载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法

技术领域

本公开涉及载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。

背景技术

在专利文献1中，作为设于成膜装置的腔室内且载置半导体晶圆(以下称作“晶圆”)的载物台，公开有一种以在整个周向上覆盖该载物台的外缘部和该载物台的侧周面的方式设有盖构件的载物台。

专利文献1：日本特开2018－70906号公报

发明内容

本公开所涉及的技术抑制盖构件的相对于载置台主体的位置偏移，另外，利用该用于抑制位置偏移的机构防止载置台主体的热膨胀或者热收缩时在该载置台主体产生破损。

本公开的一技术方案为一种用于载置基板的载置台，其中，该载置台包括：载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；盖构件，其覆盖所述载置台主体的上表面的外缘部；以及位置偏移防止用构件，其设于所述载置台主体的上表面与所述盖构件的下表面之间，能够滚动或者滑动，在所述载置台主体的上表面形成有收容所述位置偏移防止用构件的主体侧凹部，在所述盖构件的下表面形成有收容被所述主体侧凹部收容的所述位置偏移防止用构件的盖侧凹部，所述主体侧凹部和所述盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着所述载置台主体的径向的倾斜面的研钵状。

根据本公开，能够抑制盖构件的相对于载置台主体的位置偏移，另外，能够利用该用于抑制位置偏移的机构防止载置台主体的热膨胀或者热收缩时在该载置台主体产生破损。

附图说明

图1是用于说明本公开所涉及的课题的图。

图2是示意性表示作为第1实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图。

图3是表示图2的成膜装置的内部的状态的局部放大剖视图。

图4是载置台的局部放大剖视图。

图5是载置台主体的俯视图。

图6是盖构件的仰视图。

图7是盖侧凹部的平面图。

图8是用于说明位置偏移防止用构件的另一例子的图。

图9是用于说明位置偏移防止用构件的另一例子的图。

图10是用于说明载置台主体的另一例子的图。

图11是示意性表示作为第2实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图。

图12是图11的销支承构件的俯视图。

图13是图11的盖构件的仰视图。

图14是图11的盖构件所具有的卡定部的侧视图。

图15是用于说明第2实施方式的升降销的另一例子的图。

图16是用于说明第2实施方式的盖构件的另一例子的图。

具体实施方式

例如，在半导体器件的制造工艺中，对晶圆等基板进行成膜处理等基板处理。该基板处理使用基板处理装置来进行。在基板处理装置内设有载置基板的载置台。作为载置台，公知存在具有在其上表面载置基板的载置台主体和覆盖该载置台主体的上表面的外缘部的盖构件的载置台。另外，在基板处理时，有时会通过加热或者冷却载置台主体，来调节载置于该载置台主体的基板的温度。

另外，盖构件与载置台主体之间的位置关系优选为一定。但是，例如在使载置台主体旋转以使得在基板面内均匀地进行基板处理时等，存在盖构件的位置相对于载置台主体偏移的情况。在专利文献1中未公开抑制该盖构件的相对于载置台主体的位置偏移的技术。

另外，作为用于抑制盖构件的相对于载置台主体的位置偏移的机构，考虑图1所示那样的机构。图1的位置偏移抑制机构具有与盖构件500一体地形成于盖构件500的下表面的固定用突起501、和形成于载置台主体510的上表面的纵孔511。通过以固定用突起501插入纵孔511的方式安装盖构件500，从而抑制盖构件500的相对于载置台主体510的位置偏移。

但是，对于图1的位置偏移抑制机构，当载置台主体510在加热后的维护时等降温而热收缩时，该热收缩被固定用突起501妨碍，而在载置台主体510产生热应力，其结果，有时在载置台主体510产生龟裂等破损。载置台主体510热膨胀时也同样。

于是，本公开所涉及的技术抑制盖构件的相对于载置台主体的位置偏移，另外，利用该用于抑制位置偏移的机构防止载置台主体热膨胀或热收缩时在该载置台主体产生破损。

以下，参照附图说明本实施方式所涉及的载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。

(第1实施方式)

图2是示意性表示作为第1实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图，由剖面示出了成膜装置的局部。图3是表示图2的成膜装置的内部的状态的局部放大剖视图。

