一种自毁电路和电子设备

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种自毁电路和电子设备。

背景技术

随着信息技术的发展，电子设备中越来越多的数据需要被存储记录，多数情况下需要使用多个存储单元来实现大容量的存储系统。而随着半导体技术的发展，NAND FALSHMEMORY逐渐成为了存储单元的主要选择。

在一些需要高度数据安全要求的情况下，存储在存储单元中的数据需要被保护起来不被泄露，且在特定情况下电子设备需对其存储单元进行自毁，而相关技术中对多个存储单元进行自毁时，自毁时间较长。

发明内容

本发明提供一种自毁电路和电子设备，用以解决现有技术中存在的在对存储单元进行自毁时，自毁时间较长的问题。

第一方面，本申请提供一种自毁电路，包括：自毁供电单元、并发自毁储能单元、自毁开关控制单元和自毁触发单元，其中：

所述自毁供电单元，用于为所述并发自毁储能单元提供自毁电能，以使所述并发自毁储能单元储存用于损坏存储单元的自毁电能；

所述自毁触发单元，用于在接收到触发信号后，输出自毁控制信号；

所述并发自毁控制单元，用于在所述自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，以使用所述并发自毁储能单元向每个存储单元输出用于损坏存储单元的自毁电压。

在一种可能的实现方式中，该电路还包括自毁控制单元，其中：

所述自毁控制单元，用于向所述并发自毁储能单元发送开始检测信号，以获取所述并发自毁储能单元中存储的自毁电能，以及向所述并发自毁储能单元发送停止检测信号，以停止获取所述并发自毁储能单元中存储的自毁电能，以及在所述自毁控制单元中存储的自毁电能小于目标电能时，向所述并发自毁储能单元输出充电控制信号，以使所述自毁供电单元为所述并发自毁储能单元提供自毁电能，以及在所述并发自毁储能单元存储的自毁电能大于等于目标电能时，向所述并发自毁储能单元输出停止充电信号，以使所述自毁供电单元停止为所述并发自毁储能单元提供自毁电能。

在一种可能的实现方式中，所述自毁控制单元，还用于在确定自身异常时，输出所述触发信号。

在一种可能的实现方式中，还包括防拆检测单元，其中：

所述防拆检测单元，用于检测到拆卸信号后，输出所述触发信号。

在一种可能的实现方式中，所述并发自毁储能单元包括与储能单元对应的自毁储能子单元，多个自毁储能子单元并联连接，针对每个自毁储能子单元，所述自毁储能子单元包括储能开关、检测开关和储能电容，其中：

所述储能开关的第一端与所述自毁供电单元电连接，所述储能开关的第二端与所述储能电容的第一端、所述检测开关的第一端和所述自毁开关控制单元电连接，所述储能开关的控制端用于接收所述自毁控制单元输出的用于控制所述储能开关闭合的第一开关控制信号和控制所述储能开关打开的第二开关控制信号；

所述储能电容的第二端接地；

所述检测开关的第二端与所述自毁控制单元的输入端电连接，所述检测开关的控制端用于接收所述自毁控制单元输出的用于控制所述检测开关闭合的第三开关控制信号和用于控制所述检测开关打开的第四开关控制信号；

所述储能开关，用于闭合后，导通所述自毁供电单元和所述储能电容之间的通路，打开后，断开述自毁供电单元和所述储能电容之间的通路；

所述检测开关，用于闭合后，导通所述储能电容和所述自毁控制单元之间的通路，打开后，断开述储能电容和所述自毁控制单元之间的通路。

在一种可能的实现方式中，所述自毁开关控制单元包括与自毁储能子单元对应的自毁开关，其中：

针对每个自毁开关，所述自毁开关的第一端和与其对应的自毁储能子单元电连接，所述自毁开关的第二端和与其对应的存储单元电连接，所述自毁开关的控制端用于接收所述自毁控制信号；

