电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法和存储介质

技术领域

本申请涉及数据处理技术领域，特别涉及一种电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法和存储介质。

背景技术

在相关技术中，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量；但是，由于在实际的多种不同运行场景中，芯片相关产品在部分的电压偏移量的情况下难以完全覆盖数据或者其数据读取速度慢，因此，目前的芯片相关产品的电压偏移量难以很好地与运行场景相匹配，无法更好地提升芯片性能。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法和存储介质，旨在提升芯片性能。

第一方面，本申请实施例提供了一种电压偏移量确定方法，包括：

获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量；

从多个所述运行场景中确定目标运行场景，从多个所述page类型中确定目标page类型；

对于每个chip，提取所述chip在所述目标运行场景和各个所述电压偏移量下的所述目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，根据所述最大码字max_cw和所述平均码字mean_cw从多个所述电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量；

对所有所述chip在所述目标运行场景和所述目标page类型下的所有所述候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与所述目标运行场景和所述目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一些实施例中，所述根据所述最大码字max_cw和所述平均码字mean_cw从多个所述电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量，包括：

根据所述chip在所述目标运行场景和各个所述电压偏移量下的所述目标page类型的最大码字max_cw，从多个所述电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量；

根据所述chip在所述目标运行场景和各个所述候选电压偏移量下的所述目标page类型的平均码字mean_cw，从若干个所述候选电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量。

在一些实施例中，所述根据所述chip在所述目标运行场景和各个所述电压偏移量下的所述目标page类型的最大码字max_cw，从多个所述电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量，包括：

获取纠错能力限度值；

根据所述电压偏移量对应的所述最大码字max_cw和所述纠错能力限度值筛选出若干个候选电压偏移量。

在一些实施例中，所述根据所述电压偏移量对应的所述最大码字max_cw和所述纠错能力限度值筛选出若干个候选电压偏移量，包括如下至少之一：

当所述电压偏移量对应的所述最大码字max_cw大于或等于所述纠错能力限度值，舍弃所述电压偏移量；

当所述电压偏移量对应的所述最大码字max_cw小于所述纠错能力限度值，保留所述电压偏移量，并将所述电压偏移量作为候选电压偏移量。

在一些实施例中，所述根据所述chip在所述目标运行场景和各个所述候选电压偏移量下的所述目标page类型的平均码字mean_cw，从若干个所述候选电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量，包括：

对所述chip在所述目标运行场景和各个所述候选电压偏移量下的所述目标page类型的平均码字mean_cw按照数值大小进行排序，得到排序后的多个所述平均码字mean_cw；

从多个所述平均码字mean_cw中筛选出数值最小的平均码字mean_cw，并将数值最小的平均码字mean_cw所对应的所述候选电压偏移量作为候选最佳电压偏移量。

在一些实施例中，在所述提取所述chip在所述目标运行场景和各个所述电压偏移量下的所述目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw之前，所述电压偏移量确定方法还包括：

获取电压偏移限度值；

当所述电压偏移量小于所述电压偏移限度值，保留所述电压偏移量；

当所述电压偏移量大于或等于所述电压偏移限度值，舍弃所述电压偏移量。

在一些实施例中，所述对所有所述chip在所述目标运行场景和所述目标page类型下的所有所述候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与所述目标运行场景和所述目标page类型对应的目标最佳电压偏移量，包括：

统计所有所述chip在所述目标运行场景和所述目标page类型下的各个所述候选最佳电压偏移量的出现次数；

选择出现次数最多的所述候选最佳电压偏移量作为与所述目标运行场景和所述目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一些实施例中，在所述获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量之后，所述电压偏移量确定方法还包括：

对每个所述chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。

第二方面，本申请实施例提供了一种电压偏移量调整方法，包括：

获取多个chip的当前运行场景和当前page类型；

根据所述当前运行场景和所述当前page类型确定对应的目标最佳电压偏移量，其中，所述目标最佳电压偏移量通过如上述第一方面的电压偏移量确定方法确定得到；

将所有所述chip的电压偏移量调整为所述目标最佳电压偏移量。

第三方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面的电压偏移量确定方法，或者如上述第二方面的电压偏移量调整方法。

