有机发光器件

技术领域

本说明书涉及有机发光器件。

本申请要求于2018年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0121874号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

有机发光器件具有其中有机薄膜设置在两个电极之间的结构。当对具有这样的结构的有机发光器件施加电压时，从两个电极注入的电子和空穴在有机薄膜中彼此结合以形成对，然后成对的电子和空穴在湮灭的同时发射光。根据需要，有机薄膜可以由单个层或多个层构成。

有机发光器件中使用的材料大部分是纯有机材料或其中有机材料和金属形成配合物的配合物化合物，并且根据其用途可以分为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在此，通常使用具有p型特性的有机材料(即，容易被氧化并且当材料被氧化时电化学稳定的有机材料)作为空穴注入材料或空穴传输材料。同时，通常使用具有n型特性的有机材料(即，容易被还原并且当材料被还原时电化学稳定的有机材料)作为电子注入材料或电子传输材料。作为发光层材料，优选的是兼具p型特性和n型特性的材料(即，在氧化状态和还原状态二者下都稳定的材料)，并且当通过在发光层中使空穴和电子再结合来产生激子时，优选的是具有高的将激子转化为光的发光效率的材料。

为了改善有机发光器件的性能、使用寿命、或效率，持续需要开发用于有机薄膜的材料。

发明内容

技术问题

本说明书描述了具有高的发光效率和长的使用寿命特性的有机发光器件。

技术方案

本说明书的一个示例性实施方案提供了有机发光器件，其包括：第一电极；设置成面向第一电极的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的包括发光层的有机材料层，其中发光层包含由下式1表示的化合物和由下式2表示的化合物。

[式1]

在式1中，

Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基、或者经取代或未经取代的联苯基，

Ar3为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基，

L1至L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、或者经取代或未经取代的亚芳基，

R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、腈基、卤素基团、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的炔基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，

n1为0至4的整数，并且当n1为2或更大时，两个或更多个R1彼此相同或不同，

n2为0至3的整数，并且当n2为2或更大时，两个或更多个R2彼此相同或不同，

[式2]

在式2中，

X1为B或P(＝O)，

Y1为O、S、或NRa，以及Y2为O、S、或NRb，

Cy1至Cy3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳族烃环、或者经取代或未经取代的芳族杂环，以及Cy1和Cy2可以彼此键合以形成经取代或未经取代的环，

Ra为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环，以及

Rb为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy2或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

有益效果

根据本发明的有机发光器件，通过在发光层中同时包含由式1表示的化合物和由式2表示的化合物，可以获得具有低驱动电压、高发光效率、和长使用寿命的有机发光器件。

附图说明

图1示出了由基底1、正电极2、发光层3、和负电极4构成的有机发光器件的一个实例。

图2示出了由基底1、正电极2、空穴注入层5、第一空穴传输层6、第二空穴传输层7、发光层8、电子传输层9、电子注入层10、和负电极4构成的有机发光器件的一个实例。

[附图标记说明]

1：基底

2：正电极

3：发光层

4：负电极

5：空穴注入层

6：第一空穴传输层

7：第二空穴传输层

8：发光层

9：电子传输层

10：电子注入层

具体实施方式

在下文中，将更详细地描述本说明书。

本发明的有机发光器件包括：第一电极；设置成面向第一电极的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的包括发光层的有机材料层，其中发光层包含由下式1表示的化合物和由下式2表示的化合物。

通过如上所述在有机发光器件的发光层中包含由下式1表示的化合物和由下式2表示的化合物，有机发光器件具有低的驱动电压和高的发光效率，并且具有器件的使用寿命得到改善的效果。

[式1]

在式1中，

Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基、或者经取代或未经取代的联苯基，

Ar3为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基，

L1至L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、或者经取代或未经取代的亚芳基，

R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、腈基、卤素基团、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的炔基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，以及

n1为0至4的整数，并且当n1为2或更大时，两个或更多个R1彼此相同或不同，

n2为0至3的整数，并且当n2为2或更大时，两个或更多个R2彼此相同或不同，

[式2]

