一种83.4nm反射镜及其制作方法

技术领域

本发明涉及反射镜制备技术领域，特别涉及一种83.4nm反射镜及其制作方法。

背景技术

利用O的83.4nm谱线，对地球等离子体层进行高灵敏度成像观测，可以探测到O

在83.4nm波段，材料的吸收较大。在5-65nm波段常用的周期多层膜结构，在这个波长处失去效用。也就是说，在该波段得不到窄带宽的高反射镜。目前，该波段的反射镜通常使用多种材料采用亚四分之一波长方法逐层设计高反射镜。83.4nm多层膜常用的材料包括SiC/B

由此可见，现有的83.4nm反射镜反射率都在30％以下，且放置久了后反射率会下降。

发明内容

本发明要解决现有技术中83.4nm反射镜反射率偏低的技术问题，提供一种具有良好的硬度和刚度、耐抗空间高能粒子辐照、性能稳定的83.4nm反射镜及其制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案具体如下：

一种83.4nm反射镜，包括：包括：无压烧结制备的SiC基底，和通过化学气相沉积制备在所述SiC基底上的SiC涂层。

在上述技术方案中，所述SiC涂层的厚度为0.2mm。

一种83.4nm反射镜的制作方法，包括以下步骤：

步骤i：通过无压烧结制备SiC基底；

步骤ii：对步骤i制备的SiC基底进行粗抛光；

步骤iii：通过化学气相沉积法在粗抛光后的SiC基底上制备SiC涂层；

步骤iv：对步骤iii得到的基底进行再次抛光，制备得到83.4nm反射镜。

在上述技术方案中，所述SiC涂层的厚度为0.2mm。

在上述技术方案中，所述步骤iii中化学气相沉积法的步骤具体为：

使用有机物CH

在上述技术方案中，H

本发明具有以下有益效果：

本发明的83.4nm反射镜及其制作方法，采用在无压烧结制备的SiC基底上CVD沉积SiC的工艺，制备了SiC反射镜，解决了现有83.4nm反射镜反射率偏低的问题，在83.4nm处反射率达到了42％。同时该反射镜具有良好的硬度和刚度，耐抗空间高能粒子辐照，性能稳定。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明的83.4nm反射镜的结构组成示意图。

图2为83.4nm反射镜制作流程示意图。

具体实施方式

本发明的发明思想为：现有的83.4nm反射镜反射率都在30％以下。由于In滤光片的反射率较低，只有2.1％，因此83.4nm极紫外相机需要反射率大于30％的高反射镜。

本发明采用无压烧结SiC基底上化学气相沉积(CVD)SiC的工艺，制备了SiC反射镜，其在83.4nm处反射率达到了42％，解决了现有83.4nm反射镜反射率偏低的问题，同时该反射镜具有良好的硬度和刚度，耐空间高能粒子辐照，性能稳定。

下面结合附图对本发明做以详细说明。

本发明的83.4nm反射镜的结构组成示意图如图1所示，本发明的83.4nm反射镜是由无压烧结制备的SiC基底和在所述基底上通过CVD沉积的SiC涂层组成，SiC涂层厚度约为0.2mm。

本发明的83.4nm反射镜的制作方法的工艺流程图如图2所示，主要包括：采用无压烧结制备SiC基底，粗抛光，通过CVD沉积在所述SiC基底上制备SiC涂层、再次抛光，制备得到所述83.4nm反射镜。

CVD SiC涂层制备的具体过程为：使用有机物CH

实施例

本发明的83.4nm反射镜，基底是由无压烧结工艺制备的SiC，基底表面沉积了一层厚度约为0.2mm的SiC薄膜，该薄膜是由CVD工艺制备的；

本发明的83.4nm反射镜的制作方法，具体步骤如下：

步骤i：通过无压烧结制备SiC基底；

所述SiC基底采用公布号为CN 113121239 A，名称为一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺的专利说明书0038-0044段公开的制备方法进行制备得到的，这里不再赘述。

步骤ii：对步骤i制备的SiC基底进行粗抛光；

步骤iii：通过化学气相沉积法在粗抛光后的SiC基底上制备SiC涂层；

使用有机物CH

步骤iv：对步骤iii得到的基底进行再次抛光，将表面粗糙度抛到1nm以下，制备得到83.4nm反射镜。

本发明经过试验制备获得了83.4nm反射镜，在83.4nm处反射率高达42％。经过-55℃～+90℃高低温试验和100keV电子辐照(总剂量5.0×10

本发明的目的是解决现有83.4nm反射镜反射率偏低的问题，本发明使用无压烧结制备的SiC做基底和并在其基底上通过CVD沉积的SiC涂层制作的反射镜，具有42％的高反射率，比目前最好的技术提高了60％。本发明的83.4nm反射镜具有良好的硬度和刚度，耐空间高能粒子辐照，具有良好的热稳定性。放置一年，反射率无变化，性能稳定。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。