半导体结构

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构。

背景技术

有机发光二极管(OLED)所制成的显示器具有轻薄、可挠曲、省电、易携性、高亮度、无视角限制及反应速度快等优点，为显示器开发的的重要趋势。一般而言，有机发光二极管的显示技术由有机材料层和玻璃衬垫或CMOS衬垫构成，当有电荷通过时，这些有机材料层就会发光，其发光的颜色可取决于有机发光层的材料。

发明内容

本发明实施例涉及一种反射结构，其包括：金属基底，其具有第一表面；及电介质层，其在所述第一表面上，所述电介质层包括：第一电介质膜，其在所述第一表面上；第二电介质膜，其在所述第一电介质膜上；及第三电介质膜，其在所述第二电介质膜上；其中所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

本发明实施例涉及一种反射结构，其包括：第一金属基底及第二金属基底，其在互连结构上方；第一电介质膜，其具有所述第一金属基底上的第一厚度及所述第二金属基底上的第二厚度，所述第一厚度不同于所述第二厚度；第二电介质膜，其在所述第一电介质膜上，所述第二电介质膜具有所述第一金属基底上方的第三厚度及所述第二金属基底上方的第四厚度，所述第三厚度不同于所述第四厚度；及第三电介质膜，其在所述第二电介质膜上，所述第三电介质膜具有所述第一金属基底上方的第五厚度及所述第二金属基底上方的第六厚度，所述第五厚度不同于所述第六厚度；其中所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

本发明实施例涉及一种半导体结构，其包括：金属化结构；多个导电垫，其在所述金属化结构上方；及电介质层，其在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫，所述电介质层包括：第一电介质膜，其在所述导电垫上；第二电介质膜，其在所述第一电介质膜上；及第三电介质膜，其在所述第二电介质膜上；其中所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式更好理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任意增加或减小。

图1说明根据本揭露的一些实施例的反射结构的剖面图。

图2说明根据本揭露的一些实施例的关于第二电介质膜的反射率及折射率的线图。

图3说明根据本揭露的一些实施例的反射结构的剖面图。

图4说明根据本揭露的一些实施例的关于总反射率及电介质膜计数的线图。

图5说明根据本揭露的一些实施例的反射结构的剖面图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6Ea、图6F、图6Fa、图6G、图6H及图6I说明根据本揭露的一些实施例的制造半导体结构的各种操作的剖面图。

图7A说明根据本揭露的一些实施例的关于反射结构的总反射率的散点图。

图7B说明根据本揭露的一些实施例的关于反射结构的总反射率的散点图。

图7C说明根据本揭露的一些实施例的关于反射结构的总反射率的散点图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，此类仅为实例且并不旨在为限制性的。例如，在以下描述中，第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中第一构件及第二构件经形成直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，例如“在……的下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……上”及类似物的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与图中说明的另一元件或构件的关系。除图中描绘的定向外，空间相对术语还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。

如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，但此类元件、组件、区、层及/或区段不应被此类术语限制。此类术语仅可用于彼此区分一个元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由背景内容明确指示。

反射率是物体的平坦表面处的反射光学功率对入射光学功率的比。其可受到反射物体的若干物理性质(例如物体的表面材料类型、表面粗糙度、厚度、均匀度、平整度、几何结构等)的影响。例如，表面材料的均匀度越高，可呈现的反射率越高。

如图1中展示，在一些实施例中，本揭露的反射结构1包含金属基底10及电介质层20。金属基底10具有第一表面101。电介质层20包含第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203。

金属基底10可为导电垫且可由任何适合导电材料制成，包含(但不限于)金属(例如，铜、钽、钛、钼、钨、铂、铝、铪、钌)、合金、金属硅化物(例如，硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钽)或金属氮化物(例如，氮化钛、氮化钽)。在一些实施例中，金属基底由铝铜制成。在一些实施例中，金属基底10通过化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积或旋涂形成。

电介质层20放置于金属基底10的第一表面101上，且因此，第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203堆叠于金属基底10上方。金属基底10上的电介质层20经构形以与金属基底10反射光。更精确地，照射在金属基底10上的入射光线可在由金属基底10的第一表面101反射之前首先循序行进通过第三电介质膜203、第二电介质膜202及第一电介质膜201，且反射光线可接着反向返回。