在式2中，

X1为B或P(＝O)，

Y1为O、S、或NRa，以及Y2为O、S、或NRb，

Cy1至Cy3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳族烃环、或者经取代或未经取代的芳族杂环，以及Cy1和Cy2可以彼此键合以形成经取代或未经取代的环，

Ra为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环，以及

Rb为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy2或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

在本说明书中，当一个部分“包括”一个构成要素时，除非另外特别描述，否则这并不意指排除另外的构成要素，而是意指还可以包括另外的构成要素。

在本说明书中，当一个构件设置在另一构件“上”时，这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且还包括在两个构件之间存在又一构件的情况。

在本说明书中，

下面将描述本说明书中的取代基的实例，但不限于此。

术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变成另外的取代基，并且取代的位置没有限制，只要该位置是氢原子被取代的位置(即取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个被取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。

在本说明书中，术语“经取代或未经取代的”意指经选自以下的一个或两个或更多个取代基取代：氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、甲硅烷基、硼基、烷氧基、芳氧基、烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基、胺基、和杂环基，经所例示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代，或者不具有取代基。例如，“两个或更多个取代基相连接的取代基”可以为联苯基。即，联苯基也可以为芳基，并且可以被解释为两个苯基相连接的取代基。

以下将描述取代基的实例，但不限于此。

在本说明书中，卤素基团的实例包括氟(-F)、氯(-Cl)、溴(-Br)或碘(-I)。

在本说明书中，甲硅烷基可以由式-SiY

在本说明书中，硼基可以由式-BY

在本说明书中，烷基可以为直链的或支链的，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为1至60。根据一个示例性实施方案，烷基的碳原子数为1至30。根据另一个示例性实施方案，烷基的碳原子数为1至20。根据又一个示例性实施方案，烷基的碳原子数为1至10。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、正戊基、己基、正己基、庚基、正庚基、辛基、正辛基等，但不限于此。

在本说明书中，烷氧基可以为直链的、支链的、或环状的。烷氧基的碳原子数没有特别限制，但优选为1至20。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基(isopropoxy)、异丙基氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等，但不限于此。

本说明书中描述的包括烷基、烷氧基、和其他烷基部分的取代基包括直链形式和支链形式二者。

在本说明书中，烯基可以为直链的或支链的，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为2至40。根据一个示例性实施方案，烯基的碳原子数为2至20。根据另一个示例性实施方案，烯基的碳原子数为2至10。根据又一个示例性实施方案，烯基的碳原子数为2至6。其具体实例包括乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基等，但不限于此。

在本说明书中，环烷基没有特别限制，但优选具有3至60个碳原子，并且根据一个示例性实施方案，环烷基的碳原子数为3至30。根据另一个示例性实施方案，环烷基的碳原子数为3至20。根据又一个示例性实施方案，环烷基的碳原子数为3至6。其具体实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等，但不限于此。

在本说明书中，芳基没有特别限制，但优选具有6至60个碳原子，并且可以为单环芳基或多环芳基。根据一个示例性实施方案，芳基的碳原子数为6至30。根据一个示例性实施方案，芳基的碳原子数为6至20。单环芳基的实例可以为苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基等，但不限于此。多环芳基的实例包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、三苯基、

在本说明书中，芴基可以为经取代的，并且两个取代基可以彼此键合以形成螺环结构。

当芴基为经取代的时，该取代基可以为螺芴基例如

在本说明书中，对芳基的上述描述可以应用于芳氧基中的芳基。

在本说明书中，杂环基为包含N、O、P、S、Si、和Se中的一者或更多者作为杂原子的环状基团，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为2至60。根据一个示例性实施方案，杂环基的碳原子数为2至30。杂环基的实例包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、喹啉基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、苯并萘并噻吩基、茚并咔唑基等，但不限于此。

