基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和存储介质

技术领域

本申请涉及数据处理技术领域，特别涉及一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和存储介质。

背景技术

在相关技术中，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量retry，其中，对于实际的芯片产品如NAND闪存，当其不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，那么该芯片产品则无法有效地纠错所有异常数据，进而无法进一步提升芯片产品的质量性能。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和存储介质，旨在查找出能够实现100&数据纠错能力的最佳retry组合。

第一方面，本申请实施例提供了一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，包括：

获取多个电压偏移量retry，计算出每个所述电压偏移量retry对应的纠正有效率；

当每个所述纠正有效率均小于100％，将所述纠正有效率最高的所述电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定所述组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；

从除所述组合部分retry_part之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出若干个所述电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，其中，所述第一补充部分retry_sup1所纠正有效的总数据包括所有的所述第一失效数据；

将所述第一补充部分retry_sup1更新合并至所述组合部分retry_part，并将更新后的所述组合部分retry_part作为最佳retry组合。

在一些实施例中，所述从除所述组合部分retry_part之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出若干个所述电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，包括：

从除所述组合部分retry_part之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出第一集合ok_retry，其中，所述第一集合ok_retry用于存储第一电压偏移量，每个所述第一电压偏移量所纠正有效的数据均包括所有的所述第一失效数据；

当所述第一集合ok_retry不为空，从所述第一集合ok_retry中筛选出一个所述第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一些实施例中，所述当所述第一集合ok_retry不为空，从所述第一集合ok_retry中筛选出一个所述第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1，包括如下之一：

当所述第一集合ok_retry包括多个所述第一电压偏移量，计算出每个所述第一电压偏移量对所有所述第一失效数据的平均纠正时间mean_ecc，选择所述平均纠正时间mean_ecc最小的所述第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1；

当所述第一集合ok_retry包括一个所述第一电压偏移量，将所述第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一些实施例中，所述最佳retry组合确定方法还包括：

从除所述组合部分retry_part和所述第一集合ok_retry之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出第二集合failed_retry，其中，所述第二集合failed_retry用于存储第二电压偏移量，每个所述第二电压偏移量所纠正有效的数据包括部分的所述第一失效数据；

当所述第一集合ok_retry为空，从所述第二集合failed_retry中筛选出一个所述第二电压偏移量更新合并至所述组合部分retry_part，得到中间组合部分。

在一些实施例中，在所述得到中间组合部分之后，所述最佳retry组合确定方法还包括：

确定所述中间组合部分所纠正失效的第二失效数据；

从除所述中间组合部分之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出若干个所述电压偏移量retry作为第二补充部分retry_sup2，其中，所述第二补充部分retry_sup2所纠正有效的总数据包括所有的所述第二失效数据；

将所述第二补充部分retry_sup2更新合并至所述中间组合部分，并将更新后的所述中间组合部分作为最佳retry组合。

在一些实施例中，所述从所述第二集合failed_retry中筛选出一个所述第二电压偏移量更新合并至所述组合部分retry_part，包括：

计算出每个所述第二电压偏移量对应的纠正比例；

将所述纠正比例最高的所述第二电压偏移量更新合并至所述组合部分retry_part。

在一些实施例中，所述从除所述组合部分retry_part之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出第一集合ok_retry，包括：

遍历除所述组合部分retry_part和所述第一集合ok_retry之外的其他所述电压偏移量retry；

计算出所述第一集合ok_retry中的所有所述第一电压偏移量的第一交集，将所述第一交集与当前遍历的所述电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；

当所述未纠回数据集cross_dff为空，将当前遍历的所述电压偏移量retry添加至所述第一集合ok_retry中。

在一些实施例中，所述从除所述组合部分retry_part和所述第一集合ok_retry之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出第二集合failed_retry，包括：

遍历除所述组合部分retry_part和所述第一集合ok_retry之外的其他所述电压偏移量retry；

计算出所述第一集合ok_retry中的所有所述第一电压偏移量的第一交集，将所述第一交集与当前遍历的所述电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；

