发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年12月17日提交的韩国专利申请第10-2019-0169152号的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种发光显示装置。

背景技术

发光显示装置是一种自发光显示装置，并且由于其与液晶显示(LCD)装置不同不需要单独的光源，所以可以以轻量且纤薄的尺寸制造发光显示装置。此外，发光显示装置由于低电压驱动而具有良好的功耗特性，并且具有良好的颜色实现、响应速度、视角和对比度特性，因此作为下一代显示装置受到关注。

发光显示装置通过发光器件层的发光来显示图像，发光器件层包括插设在两个电极之间的发光器件。例如，根据发光器件的发光而产生的光通过电极、基板等发射到外部。

近来，提出了一种向具有红色、绿色和蓝色子像素的单位像素添加白色子像素的发光显示装置。

虽然包括白色子像素的发光显示装置可以通过白色子像素提高显示图像的亮度和色温，但是在诸如红色、绿色和蓝色的纯色的亮度与白色的亮度之间形成了权衡关系。例如，如果白色子像素的亮度和色温增大，则红色和绿色子像素中的效率可能会降低，由此发光显示装置的总体性能可能会劣化。

发明内容

因此，本公开旨在提供一种显示装置，其基本上消除了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或多个问题。

发光显示装置具有以下问题。由于发光器件与电极之间的界面和/或基板与空气层之间的界面上的全反射，从发光器件发射的光中的一些光没有发射到外部，由此降低了光提取效率。例如，在一般发光显示装置中，从发光器件发射的光中的80％的光没有发射(或提取)到外部而是被困在发光器件中，并且仅20％的光可以提取到外部。为了提高发光显示装置的光提取效率，提出了一种将精细结构(例如，微透镜或不平坦图案)应用于开口(或发光部)的发光显示装置。

将精细结构应用于子像素的发光显示装置可能会在白色光谱中的波长范围之间产生亮度增大率的差异。因此，可能会出现红色、绿色和蓝色之间的效率提高率的差异，由此显示图像的亮度和色温可能会降低。例如，在将精细结构应用于子像素的发光显示装置中，白色子像素的色温可能由于蓝色亮度增大率而降低，由此发光显示装置的效率可能会降低。

本公开的一个方面提供了一种可以提高白色子像素的亮度和色温的发光显示装置。

本公开的另一个方面提供了一种可以提高显示图像的亮度和色温的发光显示装置。

本公开的附加优点和特征将部分地在下面的描述中阐述并且根据对下文进行检查将部分地对本领域技术人员变得显然，或者可以从本公开的实践中学习。本公开的目的和其他优点可以通过在书面描述和权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现所具体呈现和概括地描述的发明构思的这些和其他方面，一种发光显示装置包括：基板；在所述基板上沿第一方向彼此间隔开并且沿与所述第一方向相交的第二方向设置的第一金属线和第二金属线；以及与所述第一金属线和所述第二金属线中的至少一条重叠的子像素，其中，所述子像素包括在所述第一金属线和所述第二金属线之间的第一发光部，以及与所述第一金属线和所述第二金属线中的至少一条重叠的第二发光部。

在本公开的另一个方面中，一种发光显示装置包括：具有沿第一方向和与所述第一方向相交的第二方向设置的多个子像素区域的基板；沿所述第二方向纵向延伸并且设置在所述多个子像素区域中的多条金属线；以及设置在所述多个子像素区域中的每一个中的发光部，其中，设置在所述多个子像素区域中的一些子像素区域中的所述发光部与所述多条金属线中的沿所述第一方向与所述发光部相邻的至少一条金属线重叠。

在根据本公开的发光显示装置中，可以提高白色子像素的亮度和色温，由此可以设置或显示提高了亮度和色温的显示图像。

除如上所述的本公开的效果之外，本领域技术人员将从本公开的上述描述清楚地理解本公开的附加优点和特征。

附图说明

本公开包括附图以提供对本公开的进一步的理解，并且附图被并入并构成本申请的一部分，附图举例说明了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是示出了根据本公开的发光显示装置的示意图。

图2是示出了根据图1所示的一个实施例的单位像素的布置结构的视图。

图3是沿图2所示的线I-I'截取的横截面图。

图4是示出了图3所示的不平坦图案部的平面结构的平面图。

图5是示出了图3所示的区域“B1”的放大图。

图6是示出了图5所示的区域“A”的放大图。

图7是图3所示的区域“B2”的放大图。

图8是图3所示的区域“B3”的放大图。

图9是图3所示的区域B4的放大图。

图10是示出了根据图1所示的另一个实施例的单位像素的发光部的视图。

图11是沿图10所示的线II-II'截取的横截面图。

图12是示出了根据图1所示的又一个实施例的单位像素的发光部的视图。

图13是沿图12所示的线III-III'截取的横截面图。

图14是沿图2所示的线I-I'截取的另一个横截面图。

图15是示出了图14所示的区域“B5”的放大图。

图16是示出了图14所示的区域“B6”的放大图。

图17是示出了图14所示的区域“B6”的另一个放大图。

图18是示出了根据本公开的一个实施例的白色子像素的第一发光部和第二发光部的每一波长的强度的曲线图。

图19是示出了根据本公开的一个实施例的白色子像素和根据比较例的白色子像素的每一波长的强度的曲线图。

具体实施方式

现在将详细参考本公开的示例性实施例，其示例在附图中示出。在可能的情况下，相同的附图标记将在全部附图中用于指代相同或相似的部件。

通过参考附图描述的以下实施例，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同形式体现，并且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是完全和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由所附权利要求的范围限定。

用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于图示的细节。相似的附图标记全部指相似的元件。在下面的描述中，当确定相关已知技术的详细描述不必要地模糊本公开的要点时，将省略该详细描述。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部件，除非使用了“仅～”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非提及相反的意思。

在解释一个元件时，尽管没有明确的描述，但该元件被解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在～上”、“在～上方”、“在～之下”和“在～旁边”时，可以在两个部件之间设置一个或多个其他部件，除非使用了“恰好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“随后～”、“接着～”和“在～之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“刚刚”或“直接”。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语只用于区分一个元件和另一个元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不偏离本公开的范围。

术语“至少一个”应当被理解为包括一个或多个相关的所列出的项的任意或所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的意思是指从第一项、第二项和第三项中的两个以上提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。

本公开的各个实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或彼此结合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样不同地彼此交互操作和在技术上驱动。本公开的实施例可以彼此独立地执行，或者可以在相互依赖关系下一起执行。

在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的发光显示装置的示例性实施例。在向附图中的元件添加附图标记时，虽然在其他附图中示出了相同的元件，但是相似的附图标记可以指代相似的元件。此外，为了便于描述，附图中所示的每个元件的比例不同于实际比例，因此，不限于附图中所示的比例。

图1是示出了根据本公开的发光显示装置的示意图。

参考图1，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可以包括显示面板10、控制电路30、数据驱动电路50和栅极驱动电路70。

显示面板10可以包括在基板上限定的显示区域AA(或有源区域)和围绕显示区域AA的非显示区域IA(或无源区域)。

显示区域AA可以包括多个子像素12a、12b、12c和12d，多个子像素12a、12b、12c和12d设置在由多条栅极线GL和多条数据线DL限定的区域中。

n条栅极线GL中的每一条可以沿第一方向X纵向延伸，并且可以沿与第一方向X相交的第二方向Y与另一条栅极线间隔开。例如，n条栅极线GL中的每一条可以包括第一栅极线和第二栅极线。

m条数据线DL中的每一条可以沿第二方向Y纵向延伸，并且可以沿第一方向X与另一条数据线间隔开。

显示区域AA可以进一步包括与数据线DL平行设置的多条像素驱动电压线PL和多条基准电压线RL。n条栅极线GL中的每一条可以包括与m条数据线DL、多条像素驱动电压线PL和多条基准电压线RL中的每一条相交的交叉部。n条栅极线GL中的每一条的交叉部可以包括至少一个狭缝或开口，以最小化与其他线的重叠区域。

多个子像素12a、12b、12c和12d中的每一个显示与从其相邻的栅极线GL供应的栅极信号和从其相邻的数据线DL供应的数据电压相对应的彩色图像。

子像素12a、12b、12c和12d可以沿栅极线GL的长度方向X布置为彼此相邻。

多个子像素12a、12b、12c和12d中的每一个可以包括设置在子像素区域的电路区域(或非发光部)中的像素电路，以及设置在子像素区域的开口区域(或发光部)中并且电连接到像素电路的发光器件层。

像素电路可以包括至少两个晶体管(或薄膜晶体管)以及至少一个电容器。

发光器件层可以包括自发光器件，自发光器件通过从像素电路供应的数据信号来自发光以显示图像。

多个子像素12a、12b、12c和12d中的每一个可以限定为实际发射光的最小单位区域。在这种情况下，彼此相邻的至少四个像素可以构成用于显示彩色图像的一个单位像素12。

根据一个实施例的一个单位像素12可以包括沿栅极线GL的长度方向彼此相邻布置的第一子像素至第四子像素12a、12b、12c和12d。例如，第一子像素12a可以是红色子像素或第一颜色子像素，第二子像素12b可以是白色子像素或第二颜色子像素，第三子像素12c可以是蓝色子像素或第三颜色子像素，第四子像素12d可以是绿色子像素或第四颜色子像素。

分别设置在第一子像素至第四子像素12a、12b、12c和12d中的发光器件层可以分别发射不同颜色的光或者可以共同发射白光。

根据一个实施例，当第一子像素至第四子像素12a、12b、12c和12d的发光器件层共同发射白光时，第一子像素至第四子像素12a、12b和12c和12d可以分别包括将白光转换为不同颜色的光的不同的滤色器(或波长转换构件)。在这种情况下，根据一个实施例的第二子像素12b可以不包括滤色器。根据一个实施例的第二子像素12b的至少一部分可以包括与第一子像素12a、第三子像素12c和第四子像素12d中的任意一个相同的滤色器。

控制电路30可以基于图像信号生成与多个子像素12a、12b、12c和12d中的每一个相对应的每一像素的数据信号。根据一个实施例的控制电路30可以基于图像信号(即每个单位像素12的红色输入数据、绿色输入数据和蓝色输入数据)提取白色像素数据，通过反映基于在红色输入数据、绿色输入数据和蓝色输入数据中提取的白色像素数据的偏移数据分别计算红色像素数据、绿色像素数据和蓝色像素数据，将计算出的红色像素数据、绿色像素数据、蓝色像素数据和白色像素数据对齐以适合像素布置结构，并且将对齐的数据供应到数据驱动电路50。例如，控制电路30可以根据韩国专利公开第10-2013-0060476号或第10-2013-0030598号中公开的数据转换方法将红色、绿色和蓝色输入数据转换为红色、绿色、蓝色和白色四个颜色数据。

控制电路30可以在显示模式或感测模式下驱动栅极驱动电路70和数据驱动电路50。控制电路30可以基于时序同步信号生成在显示模式或感测模式下用于驱动栅极驱动电路70和数据驱动电路50中的每一个的数据控制信号和栅极控制信号中的每一个，向数据驱动电路50提供数据控制信号，并且向栅极驱动电路70提供栅极控制信号。例如，在推出发光显示装置的产品之前的测试过程期间、在显示面板10的初始驱动期间、在发光显示装置的开机期间、在发光显示装置的关机期间或者在长时间驱动显示面板10之后的关机期间，可以针对实时或周期性设置的帧的空白时段执行感测模式(或外部补偿驱动)。

控制电路30根据感测模式将从数据驱动电路50提供的每一像素的感测数据存储在存储电路中。控制电路30可以在显示模式期间基于存储在存储电路中的感测数据来补偿待供应到子像素12a、12b、12c和12d中的每一个的像素数据，并将补偿的数据提供到数据驱动电路50。例如，每一像素的感测数据可以包括发光器件和驱动晶体管中的每一个的顺序变化信息。因此，控制电路30可以在感测模式下感测设置在子像素12a、12b、12c和12d中的每一个中的驱动晶体管的特征值(例如，阈值电压或迁移率)，并且可以通过基于特征值补偿待供应到子像素12a、12b、12c和12d中的每一个的像素数据，来最小化或防止由多个子像素中的驱动晶体管的特征值的偏差引起的图像质量劣化。由于本公开的申请人在本领域已经知道发光显示装置的感测模式，所以将省略其详细描述。例如，根据本公开的发光显示装置可以通过韩国专利公开第10-2016-0093179号、第10-2017-0054654号或第10-2018-0002099号中公开的感测模式来感测设置在子像素12a、12b、12c和12d中的每一个中的驱动晶体管的特征值。

