使用多种类型的写入操作清除存储器块

本专利申请要求德尔加托(DEL GATTO)在2021年1月20日提交的名称为“使用多种类型的写入操作清除存储器块(CLEANING MEMORY BLOCKS USING MULTIPLE TYPES OFWRITE OPERATIONS)”的第17/153,597号美国专利申请案的优先权，此美国专利申请案转让给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及使用多种类型的写入操作清除存储器块。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含存储器块集，其各自包含相应存储器单元集；和控制器，其与所述存储器块集耦合。所述控制器可被配置成致使所述设备：确定清除包括存储器单元集的存储器块，所述存储器块包含在各自包括相应存储器单元集的存储器块集中；至少部分地基于确定清除所述存储器块来识别旗标的值，其中所述旗标的所述值指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作的类型；至少部分地基于所述旗标的所述值选择将用于清除所述存储器块的写入操作的类型，所述类型在包括第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择；和使用所述选择的类型的写入操作清除所述存储器块。

描述一种设备。所述设备可包含存储器块集，其各自包含相应存储器单元集；和控制器，其与所述存储器块集耦合。所述控制器可被配置成致使所述设备：接收与数据集相关联的写入命令；响应于所述写入命令而将所述数据集写入到存储器块，所述存储器块包含在所述存储器块集中；至少部分地基于将所述数据集写入到所述存储器块，使计数器的值递增；响应于所述计数器的所述经递增值满足阈值来设置旗标的值，其中所述旗标的所述值指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作类型；和至少部分地基于设置所述旗标的所述值来重置所述计数器的所述值。

描述一种设备。所述设备可包含存储器块集，其各自包含相应存储器单元集；和控制器，其与所述存储器块集耦合。所述控制器可被配置成致使所述设备：从对应于所述存储器块集的地址列表获得第一存储器块的第一地址，其中至少部分地基于反映所述地址列表中的第一位置的第一指针，从所述第一位置获得所述第一地址；至少部分地基于旗标未经设置，使用第一类型的写入操作清除所述第一存储器块；在清除所述第一存储器块之后，使所述第一指针递增以反映所述地址列表中的下一位置；在清除所述第一存储器块之后设置所述旗标；至少部分地基于所述旗标经设置，使用第二类型的写入操作清除存储器块子集，所述存储器块子集具有定位于所述地址列表中介于第一指针反映的所述下一位置与第二指针反映的第二位置之间的地址；和至少部分地基于所述存储器块子集的所述清除完成来重置所述旗标。

附图说明

图1说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的系统的实例。

图2说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的存储器裸片的实例。

图3说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的存储器单元的实例。

图4说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的列表和相关联控制的实例。

图5说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法的实例。

图6和7示出说明根据如本文中所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法的流程图。

图8示出根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的存储器系统的框图。

图9到11示出说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法的流程图。

具体实施方式

在一些实例中，存储器装置可利用第一方法写入存储器单元，所述第一方法在本文中可以被称为“正常写入”方法。在此方法中，存储器装置可在存储器单元已经存储的逻辑状态不同于目标逻辑状态的情况下使所述存储器单元经历写入(例如，编程)操作，但在其它时候可制止存储器单元经历写入操作。举例来说，如果存储器装置将使存储器单元写入到第一逻辑状态，那么存储器装置可检查存储器装置是否已经在可能使存储器单元经历任何写入操作之前存储第一逻辑状态。如果存储器单元被识别为存储第二逻辑状态，那么存储器装置可使存储器单元写入到第一逻辑状态，但如果存储器单元被识别为已经存储第一逻辑状态，那么存储器装置可制止存储器单元经历任何写入操作。

在其它实例中，存储器装置可利用第二方法写入存储器单元，所述第二方法在本文中可以被称为“强制写入”方法。在此方法中，如果存储器单元经历写入命令，那么存储器装置可使存储器单元经历写入操作而与存储器单元已经存储的逻辑状态无关。举例来说，如果存储器装置将使存储器单元写入到第二逻辑状态，那么存储器装置即使是存储器单元已经存储第二逻辑状态的情况下仍可使存储器单元经历写入操作。在一些实例中，在强制写入方法和正常写入方法之间可存在性能权衡，也就是说，每种方法相对于彼此可具有一或多个优点和缺点。

在一些实例中，相对于强制写入方法，利用正常写入方法可节约电力并且避免存储器单元上的额外耗损(例如，因为正常写入方法可避免写入经历写入命令但已经处于目标状态中的存储器单元)。也就是说，通过减少在操作进程中写入个别存储器单元的次数，正常写入方法可减小存储器单元的耗损。另外，减少在操作进程中写入个别存储器单元的次数可避免原本归因于存取存储器阵列内的其它存储器单元(例如，相邻存储器单元)，例如归因于未被选存储器单元由于与被存取存储器耦合到相同存取线而经历所施加电压可发生的对非目标存储器单元的干扰。

出于这些原因或一般技术人员可了解的其它原因，正常写入方法通常可为编程存储器单元所需要并且另外或替代地，为清除(例如，擦除)存储器单元所需要。如本文中所使用，清除存储器单元集可指将存储器单元中的每一个写入到相同状态(例如，逻辑值，例如逻辑0)，这在一些情况下可使存储器单元集准备好(例如，可用于)随后被编程为存储数据。

尽管正常写入方法具有一或多个益处，但归因于存储器块的耐久性问题，有时可能需要使用强制写入方法使给定存储器单元经历写入操作，原因是是这可为存储器单元带来各种耐久性相关益处。因此，如本文所描述，对于使用正常写入方法的每数量N或大致N(例如，每100或更大)的清除，可使用强制写入方法清除存储器单元。本文中描述可利用正常写入和强制写入的这类组合用于存储器块清除的系统、技术和装置，这可提供各种耐久性相关益处或如一般技术人员可了解的其它益处。

首先在如参考图1-3所描述的存储器系统、裸片和阵列的上下文中描述本公开的特征。在如参考图4-7所描述的列表和可采用所述列表的方法的上下文中进一步描述本公开的特征。参考涉及如参考图8-11所描述的使用多种类型的写入操作清除存储器块的设备图和流程图进一步说明且描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但所述一或多个存储器装置110的方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述。

系统100可包含如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统的电子装置的部分。举例来说，系统100可说明计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器等的各方面。存储器装置110可以是可用于存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。

系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可以是使用存储器执行过程的装置内的处理器或其它电路的实例，例如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(SoC)或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例内。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。

存储器装置110可以是独立装置或可操作以提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的组件。在一些实例中，存储器装置110可配置以与一或多个不同类型的主机装置105一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可为可操作的以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。

存储器装置110可为可操作的以存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应和执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多者。

主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器的其它组件中的一或多个。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。

处理器125可为可操作的以提供用于系统100的至少部分或主机装置105的至少部分的控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可为中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或SoC的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。

BIOS组件130可以是包含作为固件操作的BIOS的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储于只读存储器(ROM)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。

存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或指定容量。每一存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b、存储器裸片160-N)可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-N)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。

存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一个或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一位数据。每个存储器阵列170可包含一或多个块145，所述块145如本文中所使用，可指可被一起(例如，作为单个写入操作的部分、并行地)写入(例如，编程或清除)的存储器单元集。

在一些情况下，块145可为可以独立地写入或清除(例如，作为单个清除的部分并行地清除，也可称为擦除操作)的最小存储器单位(例如，存储器单元集)。另外，在一些情况下，在清除存储器单元之前，可能不以新数据重写所述存储器单元。

不同群组(例如，块145)的存储器单元可在存储器装置110的物理地址空间内具有不同物理地址。不同数据集可与逻辑地址空间内的不同逻辑地址相关联，所述逻辑地址空间可被替代地称作系统地址空间或虚拟地址空间，且可由主机装置105引用以识别不同数据集(例如，来自主机装置105的读取或写入命令可基于对应数据集的逻辑地址来指示对应数据集)。因此，在一些情况下，存储器单元的每个块145可被配置成存储对应于相应逻辑块地址(LBA)的数据集。

替代地，在一些情况下，块145的群组可与单个相应LBA相关联(例如，被配置成存储对应于单个相应LBA的数据集)。举例来说，在一些情况下，单个块145所存储的数据数量可被称为页，且由主机装置105(例如，由外部存储器控制器120)发出的单个存取命令(例如，读取或写入命令)可为可操作的以存取单个块145，且主机装置105可发出存取与具有特定LBA的数据相关联的多个块145的多个存取命令(例如，读取来自所述多个块145的数据或将数据写入到所述多个块145)。在一些情况下，与单个LBA相关联的多个块145可为连续的，且第一块145的物理地址(例如，根据一些定址或编索引方案)可被视为对应于单一LBA的块145的群组的物理地址(例如，出于逻辑到物理(L2P)映射目的，如本文中所论述)。因此，在一些实施方案中，本文中对关于存储器块发生的操作的引用可替代地关于存储器块的群组发生。

存储器装置110或外部存储器控制器120可存储和维持指示物理地址空间和对应于逻辑地址的逻辑地址空间之间的映射的L2P表。举例来说，L2P表可指示在其中存储与每个逻辑地址相关联的数据的块145的物理地址。在一些情况下，L2P映射表的一个或多个副本可存储在存储器装置110的存储器单元内(例如，一或多个块145内)以供如本文中所描述的控制器(例如，外部存储器控制器120、装置存储器控制器155或本地存储器控制器165)使用(例如，引用和更新)。