根据本申请实施例的技术方案，至少具有如下有益效果：首先，本申请实施例会获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量；然后，本申请实施例会从多个运行场景中确定目标运行场景，从多个page类型中确定目标page类型；接着，对于每个chip，本申请实施例会提取chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，根据最大码字max_cw和平均码字mean_cw从多个电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量；最后，本申请实施例会对所有chip在目标运行场景和目标page类型下的所有候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。由于本申请实施例能够基于不同运行场景和不同page类型从多个电压偏移量中确定出不同的最佳电压偏移量，从而能够在实际应用中根据运行场景和page类型快速调整得到多个chip的最佳电压偏移量，进而能够同时保证多个chip的纠正成功率和纠正速度，使得芯片性能得到极大提升。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图2是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图3是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图4是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图5是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图6是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图7是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图8是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图9是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图；

图10是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定方法的整体步骤流程图；

图11是本申请一个实施例提供的电压偏移量调整方法的步骤流程图；

图12是本申请一个实施例提供的用于执行电压偏移量确定方法或电压偏移量调整方法的电子设备的结构示意图；

图13是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定装置的结构示意图；

图14是本申请一个实施例提供的电压偏移量调整装置的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。

在一些情形下，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量；但是，由于在实际的多种不同运行场景中，芯片相关产品在部分的电压偏移量的情况下难以完全覆盖数据或者其数据读取速度慢，因此，目前的芯片相关产品的电压偏移量难以很好地与运行场景相匹配，无法更好地提升芯片性能。

基于上述情况，本申请实施例提出一种电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法、电子设备、电压偏移量确定装置、电压偏移量调整装置和计算机可读存储介质，旨在提升芯片性能。

下面结合附图，对本申请实施例的电压偏移量确定方法作进一步阐述。

如图1所示，图1是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。本申请实施例的电压偏移量确定方法包括但不限于步骤S110、步骤S120、步骤S130和步骤S140。

步骤S110、获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量；

步骤S120、从多个运行场景中确定目标运行场景，从多个page类型中确定目标page类型；

步骤S130、对于每个chip，提取chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，根据最大码字max_cw和平均码字mean_cw从多个电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量；

步骤S140、对所有chip在目标运行场景和目标page类型下的所有候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施例可以在各个运行场景和各个page类型下对各个电压偏移量进行筛选，从而得到对应的目标最佳电压偏移量。例如，本申请实施例可以在多个运行场景中选择一个目标运行场景以及在多个page类型中选择一个目标page类型进行实验，然后，本申请实施例会提取每个chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，其中，通过最大码字max_cw能够筛选出纠正成功率高的电压偏移量，同时通过平均码字mean_cw能够筛选出纠正速度快的电压偏移量，因此，本申请实施例能够筛选出每个chip在目标运行场景和目标page类型下的能够同时保证纠正成功率和纠正速度的候选最佳电压偏移量；最后，由于chip的数量样品越多，则所得到的实验数据更加准确，因此，本申请实施例会筛选出多个chip在目标运行场景和目标page类型下的能够同时保证纠正成功率和纠正速度的多个候选最佳电压偏移量，并且从这些多个候选最佳电压偏移量中筛选出最合适的目标最佳电压偏移量，那么该目标最佳电压偏移量就是所有chip在所选择的目标运行场景和目标page类型下的最合适的电压偏移量。

值得注意的是，由于本申请实施例能够基于不同运行场景和不同page类型从多个电压偏移量中确定出不同的最佳电压偏移量，从而能够在实际应用中根据运行场景和page类型快速调整得到多个chip的最佳电压偏移量，进而能够同时保证多个chip的纠正成功率和纠正速度，使得芯片性能得到极大提升。

需要说明的是，关于上述的运行场景，可以是高温写入场景，也可以是高温读取场景，也可以是高刷写次数场景，也可以是低刷写次数场景，也可以是其他类型的运行场景，本申请实施例对上述的运行场景的类型不作具体限定。

