检测装置及方法、检查装置及方法、磁带盒、磁带、磁带驱动器、磁带系统、存储介质

技术领域

本发明的技术涉及一种检测装置、检查装置、磁带盒、磁带、磁带驱动器、磁带系统、检测方法、检查方法及存储介质。

背景技术

专利文献1中举出了在磁带设备中，当磁带未以适当的张力和/或偏斜角度通过磁头时，出现读取和/或写入错误这一问题。为了解决该问题，专利文献1中所记载的系统包含具有阅读器及写入器中的至少一个阵列的磁头、用于在磁头上使磁记录带通过的驱动机构以及与磁头耦合的偏斜感应机构，并且调整阵列的纵轴相对于与磁带在磁头上移动的方向垂直的方向的偏斜角度及与磁头进行通信的控制器。并且，专利文献1中所记载的系统确定磁带的磁带尺寸稳定状态，向相对于磁带的移动方向从法线分开的方向调整偏斜角度，当磁带尺寸稳定状态处于收缩状态时，降低磁头整体的磁带的张力。

专利文献2中公开有通过对产生有横向变形的磁带的数据磁道选择性地使用纵向偏移的读取元件来进行读取的方法。读取元件为相对于磁带具有方位角的磁头的一部分，在读取元件之间产生横向偏移。该横向偏移为了将横向的磁带的变形的影响抑制为最小限度而利用。

专利文献3中公开有磁头装置，其具备：磁头部，在第1直线上以等间隔并列设置有分别进行记录于设置于磁带的多个数据磁道的数据的播放及对该各数据磁道的数据的记录中的至少一个的多个磁性元件；移动机构，使该磁头部移动；及控制部，执行通过使所述磁头部相对于所述移动机构移动而对所述各数据磁道分别使所述各磁性元件正对磁道(Ontrack)的跟踪控制。在专利文献3中所记载的磁头装置中，移动机构构成为能够进行以增减沿着磁带宽度的第2直线与第1直线所成的角度的朝向使磁头部转动的转动驱动，控制部在执行跟踪控制时，以与各数据磁道的间隔的变化相对应的角度的增减量来使移动机构转动驱动磁头部而对各数据磁道使各磁性元件正对磁道。

专利文献1：美国专利第8094402号

专利文献2：美国专利第6781784号

专利文献3：日本特开2009-123288号公报

发明内容

本发明的技术所涉及的一个实施方式提供一种能够以高精度检测伺服图案信号的检测装置、检查装置、磁带盒、磁带、磁带驱动器、磁带系统、检测方法、检查方法及存储介质。

本发明的技术所涉及的第1方式为检测装置，其具备处理器，处理器执行如下处理：通过对由伺服读取元件从具有记录有伺服图案的伺服带的磁带读取了伺服带的结果即伺服带信号与阈值进行比较，检测表示伺服图案的伺服图案信号；阈值根据由伺服图案与伺服读取元件所成的角度而设定。

本发明的技术所涉及的第2方式为第1方式所涉及的检测装置，其中，阈值为根据角度而变更的可变值。

本发明的技术所涉及的第3方式为第2方式所涉及的检测装置，其中，阈值在磁带行进的期间发生变更，处理器将在磁带中确定阈值发生变更的位置的确定信息与在位置上发生变更的阈值建立关联并存储于存储介质。

本发明的技术所涉及的第4方式为第3方式所涉及的检测装置，其中，磁带容纳于磁带盒，在磁带盒中设置有能够以非接触方式与处理器进行通信的非接触式存储介质作为存储介质。

本发明的技术所涉及的第5方式为第3方式所涉及的检测装置，其中，存储介质为磁带。

本发明的技术所涉及的第6方式为第1方式至第5方式中任一个方式所涉及的检测装置，其中，处理器执行如下处理：以角度发生变更为条件，导出与变更后的角度对应的阈值；通过对所导出的阈值与伺服带信号进行比较来检测伺服图案信号。

本发明的技术所涉及的第7方式为第1方式至第6方式中任一个方式所涉及的检测装置，其中，伺服图案为至少一个线状磁化区域对，线状磁化区域对为以线状磁化的第1线状磁化区域及以线状磁化的第2线状磁化区域，第1线状磁化区域及第2线状磁化区域相对于沿着磁带的宽度方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，角度分类为由第1线状磁化区域与伺服读取元件所成的第1角度和由第2线状磁化区域与伺服读取元件所成的第2角度，阈值分类为第1阈值与第2阈值，第1阈值根据第1角度而设定，第2阈值根据第2角度而设定。

本发明的技术所涉及的第8方式为检查装置，其具备：第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的检测装置；及检查处理器，根据通过检测装置检测到的伺服图案信号，在磁带中进行记录伺服图案的伺服带的检查。

本发明的技术所涉及的第9方式为磁带盒，其具备：存储器，存储有通过第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的检测装置中所包含的处理器与伺服带信号进行比较的阈值；及磁带。

本发明的技术所涉及的第10方式为磁带，其存储有通过第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的检测装置中所包含的处理器与伺服带信号进行比较的阈值。

本发明的技术所涉及的第11方式为第10方式所涉及的磁带，其形成有数据带，在数据带中存储有阈值。

本发明的技术所涉及的第12方式为第11方式所涉及的磁带，其中，阈值在磁带行进的期间发生变更，在数据带内，在与阈值发生变更的位置对应的区域存储有阈值。

本发明的技术所涉及的第13方式为磁带盒，其容纳有第10方式至第12方式中任一个方式所涉及的磁带。

本发明的技术所涉及的第14方式为磁带驱动器，其具备：第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的检测装置；及磁头，按照通过检测装置检测到的伺服图案信号进行动作。

本发明的技术所涉及的第15方式为磁带系统，其具备：磁带驱动器，具有第1方式至第7方式中任一个方式所涉及的检测装置及按照通过检测装置检测到的伺服图案信号进行动作的磁头；及磁带，通过磁头进行磁处理。

本发明的技术所涉及的第16方式为检测方法，其包括如下步骤：获取由伺服读取元件从具有记录有伺服图案的伺服带的磁带读取了伺服带的结果即伺服带信号；及通过对所获取的伺服带信号与阈值进行比较，检测表示伺服图案的伺服图案信号，阈值根据由伺服图案与伺服读取元件所成的角度而设定。

本发明的技术所涉及的第17方式为検査方法，其包括如下步骤：根据本发明的技术所涉及的第16方式所涉及的检测方法检测到的伺服图案信号，在磁带中进行记录伺服图案的伺服带的检查。

本发明的技术所涉及的第18方式为程序，其为用于使计算机执行处理的程序：该处理包括如下步骤：获取由伺服读取元件从具有记录有伺服图案的伺服带的磁带读取了伺服带的结果即伺服带信号；及通过对所获取的伺服带信号与阈值进行比较，检测表示伺服图案的伺服图案信号，阈值根据由伺服图案与伺服读取元件所成的角度而设定。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的磁带系统的结构的一例的框图。

图2是表示实施方式所涉及的磁带盒的外观的一例的概略立体图。

图3是表示实施方式所涉及的磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图4是表示从实施方式所涉及的磁带盒的下侧通过非接触式读写装置释放了磁场的方式的一例的概略立体图。

图5是表示实施方式所涉及的磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图6是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带上配置有磁头的状态的方式的一例的概念图。

图7是表示从磁带的表面侧观察了实施方式所涉及的磁带的宽度收缩前后的磁带的方式的一例的概念图。

图8是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带上磁头偏斜的状态的方式的一例的概念图。

图9是表示实施方式所涉及的磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的功能的一例的概念图。

图10是表示实施方式所涉及的磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的控制部及位置检测部的第1处理内容的一例的概念图。

图11是表示实施方式所涉及的磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的控制部及位置检测部的第2处理内容的一例的概念图。

图12是表示实施方式所涉及的磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的控制部及位置检测部的第3处理内容的一例的概念图。

图13是表示实施方式所涉及的磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的控制部及位置检测部的第4处理内容的一例的概念图。

图14是表示实施方式所涉及的伺服写入器的结构的一例的概念图。

图15是表示实施方式所涉及的伺服图案检测处理的流程的一例的流程图。

图16是表示实施方式所涉及的第1设定处理的流程的一例的流程图。

图17是表示实施方式所涉及的第2设定处理的流程的一例的流程图。

图18是表示第1变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图19是表示第1变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图20是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图21是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上未偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图22是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图23是表示第2变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图24是表示第2变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图25是表示第3变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图26是表示第3变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图27是表示第4变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图28是表示第5变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图29是表示第5变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图30是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图31是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图32是表示第6变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图33是表示第6变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图34是表示第7变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图35是表示第7变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图36是表示第8变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图37是表示存储于存储介质的程序安装于处理装置的计算机的方式的一例的概念图。

具体实施方式

以下，按照附图对本发明的技术所涉及的检测装置、检查装置、磁带盒、磁带、磁带驱动器、磁带系统、检测方法、检查方法及程序的实施方式的一例进行说明。

首先，对以下说明中所使用词句进行说明。

NVM是指“Non-volatile memory：非易失性存储器”的简称。CPU是指“CentralProcessing Unit：中央处理器”的简称。RAM是指“Random Access Memory：随机存取存储器”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory：电可擦可编程只读存储器”的简称。SSD是指“Solid State Drive：固态硬盘”的简称。HDD是指“Hard Disk Drive：硬盘驱动器”的简称。ASIC是指“Application Specific IntegratedCircuit：专用集成电路”的简称。FPGA是指“Field-Programmable Gate Array：现场可编程门阵列”的简称。PLC是指“Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器”的简称。SoC是指“System-on-a-chip：片上系统”的简称。IC是指“Integrated Circuit：集成电路”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier：无线射频识别”的简称。BOT是指“Beginning Of Tape：磁带始端”的简称。EOT是指“End Of Tape：磁带尾端”的简称。UI是指“User Interface：用户接口”的简称。WAN是指“Wide Area Network：广域网”的简称。LAN是指“Local Area Network：局域网”的简称。并且，在以下说明中，几何特性是指，长度、形状、朝向和/或位置等一般公认的几何学上的特性。

作为一例，如图1所示，磁带系统10具备磁带盒12及磁带驱动器14。在磁带驱动器14中装填有磁带盒12。磁带盒12容纳有磁带MT。磁带驱动器14从所装填的磁带盒12抽出磁带MT，一边使所抽出的磁带MT行进，一边对磁带MT记录数据，或从磁带MT读取数据。

在本实施方式中，磁带MT为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。并且，在本实施方式中，磁带系统10为本发明的技术所涉及的“磁带系统”的一例。并且，在本实施方式中，磁带驱动器14为本发明的技术所涉及的“磁带驱动器”的一例。并且，在本实施方式中，磁带盒12为本发明的技术所涉及的“盒”及“磁带盒”的一例。