由于电介质层20不由单个膜组成，所以根据斯奈尔定律(Snell’s law)，在其中行进的入射光线及反射光线可受到影响。即，在光线从一个介质行进到另一介质(例如，从第三电介质膜203到第二电介质膜202)时，光线可在其折射率不同的情况下折射。根据斯奈尔定律，当n1及n2表示两种介质的折射率时，θ1及θ2是光线与边界处的垂直线形成的入射角及折射角。斯奈尔定律确证n1/n2＝sinθ1/sinθ2。

在一些实施例中，第一电介质膜201的折射率小于第二电介质膜202的折射率，且第二电介质膜202的折射率小于第三电介质膜203的折射率。换句话说，接近于金属基底10的电介质膜的折射率小于远离于金属基底10的电介质膜的折射率。在一些实施例中，电介质膜的折射率从电介质层20的底部到电介质层20的顶部以上升顺序改变。

在本揭露中，从电介质层的底部到电介质层的顶部上升的折射率可增加反射结构的光的总反射率。在一些实施例中，电介质层20的电介质膜的折射率在约1.47到约1.8的范围内。在一些实施例中，第一电介质膜201及第三电介质膜203的折射率分别是1.47及1.8，而第二电介质膜202的折射率在1.47与1.8之间的某一点，其不同于第一电介质膜201及第三电介质膜203。

参考图2，图2说明电介质层20的总反射率(Y轴)与电介质层20的第二电介质膜202的折射率(X轴)的改变的关系。当第二电介质膜202的折射率增加时，光的总反射率展示增加趋势。在比较实例R1及R2中的红光(具有约633nm的波长，标记为方形点)的折射率的情况下，当第一电介质膜201及第二电介质膜202的折射率相同时，如实例R1中示范，约88.6％的总反射率低于R2的约91.7％的总反射率，其中第一电介质膜201的折射率低于第二电介质膜202的折射率。替代地，通过将第二电介质膜202的折射率从相同改变为大于第一电介质膜201的折射率，红光在电介质层20中的反射率可从88.6％增加到91.7％，其中第三电介质膜203的折射率不变。

此外，如图2中展示，不仅红光而且绿光(例如，具有约500nm的波长，标记为三角形点)的总反射率及蓝光(例如，具有约450nm的波长，标记为菱形点)的总反射率皆随着第二电介质膜202的折射率增加而增加。换句话说，在可见光的波长范围内，如果第二电介质膜202或电介质膜202的中间层的折射率在第一电介质膜201及第三电介质膜203的折射率范围之间，那么总反射率可增加。

而且，根据图2，光的总反射率展示与第二电介质膜202的折射率的正相关。例如，在第一电介质膜201及第三电介质膜203的折射率分别是1.47及1.8的情况中，当第二电介质膜202的折射率从1.47增加到1.75时(相对于从1.47增加到1.5)，光的总反射率的增加更显著。在一些实施例中，如果第二电介质膜202的折射率高于第一电介质膜201及第三电介质膜203的折射率的平均值，那么光的总反射率可进一步增加。即，当第一电介质膜201的折射率是约1.47且第三电介质膜203的折射率是约1.8时，如果第二电介质膜202的折射率大于1.63，那么光的总反射率可进一步增加。

凭借通过布置电介质膜的顺序而增加光的总反射率，可减轻关于电介质层20的均匀度的要求。更精确地，为达到高反射率，在反射金属上形成电介质层需要具有严格平坦化制程以满足<1％(3西格玛)的表面粗糙度均匀度。然而，可减轻关于均匀度的此要求，这是因为电介质膜的折射率的上升顺序可提供例如超过3％的总反射率的增加，如图2中展示。因此，制造半导体结构中的反射器将为更灵活的。

