发光设备及其制造方法、打印机、显示设备、光电转换设备、电子装备、照明设备和移动体

技术领域

本发明涉及发光设备及其制造方法、打印机、显示设备、光电转换设备、电子装备、照明设备和移动体。

背景技术

已知作为打印机的曝光光源的使用有机EL(电致发光)元件的发光设备。已知的是，有机EL元件的特性会因水分而劣化。因此，已经提供了用于改善有机EL元件的耐湿性的各种技术。在日本特开2006-120635号公报中说明的发光设备中，形成在基板上的像素由钝化膜密封。在基板的发光区域与基板的端部之间形成有槽。通过用钝化膜填充该槽，与没有槽的情况相比，水分从基板的端部渗透到发光区域的路径(基板与钝化膜之间的界面)变长。结果，发光设备的耐湿性改善。

在日本特开2006-120635号公报中说明的发光设备中，具有低耐湿性的有机层形被成为不存在于基板的端部与槽之间，而仅存在于槽内。因此，考虑到有机层的沉积精度，必须确保发光区域与槽之间的额外距离。这导致发光设备的尺寸增加。此外，如果有机层无任何措施地形成在基板的整个表面上，则有机层从基板的端部到发光区域连续地形成，这会降低发光设备的耐湿性。

发明内容

本发明的一些方面提供了一种用于在抑制发光设备的尺寸增加的同时改善发光设备的耐湿性的技术。

考虑到上述问题，在实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括配置有第一发光元件和第二发光元件的发光区域，第二发光元件相对于第一发光元件配置在第一方向上；有机层，其配置在绝缘层的上方，并且包括形成第一发光元件的一部分和第二发光元件的一部分的部分；以及保护层，其配置在有机层的上方，其中，设备在绝缘层中包括处于发光区域和绝缘层的端部之间的槽，两端是槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于发光区域的在第一方向上的长度，并且满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。在另一实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域；以及槽，其设置在所述绝缘层的在所述发光区域和绝缘层的端部之间的部分中，其中，满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。在又一实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域，以及槽，其设置在绝缘层中，其中，槽设置在发光区域和绝缘层的端部之间的部分中，并且具有锯齿状图案或包绕图案。在再一实施方式中，提供了发光设备的制造方法，方法包括：在绝缘层的包括发光区域的一部分中形成槽，在发光区域中配置有第一发光元件和第二发光元件，第二发光元件相对于第一发光元件配置在第一方向上，并且槽位于发光区域与绝缘层的端部之间；通过气相沉积在绝缘层的上方形成有机层；以及以使得保护层的一部分进入槽的方式在有机层的上方形成保护层，其中，两端是槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于发光区域的在第一方向上的长度，并且满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。

通过示例性实施方式的以下说明(参照附图)，本发明的其它特征将变得显而易见。

附图说明

图1A和图1B是用于说明根据本发明的一些实施方式的发光设备的配置示例的图；

图2A至图2C是用于说明由于气相沉积而使材料附着在槽内的情况的图；

图3A和图3B是用于说明槽内气相沉积有有机膜的区域的比率的曲线图；

图4A和图4B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的详细形状的图；

图5A和图5B是用于说明比较例中的槽的形状的图；

图6A和图6B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的变形例的图；

图7A和图7B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的变形例的图；

图8A和图8B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的变形例的图；

图9是示出根据本发明的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；

图10A是示出根据本发明的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；

图10B是示出根据本发明的一些实施方式的电子装备的配置示例的图；

图11A是示出根据本发明的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；

图11B是示出根据本发明的一些实施方式的电子装备的配置示例的图；

图12A是示出根据本发明的一些实施方式的照明设备的配置示例的图；

图12B是示出根据本发明的一些实施方式的移动体的配置示例的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细说明实施方式。注意，以下实施方式并非旨在限制要求保护的发明的范围。在实施方式中说明了多个特征，但是并不限制本发明需要所有这种特征，并且可以适当地组合多个这种特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的构造，并且省略其重复说明。