在本说明书中，对杂环基的上述描述可以应用于杂芳基，不同之处在于杂芳基是芳族的。

在本说明书中，对芳基的上述描述可以应用于亚芳基，不同之处在于亚芳基是二价的。

在本说明书中，在通过与相邻基团键合而形成的经取代或未经取代的环中，“环”意指烃环、或杂环。

烃环可以为芳族环、脂族环、或者芳族环和脂族环的稠环，并且可以选自环烷基或芳基的实例，不同之处在于烃环是二价的。

在本说明书中，对芳基的描述可以应用于芳族烃环，不同之处在于芳族烃环是二价的。

对杂环基的描述可以应用于杂环，不同之处在于杂环是二价的。

根据本说明书的一个示例性实施方案，R1和R2彼此相同或不同，并且为氢、氘、经取代或未经取代的具有1至60个碳原子的烷基、或者经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳基。

根据另一个示例性实施方案，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、具有1至60个碳原子的烷基、或具有6至60个碳原子的芳基。

根据另一个示例性实施方案，R1和R2各自为氢。

根据另一个示例性实施方案，n1为0或1。

根据另一个示例性实施方案，n2为0或1。

根据本说明书的一个示例性实施方案，L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、或者经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、或者经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、或具有6至30个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、经取代或未经取代的亚苯基、或者经取代或未经取代的亚萘基。

根据另一个示例性实施方案，L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键、亚苯基、或亚萘基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氘或芳基取代的苯基、或者未经取代或经氘或芳基取代的联苯基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氘或具有6至60个碳原子的芳基取代的苯基、或者未经取代或经氘或具有6至60个碳原子的芳基取代的联苯基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氘或具有6至30个碳原子的芳基取代的苯基、或者未经取代或经氘或具有6至30个碳原子的芳基取代的联苯基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氘、苯基、联苯基、三联苯基、萘基或蒽基取代的苯基；或者未经取代或经氘、苯基、联苯基、三联苯基、萘基或蒽基取代的联苯基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氘、苯基、联苯基、三联苯基或萘基取代的苯基；或者未经取代或经氘、苯基或萘基取代的联苯基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，L3为直接键、或者经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L3为直接键、或者经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L3为直接键、或具有6至30个碳原子的亚芳基。

根据另一个示例性实施方案，L3为直接键、经取代或未经取代的亚苯基、或者经取代或未经取代的亚萘基。

根据另一个示例性实施方案，L3为直接键、亚苯基、或亚萘基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar3为经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar3为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基。

根据另一个示例性实施方案，Ar3为未经取代或经氘或芳基取代的具有6至30个碳原子的芳基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、或者经取代或未经取代的二苯并噻吩基。

根据另一个示例性实施方案，Ar3为未经取代或经氘、苯基、萘基、菲基或三亚苯基取代的具有6至30个碳原子的芳基；二苯并呋喃基；或者二苯并噻吩基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，式1由下式1-1或1-2表示。

[式1-1]

[式1-2]

在式1-1和1-2中，

L1至L3、Ar1、Ar2、R1、R2、n1、和n2的限定与式1中限定的那些相同。

Ar11为经取代或未经取代的芳基，以及

W为O或S。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ar11为经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳基。

根据另一个示例性实施方案，Ar11为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基。

根据另一个示例性实施方案，Ar11为未经取代或经氘或芳基取代的具有6至30个碳原子的芳基。

根据另一个示例性实施方案，Ar11为未经取代或经氘、苯基、萘基、菲基或三亚苯基取代的具有6至30个碳原子的芳基。

根据本说明书的一个示例性实施方案，由式1表示的化合物可以为以下化合物中的任一者，但不限于此。

在本说明书的一个示例性实施方案中，式2可以由下式2-1表示。

[式2-1]

在式2-1中，

Cy1至Cy3、X1、Ra、和Rb的限定与式2中限定的那些相同。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Cy1至Cy3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳族烃环、或者经取代或未经取代的具有2至60个碳原子的芳族杂环，并且Cy1和Cy2可以彼此键合以形成经取代或未经取代的环。