当所述未纠回数据集cross_dff不为空，将当前遍历的所述电压偏移量retry添加至所述第二集合failed_retry中。

第二方面，本申请实施例提供了一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置，包括：

数据获取单元，用于获取多个电压偏移量retry，计算出每个所述电压偏移量retry对应的纠正有效率；

组合部分确定单元，用于当每个所述纠正有效率均小于100％，将所述纠正有效率最高的所述电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定所述组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；

补充部分确定单元，用于从除所述组合部分retry_part之外的其他所述电压偏移量retry中筛选出若干个所述电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，其中，所述第一补充部分retry_sup1所纠正有效的总数据包括所有的所述第一失效数据；

最佳组合生成单元，用于将所述第一补充部分retry_sup1更新合并至所述组合部分retry_part，并将更新后的所述组合部分retry_part作为最佳retry组合。

第三方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法。

根据本申请实施例的技术方案，至少具有如下有益效果：首先，本申请实施例会获取多个电压偏移量retry，计算出每个电压偏移量retry对应的纠正有效率；然后，当每个纠正有效率均小于100％，本申请实施例会将纠正有效率最高的电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；接着，本申请实施例会从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，其中，第一补充部分retry_sup1所纠正有效的总数据包括所有的第一失效数据；最后，本申请实施例会将第一补充部分retry_sup1更新合并至组合部分retry_part，并将更新后的组合部分retry_part作为最佳retry组合。由于本申请实施例能够基于纠正有效率筛选出组合部分retry_part，然后再基于组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据筛选出第一补充部分retry_sup1，最后再将组合部分retry_part和第一补充部分retry_sup1合并得到最佳retry组合；因此，当芯片产品不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，可以通过本申请实施例查找出能够实现100&数据纠错能力的最佳retry组合，从而使得芯片产品能够有效地纠错所有异常数据，从而极大地提升了芯片产品的质量性能。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图2是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图3是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图4是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图5是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图6是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图7是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图8是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图9是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图；

图10是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的整体步骤流程图；

图11是本申请一个实施例提供的用于执行基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的电子设备的结构示意图；

图12是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。

在一些情形下，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量retry，其中，对于实际的芯片产品如NAND闪存，当其不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，那么该芯片产品则无法有效地纠错所有异常数据，进而无法进一步提升芯片产品的质量性能。

基于上述情况，本申请实施例提出一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和计算机可读存储介质，旨在查找出能够实现100&数据纠错能力的最佳retry组合。

下面结合附图，对本申请实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法作进一步阐述。

如图1所示，图1是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。本申请实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法可以包括但不限于步骤S110、步骤S120、步骤S130和步骤S140。

步骤S110、获取多个电压偏移量retry，计算出每个电压偏移量retry对应的纠正有效率；

步骤S120、当每个纠正有效率均小于100％，将纠正有效率最高的电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；

步骤S130、从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，其中，第一补充部分retry_sup1所纠正有效的总数据包括所有的第一失效数据；

步骤S140、将第一补充部分retry_sup1更新合并至组合部分retry_part，并将更新后的组合部分retry_part作为最佳retry组合。

在一实施例中，首先，由于本申请实施例会预设多个电压偏移量retry，因此，为了获知各个电压偏移量retry的纠正情况，那么本申请实施例需要计算出每个电压偏移量retry对应的纠正有效率；然后，如果所有纠正有效率中均没有一个纠正有效率能够达到100％，那么则表明该芯片产品不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry，对此，本申请实施例采用了retry组合的方式来实现100％纠正能力，其中，关于最佳retry组合的具体确定步骤为：首先，选择纠正有效率最高的电压偏移量retry作为最佳retry组合的组合部分retry_part；然后，再确定该组合部分retry_part纠正失效的第一失效数据，即第一失效数据无法被该组合部分retry_part有效纠正；接着，本申请实施例会从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出第一补充部分retry_sup1，其中，该第一补充部分retry_sup1能够有效纠正上述的第一失效数据，即第一失效数据能够被该第一补充部分retry_sup1有效纠正；最后，本申请实施例会在组合部分retry_part中加入第一补充部分retry_sup1，并将更新后的组合部分retry_part作为最佳retry组合，其中，该最佳retry组合能够有效纠正所有数据。