参照图1A和图1B，将说明根据一些实施方式的发光设备100的配置示例。图1A示出了发光设备100的一部分的平面图，图1B示出了沿着图1A中的线A-A'截取的截面图。例如，可以将发光设备100安装在诸如基于电子照相技术的打印机等的图像形成设备上。此外，发光设备100可以安装在显示器(显示设备)上。

发光设备100包括绝缘层110、下部电极120、绝缘膜130、有机层140、上部电极150和保护层160。各个下部电极120、有机层140的一部分和上部电极150的一部分形成各个发光元件101。绝缘层110可以设置在硅基板或玻璃基板上。绝缘膜130还可以被称为堤(bank)。保护层160还可以被称为密封层。

多个发光元件101以二维矩阵配置在绝缘层110的发光区域111中。发光区域111可以是包括多个发光元件101的最小矩形区域。本实施方式中的发光元件101是顶部发光型发光元件。代替地，发光元件101可以是底部发光型发光元件。另外，多个发光元件101可以如图1A所示被配置成条状阵列，或者可以被配置成德尔塔阵列(delta array)或正方形阵列。绝缘层110可以是长基板。在这种情况下，多个发光元件101可以沿着长基板的长度方向配置。此外，在图像形成设备中，这种长基板可以以交错的图案配置。交错配置的中心位置可以与将发光元件101和感光体连接的透镜的中心重叠。

在绝缘层110的发光区域111中，多个下部电极120被配置成条状阵列。对于各发光元件101，下部电极120是分离的。即，发光元件101包括彼此分离的多个下部电极120中的一个下部电极，并且为每个下部电极120形成发光元件101。下部电极120通过绝缘膜130彼此电分离。下部电极120可以由在发射波长下具有70％或更高的反射率的金属材料形成。例如，下部电极120可以由诸如Al或Ag的金属或通过向金属添加Si、Cu、Ni、Nd等而获得的合金形成。发射波长是指从有机层140发射的光的光谱范围。只要满足反射率条件，下部电极120可以是具有例如由诸如Ti、W、Mo或Au的金属或其合金形成的势垒电极的堆叠电极，或者可以是具有由ITO、IZO等形成的透明氧化物膜电极的堆叠电极。

绝缘膜130以填充彼此相邻的下部电极120之间的空间的方式配置在绝缘层110的上表面110a上。另外，绝缘膜130的一部分局部地依靠在下部电极120的上表面上。绝缘膜130由使用化学气相沉积法(CVD法)形成的氮化硅(SiN)膜、氮氧化硅(SiON)膜、氧化硅(SiO)膜等形成。在这些膜中，可以使用对水分的阻挡性高的SiN膜或SiON膜。

有机层140以覆盖下部电极120和绝缘膜130的方式配置在绝缘层110上。有机层140包括形成发光元件101的一部分的部分。有机层140由包含诸如荧光材料和磷光材料等的一种或多种发光材料的有机化合物形成。从有机层140发射的光可以具有任何颜色。例如，有机层140可以发射白光。有机层140的膜厚度可以是增加期望的发射波长的膜厚度，或者可以是衰减预定的发射波长的膜厚度。此外，发光元件101可以发射不同颜色的光成分。

上部电极150以覆盖有机层140的方式形成在有机层140上。上部电极150共用地设置到多个发光元件101。换句话说，一个上部电极150由多个发光元件101共享。上部电极150用作半透射反射层，该半透射反射层具有使到达其表面的光的一部分透射并且反射该光的其它部分的特性(即，半透射反射性)。上部电极150可以例如由诸如镁或银的金属、包含镁或银作为主要成分的合金或包含碱金属或碱土金属的合金材料形成。此外，上部电极150可以是由ITO、IZO等形成的透明氧化物膜电极。上部电极150可以具有上述层和电极的堆叠结构。

保护层160以覆盖上部电极150的方式配置在上部电极150上。即，保护层160配置在有机层140上方。保护层160可以由使用化学气相沉积法(CVD法)形成的硅化合物形成，例如，诸如氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)的材料。替代地，保护层160可以由诸如使用原子层沉积法(ALD法)形成的诸如氧化铝膜、氧化硅或氧化钛的材料形成。所有这些材料对外界的氧气和水分具有低的渗透性。保护层160可以是单层，或者可以具有堆叠结构。