数据驱动电路50可以分别连接到设置在显示面板10中的m条数据线DL中的每一条。数据驱动电路50可以接收从控制电路30供应的每一像素的数据信号和数据控制信号，并且可以接收从电力电路供应的多个基准伽马电压。数据驱动电路50可以在显示模式下使用数据控制信号和多个基准伽马电压将每一像素的数字型数据信号转换为每一像素的模拟型数据电压，将转换后的每一像素的数据电压供应到相应数据线DL，生成与数据电压同步的基准电压，并将所生成的基准电压供应到多条基准电压线RL。

数据驱动电路50可以在感测模式下基于数据控制信号和多个基准伽马电压将数字型感测数据信号转换为感测数据电压，通过相应数据线DL将转换后的感测数据电压供应到相应子像素12a、12b、12c和12d，通过多条基准电压线RL中的每一条感测设置在相应子像素12a、12b、12c和12d中的驱动晶体管的特征值，并将每一像素的感测数据供应到控制电路30。例如，数据驱动电路50可以依次感测构成单位像素12的第一子像素至第四子像素12a、12b、12c和12d。

栅极驱动电路70可以分别连接到设置在显示面板10中的n条栅极线GL中的每一条。栅极驱动电路70可以基于从控制电路30供应的栅极控制信号以预定顺序生成栅极信号，并将所生成的栅极信号供应到相应栅极线GL。

根据一个实施例的栅极驱动电路70可以通过薄膜晶体管的制造工艺集成在基板的一个边缘或两个边缘中，并且可以以一对一的对应方式连接到多条栅极线GL。根据另一个实施例的栅极驱动电路70可以配置为集成电路，安装在基板或柔性电路膜上，并且以一对一的对应方式连接到多条栅极线GL。

同时，当数据驱动电路50仅在显示模式下而不在感测模式下驱动时，可以省略设置在显示区域AA中的多条基准电压线RL，并且数据驱动电路50可以仅向相应数据线DL供应数据电压。

图2是示出了根据图1所示的一个实施例的单位像素的布置结构的视图，图3是沿图2所示的线I-I'截取的横截面图。

参考图2和图3，根据本公开的一个实施例的单位像素12可以包括沿第一方向X和与第一方向X相交的第二方向Y设置的多个子像素区域SPA1至SPA3，以及沿第二方向Y纵向延伸并且设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的多条金属线PL、DL和RL。

多个子像素区域SPA1至SPA4或多个子像素12a、12b、12c和12d中的每一个可以设置为与多条金属线PL、DL和RL中的沿第一方向X与该子像素区域或子像素相邻的至少一条金属线全部或部分重叠，或者可以设置在彼此相邻的金属线PL、DL和RL之间。多个子像素区域SPA1至SPA4或多个子像素12a、12b、12c和12d可以具有彼此不同的尺寸。在下面的描述中，子像素区域SPA1至SPA4或多个子像素12a、12b、12c和12d的尺寸可以理解为子像素区域SPA1至SPA4或多个子像素12a、12b、12c和12d的面积。此外，在下面的描述中，子像素区域SPA1至SPA4可以理解为子像素12a、12b、12c和12d。

设置在单位像素12中的多条金属线PL、DL和RL中的每一条可以与像素驱动电压线PL、多条数据线DL4i-3、DL4i-2、DL4i-1和DL4i以及基准电压线RL一一对应。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第一子像素区域SPA1可以设置在多条数据线中的第4i-3(i是自然数)数据线DL4i-3和多条像素驱动电压线PL中的第2j-1(j是自然数)像素驱动电压线PL2j-1之间。例如，第4i-3数据线DL4i-3可以是第一颜色数据线或红色数据线。第2j-1像素驱动电压线PL2j-1可以是多条像素驱动电压线PL中的奇数像素驱动电压线。例如，基于第一子像素区域SPA1，第2j-1像素驱动电压线PL2j-1可以是第一金属线，第4i-3数据线DL4i-3可以是第二金属线。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第二子像素区域SPA2可以设置在多条数据线中的第4i-3数据线DL4i-3或第4i-2数据线DL4i-2与基准电压线RL之间。例如，第4i-2数据线DL4i-2可以是第二颜色数据线或白色数据线。第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2可以设置为彼此相邻且彼此平行。例如，基于第二子像素区域SPA2，第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2可以是第一金属线，基准电压线RL可以是第二金属线。并且，第4i-3数据线DL4i-3可以是第一金属线的第一金属信号线，第4i-2数据线DL4i-2可以是第一金属线的第二金属信号线。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第三子像素区域SPA3可以设置在多条数据线中的第4i-1数据线DL4i-1和基准电压线RL之间。例如，第4i-1数据线DL4i-1可以是第三颜色数据线或蓝色数据线。例如，基于第三子像素区域SPA3，基准电压线RL可以是第一金属线，第4i-1数据线DL4i-1可以是第二金属线。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第四子像素区域SPA4可以设置在多条数据线中的第4i数据线DL4i和多条像素驱动电压线PL中的第2j像素驱动电压线PL2j之间。例如，第4i数据线DL4i可以是第四颜色数据线或绿色数据线。第2j像素驱动电压线PL2j可以是多条像素驱动电压线PL中的偶数像素驱动电压线。第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i可以设置为彼此相邻且彼此平行。例如，基于第四子像素区域SPA4，第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i可以是第一金属线，第2j像素驱动电压线PL2j可以是第二金属线。并且，第4i-1数据线DL4i-1可以是第一金属线的第一金属信号线，第4i数据线DL4i可以是第一金属线的第二金属信号线。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个可以基于第二方向Y划分为第一区域A1和第二区域A2。

第一区域A1(或发光区域)可以基于第二方向Y设置在栅极线GL的上侧，并且可以不与栅极线GL重叠。多个子像素区域SPA1至SPA4的第一区域A1可以具有彼此不同的尺寸。

第二区域A2(或电路区域)可以基于第二方向Y设置在栅极线GL的下侧，并且可以与栅极线GL重叠。多个子像素区域SPA1至SPA4的第二区域A2可以基本上具有相同的尺寸。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个可以设置在第二区域A2中，并且包括像素电路PC，像素电路PC设置在与栅极线GL重叠的电路区域中。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的像素电路PC可以选择性地连接到栅极线GL中的第一栅极线GLa和第二栅极线GLb、像素驱动电压线PL、四条数据线DL4i-3、DL4i-2、DL4i-1和DL4i以及基准电压线RL。

第一栅极线GLa可以设置在多个子像素区域SPA1至SPA4的第二区域A2中与第一区域A1最相邻的一侧区域处。第二栅极线GLb可以设置在多个子像素区域SPA1至SPA4的第二区域A2中与第一栅极线GLa间隔开的另一侧区域处。

根据一个实施例的像素电路PC可以包括第一开关晶体管Tsw1、第二开关晶体管Tsw2、驱动晶体管Tdr和存储电容器Cst。像素电路PC的晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr中的每一个可以包括薄膜晶体管(TFT)，并且薄膜晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr中的至少一个可以是非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物TFT或有机TFT。例如，在像素电路PC中，第一开关晶体管Tsw1、第二开关晶体管Tsw2和驱动晶体管Tdr中的一些晶体管可以是包括由具有优良响应特性的低温多晶硅(LTPS)制成的半导体层(或有源层)的薄膜晶体管，并且第一开关晶体管Tsw1、第二开关晶体管Tsw2和驱动晶体管Tdr中的其余晶体管可以是包括由具有优良关断电流特性的氧化物制成的半导体层(或有源层)的薄膜晶体管。

第一开关晶体管Tsw1可以包括连接到第一栅极线GLa的栅极GE、连接到与其相邻的数据线DL的第一源极/漏极SDE1以及通过第一接触孔CH1连接到驱动晶体管Tdr的栅极GE的第二源极/漏极SDE2。第一开关晶体管Tsw1的栅极可以是从第一栅极线GLa的一侧突出的突出区域。第一开关晶体管Tsw1可以根据供应到第一栅极线GLa的第一栅极信号导通，并且将从数据线DL供应的数据电压供应到驱动晶体管Tdr的栅极GE。

根据一个实施例，设置在第一子像素区域SPA1中的第一开关晶体管Tsw1的第一源极/漏极SDE1可以是从第4i-3数据线DL4i-3的一侧突出的突出区域，设置在第二子像素区域SPA2中的第一开关晶体管Tsw1的第一源极/漏极SDE1可以是从第4i-2数据线DL4i-2的一侧突出的突出区域，设置在第三子像素区域SPA3中的第一开关晶体管Tsw1的第一源极/漏极SDE1可以是从第4i-1数据线DL4i-1的一侧突出的突出区域，设置在第四子像素区域SPA4中的第一开关晶体管Tsw1的第一源极/漏极SDE1可以是从第4i数据线DL4i的一侧突出的突出区域。

第二开关晶体管Tsw2可以包括连接到第二栅极线GLb的栅极GE、连接到驱动晶体管Tdr的源极的第一源极/漏极SDE1以及连接到与其相邻的基准电压线RL的第二源极/漏极SDE2。第二开关晶体管Tsw2可以在显示模式下根据供应到第二栅极线GLb的第二栅极信号将从基准电压线RL供应的基准电压供应到驱动晶体管Tdr的源极SE。第二开关晶体管Tsw2可以在感测模式下根据供应到第二栅极线GLb的第二栅极信号导通，并且将从驱动晶体管Tdr输出的电流供应到基准电压线RL或将驱动晶体管Tdr的源极SE连接到基准电压线RL。

在多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个中，第二开关晶体管Tsw2的栅极GE可以是第二栅极线GLb的某些区域或从第二栅极线GLb的一侧突出的突出区域。第二开关晶体管Tsw2的第一源极/漏极SDE1可以通过第二接触孔CH2与从基准电压线RL分支的基准连接线RCL连接。基准连接线RCL可以设置为穿过基准电压线RL，同时与第二栅极线GLb平行并且通过第二接触孔CH2与基准电压线RL电连接。

存储电容器Cst可以形成在驱动晶体管Tdr的栅极GE和源极SE之间。根据一个实施例的存储电容器Cst可以包括设置有驱动晶体管Tdr的栅极GE的第一电容电极，设置有驱动晶体管Tdr的源极的第二电容电极，以及形成在第一电容电极和第二电容电极之间的重叠区域中的介电层。存储电容器Cst可以在驱动晶体管Tdr的栅极GE和源极SE之间充入(或存储)差分电压，并且根据所充电压导通驱动晶体管Tdr。

驱动晶体管Tdr可以包括连接到第一开关晶体管Tsw1的第二源极/漏极SDE2的栅极GE，连接到第二开关晶体管Tsw2的第一源极/漏极SDE1的源极SE，以及连接到像素驱动电压线PL的漏极DE。驱动晶体管Tdr根据存储电容器Cst的电压导通，并且控制从像素驱动电压线PL流向发光器件层的电流的量。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第一子像素区域SPA1中的驱动晶体管Tdr的漏极DE可以嵌设在从第2j-1像素驱动电压线PL2j-1突出的突出区域中，设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第四子像素区域SPA4中的驱动晶体管Tdr的漏极DE可以嵌设在从第2j像素驱动电压线PL2j突出的突出区域中。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第二子像素区域SPA2中的驱动晶体管Tdr的漏极DE可以通过第一内部电力供应线IPL1电连接到第2j-1像素驱动电压线PL2j-1。例如，第一内部电力供应线IPL1可以与第二栅极线GLb设置在同一层上，并与第二栅极线GLb平行地设置，可以通过至少一个第三接触孔CH3电连接到第2j-1像素驱动电压线PL2j-1，并且可以通过第四接触孔CH4电连接到设置在第二子像素区域SPA2中的驱动晶体管Tdr的漏极DE。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第三子像素区域SPA3中的驱动晶体管Tdr的漏极DE可以通过第二内部电力供应线IPL2电连接到第2j像素驱动电压线PL2j。例如，第二内部电力供应线IPL2可以与第二栅极线GLb设置在同一层上，并与第二栅极线GLb平行地设置，可以通过至少一个第五接触孔CH5电连接到第2j像素驱动电压线PL2j，并且可以通过第六接触孔CH6电连接到设置在第三子像素区域SPA3中的驱动晶体管Tdr的漏极DE。

根据一个实施例，像素电路PC的晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr的每个半导体层可以设置在基板100上设置的缓冲层110上。半导体层具有源极区域、漏极区域和沟道区域，并且半导体层的沟道区域可以被栅极绝缘膜覆盖(或遮盖(overlay))。栅极线GL以及晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr中的每一个可以设置在栅极绝缘膜上，并且可以被层间介电膜120覆盖(或遮盖)。数据线DL、像素驱动电压线PL、基准电压线RL以及晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr的源极/漏极可以设置在层间介电膜120上，并且可以被钝化层130覆盖(或遮盖)。钝化层130可以被外涂层140(或平坦化层)覆盖(或遮盖)。