值得注意的是，由于本申请实施例能够基于纠正有效率筛选出组合部分retry_part，然后再基于组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据筛选出第一补充部分retry_sup1，最后再将组合部分retry_part和第一补充部分retry_sup1合并得到最佳retry组合；因此，当芯片产品不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，可以通过本申请实施例查找出能够实现100&数据纠错能力的最佳retry组合，从而使得芯片产品能够有效地纠错所有异常数据，从而极大地提升了芯片产品的质量性能。

需要说明的是，关于上述的电压偏移量，指retry，其中，在出厂期间会预存多组电压偏移量，其中，电压偏移量的数量可以是5组，也可以是10组，本申请实施例对预存的电压偏移量的数量不作具体限定。

另外，需要说明的是，关于上述的纠正有效率，可以是指纠正正确的数据占所有需要纠正数据的比例。

另外，需要说明的是，关于第一补充部分retry_sup1中的电压偏移量retry的数量，可以是一个，也可以是多个，本申请实施例对第一补充部分retry_sup1中的电压偏移量retry的数量不作具体限定。

另外，如图2所示，图2是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S130中的从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，可以包括但不限于步骤S210和步骤S220。

步骤S210、从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出第一集合ok_retry，其中，第一集合ok_retry用于存储第一电压偏移量，每个第一电压偏移量所纠正有效的数据均包括所有的第一失效数据；

步骤S220、当第一集合ok_retry不为空，从第一集合ok_retry中筛选出一个第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，当确定了组合部分retry_part之后，本申请实施例会从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中进行筛选，从而得到一个用于存储第一电压偏移量的第一集合ok_retry，其中，第一集合ok_retry中的每一个第一电压偏移量所纠正有效的数据均包括所有的第一失效数据；接着，本申请实施例会判断第一集合ok_retry是否为空，如果第一集合ok_retry不为空，则表明第一集合ok_retry含有一个或多个能够独立纠正所有第一失效数据的第一电压偏移量，对此，本申请实施例可以从第一集合ok_retry中筛选出一个第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

需要说明的是，关于上述步骤S220中的当第一集合ok_retry不为空，从第一集合ok_retry中筛选出一个第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1，可以包括但不限于图3或者图4中的两种实施情况，具体分别如下：

如图3所示，图3是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S220，可以包括但不限于步骤S310、步骤S320和步骤S330。

步骤S310、当第一集合ok_retry包括多个第一电压偏移量；

步骤S320、计算出每个第一电压偏移量对所有第一失效数据的平均纠正时间mean_ecc；

步骤S330、选择平均纠正时间mean_ecc最小的第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，当确定了组合部分retry_part并且第一集合ok_retry不为空时，如果第一集合ok_retry中包括多个第一电压偏移量，由于每个第一电压偏移量所对应的纠正速度都可能不一致，对此，本申请实施例可以计算出每个第一电压偏移量对所有第一失效数据的平均纠正时间mean_ecc，由于平均纠正时间mean_ecc越短，则纠正速度越快；平均纠正时间mean_ecc越短，则纠正速度越快；所以，本申请实施例可以选择平均纠正时间mean_ecc最小的第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

如图4所示，图4是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S220，可以包括但不限于步骤S410和步骤S420。

步骤S410、当第一集合ok_retry包括一个第一电压偏移量；

步骤S420、将第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，当确定了组合部分retry_part并且第一集合ok_retry不为空时，如果第一集合ok_retry中仅仅包括一个第一电压偏移量，那么，本申请实施例可以直接选择该第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

另外，如图5所示，图5是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。基于上述步骤S210，本申请实施例的最佳retry组合确定方法还可以包括但不限于步骤S510和步骤S520。

步骤S510、从除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry中筛选出第二集合failed_retry，其中，第二集合failed_retry用于存储第二电压偏移量，每个第二电压偏移量所纠正有效的数据包括部分的第一失效数据；