图2的成膜装置1具有构成为能够减压，并收容作为基板的晶圆W的处理容器10。

处理容器10具有形成为有底的圆筒形状的容器主体10a。

在容器主体10a的侧壁设有晶圆W的送入送出口11，在该送入送出口11设有开闭该送入送出口11的闸阀12。在比送入送出口11靠上部侧的位置设有构成容器主体10a的侧壁的一部分的后述的排气管道60。在容器主体10a的上部，即排气管道60设有开口10b，以堵塞该开口10b的方式安装有盖13。在排气管道60与盖13之间设有用于将处理容器10内保持为气密的O形环14。

在处理容器10内设有载置晶圆W的载置台20。

载置台20具有在上表面水平地载置晶圆W的载置台主体21。在载置台主体21的内部设有用于加热晶圆W的加热器21a。此外，在需要冷却晶圆W的情况下，在载置台主体21的内部设置冷却机构。也可以设为在载置台主体21的内部设置加热器21a和冷却机构这两者，而能够进行晶圆W的加热和冷却这两个处理。

而且，在载置台主体21形成有多个沿上下方向贯通该载置台主体21的贯通孔21b。在该贯通孔21b贯穿后述的升降销30。

另外，载置台20具有覆盖载置台主体21的上表面的外缘部的盖构件22。具体而言，盖构件22在整个周向上覆盖比载置台主体21的上表面的载置晶圆W的载置区域靠外周侧的区域和载置台主体21的侧周面。该盖构件22将处理容器10内划分成载置台主体21的上方的空间和该载置台主体21的下方的空间(以下为底部空间B)。

而且，载置台20具有作为位置偏移防止用构件的滚珠23，该作为位置偏移防止用构件的滚珠23设于载置台主体21的上表面与盖构件22之间，并构成为能够沿着载置台主体21的上表面滚动。

后述载置台主体21、盖构件22以及滚珠23的详细的结构。

在载置台主体21的下表面中央部连接有作为台支承构件的支轴构件24的上端，该作为台支承构件的支轴构件24穿过形成于处理容器10的底壁的开口15而贯穿该底壁，并沿上下方向延伸。支轴构件24的下端连接于作为移动机构的驱动机构25。驱动机构25产生用于使支轴构件24升降和旋转的驱动力，例如具有气缸(未图示)、马达(未图示)。伴随支轴构件24利用驱动机构25的驱动而上下移动，载置台主体21能够在由双点划线表示的输送位置和其上方的处理位置之间上下移动。输送位置是指，在自处理容器10的送入送出口11进入到处理容器10内的晶圆W的输送机构(未图示)与后述的升降销30之间对晶圆W进行交接时，载置台20所待机的位置。另外，处理位置是指，对晶圆W进行成膜处理的位置。另外，伴随支轴构件24利用驱动机构25的驱动而以其轴线为中心旋转，载置台主体21以上述轴线为中心旋转。

另外，在支轴构件24的处于处理容器10的外侧的位置设有凸缘26。而且，在该凸缘26与处理容器10的底壁处的支轴构件24的贯通部之间，以包围支轴构件24的外周部的方式设有波纹管27。由此，保持处理容器10的气密。

而且，对于载置台主体21，设有自下方贯穿上述的贯通孔21b的作为基板支承销的升降销30。升降销30用于在自处理容器10的外部插入该处理容器10内的晶圆输送装置(未图示)与载置台20之间交接晶圆W。该升降销30构成为能够自处于上述的输送位置的载置台主体21的上表面经由贯通孔21b突出。此外，升降销30设于每个贯通孔21b。

升降销30为具有凸缘部31的棒状构件，该凸缘部31位于比载置台20的下表面靠下侧的位置，升降销30例如由氧化铝形成。凸缘部31用于将升降销30卡定于后述的销支承构件100，该凸缘部31例如形成于升降销30的大致中央部。如图3所示，升降销30的比凸缘部31靠上侧的部分32插入载置台主体21的贯通孔21b。另外，升降销30的比凸缘部31靠下侧的部分33插入后述的销支承构件100的插入孔101。

此外，供上述那样的升降销30插入的载置台主体21的贯通孔21b形成得比升降销30的凸缘部31细。换言之，载置台主体21的贯通孔21b的内径设定得小于升降销30的凸缘部31的直径。