另外，需要说明的是，关于上述的page类型，可以是FLC类型，也可以是MLC类型，也可以是SLC类型，也可以是SMLC类型，也可以是TLC类型，也可以是其他类型，本申请实施例对上述的page类型不作具体限定。

另外，需要说明的是，关于上述的电压偏移量，指Retry，其中，在出厂期间会预存多组电压偏移量，其中，电压偏移量的数量可以是5组，也可以是10组，本申请实施例对预存的电压偏移量的数量不作具体限定。

另外，需要说明的是，关于上述的最大码字max_cw，如果数值越大，则表明纠正复杂程度越高；如果数值越小，则表明纠正复杂程度越低。

另外，需要说明的是，关于上述的平均码字mean_cw，如果数值越大，则表明纠正速度越慢；如果数值越小，则表明纠正速度越快。

值得注意的是，为了得到不同运行场景和不同page类型下的目标最佳电压偏移量，本申请实施例需要不断对各种运行场景和各种page类型的组合进行测试，例如：对运行场景A1和page类型B1进行测试，得到目标最佳电压偏移量C1；对运行场景A1和page类型B2进行测试，得到目标最佳电压偏移量C2；对运行场景A2和page类型B1进行测试，得到目标最佳电压偏移量C3；对运行场景A2和page类型B2进行测试，得到目标最佳电压偏移量C4。因此，在完成一系列的组合测试后，本申请实施例会得到一个与运行场景、page类型和目标最佳电压偏移量一一对应的映射表格，并将该映射表格进行预存，从而能够在实际运行期间快速针对当前运行场景和当前page类型查找到最佳电压偏移量。

另外，如图2所示，图2是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S130中的根据最大码字max_cw和平均码字mean_cw从多个电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量，包括但不限于步骤S210和步骤S220。

步骤S210、根据chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw，从多个电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量；

步骤S220、根据chip在目标运行场景和各个候选电压偏移量下的目标page类型的平均码字mean_cw，从若干个候选电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施例可以先通过最大码字max_cw从多个电压偏移量中筛选出纠正成功率100％的若干个候选电压偏移量，然后再针对这些候选电压偏移量进行筛选，具体地可以通过平均码字mean_cw从若干个候选电压偏移量中筛选出纠错速度最快的候选电压偏移量作为候选最佳电压偏移量。

可以理解的是，关于上述步骤S210中的候选电压偏移量的数量，可以是一个，可以是多个，本申请实施例对候选电压偏移量的数量不作具体限定。

另外，如图3所示，图3是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S210中的根据chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw，从多个电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量，包括但不限于步骤S310和步骤S320。

步骤S310、获取纠错能力限度值；

步骤S320、根据电压偏移量对应的最大码字max_cw和纠错能力限度值筛选出若干个候选电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施例能够将电压偏移量对应的最大码字max_cw和纠错能力限度值进行比较，得到数值比较结果，接着再根据该数值比较结果从多个电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量。

需要说明的是，关于上述的纠错能力限度值，是指最大纠错能力；而最大码字max_cw，则为纠正复杂程度，因此，本申请实施例能够通过纠错能力限度值和最大码字max_cw的数值比较结果筛选出纠正成功率100％的若干个候选电压偏移量。

需要说明的是，关于上述步骤S320中的根据电压偏移量对应的最大码字max_cw和纠错能力限度值筛选出若干个候选电压偏移量，可以包括但不限于图4或者图5中的两种实施情况，具体分别如下：

如图4所示，图4是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S320，包括但不限于步骤S410和步骤S420。

步骤S410、当电压偏移量对应的最大码字max_cw大于或等于纠错能力限度值；

步骤S420、舍弃电压偏移量。

如图5所示，图5是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S320，包括但不限于步骤S510和步骤S520。