步骤S520、当第一集合ok_retry为空，从第二集合failed_retry中筛选出一个第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part，得到中间组合部分。

在一实施例中，除了生成第一集合ok_retry之外，本申请实施例还会从除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry中进行筛选，从而得到用于存储第二电压偏移量的第二集合failed_retry，其中，第二集合failed_retry中的每一个第二电压偏移量所纠正有效的数据仅仅包括部分的第一失效数据；接着，本申请实施例会判断第一集合ok_retry是否为空，如果第一集合ok_retry为空，则表明第一集合ok_retry没有一个能够独立纠正所有第一失效数据的第一电压偏移量，对此，本申请实施例可以从第二集合failed_retry中筛选出一个第二电压偏移量，并将该第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part，并将更新后的组合部分retry_part作为中间组合部分；后续本申请实施例会基于中间组合部分重复执行上述类似的步骤S130至步骤S140。

另外，如图6所示，图6是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。在执行上述步骤S520之后，本申请实施例的最佳retry组合确定方法还可以包括但不限于步骤S610、步骤S620和步骤S630。

步骤S610、确定中间组合部分所纠正失效的第二失效数据；

步骤S620、从除中间组合部分之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第二补充部分retry_sup2，其中，第二补充部分retry_sup2所纠正有效的总数据包括所有的第二失效数据；

步骤S630、将第二补充部分retry_sup2更新合并至中间组合部分，并将更新后的中间组合部分作为最佳retry组合。

在一实施例中，在确定中间组合部分之后，本申请实施例会确定该中间组合部分纠正失效的第二失效数据，即第二失效数据无法被该中间组合部分有效纠正；接着，本申请实施例会从除中间组合部分之外的其他电压偏移量retry中筛选出第二补充部分retry_sup2，其中，该第二补充部分retry_sup2能够有效纠正上述的第二失效数据，即第二失效数据能够被该第二补充部分retry_sup2有效纠正；最后，本申请实施例会在中间组合部分中加入第二补充部分retry_sup2，并将更新后的中间组合部分作为最佳retry组合，其中，该最佳retry组合能够有效纠正所有数据。

值得注意的是，上述步骤S610、步骤S620和步骤S630可以分别对应于步骤S120、步骤S130和步骤S140，因此，关于上述步骤S610、步骤S620和步骤S630的具体实施方式和技术效果，可以参照上述类似步骤的具体实施方式和技术效果。

另外，如图7所示，图7是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S520中的从第二集合failed_retry中筛选出一个第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part，可以包括但不限于步骤S710和步骤S720。

步骤S710、计算出每个第二电压偏移量对应的纠正比例；

步骤S720、将纠正比例最高的第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part。

在一实施例中，当需要从第二集合failed_retry中筛选出一个第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part时，本申请实施例可以计算出第二集合failed_retry中每个第二电压偏移量对应的纠正比例，由于纠正比例越高，则表明该第二电压偏移量所能有效纠正的失效数据越多；纠正比例越低，则表明该第二电压偏移量所能有效纠正的失效数据越少；因此，为了进一步减少最佳retry组合中的retry数量，本申请实施例可以将纠正比例最高的第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part。

另外，如图8所示，图8是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S210中的从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出第一集合ok_retry，可以包括但不限于步骤S810和步骤S820和步骤S830。

步骤S810、遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry；

步骤S820、计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，将第一交集与当前遍历的电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；

步骤S830、当未纠回数据集cross_dff为空，将当前遍历的电压偏移量retry添加至第一集合ok_retry中。

在一实施例中，关于第一集合ok_retry的具体方式，可以如下：初始的第一集合ok_retry为空，在确定了组合部分retry_part之后，本申请实施例可以遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry，然后计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，再计算出第一交集与当前遍历的电压偏移量retry的交集，从而得到未纠回数据集cross_dff；如果未纠回数据集cross_dff为空，那么本申请实施例就将当前遍历的电压偏移量retry添加至第一集合ok_retry中；接着，按照更新后的第一集合ok_retry继续对下一个电压偏移量retry进行分析，从而不断更新第一集合ok_retry，直到遍历完成。