在绝缘层110的上表面110a中形成有多个槽112。在本实施方式中，在绝缘层110中形成具有相同形状的三个槽112。代替地，可以形成仅一个槽112或其它数量的槽112。槽112的形状可以彼此不同。槽112位于绝缘层110的发光区域111与端部110b之间。槽112沿着端部110b连续地延伸。

配置在发光区域111中的多个发光元件101包括在图1A中的横向上彼此相邻的两个发光元件101。两个发光元件101中的一个发光元件在横向上与另一个发光元件相邻。此外，发光区域111的一侧在横向上从一个角111a延伸到另一个角111b。两端是一个槽112的边缘上的两点的线段的长度的最大值大于发光区域111的在横向上的长度(即，从角111a到角111b的长度)。例如，槽112在横向上比发光区域长。因此，在绝缘层110的横向侧面上，发光区域111被槽112完全覆盖。

槽112从发光区域111的一个角111a的附近延伸到发光区域111的另一个角111b的附近。角111a的附近例如可以是以角111a为中心并且半径为从角111a到端部110b的最小距离的圆内的区域。从角111a的附近延伸到角111b的附近的槽112意味着槽112的在角111a的附近的部分和槽112的在角111b的附近的部分彼此连接。因此，槽112的端部可以不位于角111a或111b的附近。

在图1A所示的示例中，槽112仅配置在绝缘层110的一侧。替代地，槽112也可以配置在绝缘层110的另一侧。此外，槽112可以具有环形形状并且围绕发光区域111。

如图1B所示，槽112的底面和一部分侧壁不与有机层140接触，而是与保护层160接触。换句话说，有机层140通过保护层160(更具体地通过保护层160的已经进入槽112的部分)在槽112中分离。有机层140的水分渗透率比保护层160的水分渗透率高约1至2个数量级。因此，通过用保护层160分离有机层140，可以抑制水分沿着绝缘层110的表面渗透。

接下来，将说明发光设备100的制造方法。首先，在绝缘层110中形成槽112。在绝缘层110的上表面110a形成下部电极120。下部电极120例如通过使形成在绝缘层110的上表面110a上的导体层图案化来形成。之后，在多个下部电极120之间形成绝缘膜130。

然后，通过从绝缘层110的上表面110a侧气相沉积有机层140的材料来形成有机层140。在不使用掩模(例如，不使用高精度掩模)的情况下进行用于形成有机层140的气相沉积。因此，如图1A所示，在绝缘层110的端部110b和槽112之间也形成了有机层140。在气相沉积期间，可以使用粗糙掩模使有机材料仅气相沉积在发光区域。粗糙掩模限制了气相沉积区域，使得发光设备的基板端和发光区域具有不同的气相沉积量。

然后，顺序地形成上部电极150和保护层160。保护层160的一部分进入绝缘层110的槽112。此外，可以在保护层160上形成滤色器、粘合层、保护玻璃、偏光板等。

参照图2A和图2B，将更具体地说明用于形成有机层140的气相沉积。使用例如图2A所示的气相沉积设备进行气相沉积。气相沉积设备包括台201和容纳有气相沉积源的坩埚203。台201可以绕中心轴线202旋转。图2A示出了在通过中心轴线202和坩埚203的平面中的气相沉积设备的一部分。绝缘层110配置在台201的位于坩埚203侧的表面上。坩埚203位于与通过安装在台201上的基板的上表面110a的平面相距目标-基板距离TS并且与中心轴线202相距偏移距离OST的位置。多个坩埚203能够配置在一个沉积室中。

为了确保沉积均匀性，在台201旋转的情况下在绝缘层110上进行气相沉积。因此，绝缘层110上的最接近坩埚203的部分被粒子束204n沉积。绝缘层110上的中心轴线202所通过的位置处的膜由粒子束204c形成。绝缘层110上的最远离坩埚203的位置处的膜由粒子束204f形成。