所述自毁开关，用于接收到所述自毁控制信号后，导通所述自毁储能子单元与所述储能单元之间的通路，以向所述储能单元输出所述自毁电压。

在一种可能的实现方式中，所述自毁开关的第三端用于接收与其对应的储能单元的供电电压；

所述自毁开关，还用于在接收到所述自毁控制信号后，断开所述自毁开关的第三端与所述自毁开关的第二端之间的通路。

在一种可能的实现方式中，所述并发自毁储能单元还包括缓冲电路；

所述缓冲电路的正输入端与每个检测开关的第二端电连接，所述缓冲电路的负输入端与所述缓冲电路的输出端和所述自毁控制单元电连接；

所述缓冲电路，用于输入储能信号，输出待检测信号至所述自毁控制单元。

在一种可能的实现方式中，所述自毁供电单元包括主系统供电模块、自毁系统供电模块、电源管理模块和升压模块，其中：

所述主系统供电模块的输出端与所述电池管理模块的第一输入端电连接，所述自毁系统供电模块的输出端与所述电池管理模块的第二输入端电连接，所述电源管理模块的输出端与所述升压模块的输入端电连接，所述电源管理模块的控制端与所述自毁控制单元信号连接，所述升压模块的输出端与所述并发自毁储能单元电连接；

所述自毁控制单元，还用于根据所述主系统供电模块输出的第一电压和所述自毁系统供电模块输出的第二电压，输出控制电源管理模块的电压控制信号；

所述电源管理单元，用于在所述电压控制信号的控制下，从所述第一电压和所述第二电压中选择一路输出；

所述升压模块，用于对所述电源管理模块输出的电压进行升压处理。

第二方面，本申请提供一种电子设备，包括多个储能单元和如第一方面中任一所述的自毁电路。

本发明有益效果如下：

本申请提供的自毁电路和电子设备，其中，自毁供电单元可以向并发自毁储能单元提供自毁电能，自毁触发单元可以在接收到触发信号后，输出自毁控制信号，自毁开关控制单元在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，向每个存储单元输出自毁电压，以使每个存储单元接收到自毁电压后，被损坏。由于本申请中的并发自毁储能单元可以同时向每个存储单元提供自毁电压，因此，可以提高自毁速度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种自毁电路的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的一种自毁触发单元的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图16为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图；

图17为本申请实施例提供的一种应用于自毁电路的自毁方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

目前，实现存储数据自毁的方式主要有软方式和硬方式两种。软自毁通过程序指令擦除存储单元中的关键信息，由于存储单元的擦除时间需要一定时长，且会随着容量变大而增大，随着多个存储单元的使用，此时间会过长导致存在多可能的断电泄密的风险，且擦除的数据仍可能有被恢复的风险，因此，相关技术中可以通过硬自毁对存储单元进行销毁，硬自毁可通过电路控制高压自毁电源直接接入存储单元，通过高压大电流直接损坏存储器内部的物理结构，达到销毁数据的目的。在包括多个存储单元的系统中，目前通常使用通过独立分时的自毁电源依次对各个存储单元进行自毁操作，但是随着存储单元个数越来越多，分时执行的步骤也越来越多，完成自毁的时间也越来越长。

基于上述问题，本申请实施例提供一种自毁电路，如图1所示，该自毁电路包括：自毁供电单元101、并发自毁储能单元102、自毁开关控制单元103和自毁触发单元104，其中：

自毁供电单元101，用于为并发自毁储能单元102提供自毁电能，以使所述并发自毁储能单元储存用于损坏存储单元的自毁电能；

自毁触发单元104，用于在接收到触发信号后，输出自毁控制信号；

自毁开关控制单元103，用于在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元102和每个存储单元之间的通路，以使并发自毁储能单元102向每个存储单元输出用于损坏存储单元的自毁电压。

本申请实施例，自毁供电单元101可以向并发自毁储能单元102提供自毁电能，自毁触发单元104可以在接收到触发信号后，输出自毁控制信号，自毁开关控制单元103在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，向每个存储单元输出自毁电压，以使每个存储单元接收到自毁电压后，被损坏。由于本申请中的并发自毁储能单元可以向每个存储单元提供自毁电压，因此，可以提高自毁速度。