在一些情况下，为更新与LBA相关联并且在先前写入到第一块145的数据，可将数据的新(例如经更新)版本写入到第二块145。如本文中所描述的控制器可将保持在第一块145中的数据标记或以其它方式指定为无效或过时，并且可更新L2P映射表以使数据的逻辑地址(例如，LBA)与新的第二块145而非旧的第一块145相关联。存储于第一块145处的前一(例如，过时)版本的数据，以及另外或替代地，第一块145本身可被称为无效的。通常，无效数据可为由于数据的较新版本或经更新版本存储在存储器装置110的不同块145中而变得过时的数据。无效数据可能先前已被编程到无效块145，但可能不再与有效逻辑地址，例如被主机装置105引用的逻辑地址相关联。有效数据可以是存储在存储器装置110上的这类数据的最新版本。不包含数据的块145可为从未被写入或已被清除的块145。

在一些情况下，如本文中所描述的控制器可执行用于存储器装置110的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)。举例来说，控制器可清除存储无效数据的块145，以使得那些块145可用于随后被写入为存储新的有效数据。在一些情况下，控制器可有机会起始一或多个清除操作(例如，在其中存储器装置110不正在执行由主机装置105命令的操作的空闲时段期间)。另外或替代地，控制器可有机会在排程(例如，周期性)基础上起始一或多个清除操作。由于对存储无效数据的块145执行一或多个清除操作，因此已经清除的块145的数目可增加以使得更多块145可用于存储后续数据(例如，随后从主机装置105接收的数据)。

在一些情况下，列表(例如，下文论述的物理块状态(PBS)列表)可以与L2P表结合用以根据本文所公开的实例管理存储器块145的使用和清除。

装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，且可用于接收、发射或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。

在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或这两者。举例来说，存储器装置110可接收指示存储器装置110存储用于主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110将存储于存储器裸片160中的数据提供到主机装置的读取命令。

本地存储器控制器165(例如，对于存储器裸片160在本地)可包含可操作以控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文所描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165或外部存储器控制器120。由此，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于发射信号(例如，到外部存储器控制器120)的发射器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待发射信号的编码器，或可操作用于支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。

外部存储器控制器120可用于使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传达信息、数据或命令中的一或多者。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100的其它组件或主机装置105或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100的其它组件或主机装置105实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦可。

主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可为可操作的以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可为在主机装置105与存储器装置之间运载信息的发射媒体的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或发射媒体(例如，导体)。信号路径可以是可操作以运载信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，其包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫以及在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可为可操作的以充当信道的部分。

信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(CA)信道186、一或多个时钟信号(CK)信道188、一或多个数据(DQ)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(SDR)信令或双倍数据速率(DDR)信令在信道115上传送信令。在SDR信令中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降沿上)进行登记。在DDR信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿上)进行登记。

系统100可包含支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机装置105、存储器装置110或存储器裸片160可包含或可以其它方式存取存储指令(例如，固件)以用于执行本文中属于主机装置105、存储器装置110或存储器裸片160的功能的一或多个非暂时性计算机可读媒体。举例来说，此类指令当由主机装置105、存储器装置110(例如，装置存储器控制器155)或存储器裸片160(例如，本地存储器控制器165)执行时可致使主机装置105、存储器装置110或存储器裸片160执行本文所描述的相关联功能。

图2说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，其可各自可编程以存储不同逻辑状态(例如，经编程到一组两个或更多个可能的状态中的一个)。举例来说，存储器单元205可操作以一次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多级存储器单元205)可为可操作的以每次存储多于一位的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，如参考图1所描述的存储器阵列170。

存储器单元205可使用可配置材料存储逻辑状态，所述可配置材料可被称为存储器元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分或写入极性的材料部分等等。如参考图3更详细描述，存储器单元205的可配置材料可指基于硫族化物的存储组件。举例来说，硫族化物存储元件可用于相变存储器(PCM)单元、定限存储器单元或自选存储器单元中。

存储器裸片200可包含布置成例如网格状图案的图案的存取线(例如，行线210和列线215)。存取线可以由一或多种导电材料形成。在一些实例中，字线210可称作行线。在一些实例中，数字线215可称作列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线或其类似物的引用可在不影响理解或操作的情况下互换。存储器单元205可定位于行线210与列线215的相交点处。

可以通过激活或选择例如行线210或列线215中的一或多个等存取线来对存储器单元205执行例如读取和写入等操作。通过加偏压于行线210和列线215(例如，将电压施加到行线210或列线215)，可存取其相交点处的单个存储器单元205。在二维或三维配置中，行线210和列线215的相交点可被称为存储器单元205的地址。存取线可为与存储器单元205耦合的导电线，并且可用于对存储器单元205执行存取操作。

可通过行解码器220或列解码器225控制对存储器单元205的存取。举例来说，行解码器220可从本地存储器控制器245接收行地址，且基于所接收的行地址激活行线210。列解码器225可从本地存储器控制器245接收列地址且可基于接收到的列地址激活数列线215。

感测组件230可为可操作的以检测存储器单元205的状态(例如，材料状态、电阻、阈值状态)并且基于所存储的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件230可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换因存取存储器单元205产生的信号。感测组件230可将从存储器单元205检测到的信号与参考235(例如参考电压)进行比较。存储器单元205的检测到的逻辑状态可作为感测组件230的输出提供(例如，提供给输入/输出240)，且可向包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件指示检测到的逻辑状态。

本地存储器控制器245可通过各种组件(例如行解码器220、列解码器225、感测组件230)控制对存储器单元205的存取。本地存储器控制器245可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225和感测组件230中的一或多个可以与本地存储器控制器245处于相同位置。本地存储器控制器245可为可操作的以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个，将命令或数据(或这两者)转译成存储器裸片200可使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且基于执行一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到主机装置105。本地存储器控制器245可产生行信号和列地址信号以激活目标行线210和目标列线215。本地存储器控制器245也可产生和控制在存储器裸片200的操作期间使用的各个电压或电流。一般来说，本文中所论述的所施加电压或电流的幅值、形状或持续时间可变化且对于在操作存储器裸片200时论述的各种操作可以是不同的。

本地存储器控制器245可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器245响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)而执行或以其它方式协调。本地存储器控制器245可为可操作的以执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作有关的不与存取存储器单元205直接相关的其它操作。

本地存储器控制器245可为可操作的以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可被编程为存储所要逻辑状态。本地存储器控制器245可识别将在上面执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器245可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标行线210和目标列线215。本地存储器控制器245可激活目标行线210和目标列线215(例如，将电压施加到行线210或列线215)以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器245可在写入操作期间将特定信号(例如，写入脉冲)施加到列线215以将特定状态存储于存储器单元205的存储元件中。用作写入操作的部分的脉冲可包含一持续时间内的一或多个电压电平。

在一些实例中，本地存储器控制器245可利用正常写入方法或强制写入方法执行写入操作。如果使用正常写入方法，那么本地存储器控制器245可在施加第一脉冲时激活感测组件230(或其部分)以确定存储器单元205的逻辑状态。本地存储器控制器245接着可在所确定的逻辑状态不同于目标逻辑状态的情况下施加第二脉冲以写入存储器单元205，但可在所确定的逻辑状态与目标逻辑状态相同的情况下制止将第二脉冲施加到存储器单元205。如果使用强制写入方法，那么本地存储器控制器245可写入到存储器单元而与存储于存储器单元处的逻辑状态无关。在一些此类情况下，在写入操作的一部分期间(例如，在施加包含在强制写入操作中的第一脉冲时)，本地存储器控制器可解除激活感测组件230(或其部分)或可能不锁存感测组件230产生的一或多个信号。

本地存储器控制器245可用于在存储器裸片200的一或多个存储器单元205上执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可以确定存储于存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。本地存储器控制器245可识别其上执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器245可识别与目标存储器单元205(例如，目标存储器单元205的地址)耦合的目标行线210和目标列线215。本地存储器控制器245可激活目标行线210和目标列线215(例如，向行线210或列线215施加电压)以存取目标存储器单元205。感测组件230可检测从存储器单元205接收到的信号，这基于施加到行线210的脉冲、施加到列线的脉冲和/或存储器单元205的电阻或阈值特性。感测组件230可放大信号。本地存储器控制器245可激活感测组件230(例如，锁存感测组件)，并由此比较从存储器单元205接收到的信号与参考信号235。基于所述比较，感测组件230可确定存储在存储器单元205上的逻辑状态。用作读取操作的部分的脉冲可在某一持续时间内包含一或多个电压电平。

图3说明根据本文所公开的实例的存储器阵列300的实例。存储器阵列300可以是参考图1和2所描述的存储器阵列或存储器裸片的部分的实例。存储器阵列300可包含定位在衬底(未示出)上方的存储器单元的第一叠组305以及处于第一阵列或叠组305的顶部上的存储器单元的第二叠组310。虽然存储器阵列300的实例包含两个叠组305、310，但存储器阵列300可包含任何数量的叠组(例如，一个或多于两个)。

存储器阵列300还可包含行线210-a、行线210-b、行线210-c、行线210-d、列线215-a和列线215-b，其可为如参考图2所描述的行线210和列线215的实例。第一叠组305和第二叠组310的一或多个存储器单元可在存取线之间的柱中包含一或多种硫族化物材料。举例来说，存取线之间的单个堆叠可包含第一电极、第一硫族化物材料(例如，选择器组件)、第二电极、第二硫族化物材料(例如，存储元件)或第三电极中的一或多个。虽然图3中包含的一些元件标记有数字指示符，而其它对应元件未经标记，但它们是相同的或将理解为相似的，以便增加所描绘特征的可见性和清晰度。

第一叠组305的一或多个存储器单元可包含电极325-a、存储元件320-a或电极325-b中的一或多个。第二叠组310的一或多个存储器单元可包含电极325-c、存储元件320-b和电极325-d。存储元件320可以是硫族化物材料的实例，例如相变存储元件、定限存储元件或自选存储元件。在一些实例中，第一叠组305和第二叠组310的存储器单元可具有共同导线，使得一或多个叠组305和一或多个叠组310的对应的存储器单元可共享列线215或行线210。举例来说，第二叠组310的第一电极325-c和第一叠组305的第二电极325-b可与列线215-a耦合，使得列线215-a可由竖直邻近存储器单元共享。