参考图3，在一些实施例中，电介质层20可包含三个以上电介质膜。在一些实施例中，第二电介质膜202可包含多个子层，例如图3中展示的子层202A、202B及202C。在一些实施例中，子层202A、202B及202C放置于第一电介质膜201与第三电介质膜203之间。在此类实施例中，子层202A、202B及202C的折射率以顺序布置，使得较接近于第三电介质膜203的子层具有较高折射率，即，第二电介质膜202的底部子层(例如，子层202A)的折射率小于第二电介质膜202的顶部子层(例如，子层202C)的折射率。

第二电介质膜202的子层的计数不限于如图3中展示的子层。参考图4，图4展示总反射率与电介质膜计数的关系。当第二电介质膜202包含四个子层时，如先前在图3中论述，除第一电介质膜201及第三电介质膜203以外，电介质层20拥有六个电介质膜的膜计数。光的总反射率仍高于仅具有一个或两个电介质膜的反射器的总反射率。换句话说，在电介质层20具有3的电介质膜计数的情况中，即使膜计数上升，总反射率大体上也使其性能饱和。考量图2及图4，在从第一电介质膜201到第三电介质膜203的上升折射率或其中间膜进一步包含具有上升折射率的多子层结构的情况下，光的总反射率可在此电介质膜布置中增加。在一些实施例中，多个子层的折射率在从约1.47到约1.8的范围内。

在一些实施例中，第一电介质膜201的材料与第二电介质膜202的材料相同。在一些实施例中，第一电介质膜201的材料是氧化硅。在一些实施例中，尽管第一电介质膜201及第二电介质膜202的材料相同，但通过在电介质膜的形成操作期间选择不同前驱体或调整前驱体之比，第一电介质膜201及第二电介质膜202的折射率仍不同。

在一些实施例中，第一电介质膜201的材料不同于第三电介质膜203的材料。在一些实施例中，第三电介质膜203的材料是氧化铝。

在一些实施例中，第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203的材料中的每一者具有大体上等于零的消光系数(k)，使得行进通过的光可大体上不被衰减。

参考图5，在一些实施例中，导电氧化物层40放置于电介质层20上方，且导电垫30放置于电介质层20下方。导电垫30的材料及形成方法可是指先前在图1中描述的金属基底。在一些实施例中，导电垫30被绝缘层31横向包围。在一些实施例中，绝缘层31的顶表面310与导电垫30的顶表面300共面。

此外，在一些实施例中，电介质层20包含凸起部分21及电介质层20的一侧处的到少边缘部分22。如图5中展示，电介质层20的厚度在不同部分中变化。

电介质层20的厚度(特定来说，凸起部分21的厚度T1)与由本揭露反射的反射光线的颜色相关联。更精确地，电介质层20可作为全方位反射镜(Omni-Directionalreflector,ODR)，而提升提导电垫30的顶表面300对来自发光装置(例如微型OLED，后示于图6I)的光线的反射。发光装置决定发出光线的颜色，而又基于电介质层20之厚度对不同波长的光线的反射率提升的不同，对不同颜色光线的反射程度产生影响。在一些实施例中，具有约630nm到约750nm的波长的光可相对较多地被具有约1500埃的电介质层20的厚度的反射结构反射，借此提升照射至导电垫30的红光的反射效率。在一些实施例中，具有约490nm到约570nm的波长的光可相对较多地被具有约700埃的电介质层20的厚度的反射结构反射，借此提升照射至导电垫30的绿光的反射效率。在一些实施例中，具有约450nm到约490nm的波长的光可相对较多地被具有约50埃的电介质层20的厚度的反射结构反射，借此提升照射至导电垫30的蓝光的反射效率。

此外，边缘部分22的厚度T2小于凸起部分21的厚度T1，而在一些实施例中，边缘部分22是不用于反射可见光的区域。因此，在一些实施例中，边缘部分22的厚度T2小于约50埃且在边缘部分22处大体上不反射可见光。

仍参考图5，在一些实施例中，导电垫30被凸起部分21完全覆盖。在一些实施例中，不仅导电垫30而且绝缘层31的部分被凸起部分21覆盖。例如，根据图5中的剖面图，凸起部分21可宽于导电垫30，凸起部分21的每一侧处具有宽度W。因此，一些倾斜入射光线还可行进通过凸起部分21且被反射。在一些实施例中，凸起部分21的面积大于其下方的导电垫30的面积。在一些实施例中，图5展示相邻于其光接收侧的发光装置中的像素的部分。