根据另一个示例性实施方案，Cy1至Cy3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳族烃环、或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的芳族杂环，并且Cy1和Cy2可以彼此键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ra为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ra为经取代或未经取代的具有1至60个碳原子的烷基、经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳基、或者经取代或未经取代的具有2至60个碳原子的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Ra为经取代或未经取代的具有1至20个碳原子的烷基、经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基、或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Rb为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Rb为经取代或未经取代的具有1至60个碳原子的烷基、经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的芳基、或者经取代或未经取代的具有2至60个碳原子的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，Rb为经取代或未经取代的具有1至20个碳原子的烷基、经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基、或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂环基，或者与Cy1或Cy3键合以形成经取代或未经取代的环。

根据本说明书的一个示例性实施方案，由式2表示的化合物可以为以下化合物中的任一者，但不限于此。

在根据本发明的一个示例性实施方案的由式1表示的化合物中，可以如以下反应式1或2中制备核结构，并且在根据本发明的一个示例性实施方案的由式2表示的化合物中，可以如以下反应式3中制备核结构。在以下反应式1至3中制备的式1和式2的取代基可以通过本领域已知的方法来键合，并且取代基的类型或位置、或者取代基的数量可以根据本领域已知的技术改变。

[反应式1]

在反应式1中，L1、L3、Ar1、Ar3、R1、R2、n1、和n2的限定与上述式1中限定的那些相同。

[反应式2]

在反应式2中，L1至L3、Ar1至Ar3、R1、R2、n1、和n2的限定与上述式1中限定的那些相同。

[反应式3]

在反应式3中，Cy1至Cy3、Y1、Y2、和X1的限定与上述式2中限定的那些相同。

在本说明书中，可以通过向反应式1至3中制备的核结构中引入各种取代基来合成具有各种能带隙的化合物。此外，在本说明书中，可以将各种取代基引入反应式1至3中制备的核结构中以调节化合物的HOMO和LUMO能级。

可以通过有机发光器件的典型制造方法和材料制造本说明书的有机发光器件，不同之处在于使用上述由式1和式2表示的化合物形成发光层。

当制造有机发光器件时，不仅可以通过真空沉积法而且还可以通过溶液施加来使由式1至式2表示的化合物形成为有机材料层。在此，溶液施加法意指旋涂、浸涂、喷墨印刷、丝网印刷、喷洒法、辊涂等，但不限于此。

本说明书的有机发光器件的有机材料层可以由单层结构构成，但也可以由其中堆叠有两个或更多个有机材料层的多层结构构成。例如，本说明书的有机发光器件可以具有包括空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、电子传输和注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、以及空穴传输和注入层中的一个或更多个层作为有机材料层的结构。然而，有机发光器件的结构不限于此，并且可以包括更少或更多数量的有机材料层。

本说明书的有机发光器件包括有机材料层，有机材料层包括发光层，并且发光层包含由式1表示的化合物和由式2表示的化合物。基于100重量份的由式1表示的化合物，由式2表示的化合物可以以1重量份至20重量份的量包含在内，以及根据一个实施例，基于100重量份的由式1表示的化合物，由式2表示的化合物可以以1重量份至10重量份的量包含在内。当由式2表示的化合物的含量满足以上范围时，存在这样的优点，所制造的有机发光器件具有低的驱动电压、高的发光效率和长的使用寿命。