在一些实例中，存储元件320的材料可包含硫属化物材料或其它合金，包含硒(Se)、碲(Te)、砷(As)、锑(Sb)、碳(C)、锗(Ge)、硅(Si)或铟(IN)，或其各种组合。在一些实施例中，主要具有硒(Se)、砷(As)和锗(Ge)的硫族化物材料可被称作SAG合金。在一些实例中，SAG合金还可包含硅(Si)且此类硫族化物材料可被称作SiSAG合金。在一些实例中，SAG合金可包含硅(Si)或铟(In)或其组合且此类硫族化物材料可相应地被称作SiSAG合金或InSAG合金，或其组合。在一些实例中，硫族化物玻璃可包含额外元素，例如氢(H)、氧(O)、氮(N)、氯(Cl)或氟(F)，其各自可呈原子或分子形式。

在一些实例中，存储元件320可以是相变存储器单元的实例。在此类实例中，用于存储元件320中的材料可基于合金(例如上文所列的合金)且可操作以便在存储器单元的正常操作期间经历到不同物理状态的相变或改变。举例来说，相变存储器单元可具有非晶状态(例如，相对无序的原子配置)和结晶状态(例如，相对有序的原子配置)。

相变存储器单元可展现出可为硫族化物材料的相变材料的结晶状态和非晶状态的电阻之间存在可观测的差。结晶状态的材料可使原子以周期性结构布置，这可产生相对较低的电阻。相比之下，非晶状态的材料可能不具有或者具有相对少的周期性原子结构，这可具有相对较高的电阻。

材料的非晶和结晶状态之间的电阻值差可能很显著。例如，非晶状态的材料的电阻可比结晶状态的材料的电阻大一或多个数量级。在一些实例中，材料可以是部分非晶的和部分结晶的，并且电阻可具有在完全结晶或完全非晶状态的材料的电阻之间的某一值。在此类实例中，材料可用于存储超过两个逻辑状态(例如，三个或更多个逻辑状态)。

在相变存储器单元(例如，电极325-a、存储元件320-a、电极325-b)的编程(写入)操作期间，编程脉冲的各种参数可影响(例如，确定、设置、编程)存储元件320的材料的特定行为或特性，例如材料的阈值电压或材料的电阻。

为编程相变存储器单元中的低电阻状态(例如，相对结晶状态)，可施加编程脉冲以加热或熔融存储元件320的材料，这可与至少暂时地形成相对无序(例如，非晶)原子布置相关联。可在某一持续时间内减小编程脉冲的振幅(例如，相对缓慢)以允许材料在冷却时形成结晶结构，进而形成稳定的结晶材料状态。

为编程相变存储器单元中的高电阻状态(例如，相对非晶状态)，可施加编程脉冲以加热和/或熔融存储元件320的材料。与用于低电阻状态的编程脉冲相比，可更快速地减小编程脉冲的振幅。在此类情境中，因为处于更无序原子布置中的原子不能够在材料达到稳定状态之前形成结晶结构，所以可以所述原子冷却材料，进而形成稳定的非晶形材料状态。

存储元件320的材料的阈值电压或电阻的差异取决于存储元件320的材料所存储的逻辑状态，所述差异可对应于存储元件320的读取窗口。在一些情况下，存储元件的一部分可经历与逻辑状态相关联的材料改变。

在一些实例中，例如为了对存储器单元或自选存储器单元取阈值，存储器单元所支持的逻辑状态的集合中的一些或全部可与硫族化物材料的非晶状态相关联(例如，处于单个状态的材料可以是可操作的以存储不同的逻辑状态)。在一些实例中，存储元件320可以是自选存储器单元的实例。在这类实例中，存储元件320中使用的材料可基于合金(例如上文所列的合金)，且可操作以便在存储器单元的正常操作期间经历到不同物理状态的改变。举例来说，自选存储器单元可具有高阈值电压状态和低阈值电压状态。高阈值电压状态可对应于第一逻辑状态(例如，重置(RESET)状态)，且低阈值电压状态可对应于第二逻辑状态(例如，设置(SET)状态)。

在自选存储器单元(例如，包含电极325-a、存储元件320-a和电极325-b)的编程(写入)操作期间，用于写入操作的极性可影响(确定、设置、编程)存储元件320的材料的特定行为或特性，例如材料的阈值电压。存储元件320的材料的阈值电压的差异(例如，材料存储逻辑状态‘0’的情况对比存储逻辑状态‘1’的情况的阈值电压之间的差)取决于存储元件320的材料所存储的逻辑状态，所述差异可对应于存储元件320的读取窗口。

在一些实例中，可用正常写入方法写入(例如，编程)存储器阵列300中的存储器单元。举例来说，第一脉冲(在一些情况下，可被称为预读取脉冲或替代地被称为漂移抵消脉冲)可施加于存储器单元以确定存储器单元已经存储的逻辑状态。第一脉冲也可降低从存储器单元先前经编程起发生的存储器单元的阈值电压的漂移。第二脉冲(在一些情况下，可被称为编程脉冲)随后可能或可能不施加于给定存储器单元，这取决于存储器单元已经存储的逻辑状态是否不同于存储器单元的目标逻辑状态。在其它实例中，可用强制写入方法写入存储器单元。举例来说，可能地，在漂移抵消脉冲之后，可将编程脉冲施加到存储器单元而与存储器单元已经存储的逻辑状态无关。

在一些实例中，存储器阵列300的架构可被称作交叉点架构，其中存储器单元形成在行线210与列线215之间的拓扑交叉点处。相较于其它存储器架构，这类交叉点架构可以较低的生产成本提供相对高密度的数据存储。举例来说，交叉点架构可具有具有减小的面积并因而与其它架构相比具有增大的存储器单元密度的存储器单元。举例来说，所述架构与具有6F2存储器单元区域的其它架构(例如具有三端选择器元件的那些架构)相比，可具有4F2存储器单元区域，其中F是最小特征大小。举例来说，DRAM可使用晶体管，其为三端子装置，作为用于每个存储器单元的选择器元件，并且与交叉点架构相比可具有较大的存储器单元面积。

虽然图3的实例展示两个存储器叠组，但其它配置是可能的。在一些实例中，可在衬底上方构造存储器单元的单个存储器叠组，其可被称作二维存储器。在一些实例中，存储器单元的两个或大于两个叠组可以类似方式在三维交叉点架构中配置。此外，在一些情况下，图3中所示或参考其所描述的元件可如所示或描述地彼此电耦合但在物理上重新布置(例如，存储元件320和可能的选择元件或电极325可在行线210与列线215之间电串联，但不需要处于柱或堆叠配置中)。

在一些实例中，存储器装置可希望将一或多个存储器单元写入到重置状态或设置状态。在一些情况下，存储器装置可利用正常写入方法达成存储器单元的重置或设置状态。

如果实施正常写入方法，那么存储器装置可检查经历写入命令的任何存储器单元是否已经存储目标逻辑状态(例如，已经处于重置状态)。存储器装置可在存储器单元被识别为存储除与写入操作相关联的目标逻辑状态以外的逻辑状态的情况下写入存储器单元(例如，存储器装置可在存储器单元被识别为先前处于设置状态的情况下将存储器单元写入到重置状态，反之亦然)，且存储器装置可在制止写入被识别为已经处于目标状态中的存储器单元(例如，存储器装置可在存储器单元被识别为已经处于重置状态中的情况下制止将存储器单元写入到重置状态，或在存储器单元被识别为已经处于置位状态中的情况下制止将存储器单元写入到置位状态)。

举例来说，如果实施正常写入方法，那么存储器装置可首先将漂移抵消(DC)脉冲施加到由写入命令指示的每一存储器单元以将所述存储器单元置于目标状态中。在一些实例中，DC脉冲可降低对于先前经编程存储器单元可随时间发生的阈值电压漂移。作为一个实例，在编程到给定状态之后，存储器单元的阈值电压可归因于对存储器单元执行读取操作而发生漂移，原因是读取操作可能倾向于将存储器单元的阈值电压朝向与用作读取操作的部分的脉冲的极性相关联的状态推动(例如，移位)。另外或替代地，存储器单元的阈值电压可归因于对同一存储器阵列中的其它(例如，相邻)存储器单元执行存取(例如，读取或写入)操作而发生漂移，原因是施加到其它存储器单元的脉冲可致使阵列内的存取线的电压波动，所述电压波动可将存储器单元的阈值电压朝向一个状态或另一状态推动(例如，移位)。另外或替代地，存储器单元的阈值电压可仅归因于在存储器单元经编程之后经过的时间而发生漂移。DC脉冲的施加可降低存储器单元上累积的漂移并且在发生漂移之前将存储器单元恢复到其在先前被写入的状态。

另外，DC脉冲可供存储器装置用于确定存储器单元目前是否存储不同于与写入操作相关联的逻辑状态(例如，重置状态)的逻辑状态(例如，设置状态)。在一些实例中，例如在其中存储器单元包括硫族化物材料的实例中，随着存储器单元上的电压从零增加到小于存储器单元的阈值电压的值，相对少的电流可流过存储器单元。也就是说，如果存储器单元上的电压低于阈值电压，那么存储器单元可展现相对高的电阻。响应于存储器单元上的电压从小于阈值电压的电压增加到大于阈值电压的电压，穿过存储器单元的电流可快速增加。随着穿过存储器单元的电流增加，存储器单元上的电压可减小直到电压达到介于零和阈值电压之间的中间电压为止。也就是说，存储器单元可在存储器单元上电压达到中间电压之前一直展现负电阻，这可被称为突返事件。在存储器单元上的电压达到中间电压之后，存储器单元可再次展现正电阻且所述单元上的电压可再次逐渐增加到超过阈值电压。