接着，参考图2～图4对磁带盒12的结构的一例进行说明。另外，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头A来表示磁带盒12向磁带驱动器14的装填方向，将箭头A方向设为磁带盒12的前方向，将磁带盒12的前方向侧设为磁带盒12的前侧。在以下所示的结构的说明中，“前”是指磁带盒12的前侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒12的右方向侧设为磁带盒12的右侧。在以下所示的结构的说明中，“右”是指磁带盒12的右侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头B方向相反的方向设为左方向，将磁带盒12的左方向侧设为磁带盒12的左侧。在以下所示的结构的说明中，“左”是指磁带盒12的左侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头C来表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒12的上方向，将磁带盒12的上方向侧设为磁带盒12的上侧。在以下所示的结构的说明中，“上”是指磁带盒12的上侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的前方向相反的方向设为磁带盒12的后方向，将磁带盒12的后方向侧设为磁带盒12的后侧。在以下所示的结构的说明中，“后”是指磁带盒12的后侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的上方向相反的方向设为磁带盒12的下方向，将磁带盒12的下方向侧设为磁带盒12的下侧。在以下所示的结构的说明中，“下”是指磁带盒12的下侧。

作为一例，如图2所示，磁带盒12在俯视观察下大致呈矩形形状，且具备箱状的壳体16。壳体16中容纳有磁带MT。壳体16由聚碳酸酯等树脂制成，且具备上壳体18及下壳体20。上壳体18及下壳体20在使上壳体18的下周缘面与下壳体20的上周缘面接触的状态下，通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，可以是其他接合方法。

在壳体16的内部可旋转地容纳有送出卷轴22。送出卷轴22具备卷轴毂22A、上凸缘22B1及下凸缘22B2。卷轴毂22A形成为圆筒状。卷轴毂22A为送出卷轴22的轴心部，轴心方向沿着壳体16的上下方向，且配置于壳体16的中央部。上凸缘22B1及下凸缘22B2分别形成为圆环状。在卷轴毂22A的上端部固定有上凸缘22B1的俯视中央部，在卷轴毂22A的下端部固定有下凸缘22B2的俯视中央部。另外，卷轴毂22A与下凸缘22B2可以一体成型。

在卷轴毂22A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘22B1及下凸缘22B2保持。

在壳体16的右壁16A的前侧形成有开口16B。磁带MT从开口16B抽出。

下壳体20中设置有盒式存储器24。具体而言，在下壳体20的右后端部容纳有盒式存储器24。在盒式存储器24中搭载有具有NVM的IC芯片。在本实施方式中，所谓的无源RFID标签用作盒式存储器24，并且对盒式存储器24以非接触方式进行各种信息的读写。

在盒式存储器24中存储有管理磁带盒12的管理信息。管理信息中例如包含与盒式存储器24相关的信息(例如，能够确定磁带盒12的信息)、与磁带MT相关的信息(例如，表示磁带MT的记录容量的信息、表示记录于磁带MT的数据的概要的信息、表示记录于磁带MT的数据的项目的信息及表示记录于磁带MT的数据的记录格式的信息等)及与磁带驱动器14相关的信息(例如，表示磁带驱动器14的规格的信息及磁带驱动器14中所使用的信号)等。另外，盒式存储器24为本发明的技术所涉及的“存储介质”、“非接触式存储介质”及“存储器”的一例。

作为一例，如图3所示，磁带驱动器14具备控制器25、输送装置26、磁头28、UI系统装置34及通信接口35。控制器25为本发明的技术所涉及的“检测装置”的一例，具备处理装置30及存储器32。另外，处理装置30为本发明的技术所涉及的“处理器”的一例。

在磁带驱动器14中沿着箭头A方向装填磁带盒12。在磁带驱动器14中，磁带MT从磁带盒12抽出后使用。

磁带MT具有磁性层29A、基膜29B及背涂层29C。磁性层29A形成于基膜29B的一面侧，背涂层29C形成于基膜29B的另一面侧。对磁性层29A记录数据。磁性层29A包含铁磁性粉末。作为铁磁性粉末，例如可以使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的铁磁性粉末。作为铁磁性粉末的优选具体例，可举出六方晶铁氧体粉末。作为六方晶铁氧体粉末，例如可举出六方晶锶铁氧体粉末或六方晶钡铁氧体粉末等。背涂层29C例如为包含炭黑等非磁性粉末的层。基膜29B也被称为支承体，例如由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰胺等形成。另外，可以在基膜29B与磁性层29A之间形成有非磁性层。在磁带MT中，形成有磁性层29A的面为磁带MT的表面31，形成有背涂层29C的面为磁带MT的背面33。

磁带驱动器14使用磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理。在此，磁处理是指，对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据(即，数据的播放)。在本实施方式中，磁带驱动器14使用磁头28选择性地进行对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据。即，磁带驱动器14从磁带盒12抽出磁带MT，使用磁头28对所抽出的磁带MT的表面31记录数据，或使用磁头28从所抽出的磁带MT的表面31读取数据。

处理装置30控制磁带驱动器14的整体。在本实施方式中，处理装置30通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，处理装置30可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，处理装置30也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，处理装置30也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

存储器32与处理装置30连接，处理装置30对存储器32写入各种信息及从存储器32读出各种信息。作为存储器32的一例，可举出闪存和/或HDD。闪存及HDD只不过是一例，只要是能够搭载于磁带驱动器14的非易失性存储器，则可以是任意存储器。

UI系统装置34为具有接收表示来自用户的指示的指示信号的接收功能及对用户提示信息的提示功能的装置。接收功能例如通过触摸面板、硬键(例如，键盘)和/或鼠标等来实现。提示功能例如通过显示器、打印机和/或扬声器等来实现。UI系统装置34与处理装置30连接。处理装置30获取通过UI系统装置34接收的指示信号。UI系统装置34在处理装置30的控制下，对用户提示各种信息。

通信接口35与处理装置30连接。并且，通信接口35经由WAN和/或LAN等通信网(省略图示)与外部装置37连接。通信接口35管理处理装置30与外部装置37之间的各种信息(例如，对磁带MT的记录用数据、从磁带MT读取的数据和/或对处理装置30赋予的指示信号等)的收发。另外，作为外部装置37，例如可举出个人计算机或主机等。

输送装置26为沿着既定路径向正向及反向选择性地输送磁带MT的装置，具备送出马达36、卷取卷轴38、卷取马达40及多个导辊GR。另外，在此，正向是指磁带MT的送出方向，反向是指磁带MT的倒带方向。

送出马达36在处理装置30的控制下，使磁带盒12内的送出卷轴22旋转。处理装置30通过控制送出马达36，控制送出卷轴22的旋转方向、转速及转矩等。

卷取马达40在处理装置30的控制下，使卷取卷轴38旋转。处理装置30通过控制卷取马达40，控制卷取卷轴38的旋转方向、转速及转矩等。

当通过卷取卷轴38卷取磁带MT时，处理装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向正向行进。送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等根据使卷取卷轴38卷取磁带MT的速度来调整。并且，送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等由处理装置30调整，由此对磁带MT赋予张力。并且，通过处理装置30调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等，由此控制对磁带MT赋予的张力。

另外，当将磁带MT倒带到送出卷轴22时，处理装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向反向行进。

在本实施方式中，通过控制送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等，控制施加于磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，施加于磁带MT的张力可以使用张力调节辊来控制，也可以通过将磁带MT引入真空腔室来控制。

多个导辊GR分别为引导磁带MT的辊。既定路径即磁带MT的行进路径根据多个导辊GR在磁带盒12与卷取卷轴38之间分开配置于横跨磁头28的位置而设定。

磁头28具备磁性元件单元42及托架44。磁性元件单元42以使其与行进中的磁带MT接触的方式由托架44保持。磁性元件单元42具有多个磁性元件。

磁性元件单元42对由输送装置26输送的磁带MT记录数据，或从由输送装置26输送的磁带MT读取数据。在此，数据例如是指，伺服图案52(参考图6～图9)及除伺服图案52以外的数据，即记录于数据带DB(参考图6～图9)的数据。

磁带驱动器14具备非接触式读写装置46。非接触式读写装置46配置成在装填有磁带盒12的状态的磁带盒12的下侧与盒式存储器24的背面24A正对，并且以非接触的方式对盒式存储器24读写信息。

作为一例，如图4所示，非接触式读写装置46从磁带盒12的下侧朝向盒式存储器24释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器24。

非接触式读写装置46与处理装置30连接。处理装置30将控制信号输出至非接触式读写装置46。控制信号为控制盒式存储器24的信号。非接触式读写装置46按照从处理装置30输入的控制信号生成磁场MF，朝向盒式存储器24释放所生成的磁场MF。

非接触式读写装置46经由磁场MF在与盒式存储器24之间进行非接触式通信，由此对盒式存储器24进行与控制信号相对应的处理。例如，非接触式读写装置46在处理装置30的控制下，选择性地进行从盒式存储器24读取信息的处理及使盒式存储器24存储信息的处理(即，对盒式存储器24写入信息的处理)。换言之，处理装置30经由非接触式读写装置46以非接触方式与盒式存储器24进行通信，由此从盒式存储器24读取信息，或使盒式存储器24存储信息。

作为一例，如图5所示，磁带驱动器14具备移动机构48。移动机构48具有移动致动器48A。作为移动致动器48A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。移动致动器48A与处理装置30连接，处理装置30控制移动致动器48A。移动致动器48A在处理装置30的控制下，生成动力。移动机构48接收由移动致动器48A生成的动力，由此使磁头28沿着磁带MT的宽度方向移动。

磁带驱动器14具备倾斜机构49。倾斜机构49具有倾斜致动器49A。作为倾斜致动器49A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。倾斜致动器49A与处理装置30连接，处理装置30控制倾斜致动器49A。倾斜致动器49A在处理装置30的控制下，生成动力。倾斜机构49接收由倾斜致动器49A生成的动力，由此使磁头28相对于磁带MT的宽度方向WD向磁带MT的长边方向LD侧倾斜(参考图8)。即，磁头28在处理装置30的控制下，在磁带MT上偏斜。

作为一例，如图6所示，在磁带MT的表面31形成有伺服带SB1、SB2及SB3以及数据带DB1及DB2。另外，以下，为了便于说明，当无需特别区分时，将伺服带SB1～SB3称为伺服带SB，将数据带DB1及DB2称为数据带DB。

伺服带SB1～SB3以及数据带DB1及DB2沿着磁带MT的长边方向LD(即，全长方向)形成。在此，换言之，磁带MT的全长方向是指，磁带MT的行进方向。磁带MT的行进方向以磁带MT从送出卷轴22侧向卷取卷轴38侧行进的方向即正向(以下，也简称为“正向”)及磁带MT从卷取卷轴38侧向送出卷轴22侧行进的方向即反向(以下，也简称为“反向”)这两个方向来规定。

伺服带SB1～SB3在磁带MT的宽度方向WD(以下，也简称为“宽度方向WD”)上分开的位置上排列。例如，伺服带SB1～SB3沿着宽度方向WD以等间隔排列。另外，在本实施方式中，“等间隔”除了指完全等间隔以外，还指在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且包括不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的等间隔。

数据带DB1配设于伺服带SB1与伺服带SB2之间，数据带DB2配设于伺服带SB2与伺服带SB3之间。即，伺服带SB与数据带DB沿着宽度方向WD交替排列。

另外，在图6所示的例子中，为了便于说明，示出了3根伺服带SB及2根数据带DB，但这只不过是一例，可以是2根伺服带SB及1根数据带DB，即便是4根以上的伺服带SB及3根以上的数据带DB，本发明的技术也成立。

在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案52。伺服图案52分类为伺服图案52A与伺服图案52B。多个伺服图案52沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。另外，在本实施方式中，“恒定”除了指完全恒定以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的恒定。

伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧50划分。帧50由一组伺服图案52规定。在图6所示的例子中，作为一组伺服图案52的一例，示出了伺服图案52A及52B。伺服图案52A及52B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧50内，伺服图案52A位于正向的上游侧，伺服图案52B位于正向的下游侧。

伺服图案52由线状磁化区域对54构成。线状磁化区域对54为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例。线状磁化区域对54分类为线状磁化区域对54A与线状磁化区域对54B。

伺服图案52A由线状磁化区域对54A构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54A的一例，示出了线状磁化区域54A1及54A2。线状磁化区域54A1及54A2分别为以线状磁化的区域。线状磁化区域54A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域54A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

线状磁化区域54A1及54A2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54A1及54A2相对于假想直线C1以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54A1及54A2互不平行，且形成为以假想直线C1为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54A1为得到磁化的5根直线即磁化直线54A1a的集合。线状磁化区域54A2为得到磁化的5根直线即磁化直线54A2a的集合。

能够按每个伺服图案52A改变5根磁化直线54A1a中的第3根磁化直线54A1a与第2根磁化直线54A1a的间隔(以下，称为“第1间隔”)及第3根磁化直线54A1a与第4根磁化直线54A1a的间隔(以下，称为“第2间隔”)。通过按每个伺服图案52A使第1间隔及第2间隔不同，能够对每个伺服图案52A嵌入至少1比特的信息。例如，在伺服图案52A中嵌入有位置识别信息99。位置识别信息99为能够识别磁带MT内的长边方向LD上的每个伺服图案52A的位置的信息。并且，通过组合多个伺服图案52，能够将更多的信息(例如，识别伺服带SB的信息和/或确定磁带MT等的制造源的信息等)嵌入于伺服带SB。

伺服图案52B由线状磁化区域对54B构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54B的一例，示出了线状磁化区域54B1及54B2。线状磁化区域54B1及54B2分别为以线状磁化的区域。线状磁化区域54B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域54B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

线状磁化区域54B1及54B2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C2向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54B1及54B2相对于假想直线C2以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54B1及54B2互不平行，且形成为以假想直线C2为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54B1为得到磁化的4根直线即磁化直线54B1a的集合。线状磁化区域54B2为得到磁化的4根直线即磁化直线54B2a的集合。

在如此构成的磁带MT的表面31侧配置有磁头28。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。磁性元件单元42的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元42作为多个磁性元件，具有一对伺服读取元件SR及多个数据读写元件DRW。托架44的长边方向的长度相对于磁带MT的宽度足够长。例如，托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元42在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT的宽度的长度。

在磁头28中搭载有一对伺服读取元件SR。在磁头28中，托架44与一对伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定。一对伺服读取元件SR由伺服读取元件SR1及SR2构成。伺服读取元件SR1配置于磁性元件单元42的一端，伺服读取元件SR2配置于磁性元件单元42的另一端。在图6所示的例子中，伺服读取元件SR1设置于与伺服带SB2对应的位置，伺服读取元件SR2设置于与伺服带SB3对应的位置。

多个数据读写元件DRW在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间以直线状配置。多个数据读写元件DRW沿着磁头28的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头28的长边方向以等间隔配置)。在图6所示的例子中，多个数据读写元件DRW设置于与数据带DB2对应的位置。

处理装置30获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号，并且按照所获取的伺服图案信号进行伺服控制。在此，伺服控制是指，通过按照由伺服读取元件SR读取的伺服图案52使移动机构48进行动作而使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动的控制。

通过进行伺服控制，多个数据读写元件DRW位于数据带DB内的所指定的区域上，并且对数据带DB内的所指定的区域进行磁处理。在图6所示的例子中，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB2内的所指定的区域进行磁处理。

并且，当设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB变更时(在图6所示的例子中，设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB从数据带DB2变更为数据带DB1时)，移动机构48在处理装置30的控制下，使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此变更一对伺服读取元件SR的位置。即，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使伺服读取元件SR1移动至与伺服带SB1对应的位置，使伺服读取元件SR2移动至与伺服带SB2对应的位置。由此，多个数据读写元件DRW的位置从数据带DB2上变更为数据带DB1上，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB1进行磁处理。

近年来，推进与减少TDS(Transverse Dimensional Stability：横向尺寸稳定性)的影响的技术相关的研究。已知有TDS取决于温度、湿度、磁带卷绕于卷轴的压力及经时劣化等，当未采取任何措施时，TDS变大，并且对数据带DB进行磁处理的情况下会产生偏离磁道(即，数据读写元件DRW相对于数据带DB内的磁道的位置偏离)。

在图7所示的例子中，示出了磁带MT的宽度随着时间的经过而收缩的方式。在该情况下，会产生偏离磁道。磁带MT的宽度有时会变宽，在该情况下也会产生偏离磁道。即，若磁带MT的宽度随着时间的经过而变窄或变宽，则伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置会从设计上设定的既定位置(例如，线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2各自的中心位置)向宽度方向WD偏离。若伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置从设计上设定的既定位置向宽度方向WD偏离，则伺服控制的精度降低，从而会导致数据带DB内的磁道与数据读写元件DRW的位置发生偏离。如此一来，无法对当初预定的磁道进行磁处理。

作为减少TDS的影响的方法，作为一例，如图8所示，已知有通过使磁头28在磁带MT上偏斜，将伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持在设计上设定的既定位置的方法。

磁头28具备旋转轴RA。旋转轴RA设置于磁头28中所包含的磁性元件单元42的相当于俯视中央部的位置。磁头28经由旋转轴RA可旋转地保持于倾斜机构49。在磁头28中设置有假想中心线即假想直线C3。假想直线C3为通过旋转轴RA且沿着磁头28的俯视观察长边方向(即，多个数据读写元件DRW排列的方向)延伸的直线。磁头28以成为假想直线C3相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C4向磁带MT的长边方向LD侧倾斜的姿势的方式由倾斜机构49保持。在图8所示的例子中，磁头28以将假想直线C3相对于假想直线C4向送出卷轴22侧倾斜的姿势(即，以从图8的纸面表面侧观察时的逆时针方向倾斜的姿势)由倾斜机构49保持。另外，以下，将由假想直线C3与假想直线C4所成的角度也称为“偏斜角度”。偏斜角度为将从图8的纸面表侧观察时的逆时针方向设为正而将从图8的纸面表侧观察时的顺时针方向设为负来规定的角度。

倾斜机构49通过接收倾斜致动器49A(参考图5)的动力，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转。倾斜机构49在处理装置30的控制下，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，由此变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度。

假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度根据温度、湿度、磁带MT卷绕于卷轴的压力及经时劣化等或由它们引起的磁带MT的宽度方向WD的伸缩而发生变更，由此伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持于设计上设定的既定位置。

伺服读取元件SR沿着假想直线C3以直线状形成。因此，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A1而获得的伺服图案信号)与来源于线状磁化区域54A2的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A2而获得的伺服图案信号)之间产生由方位角损失引起的偏差(例如，信号电平的偏差及波形的变形等)。在图8所示的例子中，由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A1所成的角度大于由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A2所成的角度，因此伺服图案信号的输出小，且波形也扩展，从而在磁带MT行进的状态下伺服读取元件SR横切伺服带SB而读取的伺服图案信号中产生偏差。并且，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52B时，也在来源于线状磁化区域54B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域54B2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。这种伺服图案信号的偏差可能会成为降低伺服控制的精度的一个原因。

作为检测伺服图案信号的方法，已知有通过将伺服图案信号的信号电平与阈值进行比较来检测伺服图案信号的方法。但是，如上所述，在伺服图案信号的信号电平中存在偏差，因此若阈值为始终固定的1个值，则会导致无法检测到信号电平小的伺服图案信号，或噪声被误检测为伺服图案信号。并且，若使磁头28在磁带MT上偏斜，则由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A1所成的角度及由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A2所成的角度这两者发生变化，伴随于此，伺服图案信号的信号电平也发生变化，因此若阈值为始终固定的1个值，则所检测的伺服图案信号的可靠性降低。

因此，鉴于这种情况，在本实施方式所涉及的磁带驱动器14的控制器25(参考图3)中，进行阈值使用方式检测处理。阈值使用方式检测处理包含伺服图案检测处理(参考图15)、第1设定处理(参考图16)及第2设定处理(参考图17)。阈值使用方式检测处理为通过对由伺服读取元件SR读取了伺服带SB的结果即伺服带信号(以下，也简称为“伺服带信号”)与根据由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度而设定的阈值TH(参考图10～图12)进行比较来检测表示伺服图案52的伺服图案信号的处理。以下，对阈值使用方式检测处理进行具体说明。

作为一例，如图9所示，处理装置30具有控制部30A及位置检测部30B。阈值使用方式检测处理通过控制部30A及位置检测部30B来实现。

位置检测部30B具有第1位置检测部30B1及第2位置检测部30B2。位置检测部30B从伺服读取元件SR获取伺服带信号，并根据所获取的伺服带信号检测磁带MT上的磁头28的位置。在伺服带信号中除了读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号以外，还包含伺服控制中不需要的信号(例如，噪声等)。因此，为了以高精度实现基于伺服图案信号的控制(例如，伺服控制等)，处理装置30需要以高精度从伺服带信号检测伺服图案信号。

位置检测部30B从磁头28获取伺服带信号。伺服带信号分类为第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2。第1伺服带信号S1为表示通过伺服读取元件SR1读取了伺服带SB的结果的信号，第2伺服带信号S2为表示通过伺服读取元件SR2读取了伺服带SB的结果的信号。第1位置检测部30B1获取第1伺服带信号S1，第2位置检测部30B2获取第2伺服带信号S2。在图9所示的例子中，作为第1伺服带信号S1的一例，示出了通过由伺服读取元件SR1读取伺服带SB2而获得的信号，作为第2伺服带信号S2的一例，示出了通过由伺服读取元件SR2读取伺服带SB3而获得的信号。另外，以下，为了便于说明，当无需区分说明第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2时，不标注符号而称为“伺服带信号”。

第1位置检测部30B1根据第1伺服带信号S1，检测伺服读取元件SR1相对于伺服带SB2的位置。第2位置检测部30B2根据第2伺服带信号S2，检测伺服读取元件SR2相对于伺服带SB3的位置。

控制部30A根据第1位置检测部30B1中的位置检测结果(即，通过第1位置检测部30B1检测到位置的结果)及第2位置检测部30B2中的位置检测结果(即，通过第2位置检测部30B2检测到位置的结果)进行各种控制。在此，各种控制例如是指，伺服控制、偏斜角度控制和/或张力控制等。张力控制是指，对磁带MT赋予的张力(例如，用于减少TDS的影响的张力)的控制。

接着，参考图10对通过处理装置30进行伺服图案检测处理时的控制部30A及位置检测部30B的处理内容的一例进行说明。

另外，在本实施方式中，第1位置检测部30B1的结构与第2位置检测部30B2的结构相同，因此以下，关于位置检测部30B的处理内容，主要以第1位置检测部30B1的具体的处理内容为例子进行说明，而省略关于第2位置检测部30B2的具体的处理内容的说明。

并且，以下，为了便于说明，将来源于线状磁化区域54A1或54B1(参考图8及图9)的伺服图案信号也称为“第1线状磁化区域信号”，将来源于线状磁化区域54A2或54B2(参考图8及图9)的伺服图案信号也称为“第2线状磁化区域信号”。并且，在本实施方式中，伺服图案信号为由第1线状磁化区域信号及第2线状磁化区域信号构成的信号。因此，通过位置检测部30B检测第1线状磁化区域信号及第2线状磁化区域信号表示通过位置检测部30B检测伺服图案信号。