根据本说明书的一个示例性实施方案，有机发光器件的发光层包含由式1表示的化合物作为发光层的主体，并且包含由式2表示的化合物作为发光层的掺杂剂。

在本发明的有机发光器件中，有机材料层可以包括电子阻挡层，并且作为电子阻挡层，可以使用本领域已知的材料。

在本说明书的一个示例性实施方案中，第一电极为正电极，并且第二电极为负电极。

根据另一个示例性实施方案，第一电极为负电极，并且第二电极为正电极。

有机发光器件可以具有例如下述的堆叠结构，但堆叠结构不限于此。

(1)正电极/空穴传输层/发光层/负电极

(2)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/负电极

(3)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极

(4)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极

(5)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极

(6)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极

(7)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极

(8)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极

(9)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极

(10)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极

(11)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极

(12)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极

(13)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极

(14)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极

(15)正电极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极

本发明的有机发光器件的结构可以具有图1和2中所示的结构，但不限于此。

图1例示了其中正电极2、发光层3和负电极4顺序地堆叠在基底1上的有机发光器件的结构。

图2例示了其中正电极2、空穴注入层5、第一空穴传输层6、第二空穴传输层7、发光层8、电子传输层9、电子注入层10和负电极4顺序地堆叠在基底1上的有机发光器件的结构。

例如，根据本发明的有机发光器件可以通过以下过程来制造：通过使用物理气相沉积(PVD)法(例如溅射或电子束蒸镀)，在基底上沉积金属或具有导电性的金属氧化物、或其合金以形成正电极，在正电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层的有机材料层，然后在有机材料层上沉积可以用作负电极的材料。除了上述方法之外，有机发光器件还可以通过在基底上顺序地沉积负电极材料、有机材料层、和正电极材料来制造。

有机材料层还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、电子传输和注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、以及空穴传输和注入层中的一个或更多个层。

有机材料层可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、空穴传输和注入层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、电子传输和注入层等的多层结构，但不限于此，并且也可以具有单层结构。此外，有机材料层可以使用各种聚合物材料通过诸如溶剂法(例如，旋涂、浸涂、刮刀涂覆、丝网印刷、喷墨印刷)或热转印法的方法而非沉积法来制造成包括更少数量的层。

正电极为注入空穴的电极，并且作为正电极材料，通常优选具有高的功函数的材料以便促进空穴注入至有机材料层中。在本发明中可以使用的正电极材料的具体实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌、和金，或其合金；金属氧化物，例如锌氧化物、铟氧化物、铟锡氧化物(ITO)、和铟锌氧化物(IZO)；金属和氧化物的组合，例如ZnO:Al或SnO

负电极为注入电子的电极，并且作为负电极材料，通常优选具有低的功函数的材料以便促进电子注入至有机材料层中。负电极材料的具体实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、和铅，或其合金；多层结构材料，例如LiF/Al或LiO

空穴注入层为用于促进来自正电极的空穴注入至发光层的层，并且空穴注入材料优选地为可以在低电压下很好地接收来自正电极的空穴的材料，并且空穴注入材料的最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital，HOMO)优选为在正电极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间的值。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。空穴注入层的厚度可以为1nm至150nm。当空穴注入层的厚度为1nm或更大时，存在这样的优点，可以防止空穴注入特性劣化；而当空穴注入层的厚度为150nm或更小时，存在这样的优点，可以防止驱动电压由于太厚的空穴注入层而增加，从而改善空穴的迁移。

空穴传输层可以用于顺利地传输空穴。空穴传输材料合适地为具有高的空穴迁移率的材料，其可以接收来自正电极或空穴注入层的空穴并将空穴转移至发光层。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分二者的嵌段共聚物等，但不限于此。

有机发光器件可以包括设置在空穴传输层与发光层之间的电子阻挡层。作为电子阻挡层，可以使用上述化合物或本领域已知的材料。

当有机发光器件除了包含上述由式1和式2表示的化合物的发光层之外还包括另外的发光层时，另外的发光层可以发射红光、绿光、或蓝光，并且可以由磷光材料或荧光材料构成。发光材料为可以接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使空穴与电子结合而发出可见光区域内的光的材料，并且优选为对荧光或磷光具有高量子效率的材料。其具体实例包括：8-羟基-喹啉铝配合物(Alq

用于另外的发光层的主体材料的实例包括稠合芳族环衍生物、或含杂环的化合物等。具体地，稠合芳族环衍生物的实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，并且含杂环的化合物的实例包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但其实例不限于此。