因此，DC脉冲可具有处于与设置状态相关联的标称阈值电压和与重置状态相关联的标称阈值电压(例如，高于与设置状态相关联的标称阈值电压，低于与重置状态相关联的标称阈值电压)之间的量值，使得设置状态中的存储器单元可展现相应突返事件，但已经处于重置状态中的存储器单元可能不展现(例如，经历、被检测为具有)突返事件。另外，可施加与编程脉冲具有相反极性的DC脉冲。在一些情况下，观察到的存储器单元的阈值电压可取决于施加到存储器单元的电压的极性。施加与编程脉冲具有相反极性的DC脉冲可有助于确保处于设置状态中的存储器单元可展现突返事件，且处于重置状态中的存储器单元不展现突返事件。使用DC脉冲确定存储器单元的状态也可被称作预读取操作。

在一些情况下，存储器装置可激活突返检测装置，例如感测组件(例如，参考图2所描述的感测组件230)或其中的感测放大器以检测存储器单元是否在施加DC脉冲时展现突返事件。突返检测装置可产生指示存储器单元是否展现突返事件的信号。锁存器可基于突返检测装置产生的信号，锁存(例如，存储)存储器单元是否展现突返事件的指示，所述指示也可指示在施加DC脉冲的时间处存储器单元的相应状态。

在将DC脉冲施加到将被写入到重置状态的存储器单元集之后，存储器装置可将编程脉冲施加到响应于DC脉冲而展现突返事件的那些存储器单元。也就是说，如果利用正常写入方法编程重置状态，那么存储器装置可制止将编程脉冲施加到不展现突返事件的存储器单元，原因是那些存储器单元已经处于重置状态中。对于重置写入操作，编程脉冲可具有正极性。

替代地，在将DC脉冲施加到将被写入到设置状态的存储器单元集之后，存储器装置可将编程脉冲施加到响应于DC脉冲不展现突返事件的那些存储器单元。也就是说，如果利用正常写入方法编程设置状态，那么存储器装置可制止将编程脉冲施加到展现突返事件的存储器单元，原因是那些存储器单元已经处于设置状态中。对于设置写入操作，编程脉冲可具有负极性。

应理解，本文中对正和负极性的任何提及仅为论述清楚起见且对权利要求不具限制性，一般技术人员将了解，在给定实施方案中脉冲的什么极性被视为正以及什么极性被视为负可为任意的。

强制写入方法可类似于正常写入方法，但在不考虑存储器单元是否已经处于目标状态中的情况下将编程脉冲施加到每一存储器单元。举例来说，存储器装置可将编程脉冲施加到所有目标存储器单元以将所述所有目标存储器单元写入到目标状态。

在一些情况下，存储器装置可在编程脉冲之前施加DC脉冲以降低漂移，这类似于正常写入方法。在一些实例中，如果实施强制写入方法来将存储器单元写入到目标状态，那么存储器装置可在施加DC脉冲时制止检测突返事件。举例来说，存储器装置可解除激活(或制止激活)突返检测装置(例如，感测组件230或其中的一或多个感测放大器)以制止检测经历DC脉冲的一些存储器单元可展现的突返事件。作为另一实例，存储器装置可制止锁存突返检测装置产生的信号(例如，经历DC脉冲的存储器单元的状态的相应指示)。

图4说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的列表和相关联控制400的实例。列表和光标可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，表和相关联组件可由参考图1到3所描述的存储器系统实施。在一些实例中，列表和光标可用于执行如本文中所公开的方法(例如，方法500、600和700)。

列表和光标可用于物理块地址管理以便减少物理存储器块的耗损。列表和光标可用于确定应以什么次序写入和清除物理存储器块。

列表405可具有多个位置410(例如，410-a、410-b、……、410-N)，开头为第一位置410-a且结尾为最后一个位置410-N。在一些实例中，列表405可为循环表，使得在使用期间，列表底部可回绕到列表顶部。也就是说，一旦达到最后一个位置410-N，第一位置410-a便可被视为列表中的下一位置。

与一或多个物理存储器块(例如，图1的存储器块145)相关联的物理地址可存储于每个列表位置410中。因而，每个列表位置410可与不同物理存储器块或其群组相关联。列表405可用于管理物理存储器块的使用(例如，写入和清除)。因而，列表405可称为物理块状态(PBS)列表。

为管理列表405，可使用数个光标。光标和列表405可用于识别可(i)含有有效数据，(ii)含有无效数据，以及(iii)不含有数据的存储器块。列表405也可指示其中可使用存储器块的次序。举例来说，列表405可用于确定其中可写入和清除存储器块的次序。

写入光标(WrC)415可用于确定将用以存储与新接收的写入命令相关联的数据的物理存储器块。写入光标415可识别(例如，指向)列表中的“写入”位置440(例如，处于位置410-c处)。响应于(例如，从主机)接收到写入命令，与写入命令相关联的数据可存储(例如，写入)到与存储于写入位置440中的地址相关联的存储器块。在已写入数据之后，写入光标415可更新(例如，递增)以识别列表中的下一位置(例如，410-d)，所述下一位置可变成新的写入位置440。以此方式，写入光标415可据称为“向下移动到”列表中的下一位置。将被写入的下一存储器块的地址可含于新写入位置中。

清除光标(ClC)420可用于确定将清除的物理存储器块。清除光标420可识别(例如，指向)列表中的“清除”位置441(例如，处于位置410-e处)。与存储于清除位置441中的地址相关联的存储器块可为含有无效(例如，过时)数据的下一存储器块，将通过擦除来自存储器块的任何数据(例如，通过写入存储器块的一或多个单元以使得存储器块内的所有单元被设置为相同状态或逻辑值)来清除所述下一存储器块。一旦存储器块已经清除，清除光标420可更新(例如，递增)为指向列表中的下一位置(例如，410-f)，所述下一位置可变成新的清除位置441。以此方式，清除光标420可据称为“向下移动到”列表中的下一位置。将被清除的下一存储器块的地址可含于新清除位置中。

列表结尾光标(EoLC)425可识别列表结尾将被清除的存储器块(例如，含有无效数据)。列表结尾光标425可识别(例如，指向)列表中的可用于存储其数据变得无效的下一物理存储器块的地址的“列表结尾”位置442(例如，处于位置410-h处)。在一些情况下，紧接在列表结尾位置442之前的列表位置(例如，位置410-g)可包含其数据已经无效的物理存储器块的地址。当物理存储器块变得无效(例如，所述块所存储的数据变得过时或以其它方式无效)时，无效的存储器块的地址可被写入到列表结尾位置442且列表结尾光标425可更新(例如，递增)为指向列表中的下一位置(例如，410-i)，所述下一位置随后可用以存储将变成无效的下一物理存储器块的地址。此新位置(例如，410-i)可变成新的列表结尾位置442。

举例来说，当接收到用于与LBA相关联的数据的写入命令时，可将所述数据写入到其地址指向写入光标415(例如，由写入光标415指示)的第一存储器块。在一些情况下，可检查L2P表，如果LBA已经包含在L2P表中，那么这可为与LBA相关联的数据先前已写入到通过L2P表与LBA相关联的第二存储器块的指示。因此，与新接收的写入命令相关联的新数据可已经致使存储到第二存储器块的数据(例如，先前被写入且现在过时的版本的数据)无效，且因此，第二存储器块的地址可被写入到指向列表结尾光标425(例如，由列表结尾光标425指示)的位置。另外，L2P表可更新为使被写入新数据的第一存储器块与LBA(而非先前与LBA相关联的第二存储器块)相关联。

在操作期间，光标415、420和425可各自独立地向下移动穿过列表405。一旦光标可到达列表405的底部，光标便可更新为指向列表405的第一位置。随着写入光标415可向下移动穿过列表，与当前写入光标位置440上方的列表位置相关联的存储器块(例如，群组430)可能已经写入并且可含有有效数据。随着清除光标420可向下移动穿过列表，与当前清除光标位置441上方的列表位置相关联的存储器块(例如，群组431)可能已经清除(例如，擦除)并且不含有数据。随着列表结尾光标425可向下移动穿过列表，与列表结尾位置442上方的列表位置相关联的存储器块(例如，群组432)可含有无效数据(例如，过时数据)。

在一些情况下，可在重写之前擦除(清除)存储器块。在那些情况下，写入光标415可能不到达或通过清除光标420。在一些情况下，可能不希望擦除含有有效数据的存储器块。因此，清除光标420可能不到达或通过列表结尾光标425。鉴于此，与介于清除位置441和列表结尾位置442之间的位置相关联的存储器块(例如，群组432)可含有无效数据并且可准备好被清除，与介于写入位置440和清除位置441之间的位置相关联的存储器块(例如，群组431)可能已经清除且因此准备好被重写，且与介于写入位置440和列表结尾位置442之间的位置或某一其它开始位置相关联的存储器块(例如，群组430)可含有有效数据。

图5说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法500的实例。方法500的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由参考图1到4所描述的存储器系统执行。举例来说，方法500的方面可由如本文所描述的一或多个控制器以及其它组件实施。另外或替代地，方法500的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于与控制器耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令当由控制器执行时可致使控制器执行方法500的一或多个操作。

使用方法500，可在存储器装置操作的过程中执行使用不同方法的存储器块清除。另外，使用方法500，可在已使用第一类型的清除(例如，使用正常写入方法)执行某一目标数量的清除(或大致目标数量的清除)之后以设置的时间间隔使用第二类型的清除(例如，使用强制写入方法)。