参照图2B和图2C，将说明在绝缘层110的槽112的侧壁和底面上将有机层140的材料形成为膜的情况。在下面的说明中，槽112的侧壁和底面被统称为槽112的内表面。图2B示出了在通过中心轴线202和坩埚203的平面中位于接近台201的端部的位置处的槽112的截面。图2C示出了槽112的在通过台201的中心轴线202和坩埚203的平面中位于通过中心轴线202的位置处的截面。

如图2B所示，当槽112位于距坩埚203最近的位置时，粒子束204n到达槽112的右侧壁，使得有机材料在区域205a中形成膜。当台201旋转180°并且槽112位于距坩埚203最远的位置时，粒子束204f到达槽112的左侧壁，使得有机材料在区域205b中形成膜。这些粒子束204n和204f没有在槽112的内表面的区域206中形成膜。

如图2C所示，在一些时刻，粒子束204c到达槽112的右侧壁，使得有机材料在区域205a中形成膜。当台201从该状态旋转180°时，粒子束204c到达槽112的左侧壁，使得有机材料在区域205b中形成膜。粒子束204c没有在槽112的内表面的区域206中形成膜。

由于保护层160的覆盖范围高于有机气相沉积方法的覆盖范围，因此，如果存在有机材料没有形成膜的区域206，则保护层160接触区域206，使得有机层140被分离。区域206与槽112的内表面的比率被称为非沉积比。当非沉积比为1时，表示没有有机材料在槽112的内表面上形成膜。当非沉积比为0时，表示有机材料在槽112的整个内表面上形成膜。当W代表槽112的上端的宽度并且D代表槽112的深度时，非沉积比取决于深度D与宽度W的比率。通常，D/W的值(以下称为长宽比)越大，槽112的非沉积比就越大。例如，深度D可以为3.5μm。

参照图3A和图3B，将说明相对于长宽比获得的非沉积比的值的实验结果。图3A示出了曲线图，其示出了在槽112位于接近基板的端部的位置的情况下对于各种长宽比(D/W)的非沉积比。图3B示出了曲线图，其示出了在槽112位于接近基板的中心的位置的情况下对于各种长宽比的非沉积比。在两个曲线图中，圆圈标记表示TS/OST＝1.0的情况，方形标记表示TS/OST＝1.7的情况，三角形标记表示TS/OST＝2.3的情况。

当TS/OST小于1时，粒子束很难在基板上形成膜，使得有机材料的利用效率显著降低。因此，通常，在TS/OST等于或大于1的环境下进行气相沉积。如图3A和图3B所示，在TS/OST等于或大于1的环境中，如果长宽比等于或大于0.5，则非沉积比可以是正值，而与槽112在台201上的位置无关。因此，存在有机材料未形成膜的区域206，并且有机层140通过保护层160分离。此外，还发现在TS/OST等于或大于1.5的环境中，如果长宽比等于或大于0.8，则非沉积比可以是正值，而与槽112在台201上的位置无关。

如上所述，在配置在台201上的绝缘层110旋转的情况下进行气相沉积。因此，有机材料是否在槽112的内表面的各点形成膜，对于通过各点并且与绝缘层110的上表面110a正交的任意截面来说取决于长宽比是否满足上述条件。根据本实施方式的发光设备100的槽112以锯齿状延伸。因此，与直线状延伸的槽相比，可以增加有机材料没有气相沉积的区域的比率。即，发光设备的槽可以具有锯齿状图案。并且发光设备的槽可以具有包绕图案。包绕图案包括沿第一方向延伸的第一部分以及沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。

参照图4A和图4B，将详细说明槽112的形状。为了简要起见，在图4A和图4B中分别仅示出了一个槽112。图4A示出了绝缘层110的一部分的平面图，图4B示出了沿着图4A所示的线B-B'截取的截面图。沿着线B-B'的截面是绝缘层110的上表面110a通过槽112分离的距离最大的截面。该截面可以正交于绝缘层110的上表面110a，或者可以与其它部件相交。在该截面中，令Wg为绝缘层110的上表面110a通过槽112分离的距离的最大值。换句话说，Wg可以是两端为槽112的边缘上的两个点并且不与槽112的边缘相交的线段的长度的最大值。在图4B中，绝缘层110的上表面110a在两个地方被槽112分离，并且左侧的分离距离(即，两端为槽112的边缘上的两个点并且不与槽112的边缘相交的线段的长度)最大。令Wl为发光区域111的在平行于绝缘层110的端部110b的方向上的宽度。