此外，如图2所示，在处理容器10内的载置台主体21与盖13之间以与载置台主体21相对的方式设有帽构件40，该帽构件40用于在其与载置台主体21之间形成处理空间S。帽构件40利用螺栓(未图示)与盖13固定。

在帽构件40的下部形成有倒研钵状的凹部41。在凹部41的外侧形成有平坦的边缘42。

而且，由位于上述的处理位置的载置台主体21的上表面和帽构件40的凹部41形成处理空间S。形成了处理空间S时的载置台主体21的高度以在帽构件40的边缘42的下表面与盖构件22的上表面之间形成间隙43的方式设定。凹部41例如形成为极力地减小处理空间S的容积，并且使由吹扫气体置换处理气体时的气体置换性良好。

在帽构件40的中央部形成有用于向处理空间S内导入处理气体、吹扫气体的气体导入通路44。气体导入通路44设为贯通帽构件40的中央部，且其下端与载置台20上的晶圆W的中央部相对。另外，在帽构件40的中央部嵌入有流路形成构件40a，利用该流路形成构件40a，气体导入通路44的上侧被分支，而分别与贯通盖13的气体导入通路45连通。

在帽构件40的气体导入通路44的下端的下方设有用于使自气体导入通路44喷出来的气体向处理空间S内分散的分散板46。分散板46借助支承棒46a固定于帽构件40。

在气体导入通路45设有将作为处理气体的TiCl

而且，另外，在容器主体10a的排气管道60连接有排气管61的一端部。排气管61的另一端部连接有例如由真空泵构成的排气装置62。另外，在排气管61的比排气装置62靠上游侧的位置设有用于调整处理空间S内的压力的APC阀63。

此外，排气管道60是通过将纵剖面形状呈方形的气体流通通路64形成为环状而成的。在排气管道60的内周面于整周上形成有狭缝65。在排气管道60的外壁设有排气口66，在该排气口66连接有排气管61。狭缝65形成于与载置台20上升到了上述的处理位置时形成的上述的间隙43对应的位置。因而，处理空间S内的气体通过使排气装置62工作而经由间隙43和狭缝65到达排气管道60的气体流通通路64，从而经由排气管61排出。

另外，对于处理容器10，设有向上述的底部空间B导入底部吹扫气体的另一气体导入机构70。底部吹扫气体为用于防止供给到处理空间S的处理气体向底部空间B流入的气体，例如使用N

而且，在成膜装置1，对于升降销30，设有构成为能够支承该升降销30的构件即销支承构件100和构成为能够支承该升降销30并且使所支承的该升降销30在上下方向上移动的销移动机构110。

具体而言，销支承构件100利用与升降销30的凸缘部31之间的卡合自下方以使该升降销30在铅垂方向上、即上下自由的方式支承该升降销30。更具体而言，如图3所示，在销支承构件100形成有插入孔101，该插入孔101供升降销30的比凸缘部31靠下侧的部分33插入且该插入孔101的内径大于该部分33的外径。而且，销支承构件100构成为通过使该销支承构件100的插入孔101的周围的上表面与插入于该插入孔101的升降销30的凸缘部31的下表面抵接，能够悬吊保持升降销30。另外，利用上述这样的结构，在升降销30的比凸缘部31靠下侧的部分33插入于插入孔101的状态下，该升降销30能够沿着在水平方向上延伸的销支承构件100的上表面滑动。此外，升降销30在被销支承构件100支承的状态下，在由比凸缘部31靠下侧的部分33和插入孔101规定的范围内沿着该销支承构件100的上表面在水平方向上移动自如。

另外，销支承构件100相对于载置台主体21固定。具体而言，销支承构件100例如安装于与载置台主体21连接的支轴构件24。因而，销支承构件100利用驱动机构25与载置台主体21一体地在上下方向上移动，另外，与载置台主体21一体旋转。

此外，销支承构件100例如由使用了氧化铝、石英等低热传导率的俯视呈圆环状的板状构件构成。

销移动机构110利用与升降销30的下端部的卡合而自下方支承该升降销30。具体而言，销移动机构110具有抵接构件111，通过使插入于销支承构件100的插入孔101且自该销支承构件100的下表面露出的升降销30的下端面与上述抵接构件111的上表面抵接，从而支承该升降销30。抵接构件111由例如俯视呈圆环状的构件构成。