方法500可采用列表405和写入光标415、清除光标420和列表结尾光标425。在一些实例中，写入计数器(WrC_Cnt)530、清除旗标(Cl_Flag)535和清除结束指针(ClC_End)540还可以用于帮助确定将用于存储器块的特定清除操作的写入操作的类型。写入计数器530可用于指示执行的写入操作的数目。清除旗标535可识别将使用的清除类型(例如，第一类型或第二类型)。清除结束指针540可指向第二类型的清除可结束时的列表位置。写入计数器530可初始化为零且清除旗标535可初始化为非设置状态(例如，重置为“0”)。

如果清除旗标并未经设置(例如，处于重置状态中，具有第一逻辑值，例如逻辑0)，那么可使用第一类型的清除操作清除存储器块(例如，使用正常写入擦除存储器单元)。响应于接收到命令并且执行存储器块的对应写入操作，写入计数器530可递增并且与阈值进行比较。在一些实例中，阈值可与列表405中的位置数目有关。举例来说，阈值可等于N*P，其中N是在操作存储器装置的某一持续时间内(例如，在存储器装置的寿命内或在对于清除存储器块N次或更多次来说足够长的某一其它持续时间内)使用第一类型的清除(例如，使用正常写入方法)清除个别存储器块的次数与使用第二类型的清除(例如，使用强制写入方法)清除存储器块的次数的所要比率，且P是列表中的位置总数目。在一些实例中，阈值可与列表内的可用地址数目有关。举例来说，阈值可等于N*距离(EoLC,WrC)，其中距离(EoLC,WrC)是列表中处于与列表结尾光标和写入光标相关联的位置之间的位置数目。N可以是任何所要阈值。举例来说，N可设置为100、200、400，或使用第一类型的清除的清除数目与使用第二类型的清除的清除数目的任何其它所要比率。

响应于写入计数器530的值达到阈值，清除旗标535可经设置(例如，可开始具有第二逻辑值，例如逻辑1)以触发第二类型的存储器块清除的使用(例如，使用强制写入擦除存储器单元)。写入计数器530也可重置(例如，后置为零)且可致使清除结束指针540指向列表中的在时间上紧接在列表结尾光标425识别的列表结尾位置之前的位置。不管是否达到阈值，写入光标415可递增到指向列表中的在每个写入操作之后的下一写入位置。

独立地，如果将执行存储器块的清除，那么可确定将使用的清除类型。清除类型可基于清除旗标535。在一些实例中，如果清除旗标未经设置，那么可使用第一清除类型，且如果清除旗标可经设置，那么可使用第二清除类型。在一些实例中，第一类型和第二类型的清除操作可分别对应于使用第一类型和第二类型的写入操作的清除。在一些实例中，第一类型的写入操作可对应于正常写入操作且第二类型的写入操作可对应于强制写入操作。在每个存储器块清除之后，清除光标420可递增到指向列表中的下一清除位置。

在清除旗标535已经设置之后，清除结束指针540可用于确定重置清除旗标。在一些实例中，可响应于清除光标420到达清除结束指针540指向的列表位置而重置清除旗标535(例如，设置为“0”)。虽然列表结尾光标425可继续向下移动穿过列表405，但清除结束指针540可继续指向列表405中的同一位置直到清除旗标535经重置为止。

使用图5，现将给出实例。首先，清除旗标535可未经设置且写入计数器530可设置为零。在可执行存储器块的写入操作时，写入光标415可向下移动穿过列表405。对于每个写入操作，写入计数器530可递增并且将值与阈值进行比较。只要写入计数器530保持低于阈值，清除旗标535便可保持无变化(例如，未设置)。

并行地，在可执行存储器块的清除时，清除光标420也可向下移动穿过列表405，停留在写入光标415之前。在每个清除之前，可基于清除旗标535的值确定将使用的清除类型。只要写入计数器530的值保持低于阈值，清除旗标535可保持未设置。因为这一点，可使用第一类型的清除(例如使用正常写入方法)清除存储器块。

在某一点，写入计数器530可递增以使得写入计数器530的值可达到阈值。在此点，所述方法可设置清除旗标535(例如，设置为“1”)并且重置写入计数器530(例如，设置为零)。所述方法也可致使清除结束指针540指向(例如，存储或以其它方式反映)列表中在所述时间紧接在列表结尾光标425识别的列表结尾位置442之前的位置。图5可反映从写入计数器530的值达到阈值的时间起，写入光标415、清除光标420、列表结尾光标425和清除结束指针540的位置。

因为现在可设置清除旗标535，所以可使用第二类型的清除(例如，使用强制写入方法)清除将清除的下一存储器块。在清除光标420向下移动穿过列表405时，可使用第二类型的清除来清除对应存储器块。这可继续直到清除光标420识别的清除位置441到达由清除结束指针540指示的列表位置为止。在此点，清除旗标535可重置(例如，设置为“0”)以使得可再次使用第一类型的清除用于未来清除。在一些实例中，所述方法也可重置写入计数器530(例如，将其设置为零)。

写入计数器530和清除旗标535可回到其初始值。因而，可对那些值重复所述方法直到写入计数器530的值再次达到阈值为止。只要需要便可继续此循环。

图6是说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法600的流程图。方法600的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法600的方面可由控制器以及其它组件实施。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制系统的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，方法600的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于与存储器装置110耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令在由控制器(例如，装置存储器控制器155或本地存储器控制器165)执行时可致使控制器执行方法600的操作。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在一些实例中，每当存储器装置(例如，从主机)接收到写入命令时可执行方法600。方法600可以与物理块状态列表和其控制组件结合使用。举例来说，方法600可与参考图4和5论述的列表和组件一起使用。

一般来说，响应于接收到写入命令，可使计数器递增并且与阈值进行比较。如果计数器已达到阈值且清除旗标尚未经设置，那么可设置清除旗标，可重置计数器，且可执行写入操作。如果尚未达到阈值或清除旗标已经设置，那么可在不重置计数器或设置清除旗标的情况下执行写入操作。

在605处，可(例如，从主机装置)接收写入命令。所述写入命令可指示相关联数据将写入到存储器块。

在610处，为确定将使用存储器块存储数据，可获得存储器块地址。在一些实例中，可从存储器块地址列表(例如，列表405)获得地址。写入光标(例如，写入光标415)可用于确定使用列表中的哪个地址。写入光标可识别(或指向)列表中的在其中存储存储器块地址的位置。可通过使用写入指针作为到列表中的偏移来获得地址。可指定与识别的地址相关联的存储器块用于写入操作。

在615处，可识别下一存储器块地址的方位。在一些实例中，可更新写入光标(例如，使写入光标递增)以识别(或指向)列表中的下一位置。用于写入的下一存储器块的地址可存储于所述列表位置中。

在620处，可使写入计数器(例如，写入计数器530)递增。写入计数器可反映从起始或重置写入计数器起可能已使用与列表相关联的存储器块中的任一个用于写入操作的次数。

在625处，可确定是否可设置清除旗标(例如，清除旗标535)。在一些实例中，旗标在等于“1”的情况下可被视为经设置。在一些实例中，旗标在等于“0”的情况下可被视为经设置。如果旗标未经设置，那么方法可继续到630以确定写入计数器的值是否已达到阈值。否则，如果旗标经设置，那么方法可继续到650以执行写入操作。

在630处，可将写入计数器的值与阈值进行比较以确定所述值是否已达到阈值。在一些实例中，阈值可基于列表中的地址位置的数目。在一些实例中，阈值可等于列表中的地址数目乘以预定数。阈值可以是如本文中所论述的任何所要量。如果写入计数器值已达到阈值，那么方法可继续到635。否则，如果写入计数器值尚未达到阈值，那么方法可继续到650以存储与写入操作相关联的数据。

虽然625示出为在630之前执行，但在一些实例中，630可在625之前执行。在那些情况下，可在确定清除旗标是否经设置之前将写入计数器值与阈值进行比较。在一些实例中，625和630可组合成单个步骤。也就是说，可同时检查清除旗标和写入计数器值。不管次序如何，方法均可在旗标可能未经设置的情况下且写入计数器可已达到阈值继续到635。如果可能尚未满足这两个条件，那么方法可继续到650。

在635处，可更新清除结束指针(例如，清除结束指针540)以识别或指向列表中的位置。在一些实例中，可更新清除结束指针以识别随后由列表结束光标(例如，列表结尾光标425)识别的位置。在一些实例中，可更新清除结束指针以替代地识别列表中的处于列表结尾光标识别(或指向)的位置之前的位置。

在640处，可设置清除旗标。在一些实例中，这可包含将旗标设置为“1”。在一些实例中，这可包含将旗标设置为“0”。在一些实例中，设置清除旗标可为发信号指示使用第二类型的清除操作开始清除操作。在一些实例中，可(例如，在一或多个清除操作完成之后，如参考图7所论述)通过单独的非相依方法重置清除旗标。

在645处，可重置写入计数器(例如，写入计数器530)。这可包含将写入计数器设置为零。

在650处，可将与在605处接收到的写入命令相关联的数据(例如，从主机装置接收的数据)存储(例如，写入)到与在610处获得的地址相关联的存储器块。

图7是说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法700的流程图。方法700的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法700的方面可由控制器以及其它组件实施。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制装置的功能元件执行下文所描述的功能。另外或替代地，方法700的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于与存储器装置110耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令在由控制器(例如，装置存储器控制器155或本地存储器控制器165)执行时可致使控制器执行方法700的操作。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在一些实例中，每当将对存储器块执行清除时可执行方法700。方法700可以与物理块状态列表和其控制组件结合使用。举例来说，方法700可与参考图4和5论述的列表和组件一起使用。

