狭缝阀及晶圆处理系统

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种狭缝阀及晶圆处理系统。

背景技术

在半导体加工过程中，通常使用晶圆处理系统对晶圆作各种处理。晶圆处理系统至少包括一个处理腔室及与处理腔室连接的狭缝阀。狭缝阀关闭时处理腔室与外部空间相分隔，狭缝阀打开时处理腔室与外部空间相连通。但是，狭缝阀密封不足时会导致处理腔室与外部空间交叉影响污染，造成系统维护成本提高，晶圆处理良率下降的问题。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种解决上述问题的狭缝阀及晶圆处理系统。

一种狭缝阀，包括：第一壳体及第二壳体，所述第一壳体及第二壳体组合形成供产品通过的通道，所述第一壳体朝向所述通道的表面开设有第一凹槽，所述第二壳体背离所述通道的表面开设有第二凹槽；升降组件，其包括基台；第一隔板，其设置于所述基台上，以随着所述升降组件移动；第一密封件，其设置于所述第一隔板远离所述基台的端部；第二密封件，其设置于所述基台上，在所述狭缝阀关闭时，所述第一密封件收容于所述第一凹槽内，所述第二密封件收容于所述第二凹槽内。

一种晶圆处理系统，包括：处理腔室，其对晶圆进行处理；

狭缝阀，其与所述处理腔室连接，所述狭缝阀包括：第一壳体及第二壳体，所述第一壳体及第二壳体组合形成供产品通过的通道，所述第一壳体朝向所述通道的表面开设有第一凹槽，所述第二壳体背离所述通道的表面开设有第二凹槽；升降组件，其包括基台；第一隔板，其设置于所述基台上，以随着所述升降组件移动；第一密封件，其设置于所述第一隔板远离所述基台的端部；第二密封件，其设置于所述基台上，在所述狭缝阀关闭时，所述第一密封件收容于所述第一凹槽内，所述第二密封件收容于所述第二凹槽内。

上述晶圆处理系统的狭缝阀在第一壳体与第二壳体上分别开设第一凹槽与第二凹槽，以分别收容第一隔板一端的第一密封件及基台上的第二密封件，从而充分密封分隔所述通道，避免处理腔室与外部空间或装置交叉污染，降低了系统的维护成本，提高了晶圆的处理良率。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的晶圆处理系统的示意图。

图2是本发明变更实施例提供的晶圆处理系统的示意图。

主要元件符号说明

晶圆处理系统 400

处理腔室 410

狭缝阀 100

第一壳体 10

第二壳体 20

通道 30

升降组件 40

基台 41

支撑件 42

驱动件 43

第一隔板 50

第一密封件 60

第二密封件 70

第二隔板 80

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，当一个元件或组件被认为是“连接”另一个元件或组件，它可以是直接连接到另一个元件或组件或者可能同时存在居中设置的元件或组件。当一个元件或组件被认为是“设置在”另一个元件或组件，它可以是直接设置在另一个元件或组件上或者可能同时存在居中设置的元件或组件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参见图1，本发明的实施例提供一种晶圆处理系统400。所述晶圆处理系统400包括至少一个处理腔室410及至少一个狭缝阀100。所述处理腔室410对晶圆进行工艺处理。所述狭缝阀100与所述处理腔室410连接。

所述处理腔室410对所述晶圆进行的工艺处理包括但不限于刻蚀工艺，例如湿法刻蚀互离子束铣削；沉积工艺，例如物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、电化学沉积及原子层沉积等；光刻曝光；离子注入；热处理，如退火及/或热氧化；清洗过程，如漂洗及/或等离子灰化；化学机械抛光；测试；各种涉及处理晶圆的工艺；及/或各种工艺的组合。

所述狭缝阀100包括第一壳体10、第二壳体20、升降组件40、第一隔板50、第一密封件60及第二密封件70。

所述第一壳体10与所述第二壳体20相对间隔设置，组合形成供产品通过的所述通道30。在本实施例中，所述产品为晶圆。可以理解，所述通道30的尺寸适于所述产品通过。

所述第一壳体10朝向所述通道30的表面开设有第一凹槽110，所述第二壳体20背离所述通道30的表面开设有第二凹槽210。在本实施例中，所述第一凹槽110与所述第二凹槽210的截面形状均为矩形，但不限于此。

所述第一隔板50位于所述第一壳体10与所述第二壳体20之间，并与所述升降组件40连接。所述升降组件40驱动所述第一隔板50移动，使所述第一隔板50分隔或连通所述通道30。可以理解，所述第一隔板50分隔所述通道30时即为所述狭缝阀100关闭，所述第一隔板50连通所述通道30时即为所述狭缝阀100打开。

具体地，所述升降组件40包括基台41、支撑件42及驱动件43。所述基台41位于所述第二壳体20远离所述第一壳体10的一侧。所述支撑件42位于所述基台41远离所述第二壳体20的一侧。所述第一隔板50固设于所述基台41远离所述支撑件42的一侧。所述支撑件42的一端与所述基台41连接，另一端与所述驱动件43连接。所述驱动件43驱动所述支撑件42移动，从而带动所述基台41及所述第一隔板50移动，以使所述第一隔板50分隔或连通所述通道30。

所述第一密封件60与所述第二密封件70优选使用耐等离子体腐蚀的材料制成，以提高寿命。

所述第一密封件60设置于所述第一隔板50远离所述基台41的一端。所述第二密封件70设置于所述基台41上。在所述狭缝阀100关闭时，所述第一密封件60收容于所述第一凹槽110内，所述第二密封件70收容于所述第二凹槽210内，以充分密封分隔所述通道30，避免所述处理腔室410内的污染物(例如有剧毒的处理气体)与所述通道30远离所述处理腔室410的一端连接的空间或装置内不同的污染物(例如颗粒污染物)交叉影响。

请参见图2，本发明的变更实施例提供一种晶圆处理系统400。本实施例与上一实施例的不同之处在于，所述狭缝阀100还包括第二隔板80。所述第二隔板80固设于所述第一隔板50靠近所述第一壳体10的一端上。具体地，所述第一隔板50包括相对的第一侧表面51及第二侧表面52。所述第一侧表面51背离所述处理腔室410及所述基台41。所述第二侧表面52朝向所述处理腔室410。所述第二隔板80固设于所述第二侧表面52上。所述第二隔板80的截面的形状为L字型。所述第一凹槽110的截面形状为L字型。在所述狭缝阀100关闭时，所述第二隔板80与所述第一隔板50收容于所述第一凹槽110，所述第二隔板80增强了对所述第一隔板50及第一密封件60的保护作用。

在其他实施例中，所述第一侧表面51上及所述基台41上也可以增设隔板，进一步增强对所述第一隔板50及所述基台41的保护。

本发明的实施例提供的晶圆处理系统400的狭缝阀100在第一壳体10与第二壳体20上分别开设第一凹槽110与第二凹槽210，以分别收容第一隔板50一端的第一密封件60及基台41上的第二密封件70，从而充分密封分隔所述通道30，避免处理腔室410与外部空间或装置交叉污染，降低了系统的维护成本，提高了晶圆的处理良率。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。