一种用于闪存芯片的自动化测试设备及其测试方法

技术领域

本发明属于芯片测试技术领域，具体是一种用于闪存芯片的自动化测试设备及其测试方法。

背景技术

主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"；闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心。

专利公开号为CN105334448A的发明涉及一种芯片自动化测试系统。该系统包括用于芯片的自动化测试控制装置和用于芯片的自动化测试板。上述用于芯片的自动化测试控制装置包括：测试控制模块，用于生成测试程序选择命令，向自动化测试板发送所述测试程序选择命令，所述测试程序选择命令用于从自动化测试程序中选择测试子程序，所述自动化测试程序包括两个以上测试子程序；测试结果接收模块，用于接收所述自动化测试板发送的测试结果；本发明用以避免反复对不同测试程序进行烧写，从而避免测试时出错，节省时间，容易维护，并且减少了板子之间的级联，避免多级板子之间级联造成信号质量差的情况。

闪存芯片在进行自动化测试过程中，一般根据闪存芯片的具体参数，判定对应的闪存芯片是否正常，若都是正常状态，则不需要进行任何处理，若不正常，则通知操作人员，分析异常原因，但针对于处于正常状态下的闪存芯片，并未进行多方面分析，并不清楚此闪存芯片的可靠度，其整体测试并不全面。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一；为此，本发明提出了一种用于闪存芯片的自动化测试设备及其测试方法，用于解决对于处于正常状态下的闪存芯片，并未进行多方面分析，并不清楚此闪存芯片的可靠度，其整体测试并不全面的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明的第一方面的实施例提出一种用于闪存芯片的自动化测试设备，包括：

测试参数采集端，用于对闪存芯片测试过程中所产生的基础测试数据进行采集，并将所采集的基础测试数据传输至测试分析中心内，基础测试数据包括标准测试电压状态下所产生的输出参数；

参数分析单元，根据所采集的基础测试数据，对基础测试数据进行分析确认，判定对应的闪存芯片是否为异常芯片还是正常芯片，若为正常芯片则生成综合测试信号，若为异常芯片，则生成瞬间测试信号，具体方式为：

将所产生的输出参数标记为SC

从存储单元内直接提取核对预设区间，其中核对预设区间两侧端值均为预设值，当SC

综合测试端，根据综合测试信号，对正常芯片进行综合测试，且综合测试端包括高温测试单元以及电压加速测试单元，通过高温测试单元对属于正常工作状态下的正常芯片进行高温测试，具体方式为：

保持标准测试电压不变，对闪存芯片外部测试环境的温度进行改变，将环境温度持续升高到指定数值，其中，指定数值的具体取值由操作人员根据经验拟定；

限定一组监测周期T，其中T为预设值，且T一般取值5min，对此监测周期T内，正常芯片所输出的若干组具体参数进行记录，并根据所记录的最大值以及最小值，构建一组记录区间；

将记录区间与核对预设区间进行比对，当记录区间∈核对预设区间时，不进行任何处理，反之，通过信号生成单元生成高温不可靠信号，并传输至展示单元内进行展示；

通过电压加速测试单元对属于正常工作状态下的正常芯片的工作电压进行加速调节，并确认正常芯片所产生的具体参数，根据高温测试以及电压加速测试的综合结果，分析正常芯片的可靠度，并通过信号生成单元生成对应的信号，并通过展示单元进行展示，具体方式为：

确认原始的标准测试电压，将测试过程中的标准测试电压快速随机改变，持续上升或下降，对随机改变过程中所产生的输出参数及进行记录，并将其标记为SS

将对应输出参数SS

从存储单元内提取标准改变区间，其中区间两端端值均为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，将数据包内所存在的若干个标准改变参数BZ

ESD静电测试端，对标记为异常芯片的闪存芯片进行瞬间电压自适应测试，并分析确认对应的瞬间电流，分析确认对应的瞬间电流是否达标，信号生成单元再根据分析结果生成对应的处理信号，通过展示单元进行展示，分析确认对应的异常芯片是否处于故障状态，具体方式为：

确认原始的标准测试电压，将标准测试电压瞬间提升至最大测试电压参数，其中最大测试电压参数均为预设值，记录闪存芯片输出的瞬间电流参数；

将瞬间电流参数标记为DL，将最大测试电压参数标记为YD，采用YD÷DL＝QS得到判定趋势值QS，并将QS与标准改变区间进行比对，当QS∈标准改变区间时，通过信号生成单元生成异常信号，并通过展示单元进行展示，当

与现有技术相比，本发明的有益效果是：根据具体的参数，将闪存芯片划分为正常芯片或异常芯片，针对于正常芯片，对其进行高温以及电压加速测试，并根据测试数值，判定正常芯片在使用过程中，是否存在不可靠情况，并进行展示，采用此种行驶，将正常芯片进行多方面测试，提升芯片测试的全面性以及准确度；

针对于异常芯片，对异常芯片进行极限测试，确定异常芯片的输出参数，并分析此参数是否符合规定，根据测试结果，判定异常芯片是否处于故障状态，提升异常芯片的全面度，若只是单纯的处于异常状态，则直接进行维修即可，若处于故障状态，便需要将其进行报废，提升数值分析的准确度，无需人工介入。

附图说明

图1为本发明原理框架示意图；

图2为本发明方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

请参阅图1，本申请提供了一种用于闪存芯片的自动化测试设备，包括测试采集端、测试分析中心以及展示单元，其中测试采集端与测试分析中心输入端电性连接，所述测试分析中心与展示单元输入端电性连接；