在抵接构件111的下表面侧设有支承柱112，支承柱112贯穿处理容器10的底壁，并与设于处理容器10的外侧的驱动机构113连接。驱动机构113产生用于使支承柱112升降的驱动力。伴随支承柱112利用驱动机构113的驱动而上下移动，抵接构件111上下移动，由此，被该抵接构件111支承的升降销30与载置台主体21独立地上下移动。特别是，伴随支承柱112利用驱动机构113的驱动而向上方移动，升降销30向上方移动，该升降销30的上端部自移动到输送位置的载置台20的上表面突出。

此外，在上述的驱动机构113与处理容器10的底壁处的支承柱112的贯通部之间，以包围支承柱112的外周部的方式设有波纹管114。由此，保持处理容器10的气密。

如图2所示，在以上这样构成的成膜装置1设有控制部U。控制部U例如由具备CPU、存储器等的计算机构成，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部储存有用于实现成膜装置1的后述的晶圆处理的程序等。此外，上述程序储存于能够由计算机读取的存储介质，也可以是自该存储介质安装到控制部U的程序。另外，程序的一部分或全部可以由专用硬件(电路基板)实现。

在此，说明使用成膜装置1进行的晶圆处理。

首先，打开闸阀12，自与处理容器10相邻的真空环境的输送室(未图示)经由送入送出口11将保持有晶圆W的晶圆输送装置(未图示)向处理容器10内插入。然后，将晶圆W向移动到上述的待机位置的载置台主体21的上方输送。接着，被销支承构件100悬吊保持的升降销30利用销移动机构110上升。由此，上述悬吊保持被解除，并且，该升降销30自载置台主体21的上表面突出规定距离，而向该升降销30之上交接晶圆W。之后，将晶圆输送装置自处理容器10拔出，关闭闸阀12。并且，利用销移动机构110进行升降销30的下降、利用驱动机构25进行载置台主体21的上升。由此，解除销移动机构110对升降销30的支承，升降销30再次被销支承构件100悬吊保持，并且升降销30的上端部成为收纳于载置台主体21的贯通孔21b内而不自载置台主体21的上表面突出的状态，而将晶圆W载置在载置台主体21上。接着，将处理容器10内调整为规定的压力，利用驱动机构25使载置台主体21向处理位置移动，而形成处理空间S。

在该状态下，经由气体导入机构50向处理空间S供给作为吹扫气体的N

在利用上述这样的ALD法完成了TiN膜的成膜之后，使载置有晶圆W的载置台主体21下降到输送位置。接着，利用销移动机构110进行升降销30的上升。由此，销支承构件100对升降销30的悬吊保持被解除，并且，该升降销30自载置台主体21的上表面突出规定距离，并向该升降销30之上交接晶圆W。之后，打开闸阀12，经由送入送出口11将未保持晶圆W的晶圆输送装置向处理容器10内插入。晶圆输送装置插入到被升降销30保持的晶圆W与处于输送位置的载置台主体21之间。接着，利用销移动机构110使升降销30下降，该升降销30上的晶圆W被向晶圆输送装置交接。然后，将晶圆输送装置自处理容器10拔出，关闭闸阀12。由此，完成一系列的晶圆处理。

之后，对其他晶圆W进行上述的一系列的晶圆处理。

接着，参照图3并使用图4～图7说明载置台20所具有的载置台主体21、盖构件22以及滚珠23。图4是载置台20的局部放大剖视图，图5是载置台主体21的俯视图，图6是盖构件22的仰视图，图7是后述的盖侧凹部的平面图。

如图4所示，在载置台主体21的上表面形成有收容滚珠23的主体侧凹部21c。具体而言，主体侧凹部21c收容滚珠23的下侧。该主体侧凹部21c形成为具有沿着载置台主体21的径向的倾斜面21d的研钵状。具体而言，主体侧凹部21c以呈圆锥状凹陷的方式形成。另外，例如，如图5所示，主体侧凹部21c沿着周向形成有多个(图5的例子中为四个)。此外，载置台主体21例如由氧化铝形成，另外，与支轴构件24形成为一体。

