效率，但是对外部光的反射的脆弱性(vulnerability)可增加。相反，随着多个开口OP的开口率减小，对外部光的反射的脆弱性可降低，但是被阻挡的光的量可增加，并且因此可减少光效率。

因此，根据一些实施方式的显示设备可通过调整光学功能层500的多个开口OP的尺寸来优化开口率，并且可通过将反射金属层510定位在光学功能层500的表面上以使未穿过多个开口OP的一些光被反射金属层510反射并且再现来改善光效率。

滤色器层600可位于光学功能层500上。滤色器层600可定位成仅对应于第一像素Pr和第二像素Pg。滤色器层600可包括黄色有机膜。

在第一像素Pr和第二像素Pg中，由第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2发射的光的波长可在穿过第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2的同时被改变，并且因此，由第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2发射的光的颜色可不同于由第一像素Pr和第二像素Pg发射的光的颜色。当光的波长被第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2改变时，一些光在没有改变波长的情况下照原样穿过第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2。滤色器层600可通过阻挡或吸收在没有改变波长的情况下穿过第一颜色转换层QD1和第二颜色转换层QD2的一些光(噪声光)来仅透射期望波长的光。因此，滤色器层600可防止或减少待由第一像素Pr和第二像素Pg发射的颜色光与不同的颜色光混合，从而实现全彩色图像，改善颜色纯度并且改善室外可见度。

参照图6，外涂层700可位于滤色器层600上。外涂层700可由透光材料形成，并且可使由光学功能层500和滤色器层600形成的台阶部平坦化。在一些实施方式中，可省略外涂层700。

低反射膜800可位于外涂层700上。低反射膜800可减少外部光的反射。低反射膜800可形成为在从约0.1μm至约0.2μm的范围内的厚度。在一些实施方式中，可省略低反射膜800。

图11是示出根据一些实施方式的可包括在显示设备中的像素的平面图。

参照图11，第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可彼此间隔开，但是可彼此相邻。第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb中的每一个可是指子像素。尽管第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb在图11中以条状形状排列，但是第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可以pentile形状、菱形形状等排列。

根据一些实施方式，第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb可由于发射的颜色光的可见性差异而具有不同的发射面积。例如，尽管在图11中发射红色光的第一像素Pr的发射面积最大并且发射蓝色光的第三像素Pb的发射面积最小，但是本公开不限于此。

如上所述，光学功能层500可具有与第一像素Pr的第一发射区域Pr-EA、第二像素Pg的第二发射区域Pg-EA和第三像素Pb的第三发射区域Pb-EA对应的多个开口OP。多个开口OP可包括对应于第一像素Pr的第一发射区域Pr-EA的多个第一开口OP1、对应于第一像素Pg的第二发射区域Pg-EA的多个第二开口OP2和对应于第三像素Pb的第三发射区域Pb-EA的多个第三开口OP3。例如，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可形成为狭缝。尽管在图11中多个开口OP各自具有矩形形状并且在一个方向上连续地排列，但是多个开口OP中的每一个可具有诸如圆形形状、椭圆形形状或多边形形状的各种形状中的任一种。

根据一些实施方式，多个第一开口OP1、多个第二开口OP2和多个第三开口OP3可具有针对相应的第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb的不同的开口率。也就是说，第一开口OP1的第一宽度w1、第二开口OP2的第二宽度w2和第三开口OP3的第三宽度w3可彼此不同。在图11中，第一开口OP1的第一宽度w1、第二开口OP2的第二宽度w2和第三开口OP3的第三宽度w3可是指在y方向上的宽度。

此外，第一开口OP1之间的第一间隔d1、第二开口OP2之间的第二间隔d2和第三开口OP3之间的第三间隔d3可彼此不同。例如，如图11中所示，发射蓝色光的第三像素Pb的第三开口OP3的第三宽度w3可最小，并且发射绿色光的第二像素Pg的第二开口OP2的第二宽度w2可最大。此外，第三像素Pb的第三开口OP3之间的第三间隔d3可最大，并且发射绿色光的第二像素Pg的第二开口OP2之间的第二间隔d2可最小。因此，第三像素Pb的开口率可最小，并且第二像素Pg的开口率可最大。这样，通过调整针对第一像素Pr、第二像素Pg和第三像素Pb中的每一个的开口率，可相对容易地控制每个像素的光效率、反射率、反射颜色等。

图12是示出根据一些实施方式的显示设备的光学功能层的内反射率与透射率之间的关系的曲线图。图13是示出根据一些实施方式的显示设备的光再循环效率与内反射率之间的关系的曲线图。图14是示出根据图12的比较例的显示设备的视图。

在图12的比较例中，如以下参照图14所描述的，光学功能层500'包括透反射金属层。在根据一些实施方式的显示设备中，在光学功能层500中，光被光吸收层520阻挡，并且内部光可通过多个开口OP透射到外部。相反，因为图14的光学功能层500'不具有多个开口并且是透反射性的，所以由发光器件ED发射并且穿过波长调整层400的光的部分可穿过光学功能层500'本身并且可透射到外部。