此外，本申请实施例提供的自毁电路向每个存储单元输出的是自毁电压，存储单元接收到自毁电压后，可以对存储单元的硬件造成损坏，因此可以提高自毁的可靠性。

在一种实施例中，如图2所示，本申请实施例提供的自毁电路还可以包括自毁控制单元105，其中：

自毁控制单元105，用于向并发自毁储能单元102发送开始检测信号，以获取并发自毁储能单元102中存储的自毁电能，以及向并发自毁储能单元102发送停止检测信号，以停止获取并发自毁储能单元102中存储的自毁电能，以及在并发自毁储能单元102中存储的自毁电能小于目标电能时，向并发自毁储能单元102输出充电控制信号，以使自毁供电单元101为并发自毁储能单元102提供自毁电能，以及在并发自毁储能单元102存储的自毁电能大于等于目标电能时，向并发自毁储能单元102输出停止充电信号，以使自毁供电单元101停止为并发自毁储能单元102提供自毁电能。

本申请实施例，自毁控制单元105可以控制自毁供电单元101为并发自毁储能单元102充电，也可以控制自毁供电单元101停止充电，从而可以使并发自毁储能单元102中的自毁电能大于目标电能，进而可以保证随时可以为存储单元提供自毁电压，提高自毁可靠性。

在具体实施中，如图3所示，并发自毁储能单元102包括与存储单元对应的自毁储能子单元1021，比如，有n个存储单元，则对应n个自毁储能子单元1021，其中n为正整数。

每个自毁储能子单元1021的第一端与自毁供电单元101电连接，每个自毁储能子单元1021的第二端与自毁开关控制单元103电连接。

如图4所示，针对每个自毁储能子单元1021，自毁储能子单元1021包括储能开关SW、检测开关SWA和储能电容C，其中：

储能开关SW的第一端与自毁供电单元101电连接，储能开关SW的第二端与储能电容C的第一端、检测开关SWA的第一端和自毁开关控制单元103电连接，储能开关SW的控制端用于接收自毁控制单元105输出的用于控制储能开关SW闭合的开始充电信号和控制储能开关SW打开的停止充电信号；

储能电容C的第二端接地；

检测开关SWA的第二端与自毁控制单元105的输入端电连接，检测开关SWA的控制端用于接收自毁控制单元105输出的用于控制检测开关SWA闭合的开始检测信号和用于控制检测开关SWA打开的停止检测信号；

储能开关SW，用于闭合后，导通自毁供电单元101和储能电容C之间的通路，打开后，断开自毁供电单元101和储能电容C之间的通路；

检测开关SWA，用于闭合后，导通储能电容C和自毁控制单元105之间的通路，打开后，断开储能电容C和自毁控制单元105之间的通路。

本申请实施例，自毁控制单元105可以控制储能开关SW闭合，以使自毁供电单元101为储能电容C充电，也可以控制储能开关SW打开，以使自毁供电单元101停止为储能电容C充电，自毁控制单元105还可以控制检测开关SWA闭合，获取储能电容C中存储的自毁电能，自毁控制单元105还可以控制检测开关SWA打开，停止获取储能电容C中存储的自毁电能。

在具体施例中，自毁控制单元105上电后，默认自毁储能子单元1021存储的自毁电能小于目标电能，自毁控制单元105控制储能开关SW闭合，以使自毁供电单元101为每个储能电容C充电，在储能电容C充电的过程中，自毁控制单元105可以控制检测开关SWA闭合，以获取储能电容C中存储的自毁电能，如果储能电容C中存储的自毁电能大于等于目标电能，则控制储能开关SW打开，以停止为储能电容C充电，自毁控制单元105获取完储能电容C中存储的自毁电能后，控制检测开关SWA断开。