作为一例，如图10所示，对第1位置检测部30B1输入第1伺服带信号S1。在第1伺服带信号S1中包含第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b为通过伺服读取元件SR1(参考图9)读取的结果即伺服图案信号(即，模拟伺服图案信号)。

第1位置检测部30B1具有与第1伺服带信号S1进行比较的阈值TH。如上所述，阈值TH根据由伺服图案52(参考图9)与伺服读取元件SR(参考图9)所成的角度而设定。当以伺服图案52的几何特性在磁带MT上被固定为前提时，由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度根据偏斜角度而唯一地设定。

阈值TH分类为第1阈值TH1与第2阈值TH2。第1阈值TH1根据第1角度而设定，第2阈值TH2根据第2角度而设定。第1角度是指，由线状磁化区域54A1或54B1(参考图6～图9)与伺服读取元件SR(参考图6～图9)所成的角度(例如，由磁化直线54A1a或54B1a(参考图6～图9)与伺服读取元件SR(参考图6～图9)所成的角度)。第2角度是指，由线状磁化区域54A2或54B2(参考图6～图9)与伺服读取元件SR(参考图6～图9)所成的角度(例如，由磁化直线54A2a或54B2a(参考图6～图9)与伺服读取元件SR(参考图6～图9)所成的角度)。

控制部30A将与偏斜角度相对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于第1位置检测部30B1。即，和由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于第1位置检测部30B1。

在该情况下，首先，控制部30A使用对应信息100导出第1阈值TH1及第2阈值TH2。对应信息100是指，将偏斜角度与第1阈值TH1及第2阈值TH2建立对应关联的信息。作为对应信息100，例如可举出运算式或表。作为运算式的一例，例如可举出将偏斜角度设为自变量而将第1阈值TH1及第2阈值TH2设为因变量的运算式。作为表的一例，例如可举出偏斜角度与第1阈值TH1及第2阈值TH2建立对应关联的表。

控制部30A使用运算式或表来导出与当前的偏斜角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2，将所导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于第1位置检测部30B1。

另外，与第1位置检测部30B1同样地，第2位置检测部30B2也具有第1阈值TH1及第2阈值TH2。第2位置检测部30B2的结构与第1位置检测部30B1的结构相同，因此以与第1位置检测部30B1相同的要领来通过控制部30A对第2位置检测部30B2设定第1阈值TH1及第2阈值TH2。

第1位置检测部30B1通过对第1伺服带信号S1与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较来检测伺服图案信号S1A。更详细而言，第1位置检测部30B1检测第1伺服带信号S1内的超过第2阈值TH2的信号电平的信号作为第2线状磁化区域信号S1b。并且，第1位置检测部30B1检测第1伺服带信号S1内的高于第1阈值TH1且低于第2阈值TH2的信号电平的信号作为第1线状磁化区域信号S1a。然后，第1位置检测部30B1通过对第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b进行数字化而生成伺服图案信号S1A，并将所生成的伺服图案信号S1A输出至控制部30A。

另外，第2位置检测部30B2的结构与第1位置检测部30B1的结构相同，因此第2位置检测部30B2也以与第1位置检测部30B1相同的要领来将从第2伺服带信号S2获得的伺服图案信号S2A输出至控制部30A。

伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置例如根据伺服图案52A及52B(参考图9)的长边方向LD(参考图9)的间隔来确定。例如，伺服图案52A及52B的长边方向LD的间隔按照伺服图案信号S1A来确定。随着伺服读取元件SR位于伺服图案52的上侧(即，图9中的纸面正面观察下的上侧)而线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2的间隔变窄，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2的间隔也变窄。相对于此，随着伺服读取元件SR位于伺服图案52的下侧(即，图9中的纸面正面观察下的下侧)而线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2的间隔变宽，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2的间隔也变宽。

如此，第1位置检测部30B1使用按照伺服图案信号S1A确定的线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2的间隔及线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2的间隔，进行伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置的检测。并且，第2位置检测部30B2也以与第1位置检测部30B1相同的要领来使用按照伺服图案信号S2A确定的线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2的间隔及线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2的间隔，进行伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置的检测。另外，以下，为了便于说明，无需区分说明伺服图案信号S1A及伺服图案信号S2A时，不标注符号而称为“伺服图案信号”。

接着，参考图11对通过处理装置30进行第1设定处理时的控制部30A及位置检测部30B的处理内容的一例进行说明。另外，第1设定处理为在磁带MT行进的期间由处理装置30进行的处理。

作为一例，如图11所示，控制部30A判定磁头28是否在磁带MT上偏斜。当在磁带MT行进的期间磁头28在磁带MT上偏斜时，控制部30A根据对应信息100(参考图10)导出与当前的偏斜角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2。然后，控制部30A将所导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。控制部30A以偏斜角度发生变更为条件来导出与变更后的偏斜角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2，并将所导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。如此，第1阈值TH1及第2阈值TH2为根据偏斜角度而变更的可变值，在磁带MT行进的期间发生变更。

位置检测部30B通过对伺服带信号与由控制部30A导出并设定于位置检测部30B的第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较来检测伺服图案信号。即，第1位置检测部30B1通过对第1伺服带信号S1与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较来检测伺服图案信号S1A，第2位置检测部30B2通过对第2伺服带信号S2与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较来检测伺服图案信号S2A。

控制部30A参考通过位置检测部30B检测到的伺服图案信号，确定磁带MT上的偏斜角度变更位置。偏斜角度变更位置是指，在磁带MT上磁头28的偏斜角度发生变更的位置。偏斜角度变更位置根据通过位置检测部30B检测到的伺服图案信号(例如，作为与磁带MT内的长边方向LD上的每个伺服图案52A的位置相关的信息嵌入于每个伺服图案52A的位置识别信息99(参考图6))来确定。例如，控制部30A从自偏斜角度发生变更起通过位置检测部30B最初检测到的伺服图案信号获取位置识别信息99，并从所获取的位置识别信息99识别的位置确定为偏斜角度变更位置。

控制部30A生成位置阈值信息102，并将所生成的位置阈值信息102经由非接触式读写装置46(参考图3及图4)存储于盒式存储器24。位置阈值信息102为将能够确定根据通过位置检测部30B检测到的伺服图案信号而确定的偏斜角度变更位置的偏斜位置确定信息与当前设定于位置检测部30B的第1阈值TH1及第2阈值TH2建立关联的信息。换言之，位置阈值信息102为将能够确定在磁带MT上伴随偏斜角度的变更而第1阈值TH1及第2阈值TH2发生变更的位置的信息(即，偏斜位置确定信息)与当前设定于位置检测部30B的第1阈值TH1及第2阈值TH2建立关联的信息。当前设定于位置检测部30B的第1阈值TH1及第2阈值TH2是指，与在根据偏斜位置确定信息而确定的偏斜角度变更位置上发生变更的偏斜角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2。

另外，偏斜角度变更位置为本发明的技术所涉及的“在磁带上阈值发生变更的位置”的一例，偏斜位置确定信息为本发明的技术所涉及的“确定信息”的一例。

接着，参考图12对通过处理装置30进行第2设定处理时的控制部30A及位置检测部30B的处理内容的一例进行说明。另外，第2设定处理为以在盒式存储器24中存储有位置阈值信息102为前提，磁带MT开始行进时由处理装置30进行的处理。

作为一例，如图12所示，控制部30A从盒式存储器24获取位置阈值信息102。然后，控制部30A参考位置阈值信息102，将第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。即，控制部30A根据位置阈值信息102导出与当前的磁带MT上的磁头28的位置(即，根据通过位置检测部30B检测到的最新的伺服图案信号而确定的位置)对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2，并将所导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。由此，控制部30A能够对位置检测部30B设定在过去偏斜角度发生变更的位置上对位置检测部30B设定的第1阈值TH1及第2阈值TH2，而无需在磁带MT上的相同的位置上使用对应信息100来获取该第1阈值TH1及第2阈值TH2。

作为一例，如图13所示，控制部30A通过根据位置检测部30B中的位置检测结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)使移动机构48进行动作来调整磁头28的位置。并且，控制部30A使磁性元件单元42对磁带MT的数据带DB进行磁处理。即，控制部30A从磁性元件单元42获取读取信号(即，通过磁性元件单元42从磁带MT的数据带DB读取的数据)，或通过对磁性元件单元42供给记录信号而将与记录信号相对应的数据记录于磁带MT的数据带DB。

并且，为了减少TDS的影响，控制部30A根据位置检测部30B中的位置检测结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)计算伺服带间距，按照计算出的伺服带间距，进行张力控制，或使磁头28在磁带MT上偏斜。张力控制通过调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等来实现。磁头28的偏斜通过使倾斜机构49进行工作来实现。

接着，对磁带MT的制造工序中所包括的多个工序中的对磁带MT的伺服带SB记录伺服图案52的伺服图案记录工序及卷取磁带MT的卷取工序的一例进行说明。

作为一例，如图14所示，在伺服图案记录工序中，使用伺服写入器SW。伺服写入器SW具备送出卷轴SW1、卷取卷轴SW2、驱动装置SW3、脉冲信号发生器SW4、伺服写入器控制器SW5、多个引导件SW6、输送路径SW7、伺服图案记录头WH及验证头VH。在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于上述控制部30A及位置检测部30B的装置。

在本实施方式中，伺服写入器SW为本发明的技术所涉及的“检查装置”的一例。并且，在本实施方式中，伺服写入器控制器SW5为本发明的技术所涉及的“检查处理器”的一例。

伺服写入器控制器SW5控制伺服写入器SW的整体。在本实施方式中，伺服写入器控制器SW5通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，伺服写入器控制器SW5可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，伺服写入器控制器SW5也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，伺服写入器控制器SW5也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

在送出卷轴SW1中设置有盘形卷。盘形卷是指，在写入伺服图案52之前从宽度宽的卷材以产品宽度来裁剪的磁带MT卷绕于轮毂的大直径卷。

驱动装置SW3具有马达(省略图示)及齿轮(省略图示)，并且与送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2机械连接。当通过卷取卷轴SW2卷取磁带MT时，驱动装置SW3按照来自伺服写入器控制器SW5的指示生成动力，并将所生成的动力传递至送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2，由此使送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2旋转。即，送出卷轴SW1从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此将磁带MT送出至既定的输送路径SW7。卷取卷轴SW2从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此卷取从送出卷轴SW1送出的磁带MT。送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2的转速及转矩等根据使卷取卷轴SW2卷取磁带MT的速度来调整。

在输送路径SW7上配置有多个引导件SW6及伺服图案记录头WH。伺服图案记录头WH在多个引导件SW6之间配置于磁带MT的表面31侧。从送出卷轴SW1送出至输送路径SW7的磁带MT被多个引导件SW6引导而经由伺服图案记录头WH上而由卷取卷轴SW2卷取。

磁带MT的制造工序中除了伺服图案记录工序以外还包括多个工序。多个工序中包括检查工序及卷取工序。

例如，检查工序为检查通过伺服图案记录头WH形成于磁带MT的表面31的伺服带SB的工序。伺服带SB的检查例如是指，判定记录于伺服带SB的伺服图案52是否正确的处理。伺服图案52是否正确的判定例如是指，伺服图案52A及52B相对于表面31内的事先确定的部位，磁化直线54A1a、54A2a、54B1a及54B2a是否适当且以允许误差内来记录的判定(即，伺服图案52的验证)。