所述测试分析中心包括参数分析单元、存储单元、综合测试端、ESD静电测试端以及信号生成单元，所述参数分析单元与综合测试端以及ESD静电测试端输入端电性连接，所述存储单元分别与参数分析单元以及ESD静电测试端和综合测试端输入端电性连接，且综合测试端包括高温测试单元以及电压加速测试单元，其中综合测试端以及ESD静电测试端均与信号生成单元输入端电信连接；

所述测试参数采集端，用于对闪存芯片测试过程中所产生的基础测试数据进行采集，并将所采集的基础测试数据传输至测试分析中心内，其中基础测试数据包括标准测试电压状态下，所产生的输出参数，具体的，标准测试电压的具体数值由操作人员根据经验拟定，一般为闪存芯片正常工作状态的标准电压；

所述参数分析单元，根据所采集的基础测试数据，对基础测试数据进行分析确认，判定对应的闪存芯片是否为异常芯片还是正常芯片，其中，进行分析确认的具体方式为：

将所产生的输出参数标记为SC

从存储单元内直接提取核对预设区间，其中核对预设区间两侧端值均为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，当SC

所述综合测试端，根据综合测试信号，对正常芯片进行综合测试，通过高温测试单元对属于正常工作状态下的正常芯片进行高温测试，通过电压加速测试单元对属于正常工作状态下的正常芯片的工作电压进行加速调节，并确认正常芯片所产生的具体参数，根据高温测试以及电压加速测试的综合结果，分析正常芯片的可靠度，并通过信号生成单元生成对应的信号，并通过展示单元进行展示，其中，高温测试单元进行高温测试的具体方式为：

保持标准测试电压不变，对闪存芯片外部测试环境的温度进行改变，将环境温度持续升高到指定数值，其中，指定数值的具体取值由操作人员根据经验拟定；

限定一组监测周期T，其中T为预设值，且T一般取值5min，对此监测周期T内，正常芯片所输出的若干组具体参数进行记录，并根据所记录的最大值以及最小值，构建一组记录区间；

将记录区间与核对预设区间进行比对，当记录区间∈核对预设区间时，不进行任何处理，反之，通过信号生成单元生成高温不可靠信号，并传输至展示单元内进行展示。

进行电压加速测试的具体方式为：

确认原始的标准测试电压，将测试过程中的标准测试电压快速随机改变，持续上升或下降，对随机改变过程中所产生的输出参数及进行记录，并将其标记为SS

将对应输出参数SS

从存储单元内提取标准改变区间，其中区间两端端值均为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，将数据包内所存在的若干个标准改变参数BZ

实施例二

所述ESD静电测试端，对标记为异常芯片的闪存芯片进行瞬间电压自适应测试，并分析确认对应的瞬间电流，分析确认对应的瞬间电流是否达标，信号生成单元再根据分析结果生成对应的处理信号，通过展示单元进行展示，分析确认对应的异常芯片是否处于故障状态，其中，进行瞬间电压自适应测试的具体方式为：

确认原始的标准测试电压，将标准测试电压瞬间提升至最大测试电压参数，其中最大测试电压参数均为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，记录闪存芯片输出的瞬间电流参数；

将瞬间电流参数标记为DL，将最大测试电压参数标记为YD，采用YD÷DL＝QS得到判定趋势值QS，并将QS与标准改变区间进行比对，当QS∈标准改变区间时，具体的，标准改变区间在实施例一中有具体说明，通过信号生成单元生成异常信号，并通过展示单元进行展示，供外部操作人员得知此闪存芯片为异常芯片，需进行维护检测，当

所述信号生成单元，根据综合测试端以及ESD静电测试端的测试结果，生成不同的处理信号，并通过展示单元进行展示，供外部人员进行查看，及时作出应对措施。

实施例三

本申请提供了一种用于闪存芯片的自动化测试设备的测试方法，包括以下步骤：

步骤一、根据测试过程中所产生的基础测试数据，确认进行测试的闪存芯片是正常芯片还是异常芯片；

步骤二、对正常芯片进行综合测试，保持原始的电压数值不变，改变闪存芯片外部环境的温度，并将此温度升高至指定数值，升高到对应的指定数值后，确认输出参数并进行分析评定，在高温环境下，此闪存芯片是否可靠；

步骤三、再对正常芯片进行电压加速测试处理，将原始的电压数值作为初始电压，并将电压参数进行随机改变，使电压数值快速进行持续上升或者下降，并记录随机产生的输出参数，分析输出参数是否符合规定，并根据具体结果，判定闪存芯片在电压值快速改变下是否可靠；

步骤四、再针对于异常芯片，采用瞬间电压自适应测试信号进行自测试处理，记录测试处理过程中所产生的瞬间电流参数，分析此瞬间电流参数是否达标，若并不达标，则生成故障信号，并进行展示，供外部操作人员进行查看，若达标，代表此芯片异常，生成异常信号，并进行展示。

实施例四

本实施例在具体实施过程中，包含实施例一、实施例二以及实施例三的全部实施内容，进行统一实施。

上述公式中的部分数据均是去除量纲取其数值计算，公式是由采集的大量数据经过软件模拟得到最接近真实情况的一个公式；公式中的预设参数和预设阈值由本领域的技术人员根据实际情况设定或者通过大量数据模拟获得。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方法而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方法进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方法的精神和范围。