自毁控制单元105可以周期性获取每个储能电能C中存储的自毁电能，如果获取到的自毁电能小于目标电能，则自毁控制单元105控制并发自毁储能单元中的储能开关SW闭合，以使自毁供电单元101为并发自毁储能单元102提供自毁电能，在自毁供电单元101为储能电容C提供自毁电能的过程中，自毁控制单元105检测到储能电容C中存储的自毁电能大于等于目标电能，控制储能开关SW断开，以使自毁供电单元101停止为并发储能电容C提供自毁电能。

自毁控制单元105控制储能开关SW闭合时，向储能开关SW发送开始充电信号，控制储能开关SW打开时，向储能开关SW发送停止充电信号，控制检测开关SWA闭合时，向检测开关SWA发送开始检测信号，控制检测开关SWA打开时，向检测开关SWA发送停止检测信号。

在一种实施例中，如图5所示，自毁开关控制单元103包括与自毁储能子单元对应的自毁开关SWD(SWD1、SWD2……SWDn)，其中：

针对每个自毁开关SWD，自毁开关SWD的第一端和与其对应的自毁储能子单元1021电连接，自毁开关SWD的第二端和与其对应的存储单元电连接，自毁开关SWD的控制端用于接收自毁控制信号；

自毁开关SWD，用于接收到自毁控制信号后，导通自毁储能子单元1021与储能单元之间的通路，以向储能单元输出自毁电压。

本申请实施例中，自毁储能子单元1021、自毁开关SWD和储能单元是一一对应的，自毁控制单元105可以控制所有的自毁开关SWD同时闭合，从而可以同时为多个存储单元提供自毁电压，提高自毁效率。

在具体实施中，如图6所示，自毁开关SWD的第三端用于接收供电电压VCC；

自毁开关SWD，还用于在接收到自毁控制信号后，断开自毁开关SWD的第三端与自毁开关SWD的第二端之间的通路。

本申请实施例中，自毁开关SWD的第三端和自毁开关SWD的第二端处于导通状态，也就是在进行自毁之前，储能单元由VCC供电，当自毁开关SWD接收到自毁信号时，将通路由自毁开关SWD的第三端和自毁开关SWD的第二端切换至自毁开关SWD的第一端和自毁开关SWD的第二端，切换后，存储单元接收由自毁开关SWD的第一端输入的自毁电压，从而对储能单元进行自毁。

本申请中VCC为正常工作电源，自毁开关SWD可以实现正常工作电源VCC和各路储能电容输出的自毁电压的切换控制。实现接收到自毁控制信号时，所有支路的自毁电压可同时独立，并发输入至各路存储单元中，以达到并发毁钥的目的。

在一种实施例中，如图7所示，并发自毁储能单元102还可以包括缓冲电路1022，缓冲电路1022的正输入端与每个检测开关SWA的第二端电连接，缓冲电路1022的负输入端与缓冲电路1022的输出端和自毁控制单元105电连接；

储能信号输入至缓冲电路1022，缓冲电路1022输出待检测信号至自毁控制单元105，自毁控制单元105对待检测信号进行模数转换，并将转换后的数字信号与目标电能进行比较，从而实现储能能量的监测。

在具体实施中，缓冲电路1022可以为缓冲器。

在具体实施中，自毁开关控制单元103接收到自毁控制信号后，向存储单元输出自毁电压，自毁控制信号是由自毁触发单元104发出的，自毁触发单元104当接收到触发信号时，输出自毁控制信号。

本申请实施例中的触发信号，如图8所示，可以为防拆检测单元106输出的，即，本申请中公开的自毁电路还可以包括防拆检测单元106，防拆检测单元106，用于检测到拆卸信号后，输出触发信号。

具体的，如图9所示，防拆检测单元106可以包括机壳防拆检测单元1061和电池防拆检测单元1062，当机壳防拆检测单元1061和/或电池防拆检测单元1062检测到拆卸信号后，输出触发信号。

机壳防拆检测单元1061可以通过机壳防拆触点实现，机壳强制被拆时将导致机壳防拆触点断开，机壳防拆检测单元1061检测到机壳防拆触点断开后，输出触发信号；电池防拆检测单元1062可以通过电池防拆触点实现，电池被拆时将导致电池防拆触点断开，电池防拆检测单元1062检测到电池防拆触点断开后，输出触发信号。