检查工序通过使用伺服写入器控制器SW5及验证头VH来进行。验证头VH配置于比伺服图案记录头WH更靠磁带MT的输送方向的下游侧的位置。并且，与磁头28同样地，在验证头VH设置有多个伺服读取元件(省略图示)，通过多个伺服读取元件对多个伺服带SB进行读取。而且，与磁头28同样地，验证头VH在磁带MT的表面31上偏斜。

验证头VH与伺服写入器控制器SW5连接。验证头VH配置于从磁带MT的表面31侧(即，验证头VH的背面侧)观察相对于伺服带SB正对的位置，读取记录于伺服带SB的伺服图案52，并将所读取的结果(以下，称为“伺服图案读取结果”)输出至伺服写入器控制器SW5。伺服写入器控制器SW5根据从验证头VH输入的伺服图案读取结果(例如，伺服图案信号)进行伺服带SB的检查(例如，伺服图案52是否正确的判定)。例如，在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于位置检测部30B的装置，因此伺服写入器控制器SW5从伺服图案读取结果获取位置检测结果，并通过使用位置检测结果判定伺服图案52是否正确来进行伺服带SB的检查。

伺服写入器控制器SW5将表示检查了伺服带SB的结果(例如，判定伺服图案52是否正确的结果)的信息输出至既定输出目的地(例如，存储器32(参考图3)、UI系统装置34(参考图3)和/或外部装置37(参考图3)等)。

例如，若检查工序结束，则接下来进行卷取工序。卷取工序为在分别对多个磁带盒12(参考图1～图4)使用的送出卷轴22(即，容纳于磁带盒12(参考图1～图4)的送出卷轴22(参考图2～图4))中卷绕磁带MT的工序。卷取工序中使用卷取马达M。卷取马达M经由齿轮等与送出卷轴22机械连接。卷取马达M在处理装置(省略图示)的控制下，通过对送出卷轴22赋予旋转力而使送出卷轴22旋转。卷绕于卷取卷轴SW2的磁带MT通过送出卷轴22的旋转卷绕于送出卷轴22。在卷取工序中使用裁剪装置(省略图示)。若分别对多个送出卷轴22通过送出卷轴22卷取所需量的磁带MT，则从卷取卷轴SW2送出至送出卷轴22的磁带MT被裁剪装置裁剪。

脉冲信号发生器SW4在伺服写入器控制器SW5的控制下，生成脉冲信号，将所生成的脉冲信号供给至伺服图案记录头WH。在磁带MT以恒定的速度在输送路径SW7上行进的状态下，伺服图案记录头WH按照从脉冲信号发生器SW4供给的脉冲信号将伺服图案52记录于伺服带SB。

接着，对磁带系统10的作用进行说明。

在磁带盒12中容纳有图6所示的磁带MT。在磁带盒12中装填有磁带驱动器14。在磁带驱动器14中，当对磁带MT进行基于磁性元件单元42(参考图3及图6)的磁处理时，从磁带盒12抽出磁带MT，通过磁头28的伺服读取元件SR读取伺服带SB内的伺服图案52(参考图8及图9)。

作为一例，如图8所示，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服图案信号即第1线状磁化区域信号S1a(参考图10～图12)与来源于线状磁化区域54A2的伺服图案信号即第2线状磁化区域信号S1b(参考图10～图12)之间产生由方位角损失引起的偏差。第1线状磁化区域信号S1a与第2线状磁化区域信号S1b的偏差会成为降低伺服控制等的精度的一个原因。

因此，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，通过控制器25(参考图3)进行伺服图案检测处理(参考图15)、第1设定处理(参考图16)及第2设定处理(参考图17)。另外，图15所示的伺服图案检测处理的流程、图16所示的第1设定处理的流程及图17所示的第2设定处理的流程为本发明的技术所涉及的“检测方法”的一例。

首先，对图15所示的伺服图案检测处理进行说明。另外，在此，为了便于说明，图15所示的伺服图案检测处理以对位置检测部30B已设定有第1阈值TH1及第2阈值TH2为前提来进行。

在图15所示的伺服图案检测处理中，首先，在步骤ST10中，位置检测部30B获取伺服带信号。例如，第1位置检测部30B1获取第1伺服带信号S1，第2位置检测部30B2获取第2伺服带信号S2。在执行步骤ST10的处理之后，伺服图案检测处理转到步骤ST12。

在步骤ST12中，位置检测部30B对在步骤ST10中获取的伺服带信号与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较。即，第1位置检测部30B1对第1伺服带信号S1与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较。第2位置检测部30B2对第2伺服带信号S2与第1阈值TH1及第2阈值TH2进行比较。在执行步骤ST12的处理之后，伺服图案检测处理转到步骤ST14。

在步骤ST14中，第1位置检测部30B1根据步骤ST12中的比较结果获取第1线状磁化区域信号S1a，且根据步骤ST12中的比较结果获取第2线状磁化区域信号S1b。并且，第2位置检测部30B2根据步骤ST12中的比较结果获取第1线状磁化区域信号S1a，且根据步骤ST12中的比较结果获取第2线状磁化区域信号S1b。在执行步骤ST14的处理之后，伺服图案检测处理转到步骤ST16。

在步骤ST16中，第1位置检测部30B1生成在步骤ST14中获取的第1线状磁化区域信号S1a与第2线状磁化区域信号S1b的逻辑和即伺服图案信号S1A并输出至控制部30A。并且，第2位置检测部30B2生成在步骤ST14中获取的第1线状磁化区域信号S1a与第2线状磁化区域信号S1b的逻辑和即伺服图案信号S2A并输出至控制部30A。在执行步骤ST16的处理之后，伺服图案检测处理转到步骤ST18。

在步骤ST18中，控制部30A判定是否满足结束伺服图案检测处理的条件(以下，称为“伺服图案检测处理结束条件”)。作为伺服图案检测处理结束条件的一例，可举出通过UI系统装置34接收了结束伺服图案检测处理的指示这一条件或完成了磁带MT的行进这一条件。在步骤ST18中，当不满足伺服图案检测处理结束条件时，判定得到否定，而伺服图案检测处理转到步骤ST10。在步骤ST18中，当满足伺服图案检测处理结束条件时，判定得到肯定，而伺服图案检测处理结束。

接着，对图16所示的第1设定处理进行说明。

在图16所示的第1设定处理中，首先，在步骤ST20中，控制部30A判定磁头28是否偏斜。在步骤ST20中，当磁头28未偏斜时，判定得到否定，而第1设定处理转到步骤ST30。在步骤ST20中，当磁头28偏斜时，判定得到肯定，而第1设定处理转到步骤ST22。

在步骤ST22中，控制部30A根据对应信息100导出与偏斜角度对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2。在执行步骤ST22的处理之后，第1设定处理转到步骤ST24。

在步骤ST24中，控制部30A将在步骤ST22中导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。在执行步骤ST24的处理之后，第1设定处理转到步骤ST26。

在步骤ST26中，控制部30A参考通过位置检测部30B检测到的最新的伺服图案信号，确定偏斜角度变更位置。在执行步骤ST26的处理之后，第1设定处理转到步骤ST28。

在步骤ST28中，控制部30A通过将在步骤ST22中导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2与能够确定在步骤ST26中确定的偏斜角度变更位置的偏斜位置确定信息建立关联，生成位置阈值信息102。然后，控制部30A将所生成的位置阈值信息102存储于盒式存储器24。在执行步骤ST28的处理之后，第1设定处理转到步骤ST30。

在步骤ST30中，控制部30A判定是否满足结束第1设定处理的条件(以下，称为“第1设定处理结束条件”)。作为第1设定处理结束条件的一例，可举出通过UI系统装置34接收了结束第1设定处理的指示这一条件或完成了磁带MT的行进这一条件。在步骤ST30中，当不满足第1设定处理结束条件时，判定得到否定，而第1设定处理转到步骤ST20。在步骤ST30中，当满足第1设定处理结束条件时，判定得到肯定，而第1设定处理结束。

接着，对图17所示的第2设定处理进行说明。另外，在此，为了便于说明，图17所示的第2设定处理以在盒式存储器24中存储有位置阈值信息102且磁带MT开始行进为前提来进行。

在图17所示的第2设定处理中，首先，在步骤ST32中，控制部30A从盒式存储器24获取位置阈值信息。在执行步骤ST32的处理之后，第2设定处理转到步骤ST34。

在步骤ST34中，控制部30A判定磁头28是否到达与根据在步骤ST32中获取的位置阈值信息102中所包含的偏斜位置确定信息来确定的偏斜角度变更位置相同的位置。在步骤ST34中，当磁头28在磁带MT上尚未到达与根据位置阈值信息102中所包含的偏斜位置确定信息来确定的偏斜角度变更位置相同的位置时，判定得到否定，而第2设定处理转到步骤ST38。在步骤ST34中，当磁头28在磁带MT上到达与根据位置阈值信息102中所包含的偏斜位置确定信息来确定的偏斜角度变更位置相同的位置时，判定得到肯定，而第2设定处理转到步骤ST36。

在步骤ST36中，控制部30A根据位置阈值信息102导出与当前的磁带MT上的磁头28的位置对应的第1阈值TH1及第2阈值TH2，并将所导出的第1阈值TH1及第2阈值TH2设定于位置检测部30B。在执行步骤ST36的处理之后，第2设定处理转到步骤ST38。

在步骤ST38中，控制部30A判定是否满足结束第2设定处理的条件(以下，称为“第2设定处理结束条件”)。作为第2设定处理结束条件的一例，可举出通过UI系统装置34接收了结束第2设定处理的指示这一条件或完成了磁带MT的行进这一条件。在步骤ST38中，当不满足第2设定处理结束条件时，判定得到否定，而第2设定处理转到步骤ST34。在步骤ST38中，当满足第2设定处理结束条件时，判定得到肯定，而第2设定处理结束。