步骤S510、当电压偏移量对应的最大码字max_cw小于纠错能力限度值；

步骤S520、保留电压偏移量，并将电压偏移量作为候选电压偏移量。

在一实施例中，如果电压偏移量对应的最大码字max_cw大于或等于纠错能力限度值，则表明纠正复杂程度大于或等于最大纠错能力，则无法保证纠正成功率100％，那么此时本申请实施例对舍弃该电压偏移量；如果电压偏移量对应的最大码字max_cw小于纠错能力限度值，则表明纠正复杂程度小于最大纠错能力，则能够保证纠正成功率100％，那么此时本申请实施例则保留电压偏移量，并将电压偏移量作为候选电压偏移量。

另外，如图6所示，图6是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S220中的根据chip在目标运行场景和各个候选电压偏移量下的目标page类型的平均码字mean_cw，从若干个候选电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量，包括但不限于步骤S610和步骤S620。

步骤S610、对chip在目标运行场景和各个候选电压偏移量下的目标page类型的平均码字mean_cw按照数值大小进行排序，得到排序后的多个平均码字mean_cw；

步骤S620、从多个平均码字mean_cw中筛选出数值最小的平均码字mean_cw，并将数值最小的平均码字mean_cw所对应的候选电压偏移量作为候选最佳电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施例可以对多个平均码字mean_cw进行数值大小的排序，由于平均码字mean_cw的数值越大，则表明纠正速度越慢；平均码字mean_cw的数值越小，则表明纠正速度越快；那么，本申请实施例能够从排序后的多个平均码字mean_cw中筛选出数值最小的平均码字mean_cw，并将数值最小的平均码字mean_cw所对应的候选电压偏移量作为候选最佳电压偏移量，那么可以保证该候选最佳电压偏移量既能够100％纠错成功，也能够达到最快的纠错速度。

另外，如图7所示，图7是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。在执行上述步骤S130中的提取chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw之前，本申请实施例的电压偏移量确定方法还包括但不限于步骤S710、步骤S720和步骤S730。

步骤S710、获取电压偏移限度值；

步骤S720、当电压偏移量小于电压偏移限度值，保留电压偏移量；

步骤S730、当电压偏移量大于或等于电压偏移限度值，舍弃电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施例还会将电压偏移量和电压偏移限度值进行比较，如果电压偏移量小于电压偏移限度值，则表明可以正常使用该电压偏移量，那么本申请实施例会保留该电压偏移量；如果电压偏移量大于或等于电压偏移限度值，则表明无法正常使用该电压偏移量，那么本申请实施例会舍弃该电压偏移量。

另外，如图8所示，图8是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S140中的对所有chip在目标运行场景和目标page类型下的所有候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量，包括但不限于步骤S810和步骤S820。

步骤S810、统计所有chip在目标运行场景和目标page类型下的各个候选最佳电压偏移量的出现次数；

步骤S820、选择出现次数最多的候选最佳电压偏移量作为与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一实施例中，由于chip的数量样品越多，则所得到的实验数据更加准确，因此，本申请实施例会筛选出多个chip在目标运行场景和目标page类型下的能够同时保证纠正成功率和纠正速度的多个候选最佳电压偏移量；接着，为了筛选出与所有chip适配度最高的目标最佳电压偏移量，本申请实施例可以对各个候选最佳电压偏移量的出现次数进行统计，然后选择出现次数最多的候选最佳电压偏移量作为目标最佳电压偏移量。由于该目标最佳电压偏移量的出现次数最多，则表明该目标最佳电压偏移量与更多的chip相匹配。

另外，如图9所示，图9是本申请另一个实施例提供的电压偏移量确定方法的步骤流程图。在执行上述步骤S110中的获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量之后，本申请实施例的电压偏移量确定方法还包括但不限于步骤S900。

步骤S900、对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。

基于上述各个实施例的电压偏移量确定方法，下面提出本申请的电压偏移量确定方法的整体实施例。

如图10所示，图10是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定方法的整体步骤流程图。本申请的电压偏移量确定方法的整体实施例包括但不限于步骤S1001至步骤S1014。