如图3所示，盖构件22形成为上下端开口的圆筒形状。该盖构件22具有流路形成部22a，该流路形成部22a沿着处理容器10的侧壁延伸且在其与该侧壁之间形成底部吹扫气体的流路，另外，该盖构件22具有卡定部22b，该卡定部22b沿着流路形成部22a的上端的周向朝向内侧在水平方向上延伸。卡定部22b卡定于载置台主体21的上表面。另外，卡定部22b形成为其厚度厚于晶圆W的厚度。

如图4所示，在盖构件22的下表面形成有收容滚珠23的盖侧凹部22c。具体而言，盖侧凹部22c形成于卡定部22b的下表面，并收容滚珠23的上侧的部分。该盖侧凹部22c例如形成为剖视呈矩形形状。另外，例如，如图6所示，盖侧凹部22c形成为俯视在径向上较长的长方形形状。而且，盖侧凹部22c设为与主体侧凹部21c相同的数量，并设于与该主体侧凹部21c对应的位置。此外，盖构件22例如由氧化铝或石英形成。

设于上述的载置台主体21与盖构件22之间的滚珠23未固定于载置台主体21和盖构件22中的任一者，而构成为能够沿着主体侧凹部21c的倾斜面21d滚动。另外，滚珠23例如使用氧化铝或石英而形成为正圆球状。

在组装载置台20时，以在载置台主体21的主体侧凹部21c内收容滚珠23的一侧的部分且在盖构件22的盖侧凹部22c收容该滚珠23的另一侧的部分的方式，将该载置台主体21与该盖构件22相互组装。具体而言，例如，首先，将滚珠23的下部收容在载置台主体21的上表面的主体侧凹部21c内。接着，以将收容在主体侧凹部21c内的滚珠23的上部收容在盖构件22的下表面的盖侧凹部22c内的方式，将盖构件22组装于载置台主体21。

通过如上述那样组装，能够在使载置台主体21进行了旋转的情况等下，抑制盖构件22相对于该载置台主体21的位置偏移。

由于利用上述那样的方法来抑制位置偏移，因而当载置台主体21在降温过程中热收缩时，滚珠23伴随该热收缩而如图4的箭头M、箭头N所示那样旋转，而能够沿着主体侧凹部21c的倾斜面21d移动，即滚动。因此，上述热收缩不会被滚珠23妨碍，因而在上述热收缩时，不会对载置台主体21施加热应力，或者，对载置台主体21施加的热应力较小。因而，不会在载置台主体21产生龟裂等破损。

对于在载置台主体21的升温过程中膨胀的情况也同样。

此外，如图7所示，盖侧凹部22c的俯视时的径向上的长度L1大于滚珠23的直径R。这是为了防止由盖侧凹部22c的径向侧的侧壁的下端部22d(参照图4)阻碍伴随载置台主体21的热收缩、热膨胀产生的滚珠23的沿着径向的滚动。

另外，盖侧凹部22c的俯视时的周向上的长度L2与滚珠23的直径R大致相等，或者小于滚珠23的直径R。这是为了利用形成盖侧凹部22c的周向侧的侧壁与滚珠23之间的卡合来防止盖构件22相对于载置台主体21沿周向移动，即防止盖构件22相对于载置台主体21旋转。由此，能够更高精度地防止盖构件22的相对于载置台主体21的位置偏移。

如上所述，在本实施方式中，载置晶圆W的载置台20包括：载置台主体21，该载置台主体21在上表面载置晶圆W；盖构件22，其覆盖载置台主体21的上表面的外缘部；以及滚珠23，其设于载置台主体21的上表面与盖构件22的下表面之间。另外，在载置台主体21的上表面形成有收容滚珠23的主体侧凹部21c，在盖构件22的下表面形成有收容被主体侧凹部21c收容的滚珠23的盖侧凹部22c。因而，通过以在主体侧凹部21c内收容滚珠23的一侧的部分、在盖侧凹部22c收容该滚珠23的另一侧的部分的方式组装载置台主体21和盖构件22，能够抑制盖构件22的相对于载置台主体21的位置偏移。特别是，能够抑制载置台主体21旋转的情况下的上述位置偏移。另外，由于能够抑制上述位置偏移，因而能够防止由该位置偏移引起的尘埃产生、由位置偏移导致在载置台主体21和盖构件22产生损伤。此外，在本实施方式中，主体侧凹部21c形成为具有沿着载置台主体21的径向的倾斜面21d的研钵状，具体而言形成为圆锥状。因此，伴随载置台主体21的降温过程中的热收缩或者升温过程中的热膨胀，滚珠23能够沿着倾斜面21d滚动。因而，在上述的热收缩、热膨胀时，不会在载置台主体21产生龟裂等破损。另外，即使对于由成膜处理导致的在主体侧凹部21c、盖侧凹部22c堆积了堆积物的情况，也由于直到由堆积物阻碍滚珠23的移动为止的容许值远远大于图1的位置偏移抑制机构，因此，该情况下也不会在载置台主体21产生龟裂等破损。