另外，如图9所示，图9是本申请另一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的步骤流程图。关于上述步骤S510中的从除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry中筛选出第二集合failed_retry，可以包括但不限于步骤S910、步骤S920和步骤S930。

步骤S910、遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry；

步骤S920、计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，将第一交集与当前遍历的电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；

步骤S930、当未纠回数据集cross_dff不为空，将当前遍历的电压偏移量retry添加至第二集合failed_retry中。

在一实施例中，关于第一集合ok_retry的具体方式，可以如下：初始的第一集合ok_retry和第二集合failed_retry均为空，在确定了组合部分retry_part之后，本申请实施例可以遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry，然后计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，再计算出第一交集与当前遍历的电压偏移量retry的交集，从而得到未纠回数据集cross_dff；如果未纠回数据集cross_dff不为空，那么本申请实施例就将当前遍历的电压偏移量retry添加至第二集合failed_retry中；接着，再继续对下一个电压偏移量retry进行分析，从而不断更新第一集合ok_retry和第二集合failed_retry，直到遍历完成。

基于上述各个实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，下面提出本申请的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的整体实施例。

如图10所示，图10是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的整体步骤流程图。本申请的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的整体实施例包括但不限于步骤S1001至步骤S1013。

步骤S1001、开始；

步骤S1002、遍历当前chip；

步骤S1003、计算每个retry的有效率，并记录有效率最高的retry作为组合部分retry_part；

步骤S1004、选择retry_part中所有失效的所有数据failed_dff；

步骤S1005、遍历除ok_retry以外的retry；

步骤S1006、计算ok_retry中所有retry的交集，再与当前retry做交集得到未纠回数据集cross_dff；

步骤S1007、判断交集cross_dff是否为空；

步骤S1008、记录当前retry到ok_retry；

步骤S1009、记录当前retry与纠回比例到failed_retry；

步骤S1010、判断ok_retry是否不为空；

步骤S1011、选择failed_retry中纠回比例最高的retry到retry_part；

步骤S1012、选择ok_retry中mean_ecc最小的retry到retry_part；

步骤S1013、结束。

对此，若一个chip无法用一组retry纠回时，通过上述流程可以找出可纠回该chip全部数据的最少retry组合有几个，并确定分别是具体哪几个retry。

基于上述各个实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，下面分别提出本申请的电子设备、基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置和计算机可读存储介质的各个实施例。

如图11所示，图11是本申请一个实施例提供的用于执行基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的电子设备的结构示意图。本申请实施的电子设备100包括：处理器110、存储器120及存储在存储器120上并可在处理器110上运行的计算机程序，其中，图11中以一个处理器110及一个存储器120为例。

处理器110和存储器120可以通过总线或者其他方式连接，图11中以通过总线连接为例。

存储器120作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器120可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器120可选包括相对于处理器110远程设置的存储器120，这些远程存储器120可以通过网络连接至该电子设备100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

本领域技术人员可以理解，图11中示出的装置结构并不构成对电子设备100的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

在图11所示的电子设备100中，处理器110可以用于调用存储器120中储存的基于数据可靠性的最佳retry组合确定程序，从而实现上述的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法。具体地，实现上述实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器120中，当被处理器110执行时，执行上述实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法。

值得注意的是，由于本申请实施例的电子设备100能够执行上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，因此，本申请实施例的电子设备100的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的具体实施方式和技术效果。

此外，如图12所示，图12是本申请一个实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置的结构示意图。本申请实施的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置200包括但不限于数据获取单元210、组合部分确定单元220、补充部分确定单元230和最佳组合生成单元240。