步骤S1001、开始；

步骤S1002、不同场景实验获取读数据；

步骤S1003、数据预处理，非结构化数据转为结构化数据；

步骤S1004、提取每个chip的所有page的max_cw；

步骤S1005、根据该款nand的page类型，按page类型逐个重复如下操作：

步骤S1006、判断retry＜retry_limit；

步骤S1007、该retry舍弃；

步骤S1008、求当前chip，当前retry的max_cw和mean_cw；

步骤S1009、判断max_cw＜ecc_limit；

步骤S1010、该retry不能全部纠回数据，舍弃；

步骤S1011、该retry成功率100％，作为best retry的候选retry；

步骤S1012、取以上所求候选retry的mean_cw最小的retry作为该chip的该page类型的最佳retry并记录；

步骤S1013、在相同场景下所有chip的相同page类型中选取最多个chip相同的最佳retry作为该场景该page类型的最佳retry；

步骤S1014、结束。

基于上述各个实施例的电压偏移量确定方法，下面提出本申请的电压偏移量调整方法的各个实施例。

如图11所示，图11是本申请一个实施例提供的电压偏移量调整方法的步骤流程图；本申请实施例的电压偏移量调整方法包括但不限于步骤S1110、步骤S1120和步骤S1130。

步骤S1110、获取多个chip的当前运行场景和当前page类型；

步骤S1120、根据当前运行场景和当前page类型确定对应的目标最佳电压偏移量，其中，目标最佳电压偏移量通过上述任一实施例的电压偏移量确定方法确定得到；

步骤S1130、将所有chip的电压偏移量调整为目标最佳电压偏移量。

在一实施例中，通过上述实施例的电压偏移量确定方法，可以得到一个与运行场景、page类型和目标最佳电压偏移量一一对应的映射表格，那么，在实际运行期间，本申请实施例会获取多个chip的当前运行场景和当前page类型，然后根据预存的映射表格快速查找出与当前运行场景和当前page类型对应的目标最佳电压偏移量，最后再将所有chip的电压偏移量调整为目标最佳电压偏移量。

值得注意的是，由于本申请实施例能够基于不同运行场景和不同page类型从多个电压偏移量中确定出不同的最佳电压偏移量，从而能够在实际应用中根据运行场景和page类型快速调整得到多个chip的最佳电压偏移量，进而能够同时保证多个chip的纠正成功率和纠正速度，使得芯片性能得到极大提升。

基于上述各个实施例的电压偏移量确定方法和电压偏移量调整方法，下面分别提出本申请的电子设备、电压偏移量确定装置、电压偏移量调整装置和计算机可读存储介质的各个实施例。

如图12所示，图12是本申请一个实施例提供的用于执行电压偏移量确定方法或电压偏移量调整方法的电子设备的结构示意图。本申请实施的电子设备100包括：处理器110、存储器120及存储在存储器120上并可在处理器110上运行的计算机程序，其中，图12中以一个处理器110及一个存储器120为例。

处理器110和存储器120可以通过总线或者其他方式连接，图12中以通过总线连接为例。

存储器120作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器120可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器120可选包括相对于处理器110远程设置的存储器120，这些远程存储器120可以通过网络连接至该电子设备100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

本领域技术人员可以理解，图12中示出的装置结构并不构成对电子设备100的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

在图12所示的电子设备100中，处理器110可以用于调用存储器120中储存的电压偏移量确定程序或者电压偏移量调整程序，从而实现上述的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法。具体地，实现上述实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器120中，当被处理器110执行时，执行上述实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法。

值得注意的是，由于本申请实施例的电子设备100能够执行上述任一实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法，因此，本申请实施例的电子设备100的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法的具体实施方式和技术效果。

此外，如图13所示，图13是本申请一个实施例提供的电压偏移量确定装置的结构示意图。本申请实施的电压偏移量确定装置200包括但不限于第一获取单元210、类型确定单元220、第一筛选单元230和第二筛选单元240。

具体地，第一获取单元210用于获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量；类型确定单元220用于从多个运行场景中确定目标运行场景，从多个page类型中确定目标page类型；第一筛选单元230用于对于每个chip，提取chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，根据最大码字max_cw和平均码字mean_cw从多个电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量；第二筛选单元240用于对所有chip在目标运行场景和目标page类型下的所有候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一实施例中，第一筛选单元230还用于根据chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw，从多个电压偏移量中筛选出若干个候选电压偏移量，并根据chip在目标运行场景和各个候选电压偏移量下的目标page类型的平均码字mean_cw，从若干个候选电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量。