当另外的发光层发射红光时，作为发光掺杂剂，可以使用磷光材料，例如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)、或八乙基卟啉铂(PtOEP)；或者荧光材料，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq

电子传输层可以用于顺利地传输电子。电子传输材料合适地为具有高的电子迁移率的材料，其可以很好地接收来自负电极的电子并将电子转移至发光层。其具体实例包括：8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq

电子注入层可以用于顺利地注入电子。电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力，具有注入来自负电极的电子的效应，并且具有优异的将电子注入至发光层或发光材料中的效应，防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层，并且在形成薄膜的能力方面也优异。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、

金属配合物化合物的实例包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但不限于此。

空穴阻挡层为阻挡空穴到达负电极的层，并且通常可以在与空穴注入层的条件相同的条件下形成。其具体实例包括

根据所使用的材料，根据本发明的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型、或双发射型。

在下文中，将参照用于具体地描述本说明书的实施例详细地描述本说明书。然而，根据本说明书的实施例可以被修改成各种形式，并且本申请的范围不应被解释为限于以下详细描述的实施例。提供本申请的实施例以向本领域普通技术人员更全面地解释本说明书。

<制备例>

根据本说明书的一个示例性实施方案的化合物可以通过下面将描述的制备方法来制备。

例如，可以通过反应式1至3来制备具有式1的结构的化合物的核结构。取代基可以通过本领域已知的方法键合，并且取代基的类型或位置或者取代基的数量可以根据本领域已知的技术来改变。

合成例1.化合物A的制备

<1-a>.化合物1-a的制备

将溴苯(27.3g，174mmol)溶解在于氮气气氛下干燥的THF(140ml)中，在-78℃下向其中缓慢添加t-BuLi(140ml，1.7M戊烷溶液)，然后将所得溶液在相同的温度下搅拌1小时。在此，在向其中添加2-溴蒽醌(20g，70mmol)之后，将所得溶液加热至室温并搅拌3小时。在向反应溶液中添加氯化铵水溶液之后，用氯仿进行萃取。将有机层用无水硫酸镁干燥，并除去溶剂。将获得的混合物用少量的二乙醚重结晶以获得化合物1-a(25.2g，产率82％)。

<1-b>.化合物1-b的制备

在将化合物1-a(25.2g，57mmol)在氮气气氛下分散在乙酸(380ml)中之后，向其中添加KI(94.4g，568mmol)和NaPO

<1-c>化合物1-c的制备

在将化合物1-b(19.2g，47mmol)、双(频哪醇)二硼(14.3g，56mmol)、乙酸钾(13.8g，141mmol)和(二苯基膦二茂铁)氯化钯(1.24g，1.7mmol)与二

<1-d>化合物A的合成

在将化合物1-c(15.2g，33mmol)和溴苯(5.2g，33.3mmol)溶解在THF(100ml)中之后，向其中添加Pd(PPh

合成例2.化合物B的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物B，不同之处在于将溴苯改变为1-溴萘。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝457处确认峰。

合成例3.化合物C的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物C，不同之处在于将溴苯改变为9-溴菲。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝507处确认峰。

合成例4.化合物D的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物D，不同之处在于将溴苯改变为1-溴-6-苯基萘。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝533处确认峰。

合成例5.化合物E的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物E，不同之处在于将溴苯改变为1-溴-7-苯基萘。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝533处确认峰。

合成例6.化合物F的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物F，不同之处在于将溴苯改变为1-溴二苯并呋喃。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝497处确认峰。

合成例7.化合物G的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物G，不同之处在于将溴苯改变为2-溴二苯并呋喃。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝497处确认峰。

合成例8.化合物H的制备

<8-a>化合物8-a的制备

通过以与合成例1-a中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物8-a，不同之处在于将溴苯改变为4-溴-1,1'-联苯。

<8-b>化合物8-b的制备

通过以与合成例1-b中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物8-b，不同之处在于将化合物1-a改变为化合物8-a。