具体地，数据获取单元210用于获取多个电压偏移量retry，计算出每个电压偏移量retry对应的纠正有效率；组合部分确定单元220用于当每个纠正有效率均小于100％，将纠正有效率最高的电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；补充部分确定单元230用于从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1，其中，第一补充部分retry_sup1所纠正有效的总数据包括所有的第一失效数据；最佳组合生成单元240用于将第一补充部分retry_sup1更新合并至组合部分retry_part，并将更新后的组合部分retry_part作为最佳retry组合。

在一实施例中，补充部分确定单元230还用于从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出第一集合ok_retry，其中，第一集合ok_retry用于存储第一电压偏移量，每个第一电压偏移量所纠正有效的数据均包括所有的第一失效数据；并且当第一集合ok_retry不为空，还用于从第一集合ok_retry中筛选出一个第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，当第一集合ok_retry包括多个第一电压偏移量，补充部分确定单元230还用于计算出每个第一电压偏移量对所有第一失效数据的平均纠正时间mean_ecc，选择平均纠正时间mean_ecc最小的第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，当第一集合ok_retry包括一个第一电压偏移量，补充部分确定单元230还用于将第一电压偏移量作为第一补充部分retry_sup1。

在一实施例中，本申请实施的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置200还包括但不限于组合部分更新单元250，该组合部分更新单元250用于从除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry中筛选出第二集合failed_retry，其中，第二集合failed_retry用于存储第二电压偏移量，每个第二电压偏移量所纠正有效的数据包括部分的第一失效数据；当第一集合ok_retry为空，该组合部分更新单元250用于从第二集合failed_retry中筛选出一个第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part，得到中间组合部分。

在一实施例中，组合部分更新单元250还用于确定中间组合部分所纠正失效的第二失效数据；然后从除中间组合部分之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第二补充部分retry_sup2，其中，第二补充部分retry_sup2所纠正有效的总数据包括所有的第二失效数据；再将第二补充部分retry_sup2更新合并至中间组合部分，并将更新后的中间组合部分作为最佳retry组合。

在一实施例中，组合部分更新单元250还用于计算出每个第二电压偏移量对应的纠正比例；并将纠正比例最高的第二电压偏移量更新合并至组合部分retry_part。

在一实施例中，补充部分确定单元230还用于遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry；然年计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，将第一交集与当前遍历的电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；当未纠回数据集cross_dff为空，再将当前遍历的电压偏移量retry添加至第一集合ok_retry中。

在一实施例中，组合部分更新单元250还用于遍历除组合部分retry_part和第一集合ok_retry之外的其他电压偏移量retry；然后计算出第一集合ok_retry中的所有第一电压偏移量的第一交集，将第一交集与当前遍历的电压偏移量retry做交集，得到未纠回数据集cross_dff；当未纠回数据集cross_dff不为空，再将当前遍历的电压偏移量retry添加至第二集合failed_retry中。

值得注意的是，由于本申请实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置200对应于上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，因此，本申请实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置200的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的具体实施方式和技术效果。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。

此外，本申请的一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法。示例性地，执行以上描述的图1至图10中的方法步骤。

值得注意的是，由于本申请实施例的计算机可读存储介质能够执行上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法，因此，本申请实施例的计算机可读存储介质的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法的具体实施方式和技术效果。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

本申请实施例提供的基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、电子设备、基于数据可靠性的最佳retry组合确定装置及存储介质，其能够基于纠正有效率筛选出组合部分retry_part，然后再基于组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据筛选出第一补充部分retry_sup1，最后再将组合部分retry_part和第一补充部分retry_sup1合并得到最佳retry组合；因此，当芯片产品不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，可以通过本申请实施例查找出能够实现100&数据纠错能力的最佳retry组合，从而使得芯片产品能够有效地纠错所有异常数据，从而极大地提升了芯片产品的质量性能。

本申请实施例描述的实施例是为了更加清楚的说明本申请实施例的技术方案，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的限定，本领域技术人员可知，随着技术的演变和新应用场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本领域技术人员可以理解的是，图中示出的技术方案并不构成对本申请实施例的限定，可以包括比图示更多或更少的步骤，或者组合某些步骤，或者不同的步骤。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、设备中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。

本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本申请权利要求所限定的范围内。