在一实施例中，第一筛选单元230还用于获取纠错能力限度值，并根据电压偏移量对应的最大码字max_cw和纠错能力限度值筛选出若干个候选电压偏移量。

在一实施例中，当电压偏移量对应的最大码字max_cw大于或等于纠错能力限度值，第一筛选单元230还用于舍弃电压偏移量；当电压偏移量对应的最大码字max_cw小于纠错能力限度值，第一筛选单元230还用于保留电压偏移量，并将电压偏移量作为候选电压偏移量。

在一实施例中，第一筛选单元230还用于对chip在目标运行场景和各个候选电压偏移量下的目标page类型的平均码字mean_cw按照数值大小进行排序，得到排序后的多个平均码字mean_cw；并且从多个平均码字mean_cw中筛选出数值最小的平均码字mean_cw，并将数值最小的平均码字mean_cw所对应的候选电压偏移量作为候选最佳电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施的电压偏移量确定装置200还包括但不限于第三筛选单元250，该第三筛选单元250用于获取电压偏移限度值；当电压偏移量小于电压偏移限度值，该第三筛选单元250保留电压偏移量；当电压偏移量大于或等于电压偏移限度值，该第三筛选单元250舍弃电压偏移量。

在一实施例中，第二筛选单元240还用于统计所有chip在目标运行场景和目标page类型下的各个候选最佳电压偏移量的出现次数，并选择出现次数最多的候选最佳电压偏移量作为与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。

在一实施例中，本申请实施的电压偏移量确定装置200还包括但不限于预处理单元260，该预处理单元260用于对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。

值得注意的是，由于本申请实施例的电压偏移量确定装置200对应于上述任一实施例的电压偏移量确定方法，因此，本申请实施例的电压偏移量确定装置200的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的电压偏移量确定方法的具体实施方式和技术效果。

此外，如图14所示，图14是本申请一个实施例提供的电压偏移量调整装置的结构示意图。本申请实施的电压偏移量调整装置300包括但不限于第二获取单元310、偏移量确定单元320和偏移量调整单元330。

具体地，第二获取单元310用于获取多个chip的当前运行场景和当前page类型；偏移量确定单元320用于根据当前运行场景和当前page类型确定对应的目标最佳电压偏移量，其中，目标最佳电压偏移量通过上述任一实施例的电压偏移量确定方法确定得到；偏移量调整单元330用于将所有chip的电压偏移量调整为目标最佳电压偏移量。

值得注意的是，由于本申请实施例的电压偏移量调整装置300对应于上述任一实施例的电压偏移量调整方法，因此，本申请实施例的电压偏移量调整装置300的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的电压偏移量调整方法的具体实施方式和技术效果。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。

此外，本申请的一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法。示例性地，执行以上描述的图1至图11中的方法步骤。

值得注意的是，由于本申请实施例的计算机可读存储介质能够执行上述任一实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法，因此，本申请实施例的计算机可读存储介质的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的电压偏移量确定方法或者电压偏移量调整方法的具体实施方式和技术效果。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

本申请实施例提供的电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法、电子设备、电压偏移量确定装置、电压偏移量调整装置及存储介质，其能够基于不同运行场景和不同page类型从多个电压偏移量中确定出不同的最佳电压偏移量，从而能够在实际应用中根据运行场景和page类型快速调整得到多个chip的最佳电压偏移量，进而能够同时保证多个chip的纠正成功率和纠正速度，使得芯片性能得到极大提升。

本申请实施例描述的实施例是为了更加清楚的说明本申请实施例的技术方案，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的限定，本领域技术人员可知，随着技术的演变和新应用场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本领域技术人员可以理解的是，图中示出的技术方案并不构成对本申请实施例的限定，可以包括比图示更多或更少的步骤，或者组合某些步骤，或者不同的步骤。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、设备中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。

本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本申请权利要求所限定的范围内。