需要说明的是，本申请实施例中可以包括多个机壳防拆触点和多个电池防拆触点，任意一个机壳防拆触点或任意一个电池防拆触点断开，均可输出触发信号。

在具体实施中，触发信号除了由防拆检测单元106输出外，还可以由自毁控制单元105输出，自毁控制单元105，还用于在确定自身异常时，输出触发信号。

如图10所示，自毁控制单元105的输出端与自毁触发单元104电连接，用于在确定自身异常时，向自毁触发单元输出触发信号。

自毁控制单元105可以在自毁电路正常工作时，生成特定编码信号，在自毁控制单元105破坏的瞬间，编码信号错乱，从而输出触发信号。

在具体实施中，可以使用MCU的PWM模块的脉冲式输出模式实现脉冲式信号的输出，脉冲式信号经过R-S触发器电路进行锁存，输出触发信号。

比如，如图15所示，自毁控制单元105包括MCU、PWM模块和R-S触发器1051，PWM模块可以输出两路信号S和Sn，当MCU正常时，PWM模块输出特定编码信号，比如，信号S为0，信号Sn为1，当MCU异常时，PWM模块输出异常编码信号，即对特定编码信号进行翻转，使信号S翻转为1，使信号Sn翻转为0，R-S触发器1051对异常编码信号进行锁存，输出触发信号。

需要说明的是，当MCU异常时，PWM模块输出的异常编码信号为瞬时信号，也即PWM模块输出异常编码信号后，依旧输出特定编码信号。

本申请实施例中，PWM模块在MCU正常工作情况下，在脉冲输出翻转前进行重置；在MCU被干扰造成程序异常或者部分电路损坏时，PWM模块将输出脉冲式防护信号，也即异常编码信号，异常编码信号经过R-S触发器1051电路启动自毁功能，以损毁存储单元的方式损毁存储数据。

如图16所示，本申请实施例提供的R-S触发器1051包括与非门NAND1、与非门NAND2、异或门XOR1和异或门XOR2，与非门NAND1的第一输入端作为R-S触发器1051的输入端S，用于接收信号S，与非门NAND1的第二输入端与与非门NAND2的第一输入端和与非门NAND2的第二输入端电连接，并作为R-S触发器1051的输入端C和R-S触发器1051的输入端R，用于输入信号Sn，与非门NAND1的输出端与异或门XOR1的第一输入端电连接，异或门XOR1的第二输入端与或门XOR2的输出端电连接，作为R-S触发器1051的输出端Qn，与非门NAND2的输出端与异或门XOR2的第二输入端电连接，异或门XOR2的第一输入端与异或门XOR1的输出端电连接，并作为R-S触发器1051输出端Q，用于输出触发信号。

本申请实施例中，自毁触发单元104可以包括多个与门，如图11所示，首级与门的输入端用于输入触发信号，前一级与门的输出端与后一级与门的输入端电连接，末级与门的输出端用于输出自毁控制信号。

本申请实施例，触发信号通过与门进行与运算，最后输出自毁控制信号，从而可以实现只要有一个触发信号为有效信号，即可输出自毁控制信号。

比如，图11中，自毁触发单元104包括15个与门，其中，首级与门包括与门AND1、与门AND2、与门AND3、与门AND4、与门AND5、与门AND6、与门AND7和与门AND8，末级与门包括与门AND15，首级与门的输入端输入16个触发信号，末级与门的输出端输出自毁控制信号。

如图12所示，为本申请实施例提供的另一种自毁电路的结构示意图，其中，该自毁电路中包括3个自毁储能子单元1021，第一个自毁储能子单元1021中包括储能开关SW1、检测开关SWA1和储能电容C1，第二个自毁储能子单元1021中包括储能开关SW2、检测开关SWA2和储能电容C2，第三个自毁储能子单元1021中包括储能开关SW3、检测开关SWA3和储能电容C3，第一个自毁储能子单元1021对应自毁开关SWD1，第二个自毁储能子单元1021对应自毁开关SWD2，第三个自毁储能子单元1021对应自毁开关SWD3，自毁开关SWD1与存储单元1连接，自毁开关SWD2与储能单元2连接，自毁开关SWD3与储能单元3连接。