外涂层140可以设置在基板100的整个显示区域上以覆盖(或遮盖)像素电路PC。根据一个实施例的外涂层140可以由诸如光丙烯、苯并环丁烯、聚酰亚胺和氟树脂的有机材料制成，但不限于此。

根据一个实施例，像素电路PC的晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr的每个半导体层可以设置在基板100上设置的遮光层上。

遮光层可以设置在晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr中的每一个的半导体层与基板100之间以遮挡通过基板100进入半导体层的光，从而最小化或防止由于外部光而发生晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr的阈值电压变化。可选地，遮光层可以电连接到晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr的源极，因此可以用作相应晶体管的下栅极。在这种情况下，最小化或防止了晶体管Tsw1、Tsw2和Tdr由于偏压而引起的阈值电压变化以及由光引起的特性变化。

同时，当在没有根据感测模式的感测驱动的情况下仅通过根据显示模式的显示驱动操作像素电路PC时，省略第二开关晶体管Tsw2和基准电压线RL。此时，图2所示的基准电压线RL改为像素驱动电压线PL2j。当从像素电路PC省略第二开关晶体管Tsw2并且从单位像素12省略基准电压线RL时，设置在单位像素12中的像素驱动电压线PL和数据线DL的布置顺序可以改变。例如，在图2中，第2j-1像素驱动电压线PL2j-1可以改为第4i-3数据线DL4i-3。彼此相邻的第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2可以改为第2j-1像素驱动电压线PL2j-1。基准电压线RL可以改为彼此相邻的第4i-2数据线DL4i-2和第4i-1数据线DL4i-1。彼此相邻的第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i可以改为第2j像素驱动电压线PL2j。并且，第2j像素驱动电压线PL2j可以改为彼此相邻的第4i数据线DL4i和第4i-3数据线DL4i-3。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个可以包括设置在第一区域A1中的发光部EP和设置在第二区域A2中以围绕第一区域A1的非发光部。在下面的描述中，发光部EP可以理解为开口部或开口区域，并且非发光部可以理解为非开口部或非开口区域。

多个子像素区域SPA1至SPA4的发光部EP可以具有彼此不同的尺寸，以提高显示图像的亮度和色温。例如，多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP可以基于6500K以上的色温具有彼此不同的尺寸以嵌设在发光显示装置或第二子像素12b中。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第一子像素区域SPA1的发光部EP可以是发射红光的红光发光部EPr或红色开口部。多个子像素区域SPA1至SPA4中的第二子像素区域SPA2的发光部EP可以是发射白光的白光发光部EPw或白色开口部。多个子像素区域SPA1至SPA4中的第三子像素区域SPA3的发光部EP可以是发射蓝光的蓝光发光部EPb或蓝色开口部。多个子像素区域SPA1至SPA4中的第四子像素区域SPA4的发光部EP可以是发射绿光的绿光发光部EPg或绿色开口部。根据一个实施例，第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4的发光部EP具有按照白光发光部EPw、红光发光部EPr、蓝光发光部EPb和绿光发光部EPg的顺序的尺寸(EPw>EPr>EPb>EPg)，但不限于此。

根据一个实施例的第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4中的每一个的发光部EP中的至少一个可以包括沿第一方向X凹陷或突出的至少一个弯曲区域BA。

例如，红光发光部EPr可以包括以梯形形状向第2j-1像素驱动电压线PL2j-1突出的弯曲区域BA。白光发光部EPw可以包括以梯形形状向基准电压线RL突出的弯曲区域BA。蓝光发光部EPb可以包括以梯形形状向第4i-1数据线DL4i-1突出的弯曲区域BA。绿光发光部EPg可以包括通过彼此相邻的蓝光发光部EPb和红光发光部EPr的每个弯曲区域BA以梯形形状凹陷的弯曲区域BA。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的第一区域A1中的像素驱动电压线PL、基准电压线RL、第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i中的每一条都可以弯曲以与发光部EP的弯曲区域BA相对应。

设置在根据一个实施例的多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光部EPw和EPg可以与沿第一方向X相邻的金属线PL、DL和RL中的至少一条重叠。

根据一个实施例，多条金属线PL、DL和RL中的第一金属线和第二金属线可以设置在一些子像素区域SPA2和SPA4中以沿第一方向X彼此间隔开，设置在一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光部EPw和EPg可以与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠。设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光部EPw和EPg可以包括设置在第一金属线和第二金属线之间的第一发光部EP1，以及与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠的第二发光部EP2。例如，第二发光部EP2可以基于第一方向X与第一金属线和第二金属线中的至少一条的一半以上重叠。在这种情况下，当一些子像素区域是第二子像素区域SPA2时，第一金属线可以是第4i-3数据线DL4i-3，第二金属线可以是基准电压线RL。此外，当一些子像素区域是第四子像素区域SPA4时，第一金属线可以是第4i-1数据线DL4i-1，第二金属线可以是第2j像素驱动电压线PL2j。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的除一些子像素区域SPA2和SPA4之外的其他子像素区域SPA1和SPA3中的发光部EPr和EPb可以不与沿第一方向X相邻的两条金属线PL、DL和RL重叠。多个子像素区域SPA1至SPA4中的除一些子像素区域SPA2和SPA4之外的其他子像素区域SPA1和SPA3可以包括设置在沿第一方向X相邻的两条金属线之间的一个发光部EPr或EPb。多个子像素区域SPA1至SPA4中的包括红光发光部EPr的第一子像素区域SPA1可以包括和与其相邻的两条金属线PL、DL RL中的至少一条重叠的第二发光部。在这种情况下，从红光发光部EPr的第二发光部发射的光可能使白色亮度的色温劣化。因此，嵌设红光发光部EPr以便红光发光部EPr不包括和与其相邻的两条金属线PL、DL和RL中的至少一条重叠的第二发光部。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP可以包括与第二方向Y平行的第一侧和第二侧。

基于第一方向X，红光发光部EPr的第一侧可以与第2j-1像素驱动电压线PL2j-1的第一侧(或第二侧)间隔开，红光发光部EPr的第二侧可以与第4i-3数据线DL4i-3的第一侧(或第二侧)间隔开。

基于第一方向X，白光发光部EPw的第一侧可以在工艺误差范围内和与红光发光部EPr相邻的第4i-3数据线DL4i-3的第一侧(或第二侧)对齐，并且白光发光部EPw的第二侧可以在工艺误差范围内和与白光发光部EPw相邻的基准线RL的第二侧(或第一侧)对齐。

基于第一方向X，蓝光发光部EPb的第一侧可以与基准线RL的第一侧(或第二侧)间隔开，并且蓝光发光部EPb的第二侧可以与第4i-1数据线DL4i-1的第一侧(或第二侧)间隔开。

基于第一方向X，绿光发光部EPg的第一侧可以在工艺误差范围内和与蓝光发光部EPb相邻的第4i-1数据线DL4i-1的第一侧(或第二侧)对齐，并且绿光发光部EPg的第二侧可以在工艺误差范围内和与红光发光部EPr相邻的第2j像素驱动电压线PL2j的第二侧(或第一侧)对齐。

根据一个实施例的多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP可以包括不平坦图案部150和发光器件层EDL。设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光部EPw和EPg可以进一步包括平坦部(或平坦表面)141。也就是说，设置在根据一个实施例的多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光部EPw和EPg可以包括不平坦图案部150、平坦部141和发光器件层EDL。设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的除一些子像素区域SPA2和SPA4之外的其他子像素区域SPA1和SPA3中的发光部EPr和EPb可以包括不平坦图案部150和发光器件层EDL而不包括平坦部141。在下面的描述中，平坦部141可以理解为非图案部。

根据一个实施例，红光发光部EPr、蓝光发光部EPb和白光发光部EPw的第一发光部EP1以及绿光发光部EPg的第一发光部EP1中的每一个可以包括设置在外涂层140中的不平坦图案部150，白光发光部EPw的第二发光部EP2和绿光发光部EPg的第二发光部EP2中的每一个可以包括设置在外涂层140中的平坦部141。也就是说，设置在基板100上的外涂层140可以包括设置在红光发光部EPr、蓝光发光部EPb和白光发光部EPw的第一发光部EP1以及绿光发光部EPg的第一发光部EP1中的每一个中的不平坦图案部150，以及设置在白光发光部EPw的第二发光部EP2和绿光发光部EPg的第二发光部EP2中的每一个中的平坦部141。

不平坦图案部150可以设置在与红光发光部EPr、蓝光发光部EPb和白光发光部EPw的第一发光部EP1以及绿光发光部EPg的第一发光部EP1中的每一个重叠的外涂层140中，以具有弯曲(或不平坦)形状，由此改变从发光器件层EDL发射的光的行进路径以提高光提取效率。因此，不平坦图案部150可以理解为非平坦部、非平面部、精细结构、光路控制器、微透镜部、微透镜阵列部或光散射部。

根据一个实施例的不平坦图案部150可以包括彼此间隔开的多个凸部151和设置在多个凸部151之间的多个凹部153。

多个凸部151中的每一个可以设置在与发光部EP重叠的外涂层140中，以具有可以基于发光器件层EDL的有效发光面积最大化从像素发射的光的外部提取效率的形状。多个凸部151中的每一个通过改变从发光器件层EDL发射的光向基板100的行进路径来提高从发光器件层EDL发射的光的外部提取效率。

多个凸部151可以在所有方向上分别彼此连接。例如，多个凸部151中的每一个的底部(或基面)可以在所有方向上连接到与其相邻的其他凸部151的底部。因此，与发光部EP重叠的外涂层140可以包括形成在多个凸部151之间的多个凹部153。一个凹部153可以被与其相邻的多个凸部151围绕。可以以二维六边形形状(或蜂窝形状)设置围绕一个凹部153的多个凸部151。例如，多个凸部151可以布置为具有六边形形状(或蜂窝结构)。

多个凹部153中的每一个可以设置为从与多个凸部151之间的部分相对应的外涂层140的上表面(或表面)凹陷。可以分别沿第二方向Y以锯齿形形状平行设置多个凹部153，同时多个凹部153沿第一方向X彼此间隔开。也就是说，可以分别以具有恒定间隔的晶格形状设置多个凹部153，并且可以沿第二方向Y交替设置彼此相邻的凹部153。例如，如图4所示，可以以二维三角形形状设置三个相邻凹部153，并且三个相邻凹部153的中心之间的线段可以构成二维三角形形状TS。此外，多个凹部153可以分别被设置在它们周围的六个凹部153围绕。在这种情况下，可以以二维六边形形状HS设置围绕一个凹部153的六个凹部153，并且设置为围绕一个凹部153的六个凹部153的中心之间的线段可以构成二维六边形形状HS。例如，可以以二维蜂窝形状设置多个凸部151和多个凹部153。

可以在通过使用光刻胶的光刻工艺在发光部EP上的外涂层140上形成掩模图案之后，通过使用掩模图案对外涂层进行蚀刻工艺来形成包括多个凸部151和多个凹部153的不平坦图案部150。例如，正性光刻胶可以用作光刻胶以提高生产率。

再次参考图2和图3，设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4的发光部EPr和EPb中的平坦部141可以设置在与一些子像素区域SPA2和SPA4相邻的金属线上。因此，外涂层140可以包括设置在多条金属线上的多个平坦部141和设置在多个平坦部141之间的不平坦图案部150。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP中的发光器件层EDL可以包括阳极AE、自发光器件SED和阴极CE。

阳极AE可以分别对应于多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP设置在基板100上的外涂层140上。根据一个实施例，在第一区域A1中，阳极AE可以具有与多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP相对应的尺寸和形状。根据一个实施例的阳极AE可以由诸如透明导电氧化物(TCO)的透明导电材料制成，以容许从自发光器件SED发射的光向基板传输。

根据一个实施例的阳极AE可以与外涂层140的最上表面直接接触。例如，由于阳极AE与外涂层140的不平坦图案部150和平坦部141中的每一个直接接触，所以阳极AE可以包括遵循平坦部141和不平坦图案部150的表面形态的形状。