一般来说，在确定清除存储器块之后，可首先检查清除旗标的值。可基于清除旗标的值，使用特定类型的清除来清除存储器块。在清除存储器块之后，可使清除光标递增，且如果旗标经设置，那么可将清除光标与清除结束指针进行比较指针。如果清除光标与清除结束指针指向同一列表方位，那么可重置清除旗标。

在705处，可确定清除存储器块。在一些实例中，可(例如，从主机装置或从存储器控制器)接收到执行清除的命令。在一些实例中，可在未接收到命令的情况下做出所述确定。

在710处，可识别清除旗标(例如，清除旗标535)的值。旗标的值可指示将用于清除存储器块的写入操作的类型。在一些实例中，清除旗标可处于设置状态或重置状态。在一些实例中，所述旗标可在等于“1”的情况下被视为经设置且在等于“0”的情况下被视为经重置。在其它实例中，旗标可在等于“0”的情况下被视为经设置并且在等于“1”的情况下被视为经重置。在一些实例中，可以通过单独的非相依方法(例如，在方法600的640处)将旗标独立地编程到设置状态。基于旗标的值，方法可继续到715(在旗标未经设置的情况下)或725(在旗标经设置的情况下)以使用特定类型的写入操作执行清除操作。

在715处，因为清除旗标可能未经设置，所以可对存储器块执行第一类型的清除操作。在一些实例中，可使用清除光标(例如，使用清除光标420)从列表(例如，列表405)获得存储器块的地址。清除光标可识别(或指向)列表中的在其中可存储存储器块的地址的位置。可通过使用清除光标作为到列表中的偏移，例如以关于图4论述的方式获得地址。在一些实例中，第一类型的清除操作可为使用第一类型的写入操作的清除。在一些实例中，第一类型的写入操作可为正常写入操作。在那些情况下，可使用如本文中所论述的正常写入操作清除存储器块的存储器单元(例如，擦除或编程到重置状态)。

在720处，可更新清除光标(例如，使清除光标递增)以识别(或指向)列表中的下一位置。将清除的下一存储器块的地址可存储于所述列表位置中。

在725处，因为清除旗标可能经设置，所以可对存储器块执行第二类型的清除操作。类似于715，可使用清除光标和列表确定存储器块。在一些实例中，第二类型的清除操作可为使用第二类型的写入操作的清除。在一些实例中，第二类型的写入操作可为强制写入操作。在那些情况下，可使用如本文中所论述的强制写入操作清除存储器块的存储器单元(例如，擦除或编程到重置状态)。

在730处，可例如以与720处论述的方式相同的方式，更新清除光标(例如，使清除光标递增)以识别(或指向)列表中的下一位置。

在735处，因为清除旗标可能经设置，所以可将清除光标与清除结束指针(例如清除结束指针540)进行比较以确定光标和指针两者是否均识别(或指向)列表中的同一位置。在一些实例中，可通过单独的非相依方法(例如，在方法600的635处)将清除结束指针设置为识别(或指向)列表中的位置。如果清除光标和清除结束指针识别同一列表位置，那么方法可继续到740。否则，方法可绕过740。

在740处，可重置清除旗标(例如，编程到未设置状态)。这可表示在可再次设置清除旗标之前，第一类型的清除操作可用于将被清除的下一存储器块并且可用于将被清除的下一存储器块之后的存储器块(例如，通过方法600，上文所论述)。

在一些实例中，方法600和700可以与彼此结合用以确定是否使用第一类型或第二类型的清除操作清除存储器块。举例来说，方法600可用于设置清除旗标并且安设清除结束指针，且方法700可用于响应于清除光标到达清除结束指针指向的位置而重置清除旗标。

图8示出根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的存储器系统820的框图800。存储器系统820可为如参考图1到7描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统820或其各种组件可为用于执行如本文中所描述的使用多种类型的写入操作清除存储器块的各个方面的装置的实例。举例来说，存储器系统820可包含确定组件825、外围读取器830、选择组件835、存储器块清除器840、命令接收器845、存储器块写入器850、外围写入器855、列表读取器860、列表写入器865或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接(例如经由一或多个总线)彼此通信。

确定组件825可配置为或以其它方式支持用于确定清除包含存储器单元集的存储器块的装置，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中。外围读取器830可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定清除存储器块来识别旗标的值的装置，其中所述旗标的值可指示用于清除存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作的类型。选择组件835可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述旗标的所述值选择将用于清除所述存储器块的写入操作的类型的装置，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择。存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于使用所述选择的类型的写入操作清除所述存储器块的装置。

在一些实例中，清除存储器块可引起存储器块内的每一存储器单元处于相同状态。在一些实例中，存储器块可至少部分地基于被清除而可用于存储新数据。

在一些实例中，为支持选择写入操作类型，选择组件835可配置为或以其它方式支持用于选择第一写入操作类型的装置。

在一些实例中，为支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于识别所述存储器单元集内的各自处于第一状态中的存储器单元子集的装置。在一些实例中，为支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到第二状态的装置。

在一些实例中，为支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集的装置。

在一些实例中，为了支持将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，识别所述存储器单元子集可至少部分地基于施加所述第一脉冲。

在一些实例中，为了支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于识别所述存储器单元集内的各自处于第二状态中的第二存储器单元子集的装置。在一些实例中，为了支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，为了支持选择写入操作类型，选择组件835可配置为或以其它方式支持用于选择第二写入操作类型的装置。

在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于在所述存储器块的所述清除之后，将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型的装置。

在一些实例中，为了支持选择写入操作类型，选择组件835可配置为或以其它方式支持用于选择第二写入操作类型的装置。

在一些实例中，为了支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将所述存储器单元集内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中的装置。

在一些实例中，为了支持清除存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，为了支持将所述存储器单元集中的每一存储器单元写入到第二状态，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于在施加所述第一脉冲之后将第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元的装置，所述第二脉冲具有不同于所述第一极性的第二极性。

在一些实例中，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于从存储器块地址列表获得存储器块的地址的装置。在一些实例中，可至少部分地基于反映地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述地址。在一些实例中，确定清除所述存储器块可至少部分地基于所述获得的地址。

在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于在将所述旗标的所述值设置为所述获得的值之后即刻确定所述地址列表中的第三位置的装置。在一些实例中，列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于清除所述存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置的装置。在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置的装置。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型的装置，所述改变至少部分地基于确定所述清除指针反映所述确定的第三位置。

命令接收器845可配置为或以其它方式支持用于接收与数据集相关联的写入命令的装置。存储器块写入器850可配置为或以其它方式支持用于响应于所述写入命令而将所述数据集写入到存储器块的装置，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中。外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于将所述数据集写入到所述存储器块，使计数器的值递增的装置。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述递增致使计数器的值满足阈值来设置旗标的值的装置，其中所述旗标的所述值可指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作类型。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于设置所述旗标的所述值来重置所述计数器的所述值的装置。

在一些实例中，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于响应于所述写入命令，从可包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址的装置，其中所述阈值可至少部分地基于所述地址列表内的可用地址数量。在一些实例中，所述地址列表内的所述可用地址数量可包含所述地址列表内的与可用于存储新数据的存储器块相关联的地址数量。

在一些实例中，为了支持从地址列表获得存储器块的地址，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的写入指针，从所述位置获得所述存储器块的所述地址的装置。

在一些实例中，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于响应于所述写入命令，从可包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址的装置。在一些实例中，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于在设置所述旗标的所述值之后识别第二存储器块的第二地址的装置，所述第二地址包含在所述地址列表中。在一些实例中，选择组件835可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述旗标的所述值选择用于清除所述第二存储器块的写入操作的类型的装置，所述类型在可包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择。在一些实例中，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于使用所述选择的类型的写入操作清除所述第二存储器块的装置。

在一些实例中，为了支持识别第二地址，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述第二地址的装置。在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述获得的第二地址来选择用于清除的所述第二存储器块的装置。

在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置的装置。在一些实例中，列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于清除所述第二存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置的装置。在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置的装置。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述清除指针反映所述地址列表中的所述确定的第三位置，重置所述旗标的所述值的装置。

在一些实例中，为了支持获得存储器块的地址，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于反映所述地址列表中的第一位置的写入指针，从所述第一位置获得第一地址的装置。

在一些实例中，为了支持识别第二地址，列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于反映所述地址列表中的第二位置的清除指针，从所述第二位置获得所述第二地址的装置。

在一些实例中，所述阈值可至少部分地基于所述地址列表中的介于所述地址列表中的所述第一位置和第二位置之间的位置数量，所述第二位置由列表结尾指针反映。

列表读取器860可配置为或以其它方式支持用于从存储器块集的地址列表获得第一存储器块的第一地址的装置，所述存储器块各自包含存储器单元集，其中可至少部分地基于反映地址列表中的第一位置的第一指针，从所述第一位置获得第一地址。在一些实例中，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于旗标未经设置，使用第一类型的写入操作清除所述第一存储器块的装置。列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于在清除所述第一存储器块之后，使所述第一指针递增以反映所述地址列表中的下一位置的装置。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于在清除所述第一存储器块之后设置所述旗标的装置。在一些实例中，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述旗标经设置，使用第二类型的写入操作清除存储器块子集的装置，所述存储器块子集具有定位于所述地址列表中介于第一指针反映的所述下一位置与第二指针反映的第二位置之间的地址。在一些实例中，外围写入器855可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述存储器块子集的所述清除完成来重置所述旗标的装置。