参照图12，发现透射率和内反射率彼此成正比。比较例的光学功能层500'的内反射率相对于透射率的梯度的绝对值为0.6416，而实施方式的光学功能层500的内反射率相对于透射率的梯度的绝对值为0.879。也就是说，发现当实施方式的光学功能层500和比较例的光学功能层500'具有相同的透射率时，实施方式的显示设备的内反射率高于比较例的显示设备的内反射率，并且，随着实施方式的光学功能层500和比较例的光学功能层500'的透射率降低，内反射率差逐渐增大。

这样，当内反射率高时，可意味着使用内反射的光再循环效率高。

参照图13，根据一些实施方式，发现使用内反射的光再循环效率二次方地增加。参照图12的曲线图，可推断出相对于相同的透射率具有更高的内反射率的根据实施方式的显示设备将比根据比较例的显示设备的光再循环效率具有更高的光再循环效率。

结果，发现当实施方式的光学功能层500和比较例的光学功能层500'具有相同的透射率时，根据一些实施方式的显示设备的光效率更高。因此，根据一些实施方式的显示设备可通过使用内反射的光再循环来改善光效率，并且可阻止外部光的反射。

尽管仅主要描述了显示设备，但是本公开不限于此。例如，制造显示设备的方法也可在本公开的范围内。

图15A至图15E是示出根据一些实施方式的制造显示设备的方法的剖视图。

首先，参照图15A，可在衬底100上形成显示层200，并且可在显示层200上形成薄膜封装层300。可根据堆叠顺序，通过沉积和图案化工艺在衬底100上顺序地形成显示层200和薄膜封装层300。尽管在图15A至图15E中为了描述的便利而简单地示出了显示层200和薄膜封装层300，但是显示层200和薄膜封装层300可具有图5的结构。在图5中已根据显示层200和薄膜封装层300在衬底100上堆叠的顺序描述了显示层200和薄膜封装层300的配置，并且因此将省略其重复描述。

可在薄膜封装层300上形成分隔壁410。分隔壁410可形成为对应于非发射区域NEA，并且可被图案化以具有对应于发射区域EA的开口。

参照图15B，可在分隔壁410之间形成第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL。第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL中的每一个可位于在分隔壁410中形成的开口中。如以上参照图5所述，第一颜色转换层QD1可形成为对应于第一像素Pr，第二颜色转换层QD2可形成为对应于第二像素Pg，并且透射层TL可形成为对应于第三像素Pb。可通过使用例如喷墨印刷来形成第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL。

参照图15C，可在第一颜色转换层QD1、第二颜色转换层QD2和透射层TL上定位阻挡层420。可在阻挡层420上顺序地形成反射金属材料层510'和光吸收材料层520'。

根据一些实施方式，反射金属材料层510'可包括反射金属。反射金属材料层510'可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。根据一些实施方式，反射金属材料层510'可包括具有高反射率的金属，并且反射金属材料层510'可具有约85％或更高的反射率，并且例如，可具有约90％或更高的反射率。例如，反射金属材料层510'可包括超级铝(s-Al)。超级铝(s-Al)可为具有高纯度的铝合金，并且可具有约89％或更高的反射率。

根据一些实施方式，光吸收材料层520'可包括有机黑矩阵。光吸收材料层520'可为用于改善色彩鲜艳度和对比度的构件。光吸收材料层520'可包括有机材料中的黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。在一些实施方式中，光吸收材料层520'可包括Cr、CrO

参照图15D，光吸收层520可通过将光吸收材料层520'图案化来形成。根据一些实施方式，可通过在光吸收材料层520'上使用光致抗蚀剂形成图案，可通过使用光致抗蚀剂图案蚀刻光吸收材料层520'形成图案，并且然后可去除光致抗蚀剂。

接下来，参照图15E，可通过使用被图案化的光吸收层520作为掩模图案将反射金属材料层510'图案化来执行形成反射金属层510的蚀刻工艺et。如上所述，由于光吸收层520包括有机材料并且反射金属层510包括金属材料，因此应执行单独的蚀刻工艺以对光吸收层520和反射金属层510进行图案化，从而增加了掩模的数量并且添加了工艺。

因此，在根据一些实施方式的显示设备中，由于反射金属材料层510'通过使用被图案化的光吸收层520作为掩模图案来图案化，而无需执行用于将反射金属层510图案化的单独掩模工艺，因此可在无需添加用于形成反射金属层510的制造工艺的情况下相对容易地制造光学功能层500。

因为根据本实施方式的反射金属层510包括具有高反射率的反射金属，所以可通过使用内反射的光再循环来改善显示设备的光效率。

如上所述，根据一个或多个实施方式，可提供具有相对最小化或减少的外部光的反射和相对改善的光效率的显示设备以及制造显示设备的方法。然而，根据本公开的实施方式不受这些特性的限制。

应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。