如上所述，最大值Wg越小，有机材料不气相沉积的区域的比率越高，因此发光设备100的耐水性也改善。因此，例如，槽112可以具有满足Wg＜Wl的形状。此外，当D表示槽112的深度时，槽112可以具有满足D/Wg≥0.5的形状。槽的深度D例如为3.5μm。此外，槽112可以具有满足D/Wg≥0.8的形状。

参照图5A和图5B，将说明根据比较例的槽的形状。图5A和图5B均是对应于图4A的平面图。在图5A所示的绝缘层110中，形成沿着发光区域111直线状延伸的槽501。如从图5A中观察的，绝缘层110的上表面通过槽501分离的距离最大的截面是通过槽的对角线的截面。在该截面中，绝缘层110的上表面被分离的距离的最大值Wg(即，两端是槽的边缘上的两点并且不与槽的边缘相交的线段的长度)大于发光区域111的宽度Wl。因此，耐水性比根据本实施方式的发光设备100的耐水性差。

在图5B所示的绝缘层110中，形成沿着发光区域111呈格子状延伸的槽502。如从图5B中观察的，绝缘层110的上表面通过槽502分离的距离最大的截面是通过槽的直线部分的对角线的截面。在该截面中，绝缘层110的上表面被分离的距离的最大值Wg大于发光区域111的宽度Wl。因此，耐水性比根据本实施方式的发光设备100的耐水性差。

如上所述，根据本实施方式，即使通过无掩模气相沉积形成有机层140，也可以减小槽112的有机材料形成膜的内表面的比率，使得可以在抑制发光设备100的尺寸增大的同时改善发光设备100的耐水性。因此，可以提供发光特性优异的发光设备100。

参照图6A和图6B，将说明对图1A和图1B所示的发光设备100的槽112的形状的变形。发光设备100可以包括图6A所示的槽701而不是槽112。槽701具有多个圆周状的槽彼此连接的形状。如图6A所示，多个圆周状的槽可以被配置成两行。可选地，多个圆周状的槽可以被配置成一行或其它数量的行，或者可以不被配置成阵列。各圆周状的槽的内径可以是例如1.0μm、1.5μm、2.5μm或3.5μm。与槽112同样地，绝缘层110的上表面通过槽701分离的距离的最大值Wg小于发光区域111的宽度Wl。此外，当D表示槽701的深度时，槽701可以满足D/Wg≥0.5或D/Wg≥0.8。

发光设备100可以包括图6B所示的槽702而不是槽112。槽702具有德尔塔图案(delta pattern)。更具体地，槽702具有多个六边形槽彼此连接的形状。代替六边形，可以使用其它多边形。如图6B所示，多个六边形槽可以被配置成两行。可选地，多个六边形槽可以被配置成一行或其它数量的行。各六边形的一个边的长度可以是例如1.0μm、1.5μm、2.5μm或3.5μm。与槽112同样地，绝缘层110的上表面通过槽702分离的距离的最大值Wg小于发光区域111的宽度Wl。此外，当D表示槽702的深度时，槽702可以满足D/Wg≥0.5或D/Wg≥0.8。

参照图7A和图7B，将说明图1A和图1B所示的发光设备100的变形。图7A示出了根据一种变形的发光设备700的截面图。图7A对应于图1B。发光设备700与发光设备100的不同之处在于，设置了保护层760而不是保护层160。其它方面可以与发光设备100中的相同。

保护层760具有依次堆叠保护层761、覆盖层762和保护层763的结构。保护层761和保护层763可以由与保护层160同样的材料形成。覆盖层762包含Al

图7B示出了根据另一变形的发光设备710的截面图。图7B对应于图1B。发光设备710与发光设备100的不同之处在于，绝缘膜130的一部分覆盖槽112的内表面。其它方面可以与发光设备100中的相同。当绝缘膜130由氮化硅(SiN)膜或氮氧化硅(SiON)膜形成时，可以抑制水渗透过基板块。代替绝缘膜130的覆盖槽112的内表面的一部分，与绝缘膜130不同的膜可以覆盖槽112的内表面。