在一些实例中，列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于在重置所述旗标之后，将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的第三位置的装置。在一些实例中，列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于从地址列表中的第三位置获得第二地址的装置，其中可至少部分地基于所述第一指针反映所述第三位置，从所述第三位置获得第二地址。在一些实例中，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于使用所述第一类型的写入操作清除与所述第二地址相关联的第二存储器块的装置，其中使用所述第一类型的写入操作可至少部分地基于所述旗标经重置。

在一些实例中，为了支持清除第一存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于识别所述第一存储器块的存储器单元集内的可各自处于第一状态中的第一存储器单元子集的装置。在一些实例中，为了支持清除第一存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于在所述第一存储器块的所述存储器单元集内识别所述第一存储器块的可各自处于第二状态中的第二存储器单元子集的装置。在一些实例中，为了支持清除第一存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将所述第一存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态的装置。在一些实例中，为了支持清除第一存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，为了支持清除第一存储器块，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有第一极性的第一脉冲施加到所述第一存储器块的所述存储器单元集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，为了支持将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，识别所述存储器单元子集可至少部分地基于施加所述第一脉冲。

在一些实例中，为了支持使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于对于所述存储器块子集中的每个存储器块，将所述存储器块内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中的装置。

在一些实例中，为了支持使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于对于存储器块子集中的每个存储器块，将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，为了支持写入所述存储器块内的每一存储器单元，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元的装置。

在一些实例中，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置的装置。

在一些实例中，为了支持对于存储器块子集中的每个存储器块，清除存储器块子集，存储器块清除器840可配置为或以其它方式支持用于使用所述第二类型的写入操作清除所述第一指针反映的所述存储器块的装置。在一些实例中，为了支持对于存储器块子集中的每个存储器块，清除存储器块子集，列表写入器865可配置为或以其它方式支持用于将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的所述下一位置的装置。在一些实例中，为了支持对于存储器块子集中的每个存储器块，清除存储器块子集，确定组件825可配置为或以其它方式支持用于确定所述第一指针是否反映所述地址列表中的所述第三位置的装置。

图9示出说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法900的流程图。方法900的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法900的操作可由参考图1到8所描述的存储器系统实施。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在905处，所述方法可包含确定清除包含存储器单元集的存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中。可根据本文所公开的实例执行905的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的确定组件825执行905的操作的方面。

在910处，所述方法可包含至少部分地基于确定清除存储器块来识别旗标的值，其中所述旗标的值指示用于清除存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作的类型。可根据本文所公开的实例执行910的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围读取器830执行910的操作的方面。

在915处，所述方法可包含至少部分地基于所述旗标的所述值选择将用于清除所述存储器块的写入操作的类型，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择。可根据本文所公开的实例执行915的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的选择组件835执行915的操作的方面。

在920处，所述方法可包含使用所述选择的类型的写入操作清除所述存储器块。可根据本文所公开的实例执行920的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的存储器块清除器840执行920的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法900。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：确定清除包含存储器单元集的存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中；至少部分地基于确定清除存储器块来识别旗标的值，其中所述旗标的值指示用于清除存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作的类型；至少部分地基于所述旗标的所述值选择将用于清除所述存储器块的写入操作的类型，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择；和使用所述选择的类型的写入操作清除所述存储器块。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：清除存储器块引起存储器块内的每一存储器单元处于相同状态且存储器块可至少部分地基于被清除而可用于存储新数据。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，选择写入操作类型可包含用于选择第一写入操作类型的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，清除存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：识别所述存储器单元集内的可各自处于第一状态中的存储器单元子集；和将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到第二状态。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，清除存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：识别所述存储器单元子集可至少部分地基于施加所述第一脉冲。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，清除存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：识别所述存储器单元集内的可各自处于第二状态中的第二存储器单元子集；和制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，选择写入操作类型可包含用于选择第二写入操作类型的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在所述存储器块的所述清除之后，将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，选择写入操作类型可包含用于选择第二写入操作类型的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，清除存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将所述存储器单元集内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，清除存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集内的每一存储器单元。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，将所述存储器单元集中的每一存储器单元写入到第二状态可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在施加所述第一脉冲之后将第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元，所述第二脉冲具有不同于所述第一极性的第二极性。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于从存储器块地址列表获得存储器块的地址的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。

在本文所描述的方法900和设备的一些实例中，可至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述第二地址的装置。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定清除所述存储器块可至少部分地基于所述获得的地址。

本文所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在将所述旗标的所述值设置为所述获得的值之后即刻确定所述地址列表中的第三位置；至少部分地基于清除所述存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置；在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置；和将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型，所述改变至少部分地基于确定所述清除指针反映所述确定的第三位置。

图10示出说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法1000的流程图。方法1000的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法1000的操作可由参考图1到8所描述的存储器系统实施。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在1005处，所述方法可包含接收与数据集相关联的写入命令。可根据本文所公开的实例执行1005的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的命令接收器845执行1005的操作的方面。

在1010处，所述方法可包含响应于所述写入命令而将所述数据集写入到存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中。可根据如本文中所公开的实例执行1010的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的存储器块写入器850执行1010的操作的方面。

在1015处，所述方法可包含至少部分地基于将所述数据集写入到所述存储器块，使计数器的值递增。可根据本文所公开的实例执行1015的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围写入器855执行1015的操作的方面。

在1020处，所述方法可包含至少部分地基于所述递增致使计数器的值满足阈值来设置旗标的值，其中所述旗标的所述值指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作类型。可根据本文所公开的实例执行1020的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围写入器855执行1020的操作的方面。

在1025处，所述方法可包含至少部分地基于设置所述旗标的所述值来重置所述计数器的所述值。可根据本文所公开的实例执行1025的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围写入器855执行1025的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法1000。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：接收与数据集相关联的写入命令；响应于所述写入命令而将所述数据集写入到存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中；至少部分地基于将所述数据集写入到所述存储器块，使计数器的值递增；至少部分地基于所述递增致使计数器的值满足阈值来设置旗标的值，其中所述旗标的所述值指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作类型；和至少部分地基于设置所述旗标的所述值来重置所述计数器的所述值。

本文所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：响应于所述写入命令，从可包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址，其中所述阈值可至少部分地基于所述地址列表内的可用地址数量。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，所述地址列表内的所述可用地址数量包含所述地址列表内的可与可用于存储新数据的存储器块相关联的地址数量。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，从地址列表获得存储器块的地址可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的写入指针，从所述位置获得所述存储器块的所述地址。

本文所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：响应于所述写入命令，从包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址；在设置所述旗标的所述值之后识别第二存储器块的第二地址，所述第二地址包含在所述地址列表中；至少部分地基于所述旗标的所述值选择用于清除所述第二存储器块的写入操作的类型，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择；和使用所述选择的类型的写入操作清除所述第二存储器块。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，识别第二地址可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述第二地址。

本文所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于所述获得的第二地址来选择用于清除的所述第二存储器块。

本文所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置；至少部分地基于清除所述第二存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置；在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置；和至少部分地基于确定所述清除指针反映所述地址列表中的所述确定的第三位置，重置所述旗标的所述值。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，获得存储器块的地址可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于反映所述地址列表中的第一位置的写入指针，从所述第一位置获得第一地址的装置。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，识别第二地址可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于反映所述地址列表中的第二位置的清除指针，从所述第二位置获得所述第二地址。

在本文所描述的方法1000和设备的一些实例中，所述阈值可至少部分地基于所述地址列表中的介于所述地址列表中的所述第一位置和第二位置之间的位置数量，所述第二位置由列表结尾指针反映。

图11示出说明根据本文所公开的实例的支持使用多种类型的写入操作清除存储器块的方法1100的流程图。方法1100的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法1100的操作可由参考图1到8所描述的存储器系统实施。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在1105处，所述方法可包含从存储器块集的地址列表获得第一存储器块的第一地址，所述存储器块各自包含存储器单元集，其中可至少部分地基于反映地址列表中的第一位置的第一指针，从所述第一位置获得第一地址。可根据本文所公开的实例执行1105的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的列表读取器860执行1105的操作的方面。

在1110处，所述方法可包含至少部分地基于旗标未经设置，使用第一类型的写入操作清除所述第一存储器块。可根据本文所公开的实例执行1110的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的存储器块清除器840执行1110的操作的方面。

在1115处，所述方法可包含在清除所述第一存储器块之后，使所述第一指针递增以反映所述地址列表中的下一位置。可根据本文所公开的实例执行1115的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的列表写入器865执行1115的操作的方面。

在1120处，所述方法可包含在清除所述第一存储器块之后设置所述旗标。可根据本文所公开的实例执行1120的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围写入器855执行1120的操作的方面。

在1125处，所述方法可包含至少部分地基于所述旗标经设置，使用第二类型的写入操作清除存储器块子集，所述存储器块子集具有定位于所述地址列表中介于第一指针反映的所述下一位置与第二指针反映的第二位置之间的地址。可根据本文所公开的实例执行1125的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的存储器块清除器840执行1125的操作的方面。

在1130处，所述方法可包含至少部分地基于所述存储器块子集的所述清除完成来重置所述旗标。可根据本文所公开的实例执行1130的操作。在一些实例中，可由参考图8所描述的外围写入器855执行1130的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法1100。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：从存储器块集的地址列表获得第一存储器块的第一地址，所述存储器块各自包含存储器单元集，其中至少部分地基于反映地址列表中的第一位置的第一指针，从所述第一位置获得第一地址；至少部分地基于旗标未经设置，使用第一类型的写入操作清除所述第一存储器块；在清除所述第一存储器块之后，使所述第一指针递增以反映所述地址列表中的下一位置；在清除所述第一存储器块之后设置所述旗标；至少部分地基于所述旗标经设置，使用第二类型的写入操作清除存储器块子集，所述存储器块子集具有定位于所述地址列表中介于第一指针反映的所述下一位置与第二指针反映的第二位置之间的地址；和至少部分地基于所述存储器块子集的所述清除完成来重置所述旗标。