根据一个实施例的多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的阳极AE可以包括向相应像素电路PC延伸的延伸部。阳极AE的延伸部可以通过设置在外涂层140和钝化层130中的电极接触孔ECH与相应像素电路PC的驱动晶体管Tdr的源极SE电连接。因此，多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的阳极AE可以分别被供应来自相应像素电路PC的驱动晶体管Tdr的数据电流。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第一子像素区域SPA1的第一阳极AE1的尺寸可以小于不平坦图案部150的尺寸。也就是说，在第一子像素区域SPA1的第一区域A1中，红光发光部EPr的尺寸可以对应于第一阳极AE1的尺寸，由此不平坦图案部150的尺寸可以大于红光发光部EPr的尺寸。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第二子像素区域SPA2的白光发光部EPw中的第二阳极AE2的尺寸可以宽于不平坦图案部150的尺寸。例如，第二阳极AE2可以设置在不平坦图案部150和平坦部141上。也就是说，第二阳极AE2可以具有在不平坦图案部150上向平坦部141延伸(或扩展)的结构。因此，在第二子像素区域SPA2的第一区域A1中，白光发光部EPw的尺寸可以对应于第二阳极AE2的尺寸，由此不平坦图案部150的尺寸可以小于白光发光部EPw的尺寸。

多个子像素区域SPA1至SPA4中的第三子像素区域SPA3的第三阳极AE3的尺寸可以小于不平坦图案部150的尺寸。也就是说，在第三子像素区域SPA3的第一区域A1中，蓝光发光部EPb的尺寸可以对应于第三阳极AE3的尺寸，由此不平坦图案部150的尺寸可以大于蓝光发光部EPb的尺寸。

设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的第四子像素区域SPA4的绿光发光部EPg中的第四阳极AE4的尺寸可以大于或宽于不平坦图案部150的尺寸。例如，第四阳极AE4可以设置在绿光发光部EPg中设置的不平坦图案部150和平坦部141上。也就是说，第四阳极AE4可以具有在不平坦图案部150上向平坦部141延伸(或扩展)的结构。因此，在第四子像素区域SPA4的第一区域A1中，绿光发光部EPg的尺寸可以对应于第四阳极AE4的尺寸，由此不平坦图案部150的尺寸可以小于绿光发光部EPg的尺寸。

发光器件层EDL的自发光器件SED可以设置在第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4中的每一个中设置的阳极AE上。根据一个实施例的自发光器件SED可以是有机发光器件、量子点发光器件、无机发光器件或微发光器件。例如，由有机发光器件制成的自发光器件SED可以包括设置在阳极上的空穴功能层、设置在空穴功能层上的有机发光层以及设置在有机发光层上的电子功能层。

根据一个实施例，设置在第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4中的每一个中的自发光器件SED可以设置为发射不同颜色的光。例如，第一子像素区域SAP1的自发光器件SED可以包括红色有机发光层，第三子像素区域SAP3的自发光器件SED可以包括蓝色有机发光层，第四子像素区域SAP4的自发光器件SED可以包括绿色有机发光层。第二子像素区域SAP2的自发光器件SED可以包括用于发射白光的多个有机发光层。

根据一个实施例的第二子像素区域SPA2的自发光器件可以具有沉积有第一有机发光层和第二有机发光层的层叠结构。根据一个实施例的第一有机发光层发射第一光，并且可以包括蓝色有机发光单元、绿色有机发光单元、红色有机发光单元、黄色有机发光单元和黄绿色有机发光单元中的任意一个。第二有机发光层可以包括蓝色有机发光单元、绿色有机发光单元、红色有机发光单元、黄色有机发光单元和黄绿色有机发光单元中的除第一有机发光层的有机发光单元之外的另一个有机发光单元。此外，第二子像素区域SPA2的自发光器件可以进一步包括第三有机发光层，第三有机发光层包括蓝色有机发光单元、绿色有机发光单元、红色有机发光单元、黄色有机发光单元和黄绿色有机发光单元中的除第一有机发光层和第二有机发光层的有机发光单元之外的另一个有机发光单元。

根据另一个实施例，设置在第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4中的每一个中的自发光器件SED可以嵌设作为用于发射白光的公共层。例如，设置在第一子像素区域SAP1至第四子像素区域SPA4中的每一个中的自发光器件SED可以包括第一有机发光层和第二有机发光层，或者可以包括第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层。在这种情况下，自发光器件SED可以与设置在第一子像素区域SAP1至第四子像素区域SPA4中的每一个中的阳极AE直接接触，并且可以与设置在外涂层140上的平坦部141直接接触。也就是说，在本实施例中，可以去除设置在阳极AE的边缘部和外涂层140的平坦部141处的堤部或堤部图案，并且阳极AE和自发光器件SED可以延伸或扩展到外涂层140的平坦部141上，由此第二发光部EP2可以设置在外涂层140的平坦部141上。

此外，设置在第一子像素区域SPA1至第四子像素区域SPA4中的每一个中的自发光器件SED可以改为量子点发光器件，或者可以进一步包括量子点发光层，以提高颜色再现率。

发光器件层EDL的阴极CE可以设置在基板100的整个显示面板上，以与自发光器件SED直接接触。根据一个实施例的阴极CE可以包括具有高反射率的金属材料，以向基板100反射从自发光器件SED发射并进入阴极CE的光。

根据本公开的一个实施例的显示面板可以进一步包括封装层160。

封装层160可以形成在基板100的显示区域AA上以覆盖(或遮盖)阴极CE。封装层160可以用于保护薄膜晶体管和自发光器件SED免受外部冲击的影响，并且防止氧气或/和水及颗粒渗透到发光器件层EDL中。根据一个实施例的封装层160可以包括至少一个无机膜。封装层160可以进一步包括至少一个有机膜。例如，封装层160可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。

可选地，封装层160可以修改为围绕所有像素的填充构件。在这种情况下，根据本公开的发光显示面板10进一步包括使用填充构件作为媒介附接到基板100上的封装基板170。封装基板170可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。填充构件可以包括吸收氧气或/和水的吸气剂材料。

此外，根据本公开的显示面板可以进一步包括滤色层CFL。当多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个发射白光时，可以应用滤色层CFL。

滤色层CFL可以设置为与多个子像素区域SPA1至SPA4中的第一子像素区域SPA1、第三子像素区域SPA3和第四子像素区域SPA4的发光部EPr、EPb和EPg重叠。滤色层CFL可以设置在阳极AE下。例如，滤色层CFL可以设置在基板100和外涂层140之间。例如，滤色层CFL可以插设在钝化层130和外涂层140之间。

滤色层CFL可以包括与第一子像素区域SPA1的红光发光部EPr重叠的红色滤色器CFr，与第三子像素区域SPA3的蓝光发光部EPb重叠的蓝色滤色器CFb，以及与第四子像素区域SPA4的绿光发光部EPg重叠的绿色滤色器CFg。

红色滤色器CFr、蓝色滤色器CFb和绿色滤色器CFg中的每一个的尺寸可以大于或宽于相应发光部EPr、EPb和EPg的尺寸。例如，红色滤色器CFr、蓝色滤色器CFb和绿色滤色器CFg中的每一个的尺寸可以大于或宽于相应发光部EPr、EPb和EPg的尺寸，以防止或最小化漏光，其中来自另一个相邻子像素区域的漏光分量被提取(或输出)到基板100。

红色滤色器CFr、蓝色滤色器CFb和绿色滤色器CFg的每一端可以通过插设相应发光部EPr、EPb和EPg而与彼此相邻的第一金属线和第二金属线PL、DL和RL中的每一条重叠。根据一个实施例，红色滤色器CFr、蓝色滤色器CFb和绿色滤色器CFg的每一端可以布置在其相邻金属线PL、DL和RL上。

根据一个实施例的红色滤色器CFr、蓝色滤色器CFb和绿色滤色器CFg的每一端可以包括根据从发光器件层EDL发射到基板100的光再发射光的量子点，以具有用于发射子像素中设置的颜色的光的尺寸。在这种情况下，红色滤色器CFr可以不包含红色量子点以降低长波长区域的透光率(或发光率)，或者可以进一步包括吸收至少一部分长波长光的长波长吸收材料(或染料)。例如，长波长吸收材料可以通过吸收620nm至700nm的波长并降低长波长区域的透光率(或发光率)来增大色温。

此外，根据本公开的发光显示装置可以进一步包括偏光膜180，偏光膜180附接到基板100的后表面(或光提取表面)100a。偏光膜180将由设置在显示区域中的薄膜晶体管和/或线反射的外部光改为圆形偏光状态，以提高发光显示装置的可见性和对比度。例如，偏光膜180可以嵌设为圆形偏光膜。

图5是示出了图3所示的区域“B1”的放大图以示出根据本公开的一个实施例的第一子像素区域，图6是示出了图5所示的区域“A”的放大图。

参考图2至图6，根据本公开的一个实施例的第一子像素区域SPA1可以包括与第2j-1像素驱动电压线PL2j-1和第4i-3数据线DL4i-3之间的部分相对应的光输出区域LOA、与不平坦图案部150相对应的图案形成区域PFA以及设置在不平坦图案部150上的红光发光部EPr。

光输出区域LOA可以设置在第一子像素区域SPA1的第一区域A1中设置的第2j-1像素驱动电压线PL2j-1和第4i-3数据线DL4i-3之间。

图案形成区域PFA可以限定为设置有第一子像素区域SPA1的第一区域A1的不平坦图案部150的区域。图案形成区域PFA可以基本上具有与光输出区域LOA的尺寸相同的尺寸。

图案形成区域PFA的端部和外涂层140的平坦部141之间的边界部BP可以布置在第2j-1像素驱动电压线PL2j-1和第4i-3数据线DL4i-3中的每一个的第一侧SS1，或与第2j-1像素驱动电压线PL2j-1和第4i-3数据线DL4i-3中的每一个的第一侧SS1基本上对齐。因此，不平坦图案部150的尺寸可以基本上与光输出区域LOA的尺寸相同。

红光发光部EPr的尺寸可以小于不平坦图案部150的尺寸。例如，红光发光部EPr可以设置在第2j-1像素驱动电压线PL2j-1(或第一金属线)和第4i-3数据线DL4i-3(或第二金属线)之间。

根据一个实施例的红光发光部EPr可以包括设置在不平坦图案部150上的发光器件层EDL。

由于发光器件层EDL设置在不平坦图案部150上，所以发光器件层EDL可以具有与不平坦图案部150的表面形态相对应的不平坦形状的表面形态。

根据一个实施例的发光器件层EDL可以包括第一阳极AE1、自发光器件SED和阴极CE。

第一阳极AE1可以设置在第一子像素区域SPA1的第一区域A1中设置的不平坦图案部150上。第一阳极AE1的尺寸可以小于图案形成区域PFA的尺寸。也就是说，设置在第一子像素区域SPA1的第一区域A1中的第一阳极AE1的尺寸可以小于不平坦图案部的尺寸。根据一个实施例的第一阳极AE1的端部可以布置在包含在不平坦图案部150中的多个凹部153中的最外侧凹部153o处。例如，第一阳极AE1的端部可以布置在多个凹部153中的最外侧凹部153o的底面上，以与设置在沿第一方向X与其相邻的子像素区域中的阳极AE2和AE4电分离(或断开)，但不限于此。例如，第一阳极AE1的端部可以在第一阳极AE1可以与阳极AE2和AE4电分离的范围内布置在最外侧凹部153o的斜面上。

基于第一方向X，设置在相邻子像素区域中的阳极AE2和AE4与第一阳极AE1的端部之间的区域可以限定为非发光部NEP。

由于第一阳极AE1与不平坦图案部150直接接触，所以第一阳极AE1可以包括遵循不平坦图案部150的表面形态的形状。例如，由于第一阳极AE1形成(或沉积)在外涂层140的不平坦图案部150上以具有相对薄的厚度，所以其可以具有遵循不平坦图案部150的表面形态的表面形态。因此，通过透明导电材料的沉积工艺，可以以遵循不平坦图案部150的表面形态的共形形态设置第一阳极AE1。

自发光器件SED可以形成在第一阳极AE1上，因此可以与第一阳极AE1直接接触。根据一个实施例的自发光器件SED可以形成(或沉积)为具有厚度相对厚于第一阳极AE1的厚度，由此自发光器件SED的表面形态可以不同于第一阳极AE1的表面形态。自发光器件SED可以在图案形成区域PFA中的未设置第一阳极AE1的区域中与外涂层140直接接触，由此第一子像素区域SPA1的第一区域A1中的不平坦图案部150的边缘部可以是非发光部NEP。

根据一个实施例的自发光器件SED可以在包括不平坦图案部150的凸部151的峰部的上部区域UA中具有第一厚度t1，并且可以在包括凹部153的底部的向下区域(或下部区域)DA中具有比第一厚度t1厚的第二厚度t2。因此，根据厚度t1和t2，自发光器件SED可以具有有效发光区域和非有效发光区域。自发光器件SED的有效发光区域是发生相对强的发光的区域，并且可以设置为凸部151的上部区域UA，自发光器件SED的非有效发光区域是发生相对弱的发光的区域，并且可以设置为凸部151的向下区域DA。因此，基于功耗和发光效率，可以嵌设凸部151的直径和高度，使得不会在凸部151的向下区域DA中发生发光，并且仅在凸部151的上部区域UA中发生发光。