在本实施方式中，主体侧凹部21c、盖侧凹部22c以及滚珠23的组合设有四个。如此，通过将主体侧凹部21c、盖侧凹部22c以及滚珠23的组合设为三个以上，能够使盖构件22与载置台主体21同心。若盖构件22相对于载置台主体21偏心，则盖构件22与处理容器10的侧壁之间的间隙71(参照图2)的大小在周向上变得不均匀。因此，向由盖构件22划分出的载置台主体21的上方的空间流入的底部吹扫气体的量在周向上不均匀。其结果，来自处理空间S的处理气体的排气在周向上不均匀，而可能导致成膜处理在晶圆面内不均匀。通过上述那样使盖构件22与载置台主体21同心，能够消除该成膜处理在晶圆面内的不均匀性。

此外，当滚珠23于主体侧凹部21c内位于最低点时，主体侧凹部21c、盖侧凹部22c设置为互相组装在一起的盖构件22与载置台主体21成为同心。

此外，在本实施方式中，在升降销30的比载置台主体21的下表面靠下侧的位置设有凸缘部31，销支承构件100利用与升降销30的凸缘部31之间的卡合而将该升降销30支承为在水平方向上移动自如。也就是说，升降销30未固定于销支承构件100等。因而，不会在载置台主体21的热膨胀等的影响下产生升降销30的破损、升降销30的顺畅的升降动作被破坏的情况。而且，在本实施方式中，供升降销30贯穿的载置台主体21的贯通孔21b(特别是其上端部)形成得比升降销30的凸缘部31细。因而，根据本实施方式，相比于例如在载置台主体21的载置面侧悬吊保持升降销那样的以往的方式，能够减小相当于贯通孔21b的部分的直径。因而，能够抑制晶圆W的与贯通孔21b对应的部分的温度下降，因而能够改善晶圆W的温度的面内均匀性。

图8和图9是用于说明位置偏移防止用构件的另一例子的图。

在以上的例子中，位置偏移防止用构件为滚珠23且形成为正圆球状。但是，位置偏移防止用构件的形状并不限于此。位置偏移防止用构件具有在载置台主体21热收缩或者热膨胀时与主体侧凹部21c的倾斜面21d抵接的曲面即可。

因而，例如，也可以像图8的位置偏移防止用构件200那样形成为扁球状。另外，还可以像图9的位置偏移防止用构件210那样形成为侧面观察呈圆角方形形状。

此外，在位置偏移防止用构件如图8和图9所示形成为扁球状、侧面观察呈圆角方形形状时，存在沿着主体侧凹部21c的倾斜面21d不是进行滚动而是进行滑动的情况。该情况下，由于载置台主体21的降温过程中的热收缩或者升温过程中的热膨胀不会由位置偏移防止用构件妨碍，因而在该热收缩或者热膨胀时，也不会在载置台主体21产生龟裂等破损。

图10是用于说明载置台主体的另一例子的图。

在以上的例子中，在载置台主体21的上表面形成的主体侧凹部21c的底面由凹面构成，但形成于载置台主体的主体侧凹部的形状并不限于此。

例如，也可以像图10的形成在载置台主体220的主体侧凹部220a那样，底面220b构成为平坦面。

此外，在使用图4等的正圆球状的滚珠23、图9的侧面观察呈圆角方形形状的位置偏移防止用构件210等的情况下，也可以将主体侧凹部的底面220b构成为平坦面。

(第2实施方式)

图11是示意性表示作为第2实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图，是表示成膜装置的内部的状态的局部放大剖视图。图12是图11的销支承构件的俯视图，图13是图11的盖构件的仰视图，图14是图11的盖构件所具有的后述的卡定部的侧视图。