<8-c>化合物8-c的制备

通过以与合成例1-c中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物8-c，不同之处在于将化合物1-b改变为化合物8-b。

<8-d>化合物H的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物H，不同之处在于将化合物1-c改变为化合物8-c。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝559处确认峰。

合成例9.化合物I的制备

通过以与合成例8-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物I，不同之处在于将溴苯改变为1-溴萘。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝609处确认峰。

合成例10.化合物J的制备

<10-a>化合物10-a的制备

通过以与合成例1-a中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物10-a，不同之处在于将溴苯改变为3-溴-1,1'-联苯。

<10-b>化合物10-b的制备

通过以与合成例1-b中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物10-b，不同之处在于将化合物1-a改变为化合物10-a。

<10-c>化合物10-c的制备

通过以与合成例1-c中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物10-c，不同之处在于将化合物1-b改变为化合物10-b。

<10-d>化合物J的制备

通过以与合成例1-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物J，不同之处在于将化合物1-c改变为化合物10-c。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝609处确认峰。

合成例11.化合物K的制备

<11-a>化合物11-a的制备

将2-溴蒽(50g，194mmol)和1-萘基硼酸(33.4g，194mmol)溶解在THF(600ml)中，然后向其中添加Pd(PPh

<11-b>化合物11-b的制备

在将化合物11-a(51g，168mmol)分散在400ml二甲基甲酰胺中之后，向其中缓慢滴加溶解在50ml二甲基甲酰胺中的n-溴琥珀酰亚胺(29.8g，168mmol)的溶液。在室温下反应2小时之后，向其中滴加1L水。当产生固体时，将固体过滤，然后溶解在乙酸乙酯中，并将所得溶液放入分液漏斗中，然后用蒸馏水洗涤数次。将溶液在EA中重结晶以获得化合物11-b(45g，70％)。

<11-c>化合物11-c的制备

将化合物11-b(45g，117mmol)和苯基硼酸(14.3g，117mmol)溶解在400ml THF中，然后向其中添加Pd(PPh

<11-d>化合物11-d的制备

在将化合物11-c(38g，100mmol)分散在500ml二甲基甲酰胺中之后，向其中缓慢滴加溶解在50ml二甲基甲酰胺中的n-溴琥珀酰亚胺(17.8g，100mmol)的溶液。在室温下反应2小时之后，向其中滴加1L水。当产生固体时，将固体过滤，然后溶解在乙酸乙酯中，并将所得溶液放入分液漏斗中，然后用蒸馏水洗涤数次。将溶液在EA中重结晶以获得化合物11-d(35g，76％)。

<11-e>化合物K的制备

将化合物11-d(35g，76mmol)和1-萘基硼酸(15.1g，76mmol)溶解在250ml THF中，然后向其中添加Pd(PPh

合成例12.化合物L的制备

<12-a>化合物12-a的制备

通过以与合成例11-c中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物12-a，不同之处在于将苯基硼酸改变为4-溴-1,1'-联苯基硼酸。

<12-b>化合物12-b的制备

通过以与合成例11-d中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物12-b，不同之处在于将化合物11-c改变为化合物12-a。

<12-c>化合物L的制备

通过以与合成例11-e中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物L，不同之处在于将化合物11-d改变为化合物12-b。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝609处确认峰。

合成例13.化合物M的制备

将合成的化合物A(20g)和AlCl

合成例14.化合物N的制备

通过以与合成例13中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物N，不同之处在于将化合物A改变为化合物B。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝480处确认峰。