阴极CE可以形成在自发光器件SED上，因此可以与自发光器件SED直接接触。根据一个实施例的阴极CE可以形成(或沉积)在自发光器件SED上，以具有相对厚于自发光器件SED的厚度。因此，实际上可以以遵循自发光器件SED的表面形态的共形形状嵌设阴极CE。

由于第一子像素区域SPA1或第一子像素12a可以包括尺寸小于不平坦图案部150的红光发光部EPr，所以可以减小红光对白光的贡献以增大白光的色温。

图7是图3所示的区域“B2”的放大图以示出根据本公开的一个实施例的第二子像素区域。

参考图2、图3和图7，根据本公开的一个实施例的第二子像素区域SPA2可以包括与第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL之间的部分相对应的光输出区域LOA、与不平坦图案部150相对应的图案形成区域PFA、设置在第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL中的每一个上的平坦部141、以及设置在不平坦图案部150和平坦部141上的白光发光部EPw。

光输出区域LOA可以设置在第二子像素区域SPA2的第一区域A1中设置的第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL之间。

图案形成区域PFA可以限定为设置有第二子像素区域SPA2的第一区域A1的不平坦图案部150的区域。图案形成区域PFA可以基本上具有与光输出区域LOA的尺寸相同的尺寸。

图案形成区域PFA的端部和外涂层140的平坦部141之间的边界部BP可以布置在第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL中的每一个的第一侧SS1，或与第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL中的每一个的第一侧SS1基本上对齐。因此，不平坦图案部150的尺寸可以基本上与光输出区域LOA的尺寸相同。

白光发光部EPw的尺寸可以大于不平坦图案部150的尺寸。例如，白光发光部EPw可以设置在第4i-3数据线DL4i-3(或第一金属线)和基准电压线RL(或第二金属线)之间。例如，白光发光部EPw可以设置在平坦部141和不平坦图案部150上，平坦部141和不平坦图案部150设置在覆盖(或遮盖)第4i-3数据线DL4i-3、第4i-2数据线DL4i-2和基准电压线RL中的每一条的外涂层140上。因此，白光发光部EPw可以具有比不平坦图案部150的尺寸大且与平坦部141的尺寸相同的尺寸。

设置在第二子像素区域SPA2中的外涂层140的平坦部141可以包括设置在第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2上的第一平坦部141a，以及设置在基准电压线RL上的第二平坦部141b。

根据一个实施例的白光发光部EPw可以包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1和设置在平坦部141上的第二发光部EP2。

由于第一发光部EP1设置在不平坦图案部150上，所以第一发光部EP1可以具有与不平坦图案部150的表面形态相对应的表面形态。由于第二发光部EP2设置在平坦部141上，所以第二发光部EP2可以具有与平坦部141的表面形态相对应的表面形态。

根据一个实施例的白光发光部EPw可以包括设置在外涂层140上设置的不平坦图案部150和平坦部141上的发光器件层EDL。

由于发光器件层EDL设置在不平坦图案部150和平坦部141上，所以发光器件层EDL可以具有包括与不平坦图案部150和平坦部141的表面形态相对应的不平坦形状和平坦形状的表面形态。

根据一个实施例的发光器件层EDL可以包括第二阳极AE2、自发光器件SED和阴极CE。

第二阳极AE2可以设置在与第二子像素区域SPA2的第一发光部EP1和第二发光部EP2相对应的外涂层140上。第二阳极AE2可以设置在第二子像素区域SPA2的第一区域A1中设置的不平坦图案部150和平坦部141上。第二阳极AE2的尺寸可以大于图案形成区域PFA的尺寸。也就是说，第二阳极AE2可以设置为覆盖(或遮盖)整个不平坦图案部150和平坦部141，由此第二阳极AE2可以具有比不平坦图案部150的尺寸大且与平坦部141的尺寸相同的尺寸。

根据一个实施例的第二阳极AE2的端部可以布置在与在第一方向X上与其相邻的第一子像素区域SPA1和第三子像素区域SPA3中的每一个的不平坦图案部150连接的平坦部141中。

设置在平坦部141的第一平坦部141a上的第二阳极AE2的第一端部可以布置在第4i-3数据线DL4i-3的第一侧SS1，或与第4i-3数据线DL4i-3的第一侧SS1基本上对齐。换句话说，第二阳极AE2的第一端部可以与第一平坦部141a的端部对齐，第一平坦部141a连接到在第一方向X上与其相邻的第一子像素区域SPA1的不平坦图案部150。因此，第二阳极AE2可以与设置在第一子像素区域SPA1中的第一阳极AE1电分离(或断开)。

设置在平坦部141的第二平坦部141b上的第二阳极AE2的第二端部可以布置在与第三子像素区域SPA3相邻的基准电压线RL的第二侧SS2，或者和与第三子像素区域SPA3相邻的基准电压线RL的第二侧SS2基本上对齐。换句话说，第二阳极AE2的第二端部可以与第二平坦部141b的端部对齐，第二平坦部141b连接到在第一方向X上与其相邻的第三子像素区域SPA3的不平坦图案部150。因此，第二阳极AE2可以与设置在第三子像素区域SPA3中的第三阳极AE3电分离(或断开)。

在图7中，第二阳极AE2的第一端部布置在第4i-3数据线DL4i-3的第一侧SS1，但不限于此。例如，第二阳极AE2的第一端部可以布置在第4i-2数据线DL4i-2上。

由于第二阳极AE2与不平坦图案部150和平坦部141中的每一个直接接触，所以第二阳极AE2可以包括遵循不平坦图案部150和平坦部141中每一个的表面形态的形状。由于第二阳极AE2与第一阳极AE1基本上相同，只是第二阳极AE2设置在白光发光部EPw的不平坦图案部150和平坦部141上，所以省略或将在下面简要描述其重复描述。

自发光器件SED可以形成在第二阳极AE2上，因此可以与第二阳极AE2直接接触。根据一个实施例的自发光器件SED可以形成(或沉积)为具有厚度相对厚于第二阳极AE2的厚度，由此自发光器件SED的表面形态可以不同于第二阳极AE2的表面形态。

阴极CE可以形成在自发光器件SED上，因此可以与自发光器件SED直接接触。根据一个实施例的阴极CE可以形成(或沉积)在自发光器件SED上，以具有相对较薄于自发光器件SED的厚度。因此，实际上可以以遵循自发光器件SED的表面形态的共形形状设置阴极CE。

由于第二子像素区域SPA2或第二子像素12b可以包括设置在外涂层140的不平坦图案部150上的第一发光部EP1和设置在外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2，所以可以通过从第二发光部EP2产生的光L2增大白光的色温，并且可以增大发光显示装置的蓝色效率。

例如，从第一发光部EP1的发光器件层EDL产生的第一光L1可以被不平坦图案部150反射，然后提取(或输出)到基板100。从第二发光部EP2的发光器件层EDL产生的第二光L2可以被数据线DL4i-3及DL4i-2和/或基准电压线RL反射，然后行进到不平坦图案部150。然后，第二光L2可以被不平坦图案部150再次反射，然后提取(或输出)到基板100。此时，以平坦结构设置在第二发光部EP2中的发光器件层EDL可以发射冷白色的第二光L2，其中蓝色峰值波长具有相对高的色温。因此，白光发光部EPw可以向基板100发射白光(L1+L2)，其中根据第一发光部EP1的发光光谱的第一光L1和根据第二发光部EP2的发光光谱的第二光L2彼此混合。因此，可以增大白光的光提取效率和色温。

根据比较例，当设置在白光发光部EPw中的第一发光部EP1具有与第二发光部EP2相同的平坦结构而不具有不平坦结构时，从第二发光部EP2产生的光L2可以被反射到光输出区域LOA，并且由于其大的行进角而反复进行全反射，由此光L2可能被困在第二发光部EP2中而不发射到基板100。因此，在比较例中，可能由于第二发光部EP2的发光而发生电流损失，该第二发光部EP2产生没有发射到基板100的第二光L2。另一方面，根据本公开的实施例，从第二发光部EP2产生的以全反射角行进的第二光L2可以通过设置在第一发光部EP1中的不平坦图案部150发射到基板100，由此可以防止或最小化电流损失。

图8是图3所示的区域“B3”的放大图以示出根据本公开的一个实施例的第三子像素区域。

参考图2、图3和图8，根据本公开的一个实施例的第三子像素区域SPA3可以包括与基准电压线RL和第4i-1数据线DL4i-1之间的部分相对应的光输出区域LOA、与不平坦图案部150相对应的图案形成区域PFA以及设置在不平坦图案部150上的蓝光发光部EPb。

光输出区域LOA可以设置在第三子像素区域SPA3的第一区域A1中设置的基准电压线RL和第4i-1数据线DL4i-1之间。可以基于从第二子像素区域SPA2发射的白光的色温增大来设置光输出区域LOA的尺寸。

图案形成区域PFA可以限定为设置有第三子像素区域SPA3的第一区域A1的不平坦图案部150的区域。图案形成区域PFA可以基本上具有与光输出区域LOA的尺寸相同的尺寸。

图案形成区域PFA的端部和外涂层140的平坦部141之间的边界部BP可以布置在基准电压线RL的第二侧SS2和第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1中的每一个中，或者与基准电压线RL的第二侧SS2和第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1中的每一个基本上对齐。因此，不平坦图案部150的尺寸可以基本上与光输出区域LOA的尺寸相同。

蓝光发光部EPb的尺寸可以小于不平坦图案部150的尺寸。例如，蓝光发光部EPb可以设置在基准电压线RL(或第一金属线)和第4i-1数据线DL4i-1(或第二金属线)之间。

根据本公开的一个实施例的蓝光发光部EPb可以包括设置在不平坦图案部150上的发光器件层EDL。

由于发光器件层EDL设置在不平坦图案部150上，所以发光器件层EDL可以具有与不平坦图案部150的表面形态相对应的表面形态。

根据一个实施例的发光器件层EDL可以包括第三阳极AE3、自发光器件SED和阴极CE。

第三阳极AE3可以设置在第三子像素区域SPA3的第一区域A1中设置的不平坦图案部150上。第三阳极AE3的尺寸可以小于图案形成区域PFA的尺寸。也就是说，设置在第三子像素区域SPA3的第一区域A1中的第三阳极AE3的尺寸可以小于不平坦图案部150的尺寸。根据一个实施例的第三阳极AE3的端部可以布置在包含在不平坦图案部150中的多个凹部153中的最外侧凹部153o中。例如，第三阳极AE3的端部可以布置在多个凹部153中的最外侧凹部153o的底面上，以与设置在沿第一方向X与其相邻的子像素区域中的阳极AE2和AE4电分离(或断开)，但不限于此。第三阳极AE3的端部可以在第三阳极AE3可以与阳极AE2和AE4电分离(或断开)的范围内布置在最外侧凹部153o的斜面上。

基于第一方向X，设置在相邻子像素区域中的阳极AE2和AE4与第三阳极AE3的端部之间的区域可以限定为非发光部NEP。

由于第三阳极AE3与不平坦图案部150直接接触，所以第三阳极AE3可以包括遵循不平坦图案部150的表面形态的形状。由于第三阳极AE3与第一阳极AE1基本上相同，只是第三阳极AE3设置在红光发光部EPr的不平坦图案部150上，所以省略或将在下面简要描述其重复描述。

自发光器件SED可以形成在第三阳极AE3上，因此可以与第三阳极AE3直接接触。阴极CE可以形成在自发光器件SED上，因此可以与自发光器件SED直接接触。由于设置在红光发光部EPr中的自发光器件SED和阴极CE与设置在第一子像素区域SPA1中的红光发光部EPr的自发光器件SED和阴极CE基本上相同，所以省略或将在下面简要描述其重复描述。

基于从第二子像素区域SPA2发射的白光的色温增大，第三子像素区域SPA3或第三子像素12c可以包括尺寸小于不平坦图案部150的蓝光发光部EPb，由此可以延长第三子像素区域SPA3或第三子像素12c的寿命。

图9是图3所示的区域“B4”的放大图以示出根据本公开的一个实施例的第四子像素区域。

参考图2、图3和图9，根据本公开的一个实施例的第四子像素区域SPA4可以包括与第4i数据线DL4i和第2j像素驱动电压线PL2j之间的部分相对应的光输出区域LOA、与不平坦图案部150相对应的图案形成区域PFA、设置在第4i-1数据线DL4i-1和第2j像素驱动电压线PL2j中的每一条上的平坦部141、以及设置在不平坦图案部150和平坦部141上的绿光发光部EPg。