如上所述，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，通过由位置检测部30B对伺服带信号与阈值TH进行比较来检测伺服图案信号。阈值TH根据由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度而设定。例如，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同，根据由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度来设定第1阈值TH1，根据由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度来设定第2阈值TH2。因此，与线状磁化区域54A1对应的第1线状磁化区域信号S1a通过由位置检测部30B参考第1阈值TH1来检测，与线状磁化区域54A2对应的第2线状磁化区域信号S1b通过由位置检测部30B参考第1阈值TH1及第2阈值TH2来检测(参考图10～图12)。因此，根据本结构，与通过对和由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度无关地设定的固定值即阈值TH与伺服带信号进行比较来检测伺服图案信号的情况相比，能够以高精度检测伺服图案信号。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，作为通过位置检测部30B与伺服带信号进行比较的阈值TH，可使用根据由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度而变更的可变值。因此，根据本结构，和不管由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度如何阈值TH为恒定的情况相比，能够以高精度检测伺服图案信号。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，阈值TH在磁带MT行进的期间发生变更。而且，作为确定阈值TH发生变更的位置的信息的偏斜位置确定信息与阈值TH建立关联的信息即位置阈值信息102由控制部30A存储于盒式存储器24。如此，通过位置阈值信息102存储于盒式存储器24，能够实现上述的第2设定处理(参考图17)。通过进行第2设定处理，无需导出使用了对应信息100(参考图10)的第1阈值TH1及第2阈值TH2，因此可减轻导出第1阈值TH1及第2阈值TH2所施加的负荷。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，位置阈值信息102存储于盒式存储器24。因此，根据本结构，即使在除磁带驱动器14以外的磁带驱动器14(以下，称为“其他磁带驱动器14”)中装填磁带盒12，并且其他磁带驱动器14不具有对应信息100的情况下，其他磁带驱动器14能够将在磁带MT中过去偏斜角度发生变更的位置上对位置检测部30B设定的第1阈值TH1及第2阈值TH2在磁带MT上的相同的位置上对位置检测部30B进行设定。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，以由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度发生变更为条件，导出与变更后的角度对应的阈值TH，并通过对所导出的阈值TH与伺服带信号进行比较来检测伺服图案信号。因此，根据本结构，与尽管由伺服图案52与伺服读取元件SR所成的角度发生变更，但阈值TH始终为恒定的情况相比，能够以高精度检测伺服图案信号。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，阈值TH分类为第1阈值TH1与第2阈值TH2。第1阈值TH1根据由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度而设定，第2阈值TH2根据由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度而设定。因此，与线状磁化区域54A1对应的第1线状磁化区域信号S1a通过由位置检测部30B参考第1阈值TH1来检测，与线状磁化区域54A2对应的第2线状磁化区域信号S1b通过由位置检测部30B参考第1阈值TH1及第2阈值TH2来检测。因此，根据本结构，与第1阈值TH1为和由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度无关地设定的固定值，第2阈值为和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度无关地设定的固定值的情况相比，能够以高精度检测线状磁化区域54A1及54A2。

在本实施方式所涉及的伺服写入器SW中，在伺服写入器控制器SW5中组装有相当于图9所示的控制部30A及位置检测部30B的装置。因此，伺服写入器控制器SW5从伺服图案读取结果获取位置检测结果，能够通过使用位置检测结果判定伺服图案52是否正确来进行伺服带SB的检查。组装有相当于控制部30A及位置检测部30B的装置的伺服写入器控制器SW5与仅使用判定信号电平是否超过了一个固定值即阈值TH的方法来检测伺服图案信号的情况相比，能够以高精度检测伺服图案信号，因此组装有伺服写入器控制器SW5的伺服写入器SW能够以高精度进行伺服带SB的检查。

另外，在上述实施方式中，举出位置阈值信息102存储于盒式存储器24的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，位置阈值信息102可以存储于磁带MT。作为此时的具体存储目的地的一例，可举出设置于磁带MT前头的BOT区域(省略图示)和/或设置于磁带MT末尾的EOT区域(省略图示)。

如此，即使在磁带MT中存储有位置阈值信息102的情况下，也能够获得与位置阈值信息102存储于盒式存储器24的情况相同的效果。并且，若代替盒式存储器24而在磁带MT中存储位置阈值信息102，则能够使盒式存储器24的容量增加相当于没有存储位置阈值信息102的量。

并且，位置阈值信息102的存储目的地并不限定于盒式存储器24及磁带MT。例如，位置阈值信息102可以存储于存储器32和/或外部装置37的存储器(图示省略)。在该情况下，控制部30A从存储器32和/或外部装置37的存储器获取位置阈值信息102即可。

并且，当在磁带MT行进的期间阈值TH(例如，第1阈值TH1及第2阈值TH2)发生变更时，可以在数据带DB(参考图8及图9)中存储阈值TH。在数据带DB中存储阈值TH表示对数据带DB记录阈值TH。作为对数据带DB的阈值TH的存储目的地，例如可举出数据带DB的空闲区域。在该情况下，例如，可以在磁带MT的数据带DB的空闲区域中的与在磁带MT上阈值TH发生变更的位置对应的空闲区域(即，与偏斜角度发生变更的位置对应的空闲区域)存储阈值TH(例如，第1阈值TH1及第2阈值TH2)。在该情况下，存储于数据带DB的阈值TH由磁性元件单元42读取，所读取的阈值TH由控制部30A设定于位置检测部30B即可。

并且，在上述实施方式中，例示了伺服图案52，但伺服图案52只不过是一例，即便使用其他种类的伺服图案(即，与伺服图案52的几何特性不同的几何特性的伺服图案)，本发明的技术仍成立。在以下的第1变形例～第8变形例中，对与伺服图案52不同的种类的伺服图案进行说明。

[第1变形例]

作为一例，如图18所示，第1变形例所涉及的磁带MT与图6所示的磁带MT相比，不同点在于，代替帧50而具有帧56。帧56由一组伺服图案58规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案58。与记录于图6所示的磁带MT的多个伺服图案52同样地，多个伺服图案58沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图18所示的例子中，作为帧56中所包含的一组伺服图案58的一例，示出了伺服图案58A及58B。伺服图案58A及58B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧56内，伺服图案58A位于正向的上游侧，伺服图案58B位于正向的下游侧。

伺服图案58由线状磁化区域对60构成。线状磁化区域对60分类为线状磁化区域对60A与线状磁化区域对60B。

伺服图案58A由线状磁化区域对60A构成。在图18所示的例子中，作为线状磁化区域对60A的一例，示出了线状磁化区域60A1及60A2。线状磁化区域60A1及60A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域60A1及60A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度。

在伺服图案58A中，在线状磁化区域60A1包含多个磁化直线60A1a，在线状磁化区域60A2包含多个磁化直线60A2a。线状磁化区域60A1中所包含的磁化直线60A1a的根数与线状磁化区域60A2中所包含的磁化直线60A2a的根数相同。

线状磁化区域60A1为得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置(即，5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60A2的两端的位置(即，5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。另外，在此，举出了5根磁化直线60A1a各自的两端的位置与5根磁化直线60A2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，只要5根磁化直线60A1a中的1根以上的磁化直线60A1a的两端的位置与5根磁化直线60A2a中的1根以上的磁化直线60A2a的两端的位置对齐即可。并且，在本实施方式中，“对齐”这一概念中除了包含完全对齐的含义以外，还包含包括本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术的宗旨程度的误差在内的“对齐”这一含义。

伺服图案58B由线状磁化区域对60B构成。在图18所示的例子中，作为线状磁化区域对60B的一例，示出了线状磁化区域60B1及60B2。线状磁化区域60B1及60B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60B1及60B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域60B1及60B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域60B2相对于假想直线C2的角度。并且，线状磁化区域60B1的总长度短于线状磁化区域60B2的总长度。

在伺服图案58B中，在线状磁化区域60B1包含多个磁化直线60B1a，在线状磁化区域60B2包含多个磁化直线60B2a。线状磁化区域60B1中所包含的磁化直线60B1a的根数与线状磁化区域60B2中所包含的磁化直线60B2a的根数相同。

伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数与伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数不同。在图18所示的例子中，伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数为8根。

线状磁化区域60B1为得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60B1的两端的位置(即，4根磁化直线60B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60B2的两端的位置(即，4根磁化直线60B2a各自的两端的位置)对齐。

另外，在此，举出了4根磁化直线60B1a各自的两端的位置与4根磁化直线60B2a各自的两端的位置对齐例子，但这只不过是一例，4根磁化直线60B1a中的1根以上的磁化直线60B1a的两端的位置与4根磁化直线60B2a中的1根以上的磁化直线60B2a的两端的位置对齐即可。

并且，在此，作为线状磁化区域60A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，作为线状磁化区域60A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合，作为线状磁化区域60B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，作为线状磁化区域60B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域60A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A1a即可，线状磁化区域60A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A2a即可，线状磁化区域60B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B1a即可，线状磁化区域60B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B2a即可。

在此，参考图19对线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图19所示，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。假想线状区域对62由假想线状区域62A及假想线状区域62B构成。线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域对62为具有与图8所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性的假想线状磁化区域对。假想线状区域对62是为了便于说明线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性而使用的假想磁化区域，并不是实际存在的磁化区域。

假想线状区域62A具有与图8所示的线状磁化区域54A1相同的几何特性，且由与图8所示的5根磁化直线54A1a对应的5根假想直线62A1构成。假想线状区域62B具有与图8所示的线状磁化区域54B1相同的几何特性，且由与图8所示的5根磁化直线54A2a对应的5根假想直线62B1构成。

在假想线状区域对62中设置有中心O1。例如，中心O1为连结5根直线62A1中的位于正向的最上游侧的直线62A1的中心与5根直线62B1中的位于正向的最下游侧的直线62B1的中心的线段L0的中心。

假想线状区域对62具有与图8所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性，因此假想线状区域62A及假想线状区域62B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，考虑如下情况：当通过以中心O1为旋转轴相对于假想直线C1使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，假如对该假想线状区域对62进行基于伺服读取元件SR的读取。在该情况下，在假想线状区域对62中，在宽度方向WD上，会产生可读取假想线状区域62A但无法读取假想线状区域62B，或无法读取假想线状区域62A但可读取假想线状区域62B的部位。即，分别在假想线状区域62A及62B中，当进行基于伺服读取元件SR的读取时，会产生不足的部分及不需要的部分。

因此，通过补充不足的部分且去除不需要的部分，在宽度方向WD上，使假想线状区域62A的两端的位置(即，5根直线62A1各自的两端的位置)与假想线状区域62B的两端的位置(即，5根直线62B1各自的两端的位置)对齐。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案58A的几何特性。即，在宽度方向WD上，通过使假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对62的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60A记录于伺服带SB。

另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线60A1a而具有4根磁化直线60B1a及代替5根磁化直线60A2a而具有4根磁化直线60B2a。因此，在宽度方向WD上，通过使4根直线62A1各自的两端的位置与4根直线62B1各自的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对(省略图示)的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60B记录于伺服带SB。

作为一例，如图20所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧56在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。

既定间隔根据角度α、在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(以下，也称为“伺服带间距”)及帧长来规定。在图20所示的例子中，为了便于视觉掌握角度α，夸大示出了角度α，但实际上，角度α例如为15度左右。角度α为由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间不处于对应关系的帧56之间与假想直线C1所成的角度。在图20所示的例子中，作为角度α的一例，示出了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(在图20所示的例子中，为伺服带SB3的一个帧56)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(在图20所示的例子中，为伺服带SB2内的多个帧56中的与伺服带SB3的一个帧56处于对应关系的帧56)的帧56之间(图20所示的例子中，线段L1)和假想直线C1所成的角度。在该情况下，帧长是指，磁带MT的长边方向LD上的帧56的总长度。既定间隔由以下数式(1)规定。另外，Mod(A/B)表示“A”除以“B”时产生的余数。

(既定间隔)＝Mod{(伺服带间距×tanα)/(帧长)}……(1)

另外，在图20所示的例子中，作为角度α，例示了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(以下，也称为“第1帧”)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(以下，也称为“第2帧”)的帧56之间和假想直线C1所成的角度，但本发明的技术并不限定于此。例如，角度α可以是第1帧与在与第2帧相同的伺服带SB内从第2帧分开2帧以上的帧56(以下，也称为“第3帧”)之间和假想直线C1所成的角度。在该情况下，数式(1)中所使用的“帧长”为磁带MT的长边方向LD上的第2帧与第3帧之间的间距(例如，从第2帧的前端至第3帧的前端的距离)。

作为一例，如图21所示，若以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58A(即，线状磁化区域对60A)，则在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。并且，在以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也产生相同的现象。