参考图6A到图6H，在制造具有反射结构的半导体结构时，在一些实施例中，可首先提供金属化结构50。如图6A中展示，金属化结构50包含多个个别装置，例如通过生产线前端(FEOL)的形成操作而图案化于衬底501(例如，硅晶片)中的晶体管、电容器及电阻器。且通过生产线后端(BEOL)的形成操作将一系列堆叠层502放置于衬底501上方。堆叠层经制造以提供个别装置(例如上述晶体管、电容器及电阻器)以与衬底上的金属布线互连。因此，金属化结构50中的相邻层502通过使用电接点及通路而连结在一起。

如图6B中展示，在一些实施例中，在金属化结构50上方放置多个导电垫30。在一些实施例中，多个导电垫30被绝缘层31横向包围，且绝缘层31的顶表面310与导电垫30的多个顶表面300共面。在一些实施例中，导电垫30可由任何适合导电材料制成，包含(但不限于)金属、合金、金属硅化物或金属氮化物。在一些实施例中，导电垫30由铝铜(AlCu)制成。在一些实施例中，导电垫30通过化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)或旋涂形成。

在导电垫30上方形成电介质层之前，在一些实施例中，由铝铜制成的导电垫30可在约400摄氏度下退火约1分钟。退火操作将在电介质层的沉积操作之前诱发形成导电垫30的突起或挤制件的生长。可通过随后化学机械平坦化(CMP)操作移除突起或挤制件。

如图6C到图6E中展示，在对导电垫30实施CMP操作之后，在导电垫30上放置电介质层20。在一些实施例中，形成电介质层20的操作温度低于导电垫30的退火操作。在一些实施例中，电介质层20通过在约250摄氏度下进行电浆增强物理气相沉积(PECVD)而形成。形成电介质层20的较低温可维持导电垫30的较低表面粗糙度，即，如果形成电介质层20的温度未高达先前退火操作中的温度，那么可避免突起或挤制件的生长。

在一些实施例中，由铝铜制成的导电垫30的表面粗糙度可通过使导电垫30在约400摄氏度下退火达约1分钟而从小于约350埃减小到小于约250埃。在一些实施例中，由铝铜制成的导电垫30的表面粗糙度可通过将形成电介质层20的PECVD温度从约400摄氏度降低到约250摄氏度而从小于约250埃进一步减小到小于约100埃。

在一些实施例中，取决于电介质膜的计数及像素单元中的颜色分布要求，电介质层20通过多个沉积操作形成。参考图6C到图6E，为形成具有用于反射不同颜色的光的不同厚度的反射结构，在一些实施例中，在第一导电垫30A、第二导电垫30B及第三导电垫30C上方形成电介质膜可通过三个掩模操作划分为三个不同区域61、62及63。在一些实施例中，三个不同区域61、62及63可为经构形以反射不同波长的三个像素，且三个不同区域61、62及63可在像素阵列中彼此相邻或不相邻。

在一些实施例中，如图6C中展示，导电垫30A上方的区域61是用于反射红光且其中的电介质层20的总厚度是约1500埃。第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203的厚度例如分别可为约725埃、725埃及50埃。具有上升折射率的不同电介质膜可通过在第一掩模操作期间选择不同前驱体或调整前驱体之比而形成。

在一些实施例中，如图6D中展示，第二导电垫30B上方的区域62是用于反射绿光且其中的电介质层20的总厚度是约700埃。第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203的厚度例如分别可为约330埃、330埃及40埃。具有上升折射率的不同电介质膜可通过在第二掩模操作期间选择不同前驱体或调整前驱体之比而形成。

在一些实施例中，如图6E中展示，第三导电垫30C上方的区域63是用于反射绿光且其中的电介质层20的总厚度是约50埃。第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203的厚度例如分别可为约20埃、20埃及10埃。具有上升折射率的不同电介质膜可通过在第三掩模操作期间选择不同前驱体或调整前驱体之比而形成。