本文所描述的方法1100和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在重置所述旗标之后，将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的第三位置；从地址列表中的第三位置获得第二地址，其中可至少部分地基于所述第一指针反映所述第三位置，从所述第三位置获得第二地址；和使用所述第一类型的写入操作清除与所述第二地址相关联的第二存储器块，其中使用所述第一类型的写入操作可至少部分地基于所述旗标经重置。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，清除第一存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：识别所述第一存储器块的存储器单元集内的可各自处于第一状态中的第一存储器单元子集；在所述第一存储器块的所述存储器单元集内识别所述第一存储器块的可各自处于第二状态中的第二存储器单元子集；将所述第一存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态；和制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，清除第一存储器块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有第一极性的第一脉冲施加到所述第一存储器块的所述存储器单元集内的每一存储器单元。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元。

本文所描述的方法1100和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：识别所述存储器单元子集可至少部分地基于施加所述第一脉冲。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：对于所述存储器块子集中的每个存储器块，将所述存储器块内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：对于存储器块子集中的每个存储器块，将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，写入所述存储器块内的每一存储器单元可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元。

本文所描述的方法1100和设备的一些实例可另外包含用于在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令。

在本文所描述的方法1100和设备的一些实例中，对于存储器块子集中的每个存储器块，清除存储器块子集可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：使用所述第二类型的写入操作清除所述第一指针反映的所述存储器块；将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的所述下一位置；和确定所述第一指针是否反映所述地址列表中的所述第三位置。

应注意，本文中所描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两个或更多个的部分。

描述一种设备。所述设备可包含处理器、与处理器耦合的存储器和存储于存储器中的指令。所述指令可可由所述处理器执行以致使设备确定清除包含存储器单元集的存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中；至少部分地基于确定清除存储器块来识别旗标的值，其中所述旗标的值指示用于清除存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作的类型；至少部分地基于所述旗标的所述值选择将用于清除所述存储器块的写入操作的类型，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择；和使用所述选择的类型的写入操作清除所述存储器块。

一些实例可另外包含清除存储器块引起存储器块内的每一存储器单元处于相同状态且存储器块可至少部分地基于被清除而可用于存储新数据。在一些实例中，选择写入操作类型可包含选择第一写入操作类型。在一些实例中，清除存储器块可包含识别所述存储器单元集内的可各自处于第一状态中的存储器单元子集；和将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到第二状态。在一些实例中，清除存储器块可包含将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集。在一些实例中，将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态可包含将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元。

一些实例可另外包含至少部分地基于施加所述第一脉冲来识别所述存储器单元子集。在一些实例中，清除存储器块可包含识别所述存储器单元集内的可各自处于第二状态中的第二存储器单元子集；和制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元。在一些实例中，选择写入操作类型可包含选择第二写入操作类型。

一些实例可另外包含在所述存储器块的所述清除之后，将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型。在一些实例中，选择写入操作类型可包含选择第二写入操作类型。在一些实例中，清除存储器块可包含将所述存储器单元集内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中。在一些实例中，清除存储器块可包含将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元集内的每一存储器单元。在一些实例中，将所述存储器单元集中的每一存储器单元写入到第二状态可包含在施加所述第一脉冲之后将第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元，所述第二脉冲具有不同于所述第一极性的第二极性。

一些实例可另外包含从存储器块地址列表获得存储器块的地址。在一些实例中，可至少部分地基于反映地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述地址。

一些实例可另外包含至少部分地基于所述获得的地址确定清除存储器块。

一些实例可另外包含在将所述旗标的所述值设置为所述获得的值之后即刻确定所述地址列表中的第三位置；至少部分地基于清除所述存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置；在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置；和将所述旗标的所述值改变为对应于所述第一写入操作类型，所述改变至少部分地基于确定所述清除指针反映所述确定的第三位置。

描述一种设备。所述设备可包含处理器、与处理器耦合的存储器和存储于存储器中的指令。所述指令可由所述处理器执行以致使设备接收与数据集相关联的写入命令；响应于所述写入命令而将所述数据集写入到存储器块，所述存储器块包含在各自包含相应存储器单元集的存储器块集中；至少部分地基于将所述数据集写入到所述存储器块，使计数器的值递增；至少部分地基于所述递增致使计数器的值满足阈值来设置旗标的值，其中所述旗标的所述值指示用于清除所述存储器块集中的一或多个存储器块的写入操作类型；和至少部分地基于设置所述旗标的所述值来重置所述计数器的所述值。

一些实例可另外包含响应于所述写入命令，从包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址，其中所述阈值可至少部分地基于所述地址列表内的可用地址数量。在一些实例中，所述地址列表内的所述可用地址数量包含所述地址列表内的可与可用于存储新数据的存储器块相关联的地址数量。在一些实例中，从地址列表获得存储器块的地址可包含至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的写入指针，从所述位置获得所述存储器块的所述地址。

一些实例可另外包含响应于所述写入命令，从包含所述存储器块集中的每个存储器块的相应地址的地址列表获得所述存储器块的地址；在设置所述旗标的所述值之后识别第二存储器块的第二地址，所述第二地址包含在所述地址列表中；至少部分地基于所述旗标的所述值选择用于清除所述第二存储器块的写入操作的类型，所述类型在包含第一写入操作类型和第二写入操作类型的类型集当中进行选择；和使用所述选择的类型的写入操作清除所述第二存储器块。在一些实例中，识别第二地址可包含至少部分地基于反映所述地址列表中的位置的清除指针，从所述位置获得所述第二地址。

一些实例可另外包含至少部分地基于所述获得的第二地址来选择用于清除的所述第二存储器块。

一些实例可另外包含在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置；至少部分地基于清除所述第二存储器块，将所述清除指针更新为反映所述地址列表中的第二位置；在更新所述清除指针之后，确定所述清除指针是否反映所述地址列表中的所述确定的第三位置；和至少部分地基于确定所述清除指针反映所述地址列表中的所述确定的第三位置，重置所述旗标的所述值。在一些实例中，获得存储器块的地址可包含至少部分地基于反映所述地址列表中的第一位置的写入指针，从所述第一位置获得第一地址的装置。在一些实例中，识别第二地址可包含至少部分地基于反映所述地址列表中的第二位置的清除指针，从所述第二位置获得所述第二地址。在一些实例中，所述阈值可至少部分地基于所述地址列表中的介于所述地址列表中的所述第一位置和第二位置之间的位置数量。

描述一种设备。所述设备可包含处理器、与处理器耦合的存储器和存储于存储器中的指令。所述指令可可由所述处理器执行以致使设备从存储器块集的地址列表获得第一存储器块的第一地址，所述存储器块各自包含存储器单元集，其中至少部分地基于反映地址列表中的第一位置的第一指针，从所述第一位置获得第一地址；至少部分地基于旗标未经设置，使用第一类型的写入操作清除所述第一存储器块；在清除所述第一存储器块之后，使所述第一指针递增以反映所述地址列表中的下一位置；在清除所述第一存储器块之后设置所述旗标；至少部分地基于所述旗标经设置，使用第二类型的写入操作清除存储器块子集，所述存储器块子集具有定位于所述地址列表中介于第一指针反映的所述下一位置与第二指针反映的第二位置之间的地址；和至少部分地基于所述存储器块子集的所述清除完成来重置所述旗标。

一些实例可另外包含在重置所述旗标之后，将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的第三位置；从地址列表中的第三位置获得第二地址，其中可至少部分地基于所述第一指针反映所述第三位置，从所述第三位置获得第二地址；和使用所述第一类型的写入操作清除与所述第二地址相关联的第二存储器块，其中使用所述第一类型的写入操作可至少部分地基于所述旗标经重置。在一些实例中，清除第一存储器块可包含识别所述第一存储器块的存储器单元集内的可各自处于第一状态中的第一存储器单元子集；在所述第一存储器块的所述存储器单元集内识别所述第一存储器块的可各自处于第二状态中的第二存储器单元子集；将所述第一存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态；和制止写入所述第二存储器单元子集内的每一存储器单元。在一些实例中，清除第一存储器块可包含将具有第一极性的第一脉冲施加到所述第一存储器块的所述存储器单元集内的每一存储器单元。在一些实例中，将所述存储器单元子集内的每一存储器单元写入到所述第二状态可包含将具有第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元子集内的每一存储器单元。

一些实例可另外包含识别所述存储器单元子集可至少部分地基于施加所述第一脉冲。在一些实例中，使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集可包含对于所述存储器块子集中的每个存储器块，将所述存储器块内的每一存储器单元写入到第二状态而不管所述存储器单元是否在所述写入之前已经处于所述第二状态中。在一些实例中，使用所述第二类型的写入操作清除所述存储器块子集可包含对于存储器块子集中的每个存储器块，将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元。在一些实例中，写入所述存储器块内的每一存储器单元可包含将具有不同于所述第一极性的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器块内的每一存储器单元。

一些实例可另外包含在设置所述旗标之后即刻确定所述地址列表中的第三位置。在一些实例中，对于存储器块子集中的每个存储器块，清除存储器块子集可包含使用所述第二类型的写入操作清除所述第一指针反映的所述存储器块；将所述第一指针更新为反映所述地址列表中的所述下一位置；和确定所述第一指针是否反映所述地址列表中的所述第三位置。

可使用多种不同技术和技艺中的任一种来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器分隔开两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。

本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以发射。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，本文中所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。

例如，可用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑、离散硬件组件或其被设计成执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的本公开而描述的各种说明性块和模块。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与DSP核心结合，或任何其它此类配置)。

如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“……中的至少一个”或“……中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、压缩光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字影音光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。这些的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。