光输出区域LOA可以设置在第四子像素区域SPA4的第一区域A1中设置的第4i数据线DL4i和第2j像素驱动电压线PL2j之间。

图案形成区域PFA可以限定为设置有第四子像素区域SPA4的第一区域A1的不平坦图案部150的区域。图案形成区域PFA可以基本上具有与光输出区域LOA的尺寸相同的尺寸。

图案形成区域PFA的端部和外涂层140的平坦部141之间的边界部BP可以布置在第4i数据线DL4i的第一侧SS1和第2j像素驱动电压线PL2j的第二侧SS2，或者与第4i数据线DL4i的第一侧SS1和第2j像素驱动电压线PL2j的第二侧SS2基本上对齐。因此，不平坦图案部150的尺寸可以基本上与光输出区域LOA的尺寸相同。

绿光发光部EPg的尺寸可以大于不平坦图案部150的尺寸。例如，绿光发光部EPg可以设置在第4i-1数据线DL4i-1(或第一金属线)和第2j像素驱动电压线PL2j(或第二金属线)之间。例如，绿光发光部EPg可以设置在平坦部141和不平坦图案部150上，平坦部141和不平坦图案部150设置在覆盖(或遮盖)第4i-1数据线DL4i-1、第4i数据线DL4i以及第2j像素驱动电压线PL2j中的每一个的外涂层140上。因此，绿光发光部EPg可以具有比不平坦图案部150的尺寸大且与平坦部141的尺寸相同的尺寸。

设置在第四子像素区域SPA4中的外涂层140的平坦部141可以包括设置在第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i上的第一平坦部141a以及设置在第2j像素驱动电压线PL2j上的第二平坦部141b。

根据一个实施例的绿光发光部EPg可以包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1和设置在平坦部141上的第二发光部EP2。

由于第一发光部EP1设置在不平坦图案部150上，所以第一发光部EP1可以具有与不平坦图案部150的表面形态相对应的表面形态。由于第二发光部EP2设置在平坦部141上，所以第二发光部EP2可以具有与平坦部141的表面形态相对应的表面形态。

根据一个实施例的绿光发光部EPg可以包括设置在外涂层140上设置的不平坦图案部150和平坦部141上的发光器件层EDL。

由于发光器件层EDL设置在不平坦图案部150和平坦部141上，所以发光器件层EDL可以具有包括与不平坦图案部150和平坦部141的表面形态相对应的不平坦形状和平坦形状的表面形态。

根据一个实施例的发光器件层EDL可以包括第四阳极AE4、自发光器件SED和阴极CE。

第四阳极AE4可以设置在第四子像素区域SPA4的第一发光部EP1和第二发光部EP2的外涂层140上。第四阳极AE4可以设置在第四子像素区域SPA4的第一区域A1中设置的不平坦图案部150和平坦部141上。第四阳极AE4的尺寸可以大于图案形成区域PFA的尺寸。也就是说，第四阳极AE4可以设置为覆盖(或遮盖)整个不平坦图案部150和平坦部141，由此第四阳极AE4可以具有比不平坦图案部150的尺寸大且与平坦部141的尺寸相同的尺寸。

根据一个实施例的第四阳极AE4的端部可以布置在与在第一方向X上与其相邻的第一子像素区域SPA1和第三子像素区域SPA3中的每一个的不平坦图案部150连接的平坦部141中。

设置在平坦部141的第一平坦部141a上的第四阳极AE4的第一端部可以布置在第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1，或与第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1基本上对齐。换句话说，第四阳极AE4的第一端部可以与第一平坦部141a的端部对齐，第一平坦部141a连接到在第一方向X上与其相邻的第三子像素区域SPA3的不平坦图案部150。因此，第四阳极AE4可以与设置在第三子像素区域SPA3中的第三阳极AE3电分离(或断开)。

设置在平坦部141的第二平坦部141b上的第四阳极AE4的第二端部可以布置在与其相邻的第2j像素驱动电压线PL2j的第二侧SS2，或和与其相邻的第2j像素驱动电压线PL2j的第二侧SS2基本上对齐。换句话说，第四阳极AE4的第二端部可以与第二平坦部141b的端部对齐，第二平坦部141b连接到在第一方向X上与其相邻的第一子像素区域SPA1的不平坦图案部150。因此，第四阳极AE4可以与设置在下一单位像素的第一子像素区域SPA1中的第一阳极AE1电分离(或断开)。

在图9中，第四阳极AE4的第一端部布置在第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1，但不限于此。例如，第四阳极AE4的第一端部可以布置在第4i数据线DL4i上。

由于第四阳极AE4与不平坦图案部150和平坦部141中的每一个直接接触，所以第四阳极AE4可以包括遵循不平坦图案部150和平坦部141中每一个的表面形态的形状。由于第四阳极AE4与第一阳极AE1基本上相同，只是第四阳极AE4设置在绿光发光部EPg的不平坦图案部150和平坦部141上，所以省略或将在下面简要描述其重复描述。

自发光器件SED可以形成在第四阳极AE4上，因此可以与第四阳极AE4直接接触。阴极CE可以形成在自发光器件SED上，因此可以与自发光器件SED直接接触。由于设置在绿光发光部EPg中的自发光器件SED和阴极CE与设置在第二子像素区域SPA2中的白光发光部EPw的自发光器件SED和阴极CE基本上相同，所以省略或将在下面简要描述其重复描述。

由于第四子像素区域SPA4或第四子像素12d可以包括设置在外涂层140的不平坦图案部150上的第一发光部EP1和设置在外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2，所以可以通过从第二发光部EP2产生的光L4增大绿光的光提取效率。

例如，从第一发光部EP1的发光器件层EDL产生的第三光L3可以被不平坦图案部150反射，然后提取(或输出)到基板100。从第二发光部EP2的发光器件层EDL产生的第四光L4可以被数据线DL4i-1及DL4i和/或第2j像素驱动电压线PL2j反射，然后行进到不平坦图案部150。然后，第四光L4可以被不平坦图案部150再次反射，通过绿色滤色器CFg滤色，然后提取(或输出)到基板100。因此，绿光发光部EPg可以向基板100发射绿光，其中根据第一发光部EP1的发光光谱的第三光L3和根据第二发光部EP2的发光光谱的第四光L4彼此混合。因此，可以增大绿光的光提取效率，并且可以增大单位像素12的亮度。例如，由于从第四子像素区域SPA4的绿光发光部EPg发射的绿光有助于单位像素12中呈现的白色亮度的增大，所以在本实施例中，可以通过第二发光部EP2来提高绿光发光部EPg的光提取效率，由此可以增大单位像素12中呈现的白色亮度。

图10是示出了根据图1所示的另一个实施例的单位像素的发光部的视图，图11是沿图10所示的线II-II'截取的横截面图，其中修改了图2至图9所示的单位像素中的第二子像素区域和第三子像素区域的每个发光部。因此，在下面的描述中，省略或将在下面简要描述第二子像素区域和第三子像素区域的每个发光部及其重复描述，与图2至图9中的附图标记相同的附图标记将被赋予其他元件，并且省略或将在下面简要描述其重复描述。

参考图10和图11，在根据本公开的另一个实施例的单位像素12中，第二子像素区域SPA2可以包括白光发光部EPw，白光发光部EPw设置在第4i-3数据线DL4i-3的第一侧SS1和基准电压线RL的第一侧SS1之间。

由于白光发光部EPw与图2和图7所示的白光发光部EPw基本上相同，只是第二阳极AE2的第二端部ES2设置在不平坦图案部150上而没有设置在覆盖基准电压线RL的外涂层140的平坦部141上，所以省略或将简要描述除第二阳极AE2之外的其他元件的重复描述。

第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在不平坦图案部150的最外侧凹部153o处。例如，第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在多个凹部153中的最外侧凹部153o的底面上，以与设置在沿第一方向X与其相邻的第三子像素区域SPA3中的第三阳极AE3电分离(或断开)，但不限于此。第二阳极AE2的第二端部ES2可以在第二阳极AE2可以与第三阳极AE3电分离(或断开)的范围内布置在最外侧凹部153o的斜面上。

第三子像素区域SPA3可以包括蓝光发光部EPb，蓝光发光部EPb设置在基准电压线RL的第一侧SS1和第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1之间。

由于蓝光发光部EPb与图2和图8所示的蓝光发光部EPb基本上相同，只是第三阳极AE3延伸到覆盖基准电压线RL的外涂层140的平坦部上，所以省略或将简要描述除第三阳极AE3之外的其他元件的重复描述。

蓝光发光部EPb的第三阳极AE3可以与基准电压线RL重叠并且与第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1间隔开。

第三阳极AE3的第一端部ES1可以设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140的平坦部141上。例如，第三阳极AE3的第一端部ES1可以布置在基准电压线RL的第一侧SS1或者与其基本上对齐。

第三阳极AE3的第二端部ES2可以布置在蓝光发光部EPb中设置的不平坦图案部150的最外侧凹部153o处。例如，第三阳极AE3的第二端部ES2可以布置在多个凹部153中的最外侧凹部153o的底面上，以与设置在沿第一方向X与其相邻的第四子像素区域SPA4中的第四阳极AE4电分离(或断开)，但不限于此。第三阳极AE3的第二端部ES2可以在第三阳极AE3可以与第四阳极AE4电分离(或断开)的范围内布置在最外侧凹部153o的斜面上。

由于第三阳极AE3与基准电压线RL重叠并且设置为与第4i-1数据线DL4i-1的第一侧SS1间隔开，所以蓝光发光部EPb可以包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2。

由于蓝光发光部EPb的第一发光部EP1和第二发光部EP2中的每一个与白光发光部EPw的第一发光部EP1和第二发光部EP2中的每一个基本上相同，所以省略其重复描述。

由于第四子像素区域SPA4的蓝光发光部EPb包括设置在外涂层140的不平坦图案部150上的第一发光部EP1和设置在外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2，所以可以通过从第二发光部EP2产生的光L6来增大蓝光的光提取效率。

例如，从第一发光部EP1的发光器件层EDL产生的第五光L5可以被不平坦图案部150反射，然后提取(或输出)到基板100。从设置在蓝光发光部EPb的第二发光部EP2中的发光器件层EDL产生的第六光L6可以被基准电压线RL反射，然后行进到不平坦图案部150。然后，第六光L6可以被不平坦图案部150再次反射，通过蓝色滤色器CFb滤色，然后提取(或输出)到基板100。因此，蓝光发光部EPb可以向基板100发射蓝光，其中根据第一发光部EP1的发光光谱的第五光L5和根据第二发光部EP2的发光光谱的第六光L6彼此混合。因此，可以增大蓝光的光提取效率，并且可以增大白色图像的色温。例如，由于从第三子像素区域SPA3的蓝光发光部EPb发射的蓝光有助于增大单位像素12中呈现的白色图像的色温，所以在本实施例中，可以通过第二发光部EP2增大蓝光发光部EPb的光提取效率，由此可以增大单位像素12中呈现的白色图像的色温。

如上所述，在包括根据本公开的另一个实施例的单位像素12的发光显示装置中，与包括根据图2至图9所示的一个实施例的单位像素12的发光显示装置相比，可以增大蓝光发光部EPb的光提取效率，并且因此可以增大白色图像的色温。

图12是示出了根据图1所示的又一个实施例的单位像素的发光部的视图，图13是沿图12所示的线III-III'截取的横截面图，其中，修改了设置在图10和图11所示的单位像素中的白光发光部、蓝光发光部和绿光发光部中的每一个中的阳极的端部位置。因此，在下面的描述中，将描述白光发光部、蓝光发光部和绿光发光部的每个阳极及其相关元件，与图2至图11中的附图标记相同的附图标记将被赋予其他元件，并且省略或将在下面简要描述其重复描述。

参考图12和图13，在根据本公开的又一个实施例的单位像素12中，由于第二子像素区域SPA2的白光发光部EPw与图2和图7所示的白光发光部EPw基本上相同，只是第二阳极AE2的第二端部ES2布置在基准电压线RL上或与基准电压线RL对齐，所以将省略或在下面简要描述除第二阳极AE2之外的其他元件的重复描述。

第二阳极AE2的第二端部ES2可以设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140的平坦部141上。例如，当基准电压线RL具有在第一侧SS1和第二侧SS2之间的中间部时，第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在基准电压线RL的第一侧SS1和中间部之间，或者与基准电压线RL的第一侧SS1和中间部之间的部分对齐。

由于第三子像素区域SPA3的蓝光发光部EPb与图2和图7所示的蓝光发光部EPb基本上相同，只是第三阳极AE3设置在外涂层140的不平坦图案部150和平坦部141上以覆盖(或遮盖)第4i-1数据线DL4i-1、不平坦图案部150以及基准电压线RL的至少一部分，所以将省略或在下面简要描述除第三阳极AE3之外的其他元件的重复描述。