参照图8A和图8B，将说明图1A和图1B所示的发光设备100的槽112的形状的变形。如图1B所示，槽112的锥角是直角。替代地，槽112可以朝向上端变窄，如图8A和图8B所示。更具体地，图8A所示的槽112具有底切结构，并且上端处的宽度Wt小于下端处的宽度Wb。图8B所示的槽112具有倒锥形结构，并且上端的宽度Wt小于下端的宽度Wb。

<根据本发明的一些实施方式的发光设备的应用>

根据本发明的上述实施方式的发光设备可以用作显示设备或照明设备的组成构件。另外，该发光设备可应用于电子照相图像形成设备的曝光光源、液晶显示设备的背光、在白色光源中包括滤色器的发光设备等。电子照相打印机包括例如感光体和将光施加到感光体的发光设备。打印机的发光设备可以是根据上述实施方式的发光设备。

显示设备可以是图像信息处理设备，其包括：图像输入单元，其用于从面阵CCD、线阵CCD、存储卡等输入图像信息；和信息处理单元，其用于处理输入信息，并在显示单元上显示输入图像。

另外，包括在摄像设备或喷墨打印机中的显示单元可以具有触摸面板功能。触摸面板功能的驱动类型可以是红外类型、电容类型、电阻膜类型或电磁感应类型。该显示设备可以用于多功能打印机的显示单元。

图9是示意性地示出根据一些实施方式的显示设备的示例的图。显示设备900可以在上盖901和下盖909之间包括触摸面板903、显示面板905、框架906、电路板907和电池908。触摸面板903和显示面板905分别连接到柔性印刷电路FPC 902和904。晶体管印刷在电路板907上。如果显示设备不是便携式设备，则可以不设置电池908，或者即使显示设备是便携式设备，也可以将电池908设置在其它位置。显示设备900包括多个像素，并且多个像素中的至少一个像素包括根据上述实施方式的发光设备的发光元件和连接至该发光元件的晶体管。

根据本实施方式的显示设备可以包括红色、绿色和蓝色滤色器。红色、绿色和蓝色滤色器可以配置成德尔塔阵列。

根据本实施方式的显示设备可以用于移动终端的显示单元。在这种情况下，显示设备可以兼具显示功能和操作功能。移动终端的示例包括诸如智能电话的移动电话、平板电脑和头戴式显示器。

根据本实施方式的显示设备可以用于摄像设备(光电转换设备)的显示单元，该摄像设备包括具有多个透镜的光学单元和接收透过光学单元的光的图像传感器。摄像设备的显示单元可以显示由图像传感器拍摄的图像。显示单元可以是暴露于摄像设备的外部的显示单元，或者是配置在取景器中的显示单元。摄像设备可以是数字相机或数字摄像机。

图10A是示意性示出根据本实施方式的摄像设备的示例的图。摄像设备1000可以包括取景器1001、背面显示器1002、操作单元1003和壳体1004。取景器1001可以包括根据本实施方式的显示设备。在这种情况下，显示设备不仅可以显示要拍摄的图像，还可以显示环境信息、图像拍摄指令等。环境信息可以包括环境光的强度、环境光的方向、被摄体的移动速度、被摄体被屏蔽物阻挡的可能性等。

由于上述发光设备包括有机发光元件，因此响应速度高。因此，可以在短时间内显示适合于图像拍摄的信息。使用有机发光元件的显示设备可以用于需要高显示速度的设备。

摄像设备1000包括光学单元(未示出)。光学单元包括多个透镜，并且在容纳于壳体1004的图像传感器上形成像。可以通过调节多个透镜的相对位置来调节焦点。该操作可以自动执行。

图10B是示意性示出根据本实施方式的电子装备的示例的图。电子装备1010包括显示单元1011、操作单元1012和其中设置有显示单元1011的壳体1013。壳体1013可以包括电路、包括该电路的印刷板、电池和通信单元。通信单元用于与外部通信。操作单元1012可以是按钮或触摸面板型感测单元。操作单元1012可以是识别指纹并解锁等的生物识别单元。包括通信单元的电子装备还可以被称为通信装备。电子装备可以设置有透镜和图像传感器，以进一步具有相机功能。通过相机功能拍摄的图像被显示在显示单元1011上。电子装备的示例包括智能电话和笔记本个人计算机。