在第1实施方式中，销支承构件100安装于支轴构件24。相对于此，在本实施方式中，如图11所示，销支承构件230安装于盖构件240。

如图11和图12所示，销支承构件230具有：俯视呈圆环状的主体部231，其形成有供升降销30插入的插入孔101；以及多个舌片部232，其自主体部231向外方延伸。

另外，如图11和图13所示，盖构件240具有多个以自卡定部22b向下方延伸的方式形成的爪部241。爪部241例如像图14所示那样形成为侧视呈L字状。

利用销支承构件230的舌片部232与盖构件240的爪部241的下端部242之间的卡合，销支承构件230被安装于盖构件240。

在这样将销支承构件230安装于盖构件240的构造的情况下，当载置台主体21进行了旋转时，若盖构件240相对于该载置台主体21的位置在周向上偏移，则升降销30可能折断。但是，在本实施方式中，设有上述的主体侧凹部21c、盖侧凹部22c以及滚珠23，没有盖构件240相对于载置台主体21在周向上的位置偏移，或者该位置偏移较小，因而升降销30不会折断。另外，与安装于支轴构件24的结构相比，安装于盖构件240的结构可以减少相对于以往的与载置台20的构造相关的结构的变更点。

图15是用于说明第2实施方式的升降销的另一例子的图。

图2等的升降销30为与凸缘部31形成为一体的单体件。相对于此，图15的升降销250并不是单体件，而具有多个构件。

具体而言，升降销250具有包含凸缘部31的第1构件251、与第1构件251独立并且包含贯穿载置台主体21的贯通孔21b的贯穿部252a的第2构件252。而且，第1构件251具有载置第2构件252并且将该第2构件252支承为滑动自如的滑动面251a。换言之，第1构件251以使第2构件252沿着滑动面251a滑动自如的方式利用滑动面251a自下方支承第2构件252。在本例子中，包含凸缘部31的上端面的第1构件251的上端面成为上述滑动面251a。另外，第1构件251的比凸缘部31靠下侧的插入部251b形成为棒状，该插入部251b插入销支承构件100的插入孔101。

通过使用该升降销250，即使在载置台主体21热收缩或者热膨胀时产生了该载置台主体21与销支承构件230之间的径向上的位置偏移，与升降销30相比，升降销250也不易折断。但是，在载置台主体21旋转而该载置台主体21与盖构件240之间在周向上的位置偏移较大的情况下，升降销250的第2构件252下落到处理容器10内。但是，在本实施方式中，由于设有上述的主体侧凹部21c、盖侧凹部22c以及滚珠23，而没有盖构件240的相对于载置台主体21在周向上的位置偏移，或者该位置偏移较小，因而升降销250的第2构件252不会落下。

图16是用于说明第2实施方式的盖构件的另一例子的图。

图11和图13的例子的盖构件240为流路形成部22a、卡定部22b以及爪部241形成为一体的单体件。相对于此，图16的盖构件260不是单体件，而具有多个构件。

具体而言，盖构件260具有包含卡定部22b和爪部241的内侧构件261以及与该内侧构件261独立且包含流路形成部22a的外侧构件262。

内侧构件261在卡定部22b的外端下表面具有形成为圆环状的圆环部261a，在其下方形成有爪部241。

外侧构件262具有沿着流路形成部22a的上端的周向朝向内侧在水平方向上延伸的卡定部262a。另外，卡定部262a卡定于内侧构件261的上表面。

如此，通过将内侧构件261与外侧构件262独立地设置，而能够容易地制作盖构件260。

此外，外侧构件262以相对于内侧构件261不产生位置偏移的方式安装。用于该安装的机构可以使用以上说明了的盖构件相对于载置台安装的安装机构。

在以上的例子中，主体侧凹部形成为研钵状，但也可以是盖侧凹部形成为研钵状，或者还可以是主体侧凹部和盖侧凹部这两者形成为研钵状。

以上，作为盖构件，使用了将处理容器10内划分成载置台主体21的上方的空间和底部空间B的盖构件。本公开所涉及的技术还能够应用于使用与覆盖载置台主体21的上表面的外缘部的盖构件不同的盖构件的情况。例如，存在为了防止构成载置台主体的材料(例如镍)在晶圆W附着而使用覆盖载置台主体21的上表面整体的构件的情况，该情况下也能够应用本公开所涉及的技术。