第三阳极AE3的第一端部ES1可以设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140的平坦部141上。例如，第三阳极AE3的第一端部ES1可以布置在基准电压线RL的中间部和第一侧SS1之间，或者与基准电压线RL的中间部和第一侧SS1之间的部分对齐。

第三阳极AE3的第二端部ES2可以设置在覆盖(或遮盖)第4i-1数据线DL4i-1的外涂层140的平坦部141上。例如，第三阳极AE3的第二端部ES2可以布置在第4i-1数据线DL4i-1的第二侧SS2，或者与第4i-1数据线DL4i-1的第二侧SS2对齐。

由于第三阳极AE3与基准电压线RL的一部分重叠并且与第4i-1数据线DL4i-1重叠，所以蓝光发光部EPb可以包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的一部分和第4i-1数据线DL4i-1中的每一个的外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2。

由于蓝光发光部EPb的第一发光部EP1和第二发光部EP2中的每一个与白光发光部EPw的第一发光部EP1和第二发光部EP2中的每一个基本上相同，所以省略其重复描述。

由于蓝光发光部EPb包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1以及设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的一部分和第4i-1数据线DL4i-1中的每一个的外涂层140的平坦部141上的第二发光部EP2，所以可以通过从第二发光部EP2产生的光L8比图10和图11所示的蓝光发光部EPb更大地增大蓝光的光提取效率。

例如，从第一发光部EP1的发光器件层EDL产生的第七光L7可以被不平坦图案部150反射，然后提取(或输出)到基板100。从设置在蓝光发光部EPb的第二发光部EP2中的发光器件层EDL产生的第八光L8可以被基准电压线RL反射，然后行进到不平坦图案部150。然后，第八光L8可以被不平坦图案部150再次反射，通过蓝色滤色器CFb滤色，然后提取(或输出)到基板100。因此，蓝光发光部EPb可以向基板100发射蓝光，其中根据第一发光部EP1的发光光谱的第七光L7和根据第二发光部EP2的发光光谱的第八光L8彼此混合。因此，可以更大地增大蓝光的光提取效率，并且可以更大地增大白色图像的色温。

由于第四子像素区域SPA4的绿光发光部EPg与图2和图7所示的绿光发光部EPg基本上相同，只是第四阳极AE4的第一端部ES1布置在第4i数据线DL4i上或与第4i数据线DL4i对齐，所以将省略或在下面简要描述除第四阳极AE4之外的其他元件的重复描述。

第四阳极AE4的第一端部ES1可以设置在覆盖(或遮盖)第4i数据线DL4i的外涂层140的平坦部141上。例如，第四阳极AE4的第一端部ES1可以布置在与第4i-1数据线DL4i-1的第二侧SS2相邻的第4i数据线DL4i的第二侧SS，或者和与第4i-1数据线DL4i-1的第二侧SS2相邻的第4i数据线DL4i的第二侧SS对齐。

如上所述，在包括根据本公开的又一个实施例的单位像素12的发光显示装置中，可以更大地增大蓝光发光部EPb的光提取效率，因此可以比包括根据图10和图11所示的另一个实施例的单位像素12的发光显示装置更大地增大白色图像的色温。

图14是沿图2所示的线I-I'截取的另一个横截面图，其中凹槽图案进一步设置在图2至图13所示的外涂层的平坦部中，并且修改了每个子像素的阳极的端部位置。因此，在下面的描述中，将描述外涂层的凹槽图案及其相关元件，与图2至图9中的附图标记相同的附图标记将被赋予其他元件，并且省略或将在下面简要描述其重复描述。

参考图2和图14，在根据本实施例的发光显示装置中，外涂层140可以包括不平坦图案部150、平坦部141和凹槽部145。

不平坦图案部150设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个的发光部EP中，并且基本上与前述不平坦图案部相同，因此省略其重复描述。

平坦部141可以设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中设置的金属线PL、DL、RL和GL上。例如，可以在设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的每一个中的不平坦图案部150上以平坦结构实现平坦部141。

凹槽部145可以实现为从平坦部141凹陷。凹槽部145可以与不平坦图案部150一起实施。

根据一个实施例，凹槽部145可以形成为从覆盖(或遮盖)第2j-1像素驱动电压线PL2j-1的平坦部141向第2j-1像素驱动电压线PL2j-1凹陷。凹槽部145可以形成为从覆盖(或遮盖)第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2的平坦部141向第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2之间的区域凹陷。凹槽部145可以形成为从覆盖(或遮盖)基准电压线RL的平坦部141向基准电压线RL凹陷。凹槽部145可以形成为从覆盖(或遮盖)第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i的平坦部141向第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i之间的区域凹陷。凹槽部145可以形成为从覆盖(或遮盖)第2j像素驱动电压线PL2j的平坦部141向第2j像素驱动电压线PL2j凹陷。

根据一个实施例的凹槽部145可以具有几百纳米至几百微米的宽度，并且可以具有与外涂层140的厚度相同的深度或者小于外涂层140的厚度的深度。基板100和凹槽部145之间的最短距离可以短于不平坦图案部150的凹部153和基板100之间的距离。凹槽部145的底面可以布置在钝化层130的上表面和凹部153的底面之间。例如，当凹槽部145具有与外涂层140的厚度相同的深度时，凹槽部145的底面可以是钝化层130的上表面。

凹槽部145可以包括设置在相邻子像素区域SPA1至SPA4的发光部EP之间的斜面。凹槽部145的斜面可以通过反射来自与其相邻的发光部EP的光来防止相邻子像素区域SPA1至SPA4之间发生颜色混合。此外，凹槽部145是设置在相邻子像素区域SPA1至SPA4中的阳极彼此电分离的区域，并且可以理解为电极分离器。

设置在凹槽部145上的发光器件层EDL可以包括与凹槽部145相对应的凹槽。例如，发光器件层EDL可以包括斜面、底面和被斜面和底面围绕的U形槽。

设置在第2j-1像素驱动电压线PL2j-1上的平坦部141可以包括通过插设凹槽部145而彼此平行的第一平坦部141c和第二平坦部141d。在这种情况下，第一平坦部141c可以与第2j-1像素驱动电压线PL2j-1的一侧重叠并且设置在凹槽部145的一侧和前一单位像素12中设置的第四子像素区域SPA4的不平坦图案部150之间。第二平坦部141d可以与第2j-1像素驱动电压线PL2j-1的另一侧重叠并且设置在凹槽部145的另一侧和第二子像素区域SPA2的不平坦图案部150之间。

设置在第4i-3数据线DL4i-3和第4i-2数据线DL4i-2上的平坦部141可以包括通过插设凹槽部145而彼此平行的第一平坦部141c和第二平坦部141d。在这种情况下，第一平坦部141c可以与第4i-3数据线DL4i-3重叠，并且设置在凹槽部145的一侧和第一子像素区域SPA1的不平坦图案部150之间。第二平坦部141d可以与第4i-2数据线DL4i-2重叠并且设置在凹槽部145的另一侧和第二子像素区域SPA2的不平坦图案部150之间。

设置在基准电压线RL上的平坦部141可以包括通过插设凹槽部145而彼此平行的第一平坦部141c和第二平坦部141d。在这种情况下，第一平坦部141c可以与基准电压线RL的一侧重叠并且设置在凹槽部145的一侧和第二子像素区域SPA2的不平坦图案部150之间。第二平坦部141d可以与基准电压线RL的另一侧重叠并且设置在凹槽部145的另一侧和第三子像素区域SPA3的不平坦图案部150之间。

设置在第4i-1数据线DL4i-1和第4i数据线DL4i上的平坦部141可以包括通过插设凹槽部145而彼此平行的第一平坦部141c和第二平坦部141d。在这种情况下，第一平坦部141c可以与第4i-1数据线DL4i-1重叠并且设置在凹槽部145的一侧和第三子像素区域SPA3的不平坦图案部150之间。第二平坦部141d可以与第4i数据线DL4i重叠并且设置在凹槽部145的另一侧与第四子像素区域SPA4的不平坦图案部150之间。

设置在第2j像素驱动电压线PL2j上的平坦部141可以通过插设凹槽部145而包括彼此平行的第一平坦部141c和第二平坦部141d。在这种情况下，第一平坦部141c可以与第2j像素驱动电压线PL2j的一侧重叠并且设置在凹槽部145的一侧和第三子像素区域SPA3的不平坦图案部150之间。第二平坦部141d可以与第2j像素驱动电压线PL2j的另一侧重叠并且与凹槽部145的另一侧以及设置在下一单位像素12中的第一子像素区域SPA1的不平坦图案部150连接。

根据一个实施例，多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4可以包括设置在外涂层140中实现的不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在外涂层140中实现的平坦部141及凹槽部145的至少一部分上的第二发光部EP2。多个子像素区域SPA1至SPA4中的除一些子像素区域SPA2和SPA4之外的其他子像素区域SPA1和SPA3可以仅包括设置在外涂层140中实现的不平坦图案部150上的一个发光部EPr或EPb。

根据一个实施例，设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光器件层EDL可以具有与包括不平坦图案部150、平坦部141和凹槽部145的外涂层140的表面形态相对应的表面形态。例如，设置在多个子像素区域SPA1至SPA4中的一些子像素区域SPA2和SPA4中的发光器件层ELD可以包括设置在不平坦图案部150上的不平坦结构、设置在平坦部141上的平坦结构以及设置在凹槽部145的至少一部分中的弯曲结构。

图15是示出了图14所示的区域“B5”的放大图，图16是示出了图14所示的区域“B6”的放大图，其中白光发光部设置在第二子像素区域中。

参考图14至图16，设置在第二子像素区域SPA2中的白光发光部EPw可以包括设置在外涂层140的不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在外涂层140中实现的平坦部141及凹槽部145的至少一部分上的第二发光部EP2。由于白光发光部EPw与图2和图7所示的白光发光部EPw基本上相同，只是第二阳极AE2的第一端部ES1和第二端部ES2中的每一个布置在与其相邻的凹槽部145的至少一部分中，所以将省略或在下面简要描述除第二阳极AE2之外的其它元件的重复描述。

第二阳极AE2的第一端部ES1可以布置在第4i-2数据线DL4i-2(或第一金属线或第二金属信号线)上设置的凹槽部145的至少一部分中。第二阳极AE2的第一端部ES1可以布置在覆盖(或遮盖)第4i-2数据线DL4i-2的平坦部141的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间。例如，第二阳极AE2的第一端部ES1可以布置在凹槽部145的连接到第二平坦部141d的斜面上或者凹槽部145的底面上，使得它可以与第4i-2数据线DL4i-2的第一侧SS1对齐。

第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在基准电压线RL(或第二金属线)上设置的凹槽部145的至少一部分中。第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的平坦部141的第一平坦部141c和凹槽部145的底面之间。例如，第二阳极AE2的第二端部ES2可以布置在凹槽部145的连接到第一平坦部141c的斜面上或者凹槽部145的底面上。

设置在第一子像素区域SPA1中的第一阳极AE1的第二端部ES2与设置在第二子像素区域SPA2中的第二阳极AE2的第一端部ES1之间的部分可以限定为非光发光部(NEP)，这是因为阳极AE1和AE2没有设置在该部分中。

由于发光器件层EDL的自发光器件SED可以与外涂层140的平坦部141的一部分和第二阳极AE2以及凹槽部145的一部分直接接触，所以发光器件层EDL的自发光器件SED可以实现为具有与外涂层140的平坦部141的该一部分和第二阳极AE2以及凹槽部145的该一部分相对应的表面形态。自发光器件SED可以包括与外涂层140的凹槽部145相对应的凹陷凹槽EDLa。

发光器件层EDL的阴极CE实际上可以实现为具有遵循自发光器件SED的表面形态的形态。此时，阴极CE可以包括与外涂层140的凹槽部145相对应的凹陷凹槽EDLa。阴极CE的凹槽EDLa可以反射来自第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2的漏光分量，并且允许漏光分量向相应子像素区域SPA1和SPA2行进，从而最小化或防止来自另一个相邻子像素区域SPA1和SPA2的漏光分量提取(或输出)到基板100的漏光现象。因此，阴极CE的凹槽EDLa可以用作反射电极。

同时，第二阳极AE2的第一端部ES1和第二端部ES2中的每一个不布置在凹槽部145的一部分上。第二阳极AE2的第一端部ES1不布置在覆盖(或遮盖)第4i-3数据线DL4i-3的外涂层140的第一平坦部141c和凹槽部145的底面之间。此外，第二阳极AE2的第二端部ES2不布置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间。