因此，作为一例，如图22所示，倾斜机构49(参考图8)以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图22的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。如此，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜，因此与图21所示的例子相比，在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域60B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第2变形例]

在上述第1变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图23所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧70划分。帧70由一组伺服图案72规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案72。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案72沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图23所示的例子中，作为一组伺服图案72的一例，示出了伺服图案72A及72B。伺服图案72A及72B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案72A及72B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧70内，伺服图案72A位于正向的上游侧，伺服图案72B位于正向的下游侧。

作为一例，如图24所示，伺服图案72由线状磁化区域对74构成。线状磁化区域对74分类为线状磁化区域对74A与线状磁化区域对74B。

伺服图案72A由一组线状磁化区域对74A构成。一组线状磁化区域对74A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图24所示的例子中，作为线状磁化区域对74A的一例，示出了线状磁化区域74A1及74A2。线状磁化区域对74A以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域对60A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60A相同的几何特性。即，线状磁化区域74A1以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A1相同的几何特性，线状磁化区域74A2以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A2相同的几何特性。

伺服图案72B由一组线状磁化区域对74B构成。一组线状磁化区域对74B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图24所示的例子中，作为线状磁化区域对74B的一例，示出了线状磁化区域74B1及74B2。线状磁化区域对74B以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域对60B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60B相同的几何特性。即，线状磁化区域74B1以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B1相同的几何特性，线状磁化区域74B2以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B2相同的几何特性。

[第3变形例]

在图23所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧70划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图25所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧76划分。帧76由一组伺服图案78规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案78。与多个伺服图案72(参考图23)同样地，多个伺服图案78沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图25所示的例子中，作为一组伺服图案78的一例，示出了伺服图案78A及78B。伺服图案78A及78B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案78A及78B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧76内，伺服图案78A位于正向的上游侧，伺服图案78B位于正向的下游侧。

作为一例，如图26所示，伺服图案78由线状磁化区域组80构成。线状磁化区域组80分类为线状磁化区域组80A与线状磁化区域组80B。

伺服图案78A由线状磁化区域组80A构成。线状磁化区域组80A由线状磁化区域80A1、80A2及80A3构成。线状磁化区域80A1、80A2及80A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80A1、80A2及80A3从正向的上游侧以线状磁化区域80A1、80A2及80A3的顺序配置。

线状磁化区域80A1及80A2以与图24所示的线状磁化区域对74A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74A相同的几何特性。即，线状磁化区域80A1以与图24所示的线状磁化区域74A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A1相同的几何特性，线状磁化区域80A2以与图24所示的线状磁化区域74A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80A3以与线状磁化区域80A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80A1相同的几何特性。

伺服图案78B由线状磁化区域组80B构成。线状磁化区域组80B由线状磁化区域80B1、80B2及80B3构成。线状磁化区域80B1、80B2及80B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80B1、80B2及80B3从正向的上游侧以线状磁化区域80B1、80B2及80B3的顺序配置。

线状磁化区域80B1及80B2以与图24所示的线状磁化区域对74B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74B相同的几何特性。即，线状磁化区域80B1以与图24所示的线状磁化区域74B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B1相同的几何特性，线状磁化区域80B2以与图24所示的线状磁化区域74B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80B3以与线状磁化区域80B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80B1相同的几何特性。

[第4变形例]

在上述第1变形例中，举出既定间隔根据角度α、伺服带间距及帧长来规定的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以不使用帧长来规定既定间隔。例如，如图27所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的帧56之间(在图27所示的例子中，为线段L3)与假想直线C1所成的角度α及在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(即，伺服带间距)来规定。在该情况下，例如，既定间隔由以下数式(2)计算。

(既定间隔)＝(伺服带间距)×tanα……(2)

如此，数式(2)中不包含帧长。这表示即使不考虑帧长也计算出既定间隔。因此，根据本结构，与由数式(1)计算既定间隔的情况相比，能够简单地计算既定间隔。

[第5变形例]

在上述第1变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图28所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧82划分。

帧82由一组伺服图案84规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案84。与记录于磁带MT(参考图6)的多个伺服图案52(参考图6)同样地，多个伺服图案84沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图28所示的例子中，作为帧82中所包含的一组伺服图案84的一例，示出了伺服图案84A及84B。伺服图案84A及84B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧82内，伺服图案84A位于正向的上游侧，伺服图案84B位于正向的下游侧。

伺服图案84A由线状磁化区域对86A构成。在图28所示的例子中，作为线状磁化区域对86A的一例，示出了线状磁化区域86A1及86A2。线状磁化区域86A1及86A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域86A1及86A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域86A1与线状磁化区域86A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域86A2相对于假想直线C1的角度。

并且，线状磁化区域86A1整体的位置与线状磁化区域86A2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86A1一端的位置与线状磁化区域86A2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86A1另一端的位置与线状磁化区域86A2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84A中，在线状磁化区域86A1包含多个磁化直线86A1a，在线状磁化区域86A2包含多个磁化直线86A2a。线状磁化区域86A1中所包含的磁化直线86A1a的根数与线状磁化区域86A2中所包含的磁化直线86A2a的根数相同。

线状磁化区域86A1为得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

伺服图案84B由线状磁化区域对86B构成。在图28所示的例子中，作为线状磁化区域对86B的一例，示出了线状磁化区域86B1及86B2。线状磁化区域86B1及86B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86B1及86B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域86B1及86B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域86B1与线状磁化区域86B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域86B2相对于假想直线C2的角度。

并且，线状磁化区域86B1整体的位置与线状磁化区域86B2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86B1一端的位置与线状磁化区域86B2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86B1另一端的位置与线状磁化区域86B2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84B中，在线状磁化区域86B1包含多个磁化直线86B1a，在线状磁化区域86B2包含多个磁化直线86B2a。线状磁化区域86B1中所包含的磁化直线86B1a的根数与线状磁化区域86B2中所包含的磁化直线86B2a的根数相同。

伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数与伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数不同。在图28所示的例子中，伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数为8根。

线状磁化区域86B1为得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

另外，在此，作为线状磁化区域86A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，作为线状磁化区域86A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合，作为线状磁化区域86B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，作为线状磁化区域86B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域86A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A1a即可，线状磁化区域86A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A2a即可，线状磁化区域86B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B1a即可，线状磁化区域86B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B2a即可。

在此，参考图29对线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图29所示，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。在此，通过以中心O1为旋转轴使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜。然后，使该状态下的假想线状区域对62的假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，同样地，使假想线状区域对62的假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。由此，假想线状区域62A及假想线状区域62B在宽度方向WD上偏离。

即，假想线状区域62A的一端与假想线状区域62B的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离，假想线状区域62A的另一端与假想线状区域62B的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案84A的几何特性。即，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域62A与伺服图案84A的线状磁化区域86A1对应，假想线状区域62B与伺服图案84A的线状磁化区域86A2对应。因此，对伺服带SB记录伺服图案84A，该伺服图案84A由线状磁化区域86A1的一端与线状磁化区域86A2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86A1的另一端与线状磁化区域86A2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86A构成(参考图28)。

另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线86A1a而具有4根磁化直线86B1a及代替5根磁化直线86A2a而具有4根磁化直线86B2a(参考图28)。因此，对伺服带SB记录伺服图案84B，该伺服图案84B由线状磁化区域86B1的一端与线状磁化区域86B2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86B1的另一端与线状磁化区域86B2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86B构成(参考图28)。

作为一例，如图30所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧82在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示在伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间沿磁带MT的长边方向LD以在上述第1变形例中说明的既定间隔偏离。既定间隔由在上述第1变形例中说明的数式(1)规定。

与上述第1变形例同样地，在本第5变形例中，作为一例，如图31所示，倾斜机构49(参考图8)以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图31的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。即，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜。在该状态下，当通过伺服读取元件SR在宽度方向WD上重叠的范围R内沿着长边方向LD对线状磁化区域86A1及86A2读取了伺服图案84A时，与图21所示的例子相比，在来源于线状磁化区域86A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域86B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第6变形例]

另外，在上述第5变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧82划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图32所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧88划分。帧88由一组伺服图案90规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案90。与多个伺服图案84(参考图28)同样地，多个伺服图案90沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图32所示的例子中，作为一组伺服图案90的一例，示出了伺服图案90A及90B。伺服图案90A及90B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案90A及90B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧88内，伺服图案90A位于正向的上游侧，伺服图案90B位于正向的下游侧。

作为一例，如图33所示，伺服图案90由线状磁化区域对92构成。线状磁化区域对92分类为线状磁化区域对92A与线状磁化区域对92B。

伺服图案90A由一组线状磁化区域对92A构成。一组线状磁化区域对92A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图33所示的例子中，作为线状磁化区域对92A的一例，示出了线状磁化区域92A1及92A2。线状磁化区域对92A以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域对86A(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86A相同的几何特性。即，线状磁化区域92A1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86A1(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A1相同的几何特性，线状磁化区域92A2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86A2(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A2相同的几何特性。

伺服图案90B由一组线状磁化区域对92B构成。一组线状磁化区域对92B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图33所示的例子中，作为线状磁化区域对92B的一例，示出了线状磁化区域92B1及92B2。线状磁化区域对92B以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域对86B(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86B相同的几何特性。即，线状磁化区域92B1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86B1(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B1相同的几何特性，线状磁化区域92B2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86B2(参考图28)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B2相同的几何特性。

[第7变形例]

在图32所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧88划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图34所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧94划分。帧94由一组伺服图案96规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案96。与多个伺服图案90(参考图32)同样地，多个伺服图案96沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图34所示的例子中，作为一组伺服图案96的一例，示出了伺服图案96A及96B。伺服图案96A及96B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案96A及96B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧94内，伺服图案96A位于正向的上游侧，伺服图案96B位于正向的下游侧。

作为一例，如图35所示，伺服图案96由线状磁化区域组98构成。线状磁化区域组98分类为线状磁化区域组98A与线状磁化区域组98B。

伺服图案96A由线状磁化区域组98A构成。线状磁化区域组98A由线状磁化区域98A1、98A2及98A3构成。线状磁化区域98A1、98A2及98A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98A1、98A2及98A3从正向的上游侧以线状磁化区域98A1、98A2及98A3的顺序配置。

线状磁化区域98A1及98A2以与图33所示的线状磁化区域对92A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92A相同的几何特性。即，线状磁化区域98A1以与图33所示的线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性，线状磁化区域98A2以与图33所示的线状磁化区域92A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98A3以与线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性。

伺服图案96B由线状磁化区域组98B构成。线状磁化区域组98B由线状磁化区域98B1、98B2及98B3构成。线状磁化区域98B1、98B2及98B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98B1、98B2及98B3从正向的上游侧以线状磁化区域98B1、98B2及98B3的顺序配置。

线状磁化区域98B1及98B2以与图33所示的线状磁化区域对92B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92B相同的几何特性。即，线状磁化区域98B1以与图33所示的线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性，线状磁化区域98B2以与图33所示的线状磁化区域92B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98B3以与线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性。

[第8变形例]

在上述第1变形例(例如，图18所示的例子)中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图36所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧560划分。帧560由一组伺服图案580规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案580。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案580沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

伺服图案580由线状磁化区域对600构成。线状磁化区域对600分类为线状磁化区域对600A与线状磁化区域对600B。即，线状磁化区域对600与线状磁化区域对60(参考图18)相比，不同点在于，代替线状磁化区域对60A而具有线状磁化区域对600A的点及代替线状磁化区域对60B而具有线状磁化区域对600B的点。