因此，在区域61、62及63中，电介质层20的厚度分别是约1500埃、700埃及50埃，且每一区域还包含分别具有例如1.47、1.7及1.8的折射率的第一电介质膜201、第二电介质膜202及第三电介质膜203，折射率从电介质层20的底膜到其顶膜上升。更精确地，如图6Ea中展示(其从图6E的部分放大)，在金属化结构50上方放置第一导电垫30A及第二导电垫30B。第一电介质膜201具有第一导电垫30A上的第一厚度T61及第二导电垫30B上的第二厚度T62，且第一厚度不同于第二厚度T62。第二电介质膜202具有第一导电垫30A上方的第三厚度T63及第二导电垫30B上方的第四厚度T64，且第三厚度T63不同于第四厚度T64。第三电介质膜203具有第一导电垫30A上方的第五厚度T65及第二导电垫30B上方的第六厚度T66，且第五厚度T65不同于第六厚度T66。

如图6F中展示，在一些实施例中，电介质层20包含每两个相邻导电垫30之间的多个间隔32上方的多个凹槽64。在一些实施例中，凹槽64可通过蚀刻操作形成。凹槽64可将先前操作中提及的区域61、62及63隔离为如先前在图5中提及的凸起部分21及边缘部分22。在一些实施例中，凹槽64的底部处的电介质层20的厚度小于约50埃且因此可大体上不反射可见光。

在一些实施例中，用于形成电介质膜的方法不限于PECVD，例如，第一电介质膜201及第二电介质膜202可由CVD或PECVD形成，而第三电介质膜203由ALD形成。特定来说，在一些实施例中，第一电介质膜201及第二电介质膜202的材料是氧化硅而非第三电介质膜203中使用的氧化铝。因此，在一些实施例中，第一电介质膜201或第二电介质膜202的密度小于第三电介质膜203的密度。

如图6Fa中展示，根据通过如图6A到图6F中展示的操作形成的半导体结构的俯视图，电介质层的凸起部分21R、21G及21B可分别反射红光、绿光及蓝光，且凸起部分21R、21G及21B可由边缘部分22清楚区分。

如图6G中展示，在一些实施例中，可在多个接触形成操作中通过电介质层20的凸起部分21中的每一者形成多个电连接70。且如图6H中展示，在电介质层20上方形成导电氧化物层40。更精确地，凸起部分21中的每一者可被导电氧化物层40覆盖，且电连接70可连接导电氧化物层40与导电垫30。在一些实施例中，导电氧化物层40是铟锡氧化物(ITO)层。

本文中描述的反射结构可与发光装置集成，例如微型OLED 42。电介质层20被随后沉积的绝缘层41包围以填充相邻电介质层20之间的间隙。微型OLED 42可放置于绝缘层41及反射结构上方。在一些实施例中，导电氧化物层40与微型OLED 42的电极接触。在一些实施例中，如图6I中展示，来自微型OLED 42的光L进入反射结构的电介质层20。更精确地，光L可穿透电介质层20且被导电垫30反射。如前述，电介质层20的厚度与电介质层20反射的波长相关。在一些实施例中，红光R、绿光G及蓝光B可被具有不同厚度的电介质层20反射。在一些实施例中，光L的来源可为放置成高于反射结构的发光层。出于清楚示范的目的，电介质层20中的每一者的厚度之间的差异不按比例绘制。电介质层20中的每一者之间的厚度差异可在显微镜上是微小的且因此离散电介质层20中的每一者上的导电氧化物层40可与微型OLED 42的电极接触。

参考图7A，图7A展示电介质层的总反射率与不同入射波长之间的关系。在两种条件下比较反射结构的总反射率：一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有上升折射率的三个电介质膜；另一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有下降折射率的三个电介质膜。线81A是指从底部到顶部堆叠的具有约1.47、1.7及1.8的折射率的电介质膜的总反射率，而从底部到顶部堆叠的具有约1.8、1.7及1.47的折射率的电介质膜的总反射率被称为线81B。在可见光的波长(约380nm到750nm)中，具有上升折射率的反射结构的总反射率高于具有下降折射率的反射结构的总反射率。