合成例15.化合物BD-A的制备

<15-a>化合物15-a的制备

将容纳1,2,3-三溴-5-氯苯(5g)、双-(4-(叔丁基)苯基)胺(8g)、Pd(PtBu

<15-b>化合物15-b的制备

在氩气气氛下在0℃下将正丁基锂戊烷溶液(8ml，在己烷中2.5M)添加至容纳化合物15-a(7.5g)和二甲苯(100ml)的烧瓶中。在滴加完成之后，将所得溶液加热至50℃并搅拌2小时。使所得溶液冷却至-40℃，向其中添加三溴化硼(2.88ml)，并将所得溶液在加热至室温的同时搅拌4小时。之后，使所得溶液再次冷却至0℃，向其中添加N,N-二异丙基乙基胺(8ml)，并将反应溶液在室温下进一步搅拌30分钟。在通过向其中添加饱和NaCl水溶液和乙酸乙酯来将液体等分之后，在减压下蒸馏出溶剂。将所得产物用硅胶柱色谱法(洗脱液：己烷/乙酸乙酯＝1/30)纯化以获得化合物15-b(1.6g)。

<15-c>化合物BD-A的制备

将容纳化合物15-b(1.6g)、二苯胺(0.44g)、Pd(PtBu

合成例16.化合物BD-B的制备

<16-a>化合物16-a的制备

通过以与合成例15-a中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物16-a，不同之处在于使用1,2,3-三溴-5-甲基苯代替1,2,3-三溴-5-氯苯，并使用二-对甲基苯胺代替双-(4-(叔丁基)苯基)胺。

<16-b>化合物BD-B的制备

通过以与合成例15-b中相同的方式进行合成和纯化来获得化合物BD-B，不同之处在于使用化合物16-a代替化合物15-a。作为质谱测量的结果，在[M+H+]＝491处确认峰。

发明实施方式

<实验例>

在以下实施例和比较例中使用的化合物的结构如下，并且在这些结构中，通过上述反应式1至3中的步骤制备对应于本申请的式1至式2的化合物。

实施例1

将薄薄地涂覆有厚度为150nm的氧化铟锡(ITO)的玻璃基底放入溶解有清洁剂的蒸馏水中，并进行超声波洗涤。在这种情况下，使用由Fischer Co.制造的产品作为清洁剂，并使用利用由Millipore Co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ITO洗涤30分钟之后，通过使用蒸馏水重复进行两次超声波洗涤10分钟。在使用蒸馏水洗涤完成之后，通过使用异丙醇、丙酮和甲醇溶剂进行超声波洗涤，并将所得产物干燥然后输送至等离子体洗涤器。此外，使用氮等离子体洗涤基底5分钟，然后输送至真空沉积器。在如此准备的ITO透明电极上热真空沉积以下HAT-CN化合物至5nm的厚度，由此形成空穴注入层。随后，热真空沉积HTL1至100nm的厚度，然后热真空沉积HTL2至10nm的厚度，由此形成空穴传输层。随后，同时真空沉积作为主体的化合物A和作为掺杂剂的BD-A(重量比95:5)，由此形成厚度为20nm的发光层。随后，真空沉积ETL至20nm的厚度，由此形成电子传输层。随后，真空沉积LiF至0.5nm的厚度，由此形成电子注入层。随后，沉积铝至100nm的厚度以形成负电极，由此制造有机发光器件。

实施例2至17和比较例1至9

通过与实施例1相同的方法并通过以下表1中的含量(重量份，基于作为主体和掺杂剂的含量之和的1)使用作为主体和掺杂剂的材料来制造各有机发光器件。对于实施例1至17和比较例1至9中制造的各有机发光器件，在10mA/cm

[表1]

[表2]

从表2中可以确认，其中式1的Ar1和Ar2具有经取代或未经取代的苯基、或者经取代或未经取代的联苯基的实施例1至17的有机发光器件，相比于不包含根据本申请的由式1表示的化合物的比较例1至6的有机发光器件以及不包含根据本申请的由式2表示的化合物的比较例7至9的有机发光器件，具有更好的器件特性。

特别地，可以确认，在其中萘基替代Ar1和Ar2中的任一者的比较例1至3、其中氢替代Ar3的比较例5、以及其中萘并苯并呋喃基替代Ar3的比较例6的情况下，表示有机发光器件的使用寿命的在20mA/cm