例如，当第二阳极AE2的第一端部ES1设置为覆盖(或遮盖)整个凹槽部145时，发光部可以嵌设在凹槽部145上。然而，从嵌设在外涂层140的第一平坦部141c和凹槽部145的底面之间的发光部产生的光可能由于凹槽部145反射到第一子像素区域SPA1而不会行进到第二子像素区域SPA2，因此充当从第二子像素区域SPA2进入第一子像素区域SPA1的漏光分量，由此第一子像素12a的亮度和颜色再现率可能会劣化。为了防止漏光分量的发生，第二阳极AE2的第一端部ES1不布置在外涂层140的第一平坦部141c和凹槽部145的底面之间，而是布置在外涂层140的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间。

例如，当第二阳极AE2的第二端部ES2设置为覆盖(或遮盖)设置在基准电压线RL上设置的整个凹槽部145时，发光部可以嵌设在凹槽部145上。然而，从外涂层140的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间实现的发光部产生的光可能由于凹槽部145反射到第三子像素区域SPA3而不会行进到第二子像素区域SPA2，因此充当从第二子像素区域SPA2进入第三子像素区域SPA3的漏光分量，由此第三子像素12c的亮度和颜色再现率可能会劣化。为了防止漏光分量的发生，第二阳极AE2的第二端部ES2不布置在外涂层140的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间，而是布置在外涂层140的第一平坦部141c和凹槽部145的底面之间。

根据本实施例的设置在第四子像素区域SPA4中的绿光发光部EPg可以包括设置在外涂层140的不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在外涂层140中嵌设的平坦部141及凹槽部145的至少一部分上的第二发光部EP2。由于绿光发光部EPg与前述白光发光部EPw基本上相同，只是第三阳极AE3的第一端部布置在第4i数据线DL4i和第2j像素驱动电压线PL2j上设置的凹槽部145的至少一部分中并且第三阳极AE3的第二端部布置在第2j像素驱动电压线PL2j上设置的凹槽部145的至少一部分中，所以省略其重复描述。

图17是示出了图14所示的区域“B6”的另一个放大图，其中，修改了设置在图14和图16所示的第三子像素区域中的第三阳极的结构。因此，在下面的描述中，将描述第三阳极及其相关元件，并且省略或将在下面简要描述其重复描述。

参考图12和图17，根据一个实施例的设置在第三子像素区域SPA3中的蓝光发光部EPb的第三阳极AE3的第一端部ES1可以布置在基准电压线RL上设置的凹槽部145的至少一部分中。第三阳极AE3的第一端部ES1可以布置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的平坦部141的第二平坦部141d和凹槽部145的底面之间。例如，第三阳极AE3的第一端部ES1可以布置在凹槽部145的连接到第二平坦部141d的斜面上或者凹槽部145的底面上。因此，设置在第三子像素区域SPA3中的蓝光发光部EPb可以包括设置在不平坦图案部150上的第一发光部EP1，以及设置在覆盖(或遮盖)基准电压线RL的外涂层140中实现的平坦部141及凹槽部145的至少一部分上的第二发光部EP2。由于蓝光发光部EPb与图12和图13所示的蓝光发光部EPb基本上相同，只是第二发光部EP2的一部分布置在凹槽部145上，所以省略其重复描述。

设置在基准电压线RL上的第二阳极AE2的第二端部ES2与设置在第三子像素区域SPA3中的第三阳极AE3的第一端部ES1之间的部分可以限定为非光发光部(NEP)，因为阳极AE2和AE3没有设置在该部分中。

图18是示出了根据本公开的一个实施例的白色子像素的第一发光部和第二发光部的每一波长的强度的曲线图。在图18中，虚线表示第一发光部的每一波长的强度，实线表示第二发光部的每一波长的强度。

如图18所示，注意到从根据本公开的一个实施例的白色子像素的第二发光部产生的光具有与第一发光部相比蓝色波长的强度增大而黄绿色波长的强度低的发光光谱。因此，注意到与黄绿色波长的强度相比，从白色子像素的第二发光部产生的光具有蓝色波长的增大的强度，以发射具有高色温的光。例如，当发射白光的自发光器件具有第一蓝色有机发光层、黄绿色有机发光层和第二蓝色有机发光层的沉积结构时，在第二发光部中黄绿色谐振峰移动到蓝色峰值波长，由此可以发射具有相对高的色温的冷白光。

图19是示出了根据本公开的一个实施例的白色子像素和根据比较例的白色子像素的每一波长的强度的曲线图。在图19中，虚线表示根据比较例的白色子像素的每一波长的强度，实线表示根据本公开的一个实施例的白色子像素的每一波长的强度。根据比较例的白色子像素仅包括设置在不平坦图案部上的一个发光部，并且根据本公开的白色子像素包括设置在不平坦图案部上的第一发光部和设置在平坦部上的第二发光部。

如图19所示，注意到与根据比较例的白色子像素相比，从根据本公开的白色子像素产生的光具有蓝色波长的强度增大且黄绿色波长的强度降低的发光光谱。也就是说，由于从第一发光部发射的具有诸如图18所示的虚线的发光光谱的第一光和从第二发光部发射的具有诸如图19所示的实线的发光光谱的第二光的混合，与根据比较例的白色子像素相比，从根据本公开的白色子像素发射的白光具有蓝色波长的增大的强度以及黄绿色波长的降低的强度。因此，根据本公开的白色子像素可以发射具有高色温的白光，例如，冷白光。因此，根据本公开的发光显示装置可以提高显示图像的亮度和色温。

如上所述，虽然根据本公开的发光显示装置描述了设置在多个子像素中的一些子像素中的发光部包括与沿第一方向X与其相邻的金属线的至少一部分重叠的第二发光部，但本公开不限于此。设置在多个子像素中的一些子像素中的发光部可以进一步包括与沿第二方向Y与其相邻的金属线以及沿第一方向X与其相邻的金属线的至少一部分重叠的第三发光部。例如，设置在多个子像素中的一些子像素中的发光部可以进一步包括设置在外涂层的不平坦图案部上的第一发光部、设置在覆盖(或遮盖)沿第一方向X与其相邻的金属线的外涂层的平坦部或凹槽部上的第二发光部、以及设置在覆盖(或遮盖)沿第二方向Y与其相邻的栅极线的外涂层的平坦部或凹槽部上的第三发光部。在这种情况下，从第三发光部发射的光可以与从第一发光部和第二发光部中的每一个发射的光混合，由此可以进一步提高显示图像的亮度和色温。

下面将描述根据本公开的实施例的发光显示装置。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以包括：基板；在基板上沿第一方向彼此间隔开并且沿与第一方向相交的第二方向设置的第一金属线和第二金属线；以及与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠的子像素，其中，子像素可以包括在第一金属线和第二金属线之间的第一发光部，以及与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠的第二发光部。

根据本公开的一些实施例，第一发光部可以包括不平坦图案部，并且第二发光部可以包括平坦部。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以进一步包括设置在第一发光部和第二发光部中并且遮盖第一金属线和第二金属线的外涂层，其中，外涂层可以包括第一发光部中的不平坦图案部和第二发光部中的非图案部。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以进一步包括设置在第一发光部和第二发光部中并且遮盖第一金属线和第二金属线的外涂层，其中，子像素可以包括在第一发光部和第二发光部的外涂层上的阳极、在阳极上的自发光器件以及在自发光器件上的阴极。

根据本公开的一些实施例，外涂层可以包括第一发光部中的不平坦图案部和第二发光部中的非图案部，其中，阳极可以包括遵循不平坦图案部和非图案部的表面形态的表面形态。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以进一步包括设置在第一发光部和第二发光部中并且遮盖第一金属线和第二金属线的外涂层，其中，外涂层可以包括第一发光部中的不平坦图案部、第二发光部中的平坦部以及从平坦部凹陷的凹槽部。

根据本公开的一些实施例，子像素可以包括：在外涂层的不平坦图案部、平坦部和凹槽部上的阳极；在阳极上的自发光器件；以及在自发光器件上的阴极。

根据本公开的一些实施例，外涂层的平坦部可以包括连接到凹槽部的一侧的第一平坦部，以及在凹槽部的另一侧和不平坦图案部之间的第二平坦部，其中，子像素可以包括：在外涂层的不平坦图案部、第二平坦部及凹槽部的一部分上的阳极；在阳极上的自发光器件；以及在自发光器件上的阴极。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以进一步包括设置在第一发光部和第二发光部中并且遮盖第一金属线和第二金属线的外涂层，其中，第一金属线可以包括第一金属信号线以及在第一金属信号线和第二金属线之间的第二金属信号线，其中，第二发光部可以与第一金属信号线、第二金属信号线和第二金属线中的至少一条重叠，其中，外涂层可以包括第一发光部中的不平坦图案部、在第一金属信号线和第二金属信号线上的平坦部以及从平坦部朝第一金属信号线和第二金属信号线之间凹陷的凹槽部。

根据本公开的一些实施例，子像素可以包括：在外涂层的不平坦图案部、平坦部和凹槽部上的阳极；在阳极上的自发光器件；以及在自发光器件上的阴极。

根据本公开的一些实施例，外涂层的平坦部可以包括在第一金属信号线上的第一平坦部以及在第二金属信号线上并且连接到不平坦图案部的第二平坦部，其中，子像素可以包括：在外涂层的不平坦图案部、第二平坦部和凹槽部的一部分上的阳极；在阳极上的自发光器件；以及在自发光器件上的阴极。

根据本公开的一些实施例的发光显示装置可以包括：具有沿第一方向和与第一方向相交的第二方向设置的多个子像素区域的基板；沿第二方向延伸并且设置在多个子像素区域中的多条金属线；以及设置在多个子像素区域中的每一个中的发光部，其中，设置在多个子像素区域中的一些子像素区域中的发光部可以与多条金属线中的沿第一方向与发光部相邻的至少一条金属线重叠。

根据本公开的一些实施例，设置在多个子像素区域中的除一些子像素区域之外的其他子像素区域中的发光部可以不与多条金属线中的沿第一方向与发光部相邻的两条金属线重叠。

根据本公开的一些实施例，多条金属线中的第一金属线和第二金属线可以设置在一些子像素区域中以沿第一方向彼此间隔开，并且设置在一些子像素区域中的发光部可以与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠。

根据本公开的一些实施例，多条金属线中的第一金属线和第二金属线可以设置在一些子像素区域中以沿第一方向彼此间隔开，并且设置在一些子像素区域中的发光部可以包括在第一金属线和第二金属线之间的第一发光部，以及与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠的第二发光部。

根据本公开的一些实施例，多个子像素区域中的第一子像素区域的发光部发射红光，多个子像素区域中的第二子像素区域的发光部可以发射白光，多个子像素区域中的第三子像素区域的发光部可以发射蓝光，并且多个子像素区域中的第四子像素区域的发光部可以发射绿光，其中，多个子像素区域中的一些子像素区域可以是第二子像素区域和第四子像素区域或者是第二子像素区域至第四子像素区域。

根据本公开的一些实施例，第二发光部可以在基于第一方向的一半以上的范围内与第一金属线和第二金属线中的至少一条重叠。

根据本公开的一些实施例，第一金属线和第二金属线中的每一条可以包括与第一发光部相邻的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一侧和第二侧之间的中间部，并且基于第一方向，第二发光部的端部可以布置在第一金属线和第二金属线中的每一条的中间部与第二侧之间。

根据本公开的一些实施例，第一金属线可以包括第一金属信号线，以及在第一金属信号线和第二金属线之间的第二金属信号线，其中，第二发光部可以与第一金属信号线、第二金属信号线和第二金属线中的至少一条重叠。

根据本公开的一些实施例，第一发光部可以包括不平坦图案部，其中，第二发光部可以包括在第一金属信号线和第二金属信号线上的平坦部，以及从平坦部朝第一金属信号线和第二金属信号线之间凹陷的凹槽部。

根据本公开的实施例的发光显示装置可以应用于各种应用。根据本公开的实施例的发光显示装置可以应用于移动装置、视频电话、智能手表、手表手机、可穿戴装置、可折叠装置、可卷曲装置、可弯曲装置、柔性装置、弯曲装置、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器、移动医疗装置、台式个人计算机(PC)、膝上型PC、上网本电脑、工作站、导航装置、汽车导航装置、汽车显示装置、TV、壁纸显示装置、标识装置、游戏机、笔记本电脑、监视器、摄像机、便携式摄像机、家用电器等。

本公开的上述特征、结构和效果包含在本公开的至少一个实施例中，但不仅限于一个实施例。此外，本公开的至少一个实施例中描述的特征、结构和效果可以通过本领域技术人员组合或修改其他实施例来实现。因此，与组合和修改相关联的内容应当被解释为落入本公开的范围内。

显然，对本领域技术人员来说，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。