伺服图案580A由线状磁化区域对600A构成。另外，线状磁化区域对600A与线状磁化区域对60A相比，不同点在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域600A1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域600A2的点。线状磁化区域600A1及600A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600A1及600A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域600A1及600A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域600A2与线状磁化区域600A1相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域600A1相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域600A2的总长度短于线状磁化区域600A1的总长度。

线状磁化区域600A1与线状磁化区域60A1相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A1a而具有多个磁化直线600A1a。线状磁化区域600A2与线状磁化区域60A2相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A2a而具有多个磁化直线600A2a。

在线状磁化区域600A1包含多个磁化直线600A1a，在线状磁化区域600A2包含多个磁化直线600A2a。线状磁化区域600A1中所包含的磁化直线600A1a的根数与线状磁化区域600A2中所包含的磁化直线600A2a的根数相同。

线状磁化区域600A1为相当于第1线对称区域的线状磁化区域。第1线对称区域是指，形成为在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A2(参考图18)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A1也可以说是由线状磁化区域60A2(参考图18)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A2(参考图18)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

线状磁化区域600A2为相当于第2线对称区域的线状磁化区域。第2线对称区域是指，形成为在上述第1实施方式中说明的线状磁化区域60A1(参考图18)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A2也可以说是由线状磁化区域60A1(参考图18)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A1(参考图18)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

即，在图19所示的例子中，当通过使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以中心O1为旋转轴向从图19的纸面表面侧观察时的顺时针方向以角度a倾斜而使假想线状区域对62整体相对于假想直线C1倾斜时，通过假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的假想线状区域对62的几何特性相当于伺服图案580A的几何特性。

伺服图案580B由线状磁化区域对600B构成。线状磁化区域对600B与线状磁化区域对60B相比，不同点在于，代替线状磁化区域60B1而具有线状磁化区域600B1的点及代替线状磁化区域60B2而具有线状磁化区域600B2的点。线状磁化区域600B1及600B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600B1及600B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域600B1及600B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域600B2与线状磁化区域600B1相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域600B1相对于假想直线C2的角度。

在线状磁化区域600B1包含多个磁化直线600B1a，在线状磁化区域600B2包含多个磁化直线600B2a。线状磁化区域600B1中所包含的磁化直线600B1a的根数与线状磁化区域600B2中所包含的磁化直线600B2a的根数相同。

伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数与伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数不同。在图33所示的例子中，伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数为8根。

线状磁化区域600B1为得到磁化的4根直线即磁化直线600B1a的集合，线状磁化区域600B2为得到磁化的4根直线即磁化直线600B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域600B1的两端的位置(即，4根磁化直线600B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域600B2的两端的位置(即，4根磁化直线600B2a各自的两端的位置)对齐。

如此，伺服图案580A的几何特性相当于线状磁化区域60A2(参考图18)的镜像的几何特性及线状磁化区域60A2(参考图18)的镜像的几何特性(即，图18所示的伺服图案58A的镜像的几何特性)，伺服图案580B的几何特性相当于线状磁化区域60B2(参考图18)的镜像的几何特性及线状磁化区域60B2(参考图18)的镜像的几何特性(即，图18所示的伺服图案58B的镜像的几何特性)。但是，这只不过是一例，代替伺服图案580，可以适用由图23所示的伺服图案72的镜像的几何特性、图25所示的伺服图案78的镜像的几何特性、图28所示的伺服图案84的镜像的几何特性、图32所示的伺服图案90的镜像的几何特性或图34所示的伺服图案96的镜像的几何特性形成的伺服图案。

另外，如此，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，倾斜机构49根据伺服图案的几何特性变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图22所示的角度β)。即，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，也与上述第1变形例同样地，倾斜机构49在控制部30A的控制下，通过使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，以减小伺服图案信号的偏差的方式变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图22所示的角度β)。

[其他变形例]

在上述实施方式中，例示了磁带盒12相对于磁带驱动器14插拔自如的磁带系统10，但本发明的技术并不限定于此。例如，即便是对磁带驱动器14事先装填有至少一个磁带盒12的磁带系统(即，至少一个磁带盒12与磁带驱动器14事先一体化的磁带系统)，本发明的技术也成立。

在上述实施方式中，例示了单一磁头28，但本发明的技术并不限定于此。例如，多个磁头28可以配置于磁带MT上。例如，可以使读取用磁头28及至少一个写入用磁头28配置于磁带MT上。读取用磁头28可以用于通过写入用磁头28记录于数据带DB的数据的验证。并且，搭载有读取用磁性元件单元42及至少一个写入用磁性元件单元42的一个磁头可以配置于磁带MT上。

在上述实施方式中，举出处理装置30(参考图3)通过ASIC来实现的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，处理装置30可以通过软件结构来实现。并且，可以仅将处理装置30中所包含的控制部30A及位置检测部30B通过软件结构来实现。当通过软件结构来实现控制部30A及位置检测部30B时，例如，如图37所示，处理装置30具备计算机200。计算机200具有处理器200A(例如，单个CPU或多个CPU等)、NVM200B及RAM200C。处理器200A、NVM200B及RAM200C与总线200D连接。在计算机可读取的非暂时性存储介质即便携式存储介质202(例如，SSD或USB存储器等)中存储有程序PG。

存储于存储介质202的程序PG安装于计算机200。处理器200A按照程序PG执行包含在上述实施方式中说明的伺服图案检测处理(参考图15)、第1设定处理(参考图16)及第2设定处理(参考图17)的阈值使用方式检测处理。

并且，可以在经由通信网(省略图示)与计算机200连接的其他计算机或服务器装置等存储装置中存储程序PG，根据来自处理装置30的请求下载程序PG，并安装于计算机200。另外，程序PG为本发明的技术所涉及的“程序”的一例，计算机200为本发明的技术所涉及的“计算机”的一例。

在图37所示的例子中，例示了计算机200，但本发明的技术并不限定于此，代替计算机200，可以适用包含ASIC、FPGA和/或PLC的器件。并且，代替计算机200，也可以使用硬件结构及软件结构的组合。

作为执行处理装置30(参考图3)和/或伺服写入器控制器SW5(参考图14)的处理的硬件资源，能够使用如下所示的各种处理器。作为处理器，例如可举出作为通过执行软件即程序而执行处理的硬件资源发挥作用的通用处理器即CPU。并且，作为处理器，例如可举出FPGA、PLC或所例示的ASIC等具有为了执行特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电子电路。在任何处理器中内置或连接有内存，并且通过在任何处理器中也使用内存来执行处理。

执行处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以由这些各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合或CPU与FPGA的组合)构成。并且，执行处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以是一个处理器。

作为由一个处理器构成的例子，第1，有由一个以上的CPU与软件的组合来构成一个处理器，并且该处理器作为执行处理的硬件资源而发挥作用的方式。第2，有以SoC等为代表，使用通过一个IC芯片来实现包含执行处理的多个硬件资源的整个系统的功能的处理器的方式。如此，处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理作为硬件资源使用上述各种处理器的一个以上来实现。

而且，更具体而言，作为这些各种处理器的硬件结构，能够使用组合了半导体元件等电路元件的电子电路。并且，上述处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理只不过是一例。因此，在不脱离主旨的范围内，可以删除不需要的步骤，或追加新的步骤，或调换处理顺序是不言而喻的。

以上示出的记载内容及图示内容为对本发明的技术所涉及的部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述的结构、功能、作用及效果相关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例相关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的主旨的范围内，可以对以上示出的记载内容及图示内容删除不需要的部分，或追加新的要素，或进行置换是不言而喻的。并且，为了避免错综复杂，并且便于理解本发明的技术所涉及的部分，在以上示出的记载内容及图示内容中，在能够实施本发明的技术的基础上，省略了与无需特别说明的技术常识等相关的说明。

在本说明书中，“A和/或B”与“A及B中的至少一个”含义相同。即，“A和/或B”表示可以仅是A，也可以仅是B，还可以是A及B的组合。并且，在本说明书中，当三个以上的事体用“和/或”来连结而表现时，也适用与“A和/或B”相同的思考方式。

本说明书中所记载的所有的文献、专利申请及技术标准，通过参考而编入于此的每个文献、专利申请及技术标准与具体且个别记载时相同程度地通过参考编入于本说明书中。

符号说明

10-磁带系统，12-磁带盒，14-磁带驱动器，16-壳体，16A-右壁，16B-开口，18-上壳体，20-下壳体，22、SW1-送出卷轴，22A-卷轴毂，22B1-上凸缘，22B2-下凸缘，24-盒式存储器，24B、33-背面，25-控制器，26-输送装置，28-磁头，29A-磁性层，29B-基膜，29C-背涂层，30、SW5-处理装置，30A-控制部，30B-位置检测部，30B1-第1位置检测部，30B2-第2位置检测部，31-表面，32-存储器，34-UI系统装置，35-通信接口，36-送出马达，37-外部装置，38、SW2-卷取卷轴，39A-第1检测电路，39B-第2检测电路，40、M-卷取马达，42-磁性元件单元，44-托架，46-非接触式读写装置，48-移动机构，48A-移动致动器，49-倾斜机构，49A-倾斜致动器，50、56、70、76、82、88、560-帧，52、52A、52B、58、58A、58B、72、72A、72B、78、78A、78B、84、84A、84B、90、90A、90B、580、580A、580B-伺服图案，54、54A、54B、60、60A、60B、74、74A、74B、86、86A、86B、92、92A、92B、600、600A、600B-线状磁化区域对，54A1、54A2、54B1、54B2、60A1、60A2、60B1、60B2、74A1、74A2、74B1、74B2、80A1、80A2、80A3、86A1、86A2、86B1、86B2、92A1、92A2、92B1、92B2、600A1、600A2、600B1、600B2-线状磁化区域，54A1a、54A2a、54B1a、54B2a、60A1a、60A2a、60B1a、60B2a、86A1a、86A2a、86B1a、86B2a、600A1a、600A2a、600B1a、600B2a-磁化直线，62-假想线状区域对，62A、62B-假想线状区域，62A1、62B1-直线，66、66A、66B、66C-理想波形信号，68-假想直线区域对，68A、68B-假想直线区域，80、80A、80B-线状磁化区域组，99-位置识别信息，100-对应信息，102-位置阈值信息，200-计算机，200A-处理器，200B-NVM，200C-RAM，200D-总线，202-存储介质，A、B、C-箭头，a、b、α、β-角度，VH-验证头，C1、C2、C3、C4-假想直线，DB、DB1、DB2-数据带，DRW-数据读写元件，GR-导辊，Int1、Int2-间隔，L0、L1、L2-线段，LD-长边方向，LD1、WD1-方向，MF-磁界，MT-磁带，O1、O2-中心，PG-程序，RA-旋转轴，S1-第1伺服带信号，S1a、S1c-第1线状磁化区域信号，S1A、S1B-伺服图案信号，S1b、S1d-第2线状磁化区域信号，S2-第2伺服带信号，SA1、SA2-对称轴，SB、SB1、SB2、SB3-伺服带，SR、SR1、SR2-伺服读取元件，SW-伺服写入器，SW3-驱动装置，SW4-脉冲信号发生器，SW6-引导件，SW7-输送路径，WD-宽度方向，WH-伺服图案记录头。