图11A和图11B是示意性地示出根据本实施方式的显示设备的示例的图。图11A示出了诸如电视监视器或PC监视器的显示设备。显示设备1100包括框架1101和显示单元1102。根据本实施方式的发光设备可以用于显示单元1102。

设置有框架1101和支撑显示单元1102的基座1103。基座1103不限于图11A所示的形式。框架1101的下侧可以用作基座。框架1101和显示单元1102可以弯曲。曲率半径可以在5,000mm(含本数)和6,000mm(含本数)之间。

图11B是示意性地示出根据本实施方式的显示设备的另一示例的图。图11B所示的显示设备1110被构造为能弯折的，并且是所谓的可折叠显示设备。显示设备1110包括显示单元1111、显示单元1112、壳体1113和弯折点1114。显示单元1111和显示单元1112均可以包括根据本实施方式的发光设备。显示单元1111和显示单元1112可以是一个无缝显示设备。显示单元1111和显示单元1112可以在弯折点处分开。显示单元1111和显示单元1112可以显示不同的图像，或者可以用显示单元1111和显示单元1112显示一个图像。

图12A是示意性地示出根据本实施方式的照明设备的示例的图。照明设备1200可以包括壳体1201、光源1202、电路板1203、光学膜1204和光扩散单元1205。光源可以包括根据本实施方式的发光设备。光学膜1204透射从光源1202发射的光。光学膜1204可以是改善光源的显色性的滤色器。光扩散单元1205透射从光源1202发射的光。光扩散单元1205可以有效地扩散来自光源的光以照亮用于照明等的宽范围。光学膜1204和光扩散单元1205可以设置在照明光发射侧。根据需要，可以在最外部设置盖。

照明设备1200例如是对房间进行照明的装置。照明设备1200可以发射白色、昼白色或从蓝色到红色的任何其它颜色的光。照明设备1200可以包括用于控制光颜色的光控制电路。照明设备1200可以包括根据本发明的发光设备和与其连接的电源电路。电源电路是将AC电压转换成DC电压的电路。注意，白光的色温为4200K，昼白光的色温为5000K。照明设备1200可以包括滤色器。

此外，根据本实施方式的照明设备可以包括散热部。散热部将设备中的热释放到设备外部，其示例包括具有高比热的金属、液态硅等。

图12B是示意性地示出作为根据本实施方式的移动体的示例的汽车的图。汽车包括作为照明单元的示例的尾灯。汽车1210包括尾灯1211，并且可以在执行制动操作等时接通尾灯。

尾灯1211可以包括根据本实施方式的发光设备。尾灯可以包括保护有机EL元件的保护构件。保护构件具有一定程度的强度，并且可以由任何材料制成，只要是透明的即可。例如，保护构件可以由聚碳酸酯等制成。呋喃二甲酸衍生物、丙烯腈衍生物等可以与聚碳酸酯混合。

汽车1210可以包括车体1213和安装于车体的窗户1212。窗户1212可以是透明显示器，只要它不是用于检查汽车1210的前部或后部的窗口即可。该透明显示器可以包括根据本实施方式的发光设备。在这种情况下，包括在发光设备中的诸如电极等的部件由透明构件形成。

根据本实施方式的移动体可以是船、飞机、无人机等。移动体可以包括主体和设置在主体中的照明单元。照明单元可以发光以通知主体的位置。照明单元包括根据本实施方式的发光设备。

本发明不限于以上实施方式，并且可以在本发明的精神和范围内进行各种改变和变形。因此，为了使公众知道本发明的范围，提出权利要求。

在上述实施方式中，可以在不增加发光设备的尺寸的情况下改善发光设备的耐湿性。

虽然已经参照示例性实施方式说明了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施方式。权利要求书的范围应当符合最宽泛的解释，以包含所有的这些变型、等同结构和功能。