参考图7B，图7B展示电介质层的总反射率与不同入射波长之间的关系。在两种条件下比较反射结构的总反射率：一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有上升折射率的四个电介质膜；另一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有下降折射率的四个电介质膜。线82A是指从底部到顶部堆叠的具有约1.5、1.6、1.7及1.8的折射率的电介质膜的总反射率，而从底部到顶部堆叠的具有约1.8、1.7、1.6及1.5的折射率的电介质膜的总反射率被称为线82B。在可见光的波长中，具有三个以上上升折射率的反射结构的总反射率还高于具有下降折射率的反射结构的总反射率。

参考图7C，图7C展示电介质层的总反射率与不同入射波长之间的关系。在三种条件下比较反射结构的总反射率：一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有上升折射率的三个电介质膜；另一种是以从导电垫30到导电氧化物层40的顺序形成具有下降折射率的三个电介质膜；又另一种是以除上升或下降顺序以外的随机折射率布置形成三个电介质膜。线83A是指从底部到顶部堆叠的具有约1.47、1.7及1.8的折射率的电介质膜的反射率，而从底部到顶部堆叠的具有约1.8、1.7及1.47的折射率的电介质膜的反射率被称为线83B，且从底部到顶部堆叠的具有约1.7、1.8及1.47的折射率的电介质膜的反射率被称为线83C。在可见光的波长中，具有上升折射率的反射结构的总反射率不仅高于具有下降折射率的反射结构的总反射率，而且高于具有随机折射率的反射结构的总反射率。

在本揭露中，反射结构包含金属基底上的电介质层，其中堆叠具有以上升顺序布置的折射率的到少三个电介质膜。因此，反射结构的总反射率可增加，且减轻电介质层的均匀度要求。

在一个示范性方面中，提供一种反射结构。所述反射结构包含：金属基底及电介质层。所述金属基底具有第一表面。所述电介质层放置于所述第一表面上，且具有第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜放置于所述第一表面上。所述第二电介质膜放置于所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜放置于所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

在另一示范性方面中，提供一种反射结构。所述反射结构包含：互连结构、第一金属基底、第二金属基底、第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一金属基底及所述第二金属基底在所述互连结构上方。所述第一电介质膜具有所述第一金属基底上的第一厚度及所述第二金属基底上的第二厚度。所述第一厚度不同于所述第二厚度。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第二电介质膜具有所述第一金属基底上方的第三厚度及所述第二金属基底上方的第四厚度。所述第三厚度不同于所述第四厚度。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第三电介质膜具有所述第一金属基底上方的第五厚度及所述第二金属基底上方的第六厚度。所述第五厚度不同于所述第六厚度。所述第一电介质膜的所述折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

在又另一示范性方面中，提供一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。

前文概述若干实施例的结构，使得所属领域的技术人员可更好理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本揭露作为设计或修改用于实行本文中介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点的其它制造过程及结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造不脱离本揭露的精神及范围，且其可在不脱离本揭露的精神及范围的情况下在本文中进行各种改变、替换及更改。

10:金属基底

20:电介质层

21:凸起部分

21B:凸起部分

21G:凸起部分

21R:凸起部分

22:边缘部分

30:导电垫

30A:第一导电垫

30B:第二导电垫

30C:第三导电垫

31:绝缘层

32:间隔

40:导电氧化物层

41:绝缘层

42:微型OLED

50:金属化结构

61:区域

62:区域

63:区域

64:凹槽

70:电连接

81A:线

81B:线

82A:线

82B:线

83A:线

83B:线

83C:线

101:第一表面

201:第一电介质膜

202:第二电介质膜

202A:子层

202B:子层

202C:子层

203:第三电介质膜

300:顶表面

310:顶表面

501:衬底

502:堆叠层

B:蓝光

G:绿光

L:光

R:红光

T1:厚度

T2:厚度

T61:第一厚度

T62:第二厚度

T63:第三厚度

T64:第四厚度

T65:第五厚度

T66:第六厚度

W:宽度