另外，以上，利用ALD法进行了成膜，但本公开所涉及的技术还能够应用于利用CVD法进行成膜的情况。例如，在使用含Si气体而利用CVD法形成Si膜、SiN膜的情况下，也能够应用本公开所涉及的技术。

以上，以成膜装置为例进行了说明，但本公开所涉及的技术还能够应用于具有载置台的、进行成膜处理以外的处理的基板处理装置。例如，还能够应用于进行蚀刻处理的装置。

应该认为，此次公开的实施方式在所有方面为例示而并不是限制性的。上述的实施方式只要不偏离权利要求及其主旨，就可以以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

此外，以下这样的结构也属于本公开的技术范围。

(1)一种载置台，其用于载置基板，其中，

该载置台包括：

载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；

盖构件，其覆盖所述载置台主体的上表面的外缘部；以及

位置偏移防止用构件，其设于所述载置台主体的上表面与所述盖构件的下表面之间，能够滚动或者滑动，

在所述载置台主体的上表面形成有收容所述位置偏移防止用构件的主体侧凹部，

在所述盖构件的下表面形成有收容被所述主体侧凹部收容的所述位置偏移防止用构件的盖侧凹部，

所述主体侧凹部和所述盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着所述载置台主体的径向的倾斜面的研钵状。

根据上述(1)，通过以在主体侧凹部内收容位置偏移防止用构件的一侧的部分且在盖侧凹部收容该位置偏移防止用构件的另一侧的部分的方式组装载置台主体和盖构件，能够抑制盖构件相对于载置台主体的位置偏移。特别是，能够抑制在载置台主体旋转的情况下的上述位置偏移。而且，由于主体侧凹部形成为具有沿着载置台主体的径向的倾斜面的研钵状，因此，伴随载置台主体的热收缩或者热膨胀，位置偏移防止用构件能够沿着倾斜面滚动。因而，在上述的热收缩、热膨胀时，不会在载置台主体产生龟裂等破损。

(2)基于上述(1)所记载的载置台，其中，所述位置偏移防止用构件具有与所述倾斜面抵接的曲面。

(3)基于上述(1)或(2)所记载的载置台，其中，所述位置偏移防止用构件沿着所述倾斜面滚动或者滑动。

(4)基于上述(1)～(3)中任一项所记载的载置台，其中，所述位置偏移防止用构件的形状为正圆球、扁球或者侧面观察呈圆角方形形状。

(5)一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括上述(1)～(4)中任一项所记载的载置台。

(6)根据上述(5)所记载的基板处理装置，其中，

在所述载置台主体设有沿上下方向贯通该载置台主体的贯通孔，

该基板处理装置还包括：

基板支承销，其贯穿于所述贯通孔，并且构成为能够自所述载置台主体的上表面经由所述贯通孔突出；以及

销支承构件，其构成为能够支承所述基板支承销，

所述销支承构件安装于所述盖构件。

(7)根据上述(5)或(6)所记载的基板处理装置，其中，

该基板处理装置包括处理容器，所述载置台配设于该处理容器的内部，

所述盖构件将所述处理容器内划分成所述载置台主体的上方的空间和该载置台主体的下方的空间。

(8)一种用于载置基板的载置台的组装方法，其中，

所述载置台包括：

载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；

盖构件，其覆盖所述载置台主体的上表面的外缘部；以及

位置偏移防止用构件，其设于所述载置台主体的上表面与所述盖构件的下表面之间，能够滚动或滑动，

在所述载置台主体的上表面形成有收容所述位置偏移防止用构件的主体侧凹部，

在所述盖构件的下表面形成有收容被所述主体侧凹部收容的所述位置偏移防止用构件的盖侧凹部，

所述主体侧凹部和所述盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着所述载置台主体的径向的倾斜面的研钵状，

该组装方法包含以下工序：

以在所述载置台主体的所述主体侧凹部内收容所述位置偏移防止用构件的一侧的部分、且在所述盖构件的所述盖侧凹部收容该位置偏移防止用构件的另一侧的部分的方式，将该载置台主体和该盖构件相互组装。