当自毁开关SWD1闭合时，储能电容C1输出的输出自毁电压至存储单元1，以对存储单元1进行自毁；当自毁开关SWD2闭合时，储能电容C2输出的输出自毁电压至存储单元2，以对存储单元2进行自毁；当自毁开关SWD3闭合时，储能电容C3输出的输出自毁电压至存储单元3，以对存储单元3进行自毁。

在一种实施例中，如图13所示，自毁供电单元101包括主系统供电模块1011、自毁系统供电模块1012、电源管理模块1013和升压模块1014，其中：

主系统供电模块1011的输出端与电池管理模块1013的第一输入端电连接，自毁系统供电模块1012的输出端与电池管理模块1013的第二输入端电连接，电源管理模块1013的输出端与升压模块1014的输入端电连接，升压模块1014的输出端与并发自毁储能单元102电连接；

主系统供电模块1011，用于输出第一电压；

自毁系统供电模块1012，用于输出第二电压；

电源管理单元1013，用于在自毁控制单元105的控制下，从第一电压和所述第二电压中选择一路输出；

升压模块1014，用于对电源管理模块1013输出的电压进行升压处理。

在具体实施中，主系统供电模块1011可以为主系统电池组件，自毁系统供电模块1012可以为自毁系统电池组件，电源管理单元1013可以为单刀双掷开关，升压模块1014可以为升压芯片，或升压电路。

本申请实施例中，电源管理模块1013管理切换两路电源，为自毁电路提供正常工作的电源输出。升压模块1014实现电能升压处理，输出高压信号。

主系统供电模块1011输出第一电压VP1，自毁系统供电模块1012输出第二电压VP2，第一电压VP1和第二电压VP2均输入至电源管理模块1013，电源管理模块1013的单刀双掷开关在自毁控制单元105的控制下，输出第一电压VP1或第二电压VP2。

具体的，自毁控制单元105根据第一电压VP1和第二电压VP2，输出控制电源管理模块1013的电压控制信号，自毁控制单元105若检测到主系统供电模块和自毁系统供电模块均存在，即，未检测到主系统供电模块防拆信号，也未检测到自毁系统供电模块防拆信号，则控制电源管理模块1013输出第一电压VP1，若检测到主系统供电模块存在，检测到自毁系统供电模块防拆信号，则控制电源管理模块1013输出第一电压VP1，若检测到主系统供电模块防拆信号，检测到自毁系统供电模块存在，则控制电源管理模块1013输出第二电压VP2。

如图14所示，电源管理模块1013为单刀双掷开关K，单刀双掷开关K的第一端与升压模块1014的输入端电连接，单刀双掷开关K的第二端与主系统供电模块1011的输出端电连接，单刀双掷开关K的第三端与自毁系统供电模块1012的输出端电连接。

本申请实施例中，当主系统供电模块1011和自毁系统供电模块1012均可供电时，控制单刀双掷开关K的第一端和单刀双掷开关K的第二端之间的通路，输出第一电压VP1到VP；当主系统供电模块1011可供电，自毁系统供电模块1012不可供电时，控制单刀双掷开关K的第一端和单刀双掷开关K的第二端之间的通路，输出第一电压VP1到VP；当主系统供电模块1011不可供电，自毁系统供电模块1012可供电时，控制单刀双掷开关K的第一端和单刀双掷开关K的第三端之间的通路，输出第二电压VP2。

升压模块1014可以实现将电能VP升压，输出自毁电压。在具体实施中，自毁电压在30v至36v之间。

在一种实施例中，自毁控制单元105还可以进行毁钥结果检测，自毁控制单元105与每个毁钥开关SWD的第二端电连接，用于检测每个存储单元的电源输入端的电流大小，根据电流大小判断是否自毁成功。

自毁控制单元105对存储单元的电源输入端的电流进行检测，在对存储单元自毁前，自毁控制单元105获取该存储单元的电源输入端的电流值I1，在对存储单元自毁后，自毁控制单元105获取该存储单元的电源输入端的电流值I2，若I2趋近于0毫安，则可判定已经自毁执行成功；若I2远大约I1，比如I2大于等于10×I1，则可判定已经自毁成功，否则判断自毁不成功。

当自毁控制单元105检测到自毁不成功时，可重新对应支路的储能电容进行充电，并发起该支路的再次自毁。

比如，在对存储单元自毁前，自毁控制单元105检测到存储单元1的电源端的电流为5A，在对存储单元自毁后，自毁控制单元105检测到存储单元1的电源端的电流为0A，则确定对存储单元1自毁成功；

再比如，在对存储单元自毁前，自毁控制单元105检测到存储单元1的电源端的电流为5A，在对存储单元自毁后，自毁控制单元105检测到存储单元1的电源端的电流为50A，则确定对存储单元1自毁不成功。确定对存储单元1自毁不成功，自毁控制单元105控制与存储单元1对应的储能电容C充电，充电完成后，再控制向存储单元1输出自毁电压，对存储单元1再次进行自毁。

具体的，自毁控制单元105可以由控制系统的MCU的ADC电路测量每个存储单元对应的电源输入引脚上的进行自毁是否成功的判定。

基于相同的构思，本申请实施例还提供一种电子设备，该电子设备解决问题的原理和上述任一一种自毁电路解决问题的原理相似，重复之处不再赘述。

本申请实施例提供的电子设备，包括多个储能单元和上述任一所述的自毁电路。

基于相同的构思，本申请实施例还提供一种应用于上述任意一种自毁电路的自毁方法，该方法解决问题的原理和上述任意一种自毁电路解决问题的原理相似，重复之处不再赘述。

如图17所示，为本申请实施例提供的一种应用于上述自毁电路的自毁方法，具体包括如下步骤：

S1701、电子设备上电后，自毁控制单元控制每个储能开关闭合，以为每个储能电容提供自毁电能；

S1702、自毁控制单元控制每个检测开关闭合，以获取每个储能电容中存储的自毁电能；

S1703、获取每个储能电容中存储的自毁电能完成后，自毁控制单元控制每个检测开关断开；

S1704、自毁控制单元确定储能电容中存储的自毁电能大于等于目标电能后，控制断开与该储能电容对应的储能开关，以停止为该储能电容供电；

S1705、自毁触发单元接收到触发信号后，控制每个自毁开关导通每个自毁开关的第一端和第二端之间的通路，以使每个储能电容输出自毁电压，对储能单元进行自毁；

S1706、自毁完成后，自毁触发单元控制每个自毁开关断开每个自毁开关的第一端和第二端之间的通路，以使每个储能电容停止输出自毁电压；

需要说明的是，此处的自毁完成后，可以是预设时长后。

S1707、自毁触发单元获取每个储能单元供电端的电流，根据该电流判断储能单元自毁是否成功，若是，则执行S1709，否则，执行S1708；

S1708、自毁触发单元控制与自毁不成功的储能单元对应的自毁开关闭合，再次对该储能单元进行自毁；

S1709、自毁控制单周期性控制每个检测开关闭合，以获取每个储能电容中存储的自毁电能，返回步骤S1703。

需要说明的是，步骤S1709并非必须在步骤S1707和步骤S1708之后，步骤S1709是周期性获取储能电容中存储的自毁电能，因此，在任何时刻都可以进行该步骤，图17中只是作为一种实施例进行的说明。

本申请提供的自毁电路和电子设备，其中，自毁供电单元可以向并发自毁储能单元提供自毁电能，自毁触发单元可以在接收到触发信号后，输出自毁控制信号，自毁开关控制单元在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，向每个存储单元输出自毁电压，以使每个存储单元接收到自毁电压后，被损坏。由于本申请中的并发自毁储能单元可以同时向每个存储单元提供自毁电压，因此，可以提高自毁速度。

本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。